Фотоэлектрический преобразователь энергии на основе комплексов фталоцианинов и их аналогов


 

H01L51/46 - Приборы на твердом теле, предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения или конденсаторы или резисторы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером; с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей (способы или устройства для обработки неорганических полупроводниковых тел, включающей в себя образование или обработку органических слоев на них H01L 21/00,H01L 21/312,H01L 21/47)

Владельцы патента RU 2592743:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физиологически активных веществ Российской академии наук (ИФАВ РАН) (RU)
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) (RU)

Изобретение относится к области превращения световой энергии в электрическую. Фотоэлектрический преобразователь энергии в качестве активного слоя содержит полупроводящие полимеры в качестве электроноакцепторной компоненты, моно- или полиядерные фталоцианины, или нафталоцианины, или их металлокомплексы планарного или сэндвичевого строения в качестве электронодонорной компоненты. Изобретение позволяет исключить необходимость использования сложной многослойной конструкции. 5 з.п. ф-лы.

 

Область техники:

Изобретение относится к области превращения световой энергии в электрическую, в частности, изобретение можно классифицировать как фотопреобразователь (фоторезистор), созданный на основе органических полупроводниковых материалов. Главным компонентом фотоэлектрического преобразователя выступают фталоцианины - гетероциклические молекулы из класса синтетических красителей.

Уровень техники:

К настоящему времени известно большое количество таких датчиков, обладающих различными характеристиками, их описание приведено в следующих публикациях:

"Light-Harvesting and Energy-Transfer System Based on Self-Assembling Perylene Diimide-Appended Hexaazatriphenylene", Tsutomu Ishi-I at al., Org. Lett., 2005, vol. 7, No. 15, pp. 3175-3178;

"Photoinduced Electron Transfer and Excitation Energy Transfer in Directly Linked Zinc Porphyrin/Zinc Phthalocyanine Composite", Fuyuki Ito at al., J. Phys. Chem. A, 2006, vol. 110, pp.12734-12742;

"Conjugated Polymer-Based Organic Solar Cells", Serap Gunes at al., Chem. Rev., 2007, vol. 107, pp. 1324-1338.

Из уровня техники известны устройства, которые изложены в следующих патентах:

Патент №2532841, авторы: ЯМАДА Сэйдзи, ГОТО Есио, ТОКИТА Юити «Электрод с иммобилизованным белком и способ его изготовления и функциональный элемент и способ его изготовления». В данном патенте предложен способ изготовления электрода с иммобилизованным белком путем иммобилизации цитохрома с552, его производного или варианта на золотом электроде таким образом, что гидрофобная часть цитохрома, его производного или варианта расположена напротив золотого электрода. Цитохром с552, его производное или вариант и золотой электрод соединены друг с другом с помощью самоорганизующегося монослоя, расположенного между ними. После образования на золотом электроде самоорганизующегося монослоя золотой электрод погружают в раствор, содержащий цитохром с552, его производное или вариант, буферный раствор и от 10 мМ до 30 мМ включительно хлорида калия для связывания цитохрома с552, его производного или варианта с золотым электродом с помощью самоорганизующегося монослоя, расположенного между ними. Также предложен электрод, полученный вышеуказанным способом. Предложен способ изготовления функционального элемента фотоэлектрического преобразователя. Способ включает стадии образования электрода с иммобилизованным белком путем иммобилизации на золотом электроде цитохрома с552, его производного или варианта. Предложен также функциональный элемент фотоэлектрического преобразователя, полученный вышеуказанным способом. Предложенная группа изобретений обеспечивает повышение стабильности электрода с иммобилизованным белком с сохранением способности переноса электронов цитохрома с552, его производного или варианта для длительного постоянного применения.

Патент №2528397, авторы: Цуй Вэйхун «Фотоэлектрический модуль со стабилизированным полимером». Изобретение относится к фотоэлектрическому устройству, содержащему металлический компонент и поливинилбутиральный слой, расположенный в контакте с указанным металлическим компонентом, и защитной подложки, расположенной в контакте с указанным поливинилбутиральным слоем. Поливинилбутиральный слой содержит 1Н-бензотриазол или соль 1Н-бензотриазола.

