Мультивибратор иа транзисторах

 

262I60

ОПИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства № 207977

Заявлено 12.Х11.1967 (№ 1203090/26-9) Кл. 21ат, 36/02 с присоединением заявки №

Комитет ло делам изобретений и открытий лри Совете Министров

СССР

МПК Н 03k

УДК 621.373.431.1 (088.8) Приоритет

Опубликовано 26.1.1970, Бюллетень № 6

Дата опубликования описания З.VI.1970

Автор изобретения

Л. А. Черкасов

ГЯ1-;. ИОТЕКА

Заявитель

МУЛЬТИВИБРАТОР НА ТРАНЗИСТОРАХ

В основном авт. св. № 207977 описан мультивибратор на транзисторах.

Предлагаемый мультивибратор является усовершенствованием известного и отли астся от него тем, что переходы ба: à — эмиттер транзисторов мультивибратора шунтированы диодами, включенными в прямом направлении, а коллекторы шунтированы стабилитроном через развязывающие диоды. Указанное отличие позволяет повысить стабильность частоты и амплитуды генерируемых импульсов.

На чертеже представлена принципиальн: я схема предлагаемого мультивибратора.

Предполагается, что мультивибратор симметричный, т. е. в нем равны: сопротивления

1 и 2, сопроти вления 8 и 4 и емкости 5 и б.

В мультиви|братор включены диоды 7 и 8, шунтирующие переходы бчза — эм иттер транзисторо в 9 и 10. Во время работы в установившемся режиме предлагаемого мультивибратора в один из полупериодов автоколебаний ,при открытом транзисторе 9 и закрытом транзисторе 10 образуется последовательный колебательный контур, состоящий из катушки 11 индукт1ивности, емкости 5 и сопрогивления 2, который возбуждается скачком напряжения.

Кроме этого емкость б через открытый транзистор 9 и диод 8 подсоединяется ас другой обмотке катушки 11 индуктивности. При этом в катушку индуктивности поступает дополнительная энергия от конденсатора б, накопленная при заряде (в полупериод, когда транзистор 9 за крыт, а транзистор 10 открыт). Разряд конденсатора б через обмотку катушки 11 индуктывности и диод 8 происходит до тех пор, пока на обкладках конденсатора б напряжение ) О. При достижении напряжения на базе

10 транзистора 10 порогового уровня, происходит

Опрокидывание схемы.

Транзистор 9 за крывается, а транзистор 10 открывается. Второй полупериод автоколебаний осуществляется аналогично первому. В

15 этом случае дополнительная энергия в катушку индуктивности поступает от конденсатора 5.

B рабочем режиме,на катушке индуктивности и попеременно подключаемых конденсаторах 5 .или б образуется режим незатухающих

20 колебаний почти гармонической формы. Это напряжение имеет большую амплитуду, чем в схеме известного устройства, а следовательно, более эффективно при той же величине индуктивности катушки 11 синхронизирует

25 раооту мультивибратора.

К достоинствам схемы следует отнести возможность использования высокочастотных транзисторов, у которых обратное напряжение база — эмиттер невелико ((Зв) . Поэтому

30 применение высок;очастотных транзисторов в

262160

Е„

13 1Ц 1 ц р 1

Составитель Л. Рубннчик

Техред Т. П. Курилко Корректор Н. С, Сударенкова

Редактор Э. Рубан

Заказ 1307/18 Тираж 500 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 обычных схемах мультивибр аторов, где обр атное на пряжени е база — эмиттер достигает величины коллекторного чапряжения, недопустимо.

В предлагаемой схеме это напряжение огра,ничивается падением напряжевия на прямом сопротивлении диодов 7 и 8, которое составляет 0,1 — 0,2 в.

В целях улучшения формы генерируемых им пульсов коллекторы транзисторов поочередно шунтируются стабилитроном 12 через развязывающие диоды 18 и 14, что позволяет получить одинаковую амплитуду выходных напряжений как с коллектора транзистора 9, так и с коллектора транзистора 10.

Предмет изобретения

Мультивибратор на транзисторах по авт. св. № 297977, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильноспи частоты и амплитуды генерируемых импульсов, переходы база— эмиттер транзисторов,мультивибратора шун10 тированы диодами, включенными,в прямом направлении, а коллекторы упомянутых транзисторов шунтированы стабилитроном через развязывающие диоды,