Способ электролитического цинкования

Авторы патента:

Г. И. Алексеев, А. В. Мордкович, Л. П. Юдина, Н. И. Алексеева

, М. И. Шапиро

C25D3/24 - из цианистых ванн

О П И С А Н И Е 268ll3

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советсиих

Социалистических

Республии

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 48а, 5/10

Заявлено 05.VII.1968 (№ 1255036/22-1) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 02.IV.1970. Бюллетень № 13

Дата опубликовгния описания 10ХП.1970

МПК С 23b 5/1О Д К 621.357.7:548.47:666. .1.056 (088,8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Г. И. Алексеев, А. В. Мордкович, Л, П. Юдина, Н. И. Алексеева и М. И. Шапиро

Горьковский автомобильный завод

Заявитель

СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ЦИНКОВАНИЯ

Изобретение относится к области .получения цинковых покрытий на сложнопрофилированных изделиях.

Известны способы получения цинковых покрытий на сложнопрофилированных деталях 5 из цианистых электролитов.

Однако такие способы цинкования не позволяют получать равномерные покрытия на сложнопрофилированных деталях и связаны с частой корректировкой электролита. 10

Предложенный способ не имеет этих недостатков и отличается от известных тем, что в состав электролита вводят желатину и тринатрийфосфат при следующем содержании

:.компонентов (,в г/л): 15

Окись цинка 25 вЂ” 30

Цианистый натрий 50 вЂ” 55

Едкий натрий 20 вЂ” 60

Желатина 1 вЂ” 2

Сернистый натрий 1 вЂ” 2

Тринатрийфосфат 0,5 вЂ” 2

Процесс ведут при плотности тока 4вЂ”

5 а/дм2 и температуре 18 вЂ” 35 С.

Добавку готовят следующим образом. 25

Рассчитанное количество желатины растворяют в теплой воде, отдельно- растворяют сернистый натрий и оба раствора сливают вместе, Затем добавляют тринатрий фосфат.

Раствор тщательно перемешивают и соединяют с основным электролитом.

Корректирование электролита сводят к ежедневной добаBKG желатины и сернистого натрия в количестве 0,1 вЂ” 0,2 г/л.

Предо ет изсбретения

Способ электролитнческого,цинкования из цианистого электрол та, содержащего окись цинка, едкий .натрий, цианистый натрий, сернистый натрий, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытий на сложнопрофилированных деталях, в состав электролита вводят желатину и тринатрийфосфат при следующем содержании компо нентов (в г/л):

Окись цинка 25 вЂ” 30

Цианистый натрий 50 вЂ” 55

Едкий натрий 20 вЂ” 60

Желатина 1 вЂ” 2

Сернистый натрий 1 вЂ” 2

Тринатрийфосфат 0,5 вЂ” 2 и процесс ведут при плотности тока 4 вЂ” 5 а/дм и температуре 18 вЂ” 35 С.

Щелочной цианистый электролит для получения гальванических цинковых покрытий, легированных более электроположительным, чем цинк, металлом // 122657

Способ электролитического цинкования // 62270

Способ электролитического цинкования в цианистом электролите // 268836

Способ электролитического получения блестящих цинковых покрытий // 291984

Sl-:: союзная // 387037

Электролит блестящего цинкования // 469353

Раствор для электрохимического полирования нержавеющих хромистых сталей // 1171570

Способ фосфатирования магнитомягких сплавов типа пермаллой (варианты) // 2624566

Изобретение относится к химической обработке поверхности металла, в частности прецизионных магнитомягких сплавов типа пермаллой, для получения фосфатного электроизоляционного покрытия толщиной 8-15 мкм. Первый вариант способа включает нанесение на поверхность сплава типа пермаллой гальванического цинкового покрытия из цинкатного электролита, содержащего ZnO – 6-14 г/дм3 и NaOH – 80-140 г/дм3, при плотности тока 3-4 А/дм2, отношении анодной и катодной поверхности 1:2 и температуре 15-30°C в течение 5-7 мин. После этого на слой цинка наносят фосфатный слой при температуре 95-98°C в течение 2-3 минут раствором, содержащим, г/дм3: P2O5 – 7,4-9,8, Mn2+ – 2,1-2,8, Zn2+ – 11,0-13,0, NO3- – 21,0-25,0, NO2- – 0,3-0,5. Во втором варианте способа на поверхность сплава наносят гальваническое цинковое покрытие из цианистого электролита, содержащего ZnO – 15-45 г/дм3, NaCN – 30-120 г/дм3, NaOH – 35-100 г/дм3, при плотности тока 1-5 А/дм2, отношении анодной и катодной поверхности 1:1 и температуре 15-30°C в течение 14-17 мин, после чего наносят фосфатный слой по первому варианту. Техническим результатом является получение плотной, мелкокристаллической однородной фосфатной пленки толщиной 8-15 мкм, имеющей величину пробивного напряжения не ниже 70 В. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 пр.