Патент РФ №2444087, авторы: Стребков Дмитрий Семенович, Заддэ Виталий Викторович «Полупроводниковый фотоэлектрический преобразователь и способ его изготовления». Изобретение относится к конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей. Изобретение обеспечивает повышение КПД и снижение стоимости изготовления фотоэлектрических преобразователей, состоящих из множества микрофотопреобразователей.

Патент РФ №2436191, авторы: Гудовских Александр Сергеевич, Малевская Александра Вячеславовна, Задиранов Юрий Михайлович, Андреев Вячеслав Михайлович «Каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием». Каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием изготовлен на основе многослойной полупроводниковой структуры AlGaInP/GaInP/Ga(In)As/Ge. Фотоэлектрический преобразователь содержит тыльный и лицевой омические контакты и многослойное наноструктурное просветляющее покрытие, сформированное на фронтальной поверхности структуры в свободных от омических контактов местах, состоящее из трех слоев: SiO2 толщиной 70-80, Si3N4 толщиной 25-35 нм и TiOx, где х=1,8-2,2, толщиной 20-30 нм. Каскадный фотоэлектрический преобразователь имеет повышенный КПД и низкий коэффициент отражения в коротковолновой и длинноволновой области солнечного спектра.

Патент РФ №2502156, авторы: Леготин Сергей Александрович, Краснов Андрей Андреевич, Леготина Нина Геннадьевна, Тюхов Игорь Иванович, Приходько Наталья Илларионовна, Корольченко Алексей Сергеевич, Симакин Виктор Васильевич, Мурашев Виктор Николаевич, Абдуллаев Олег Рауфович «Кремниевый фотоэлектрический преобразователь с гребенчатой конструкцией и способ его изготовления». Настоящее изобретение относится к области кремниевых многопереходных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечных батарей. Согласно изобретению предложено создание «гребенчатой» конструкции фотоэлектрического преобразователя, которая позволяет реализовать в его диодных ячейках максимально возможный объем области пространственного заряда р-n переходов, в котором сбор неосновных носителей заряда происходит наиболее эффективно. Предложены конструкция и способ изготовления этой конструкции гребенчатого кремниевого монокристаллического многопереходного фотоэлектрического преобразователя. Данное изобретение позволяет повысить коэффициент полезного действия фотоэлектрических преобразователей до 32%.

Патент №2450294, авторы: Эндо Сохмеи, Хаясибе Казуя, Нагаи Тоору, Хидета Икухиро, Сузуки Тадао, Нисимура Кимитака, Сирасаги Тосихико «Оптическое устройство, способ изготовления мастер-копии, используемой при изготовлении оптического устройства, и фотоэлектрический преобразователь». Оптическое устройство имеет множество структур с возвышенными или углубленными участками, расположенными с коротким шагом, равным или короче, чем длина волны видимого света, на поверхности основания. Структуры образуют множество рядов в виде дугообразных дорожек на поверхности основания и образуют конфигурацию квазишестиугольной решетки. Структура имеет форму эллиптического конуса или усеченного эллиптического конуса, имеющего главную ось в направлении вдоль дугообразных дорожек. Способ изготовления мастер-копии для использования при производстве оптического устройства включает первый этап, на котором готовят подложку со сформированным на поверхности слоем резиста; второй этап, на котором формируют скрытое изображение путем периодического облучения лазерным лучом слоя резиста при вращении подложки и относительном перемещении лазерного луча в радиальном направлении относительно вращения подложки; и третий этап, на котором формируют конфигурацию резиста на поверхности подложки посредством проявления слоя резиста. Технический результат - улучшение антиотражения и плотности упаковки структур.

Наиболее близким к данному изобретению является фотогальваническое устройство, предложенное в патенте: WO 2011/148176. В этом патенте согласно описанию фотогальваническое устройство представляет собой сложную многослойную конструкцию, предусматривающую последовательное нанесение слоев. Кроме того, в данных материалах отсутствует какое-либо упоминание о составе композиции, в которой в качестве одного из компонентов всегда присутствует поли[2-метокси-5-(2-этилгексилокси)-1,4-фениленвинилен] в комбинации с одним из перечисленных электронодонорных компонентов (моно- или полиядерные фталоцианин, или нафталоцианин, или их металлокомплексы планарного или сэндвичевого строения) в определенном количественном соотношении, позволяющем достичь заявленный технический результат. Более того, в материалах WO 2011/148176 заявители отнесли поли[2-метокси-5-(2-этилгексилокси)-1,4-фениленвинилен] (MEH-PPV) (стр. 10 строка 34) и фталоцианины (стр. 11 строка 3) к органическим донорам, что не позволяет их совместное использование в качестве композиции, необходимым условием которой является присутствие и электронодонорной и электроноакцепторной компонент.

