Патент ссср 262226

Авторы патента:

H01C17/08 - осаждением паров

О П И С А Н И Е 262226

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетскик

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 20ЛХ.1968 (№ 1270787/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 26Л.1970. Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 20Х.1970

Кл. 21с, 54/05

МПК H Olc

УДК 621.316.86.002.2 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

О. P Бабанова, Д. H. Клименская и И. П. Лепик, "-

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИТОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

Предмет изобретения

Известен способ нанесения резистивных пленок на основе олова путем пульверизации раствора на нагретое основание резистора.

Описываемый способ отличается от известного тем, что в качестве испарителя и дозатора применяют крученую стеклянную нить, состоящую из множества тонких волокон и пропитанную раствором, содержащим соли олова, которую одновременно с основанием резистора перемещают через нагретую печь.

Указанное отличие обеспечивает получение резисторов с заданным номиналом и малым разбросом параметров.

Сущность предлагаемого способа состоит в следующем. Стеклянная цельнотянутая нить, являющаяся основанием резисторов, либо другие основания резисторов диаметром менее

1 мл движутся горизонтально через печь, нагретую до 400 вЂ” 800 С.

Непосредственно под основанием резисторов движется крученая стеклянная нить, состоящая из множества тонких волокон, предварительно пропитанная исходным составом, содержащим например, соли олова. В печи происходит испарение исходных составов из крученой нити и образование резистивной пленки на основаниях резисторов.

1о Способ изготовления ниточных резисторов диаметром до 1 млт, основанный на нанесении резистивного материала на основание резистора, отличающийся тем, что, с целью получения резисторов с заданным номиналом и малым

15 разбросом параметров, в качестве испарителя и дозатора применяют крученую стеклянную нить, состоящую из тонких волокон и пропитанную резистивным сосгавом, которую располагают непосредственно поч основанием рези20 стора и одновременно с ним перемещают через нагретую печь.

Устройство для нанесения токопроводящихпокрытий // 196160

Патент 180679 // 180679

Патент 174697 // 174697

Способ изготовления высокоомных пленочных // 173828

Способ изготовления электрических сопротивлений // 115462

Способ получения возгонкой в вакууме высокоомных тонкослойных сопротивлений // 115380

Керамическое основание для тонкопленочного электрического сопротивления // 112795

Способ изготовления электрических сопротивлений // 66851

Устройство для изготовления высокоомных сопротивлений // 44593

Способ контроля удельного поверхностного сопротивления тонких резистивных пленок в процессе осаждения // 2032237

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для контроля осаждения резистивных пленок при изготовлении плат микросхем, микросборок и пленочных резисторов

Устройство для непрерывной л\еталлизации цилиндрических оснований резисторов // 382770

Устройство для нанесения покрытий в вакууме на керамические основания резисторов // 415338

Устройство для осаждения резистивных покрытий из парогазовой фазы на заготовки резисторов // 1018155

Способ изготовления пленочных цилиндрических резисторов // 1109814

Способ формирования углеродных нанообъектов на ситалловых подложках // 2601044

Изобретение относится к синтезу островковых металлических катализаторов и углеродных нанообъектов и может быть использовано в промышленности для производства нанообъектов и наноструктурированных пленок. Способ формирования углеродных нанообъектов на ситалловых подложках включает размещение ситаллового контрольного образца вместе с ситалловыми рабочими подложками в зоне напыления, формирование на упомянутых рабочих подложках и контрольном образце островковой структуры металлического пленочного катализатора с осуществлением контроля электрофизических параметров формируемой островковой структуры металлического катализатора посредством измерения емкости островковой структуры катализатора на контрольном образце, прекращение напыления упомянутого катализатора при достижении пикового значения емкости образованной структуры металлического катализатора на ситалловом контрольном образце, напыление углерода на островковую структуру металлического катализатора, образованную на ситалловых поверхностях контрольного образца и рабочих подложек, контроль сопротивления наноструктуры, состоящей из образующихся углеродных нанообъектов на ситалловом контрольном образце и прекращение напыления углерода при уменьшении сопротивления сформированной структуры из углеродных нанообъектов, синтезированных на поверхности островковой структуры катализатора, до значения, при котором происходит замыкание островковой структуры упомянутого катализатора упомянутыми углеродными нанообъектами. Обеспечивается формирование островкового пленочного катализатора на ситалловых подложках для последующего синтеза углеродных нанообъектов на его поверхности. 6 ил., 2 табл.