Основным недостатком заявленных фотогальванических устройств является их сложная многослойная конструкция, предусматривающая последовательное нанесение слоев.

Этих недостатков лишен предложенный нами фотоэлектрический преобразователь энергии на основе комплексов фталоцианинов и их аналогов. Поставленная задача была решена настоящим изобретением. Фотоэлектрический преобразователь энергии, содержит активный (рабочий) слой. Согласно изобретению, в качестве активного (рабочего) слоя используется композиция следующего состава: полупроводящие полимеры в качестве электроноакцепторной компоненты, моно- или полиядерные фталоцианины, или нафталоцианины, или их металлокомплексы планарного или сэндвичевого строения в качестве электронодонорной компоненты при следующем соотношении компонентов (масс. %): электронодонорная часть: 1-5%, электроноакцепторная часть: 99-95%.

Фотоэлектрический преобразователь энергии дополнительно может содержать добавки фуллеренов и/или нанонитей, и/или ионных жидкостей, и/или графена, и/или оксидов металлов для повышения эффективности активного слоя. При этом процентное содержание добавок может варьироваться в широком интервале (от 0.01 до 10%).

В качестве контактов могут быть использованы металлические электроды, один из контактов может быть выполнен в виде сетки или быть прозрачным, например из оргстекла или полиэтилентерефталата (ПЭТ).

Фотоэлектрический преобразователь энергии, как правило, содержит подложку, на которую нанесен упомянутый выше активный слой. Например, в качестве подложки могут быть использованы твердые или гибкие поверхности, ткань, пропитанная композицией, формирующей активный слой.

Работа устройства:

Устройство содержит электроды для снятия электрического заряда. Устройство способно работать в одном из двух режимов работы - фотоэлектрического преобразователя или фотосопротивления. В первом режиме работы при облучении поверхности устройства (активного слоя) пучком света (или иного излучения) фотоны данного излучения вызывают возбуждение комплексов, входящих в активный слой, что приводит к возникновению разности потенциалов между местами, в которые встроены электроды, и возникновению электрического тока в цепи, в которую включен упомянутый преобразователь. Таким образом происходит превращение энергии потока (например, светового) в электрическую. Во втором режиме работы, устройство включено в электрическую цепь постоянного или переменного тока, при облучении поверхности устройства (активного слоя) пучком света (или иного излучения) фотоны данного излучения вызывают возбуждение комплексов, входящих в активный слой, что приводит к генерации дополнительных носителей заряда и, как следствие, изменению электрического сопротивления устройства, что, в свою очередь, приводит к изменению тока в цепи, в которую включен упомянутый фоторезистор.

Композиция, состоящая из фталоцианинов и их аналогов, указанная в данной заявке, более универсальна, может быть нанесена на любой жесткий или гибкий материал (микрочип, штырьевую структуру, контакты, полимер, диэлектрик, текстильный материал), а сочетание с полимерными материалами придает заявленной композиции такие свойства, как гибкость и эластичность - параметры, которые являются одними из главных в технологиях создания электронных современных приборов и устройств. Кроме того, однородные растворы предложенной композиции обладают поглощением в диапазоне длин волн от 300-2500 нм, в отличие от упомянутой в WO 2011/148176 композиции, что позволяет использовать заявленные композиции для детектирования сигналов в широком спектральном диапазоне. Проводимость предлагаемых композиционных материалов может быть улучшена добавками фуллеренов и/или нанонитей, и/или ионных жидкостей, и/или графена, и/или оксидов металлов, что также отличает их от композиций прототипа и составов, предлагаемых в WO 2011/148176.

Использование фталоцианинов в качестве основных составляющих фотоэлектрического преобразователя в настоящем патенте имеет следующие основания.

В спектрах поглощения металлфталоцианинов имеются две интенсивные полосы в области длин волн 300-400 нм (полоса Соре) и в области длин волн 650-700 нм (полоса Q). Форма и положение пиков в спектрах поглощения может изменяться в зависимости от природы периферийных заместителей и центрального иона металла, а также от строения самих структур. Из-за высоких коэффициентов поглощения пленки толщиной 30 Å уже видны невооруженным глазом. Кроме того, спектры большинства РсМ имеют три другие полосы поглощения в УФ-области. Их обозначают символами N (36400 см-1 - волновое число, 275 нм - длина волны), L (40800 см-1, 245 нм) и С (47600 см-1, 210 нм). Таким образом, молекулы фталоцианинов могут активно поглощать электромагнитное излучение широкого диапазона длин волн.

Электрохимические и спектральные исследования показывают, что π-система является электронным буфером, который может как принимать, так и отдавать электроны с образованием заряженных частиц. Носителями заряда здесь являются дырки, образование которых описывается схемой РсМ-е-→РсМ+.

Внутри молекулы фталоцианина положительный заряд распределен между всеми атомами π-системы, являющейся для электрона единой потенциальной ямой. Движение дырки вдоль стопки молекул ограничивается энергией активации перескока электрона с нейтральной молекулы на окисленную.

Физические свойства фталоцианинов позволяют использовать данный тип молекул для создания многослойных структур и композиций. В качестве гибкой подложки можно использовать ткань, в частности текстильную. Они способны к сохранению гибких свойств после покрытия проводящими пастами с последующим созданием активного рабочего слоя из предлагаемых композитов на основе полимеров и фталоцианинов или их аналогов и пригодны для размещения на людях, животных или неодушевленных предметах.

Для простоты регистрации эффекта предпочтительно использование лазерного излучения для значительного увеличения наблюдаемого отклика. Одним из простых и наглядных способов детектирования является использование порогового детектора в сочетании с фотоизлучающим устройством (например, светодиодом) для индикации превышения откликом порогового значения.

Изобретение иллюстрируется следующими примерами.

В примерах 1, 2 использованы планарные, 3, 4 сэндвичеобразные, 5, 6 би- и полиядерные, в том числе, сочлененные спейсерами, 7, 8 функционально замещенные фталоцианины или родственные соединения.

Проводимость предлагаемых композиционных материалов была улучшена добавками фуллеренов и/или нанонитей, и/или ионных жидкостей, и/или графена, и/или оксидов металлов.

В примерах 1, 3, 5, 7 использовали электропроводящий полимер (MEH-PPV)

В примерах 2, 4, использовали полимер ((политиофен)

В примерах, 6, 8 использовали полимер ((полианилин)

Во всех примерах соблюдалось следующее соотношение компонентов (масс. %):

электронодонорная часть: 1-5%,

электроноакцепторная часть: 99-95%.

В качестве растворителей использовали хлористый метилен, тетрагидрофуран или толуол.

Пример 1.

Готовят состав, содержащий (включающий в себя) полимер (MEH-PPV) и фталоцианин или родственные соединения планарного строения, растворенные в хлористом метилене (или тетрагидрофуране, толуоле), пригодный для нанесения на поверхности и предметы.

Пример 2.

Готовят состав, содержащий (включающий в себя) полимер (политиофен), ионные жидкости и фталоцианин или металлофталоцианин (или родственные соединения) планарного строения, растворенные в хлористом метилене (или тетрагидрофуране, толуоле), пригодный для нанесения на поверхности и предметы.

Пример 3.

Готовят состав, содержащий (включающий в себя) электропроводящий полимер (MEH-PPV) и металлофталоцианин (или родственные соединения) сэндвичевого строения, растворенные в хлористом метилене (или тетрагидрофуране, толуоле), пригодный для нанесения на поверхности и предметы.

Пример 4.

Готовят состав, содержащий (включающий в себя) полимер (политиофен), нанонити, фуллерен, С60 и металлофталоцианин (или родственные соединения) сэндвичевого строения, растворенный в хлористом метилене (или тетрагидрофуране, толуоле), пригодный для нанесения на поверхности и предметы.

Пример 5.

Готовят состав, содержащий (включающий в себя) полимер (MEH-PPV) и металлофталоцианин (или родственные соединения) биядерного спейсерного типа, растворенные в хлористом метилене (или тетрагидрофуране, толуоле), пригодный для нанесения на поверхности и предметы.

Пример 6.

Готовят состав, содержащий (включающий в себя) полимер (полианилин), графен и металлофталоцианин (или родственные соединения) биядерного спейсерного типа, растворенные в хлористом метилене (или тетрагидрофуране, толуоле), пригодный для нанесения на поверхности и предметы.

Пример 7.

Готовят состав, содержащий (включающий в себя) электропроводящий полимер (MEH-PPV) и функционально замещенные фталоцианины (или родственные соединения - порфирины, порфиразины или нафталоцианины) различного строения и их металлокомплексы, растворенные в хлористом метилене (или тетрагидрофуране, толуоле), пригодный для нанесения на поверхности и предметы.

Пример 8.

Готовят состав, содержащий (включающий в себя) полимер (полианилин), оксид металла (TiO2) и функционально замещенные фталоцианины (или родственные соединения - порфирины, нафталоцианины), растворенные в хлористом метилене (или тетрагидрофуране, толуоле), пригодный для нанесения на поверхности и предметы.

Составы, полученные в примерах 1-8, использовались следующим образом:

1. Композиция наносилась методом полива на слой ткани (текстильной, парашютной, «Болонья» и т.д.), предварительно покрытый слоем материала электрода.

2. Композиция наносилась методом полива на твердую поверхность (стекло, керамика, пластик (гибкий полимер)), предварительно покрытый слоем материала электрода.

В обоих методах после высыхания поверхность состава покрывали проводящей пастой или прозрачным ITO электродом (жестким - на стекле или гибким - на полимерном носителе).

При контакте лазерного излучения с материалом композиции фиксировали отклик одного из двух видов:

1) Фоторезистивный отклик - заключающийся в изменении электрического сопротивления

2) Фотогальванический отклик - заключающийся в возникновении (или увеличении) создаваемой образцом фото ЭДС.

Заявленное устройство было реализовано на примере 3-х образцов, характеристики которых представлены ниже:

ОБРАЗЕЦ 1

Отклик:

0) шумовое значение - 30 нВ;

1) красный лазер:

макс. значение - 200 нВ (570%);

скорость нарастания - около 20 нВ/с (67%) [107 нВ за 5 с (260%)];

2) синий лазер:

макс. значение - 190 нВ (530%);

скорость нарастания - около 35 нВ/с (120%) [98 нВ за 5 с (220%)];

3) синий светодиод:

макс. значение - 140 нВ (370%);

скорость нарастания - около 18 нВ/с (60%) [90 нВ за 5 с (200%)].

Расстояние от контакта: 2.5 см.

Время полной релаксации: менее 10 с.

ОБРАЗЕЦ 2

Отклик:

0) шумовое значение - 25 нВ;

1) красный лазер:

макс. значение - 215 нВ (760%);

скорость нарастания - около 18 нВ/с (72%) [90 нВ за 5 с (260%)];

2) синий лазер:

макс. значение - 120 нВ (380%);

скорость нарастания - около 30 нВ/с (120%) [101 нВ за 5 с (300%)];

3) синий светодиод:

макс. значение - 180 нВ (620%);

скорость нарастания - около 24 нВ/с (96%) [120 нВ за 5 с (380%)].

Расстояние от контакта: 3 см.

Время полной релаксации: менее 10 с.

ОБРАЗЕЦ 3

Отклик:

0) шумовое значение - 35 нВ;

1) красный лазер:

макс. значение - 350 нВ (900%);

скорость нарастания - около 30 нВ/с (86%) [150 нВ за 5 с (330%)];

2) синий лазер:

макс. значение - 105 нВ (200%);

скорость нарастания - около 15 нВ/с (43%) [72 нВ за 5 с (110%)];

3) синий светодиод:

макс. значение - 210 нВ (500%);

скорость нарастания - около 25 нВ/с (71%) [110 нВ за 5 с (214%)].

Расстояние от контакта: 1.75 см.

Время полной релаксации: менее 10 с.

Измерительное оборудование

1. Универсальный высокоточный источник-измеритель: Keithley 2612А System Sourcemeter;

2. Красный лазер (655 нм, 100 мВт);

3. Синий лазер (405 нм, 20 мВт);

4. Синий светодиод (450 нм, 100 мВт полной мощности).

1. Фотоэлектрический преобразователь энергии содержит активный слой, отличающийся тем, что в качестве активного (рабочего) слоя он содержит полупроводящие полимеры в качестве электроноакцепторной компоненты, моно- или полиядерные фталоцианины, или нафталоцианины, или их металлокомплексы планарного или сэндвичевого строения в качестве электронодонорной компоненты.

2. Фотоэлектрический преобразователь энергии по п. 1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит добавки фуллеренов и/или нанонитей, и/или ионных жидкостей, и/или графена, и/или оксидов металлов для повышения эффективности активного слоя.

3. Фотоэлектрический преобразователь энергии по п. 1, отличающийся тем, что он содержит контакты, в качестве которых использованы проводящие пасты или в качестве контактов он содержит металлические электроды.

4. Фотоэлектрический преобразователь энергии по п. 3, в котором один из контактов выполнен в виде сетки.

5. Фотоэлектрический преобразователь энергии по п. 3, в котором один из контактов является прозрачным.

6. Фотоэлектрический преобразователь энергии в соответствии с п. 3, в котором один или оба контакты выполнены нанесением на твердые или гибкие поверхности.



 

Похожие патенты:

Изобретение предназначено для повышения безотказности матричных фотоэлектронных модулей (ФЭМ), работающих в условиях космического пространства или предназначенных для работы в других условиях, требующих высокой безотказности устройств регистрации и невозможности их замены в течение длительного времени.

Изобретение относится к способу, который включает этапы: обеспечение в электронном устройстве одного или больше электродов, содержащих металл или оксид металла, и нанесение на поверхность указанных электродов слоя, содержащего соединение, выбранное из формул I11, I12 и I15, и нанесение на поверхности указанных электродов, которые покрыты указанным слоем, который включает соединение, выбранное из формул I11, I12 и I15, или нанесение в области между двумя или больше указанными электродами органического полупроводника, где Rx представляет собой Н, NH2, и R обозначает в каждом случае одинаково или по разному F или C1-C15 перфторалкил и r представляет собой 0, 1, 2, 3 или 4.

Изобретение используется для отвода тепла в устройстве отображения. Сущность изобретения заключается в том, что устройство отображения содержит панель отображения; и теплорассеивающий модуль, имеющий форму пластины, соответствующей панели отображения для поддержания задней поверхности панели отображения, при этом теплорассеивающий модуль включает в себя, по меньшей мере, один теплорассеиватель, имеющий форму пластины, при этом, по меньшей мере, один теплорассеиватель включает в себя рабочую текучую среду, вводимую в, по меньшей мере, один теплорассеиватель, и, по меньшей мере, один канал, обеспеченный внутри, по меньшей мере, одного теплорассеивателя для направления рабочей текучей среды.

Изобретение относится к устройствам преобразования энергии электромагнитного излучения в электричество, в частности фотопреобразователям солнечного излучения на основе органических полупроводников.

Изобретение относится к способу получения органических электролюминесцентных материалов на основе координационных соединений европия для последующего использования в технологии органических светоизлучающих диодов и устройств (ОСИД или OLED).

Изобретение относится к пентакис(алкилтио) производным [60]фуллерена общей формулы 1 , где R представляет собой произвольным образом замещенную алкильную группу, содержащую от 1 до 24 атомов углерода, в качестве терморазлагаемых прекурсоров для получения тонких пленок [60]фуллерена в электронных устройствах.

Изобретение относится к новым композиционным полимерным материалам для светоизлучающих систем. Предложен фотолюминесцентный полимерный композиционный материал, включающий 1,6 мас.% полифенилхинолина (ПФХ) - поли[2,2′-(9-додецилкарбазол-3,6-диил)-6,6′-(окси)бис(4-фенилхинолина)] или поли[2,2′-(9-окта-децилкарбазол-3,6-диил)-6,6′-(окси)бис(4-фенилхинолина)] и 98,4 мас.% полимерной матрицы.

Изобретение относится к области органической электроники, а именно к устройствам памяти на основе органических полевых транзисторов, изготовленных с использованием фотохромных соединений в составе активного слоя, расположенного на границе между слоем полупроводникового материала и диэлектрика.

Изобретение относится к органическому электронному устройству, в частности к ОСИД устройству, и к способу его изготовления. Способ изготовления органического электронного устройства (100) включает в себя следующие этапы: изготовление, по меньшей мере, одного функционального элемента, включающего в себя органический слой (120); нанесение неорганического слоя (140, 141) герметизации поверх функционального элемента; нанесение структурированного органического слоя (150,151) герметизации поверх неорганического слоя (140) герметизации; травление неорганического слоя (140) герметизации для создания, по меньшей мере, одного отверстия; нанесение, по меньшей мере, одной проводящей линии (161, 162) в указанном отверстии таким образом, чтобы она была, по меньшей мере, частично размещена внутри слоев (140, 150) герметизации и доступна извне во внешней контактной точке (CT).

Изобретение относится к новому полимеру бензодитиофена, способу его получения, к полимерной смеси и составу, используемым в качестве полупроводников в органических электронных устройствах, к применению полимера, а также к оптическому, электрооптическому или электронному компоненту или устройству.

Изобретение относится к герметизирующему материалу для солнечных батарей и модулю солнечной батареи, полученному при использовании герметизирующего материала. Герметизирующий материал содержит, по меньшей мере, адгезивный слой (I) и слой (II) композиции смолы (С), который содержит статистический сополимер этилена-α-олефина (А) с теплотой плавления кристаллов от 0 до 70 Дж/г, измеренной при скорости нагрева 10° С/мин посредством дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК), и блок-сополимер этилена-α-олефина (В), который имеет измеренные при скорости нагрева 10° С/мин посредством ДСК максимальную температура плавления кристаллов 100° С или выше и теплоту плавления кристалла от 5 до 70 Дж/г.

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании солнечных элементов, которые используются в энергетике, космических и военных технологиях, горнодобывающей, нефтеперерабатывающей, химической отраслях промышленности и др.

Изобретение относится к фоточувствительным полупроводниковым приборам, работающим в инфракрасной области спектра, и может быть использовано при создании одно- и многоэлементных приемников излучения с фоточувствительными элементами на основе структуры с квантовыми ямами.

Изобретение относится к устройствам преобразования энергии электромагнитного излучения в электричество, в частности фотопреобразователям солнечного излучения на основе органических полупроводников.

Изобретение относится к способам коррекции собственной температурной зависимости кремниевых фотопреобразователей (ФЭП) и может быть использовано при тепловакуумных испытаниях (ТВИ) космического аппарата (КА) или его составных частей с использованием имитатора солнечного излучения.

Изобретение относится к области гелиоэнергетики и касается конструкции фотоэлектрического модуля космического базирования. Фотоэлектрический модуль включает в себя нижнее защитное покрытие, на котором с помощью полимерной пленки закреплены кремниевые солнечные элементы с антиотражающим покрытием, и расположенное над лицевой поверхностью солнечных элементов верхнее защитное покрытие, которое скреплено с солнечными элементами промежуточной пленкой из оптически прозрачного полимерного материала.
Изобретение относится к области сельского хозяйства, в частности к растениеводству. Фотоэлектрохимическая ячейка содержит фотоэлектроды, электролит и электролитный мостик.

Изобретение относится к области солнечной энергетики. Фотоэлектрический модуль (1) содержит боковые стенки (2), фронтальную панель (3) с линзами Френеля (4) на ее внутренней стороне, светопрозрачную тыльную панель (5), солнечные фотоэлементы (б) с байпасными диодами, планки (11), выполненные из диэлектрического материала с двусторонним металлическим покрытием (12), (13), и металлические платы (9) с регулярно расположенными углублениями (8) для солнечных фотоэлементов (6) и параллельными канавками (10) для планок (11).

Изобретение относится к области возобновляемых источников энергии, использующих солнечное излучение для генерирования экологически чистой электроэнергии в больших объемах.

Изобретение относится к устройствам энергопитания космического аппарата, предназначенным для преобразования солнечной энергии в электрическую с максимальной эффективностью и удельной мощностью.

Солнечный модуль в раме включает в себя солнечный модуль, имеющий солнечные элементы между парой листов. Солнечный модуль устанавливается в раме, предпочтительно замкнутой раме, имеющей непрерывное основание и V-образные вырезы или частично V-образные вырезы в вертикальных полках, где должны располагаться углы модуля. Между внутренней поверхностью рамы и периферийным краем и боковыми краевыми участками солнечного модуля наносится слой пластичного влагостойкого герметика. Проставка, имеющая несколько расположенных на некотором расстоянии друг от друга выпуклостей, образованных на внутренней поверхности замкнутой рамы, контактирует с наружной поверхностью солнечного модуля для получения слоя равномерной толщины между рамой и солнечным модулем. Изобретение обеспечивает улучшенную защиту от проникновения влаги. 3 н. и 18 з.п. ф-лы, 15 ил.
Наверх