Сверхвысокочастотный плазматрон
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
269377
Союз Советских
Социалистических.Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 17.V(.1968 (№ 1 248781/i26-25) с присоединением заявки Х
Приоритет
Опубликовано 06.Х.1970. Бюллетень № 31
Дата опубликования описания IЛ.1.19,т1
Кл, 21@, 61/00
МПК Н 05h
УДК 6. 21.387,143 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
> 13I 71 Авторы изобретения И. И. Девяткин и Н. И. Цемко Заявитель СВЕРХВЬ1СОКОЧАСТОТНЫЙ ЙЛАЗМАТРОН Изобретение относится к расходным источникам газоразрядной плазмы. Известны сверхвысокочастот|ные плазматроны, состоящие из двух и более отрезков, передающих линий, подсоединенных к индивидуальным источникам Ilèòàíèÿ и соединенных между. собой о резком запредельного вол Ioвода, внутри которого 1помещена диэлектрическая разрядная трубка. Их недостатками являются отсутствие согласования иcToчников 10 питания с передающими линиями при выключени|и электрического разряда, а также низкий к. п.д. в случае, когда диаметр диэлектрической разрядной трубки составляет ьменсе 60% от размера широкой стенки передающей 15 линии. Изобретение позволяет увеличить к.п.д. плазма трона в указанных уcJIQBHBx и повыси ть надежность согласования источника питан ия с передающей линией. Схема предлагаемого плазматрона представлена на чертеже. Он содержит отрезок передающей линии 1 со сверхвьосокочастотной нагрузкой и элемент 2 BbLcoKQBBcTQIIHQH связи. Передающая линия 25 и сверхвысокочастотная нагрузка пронизываются диэлектрической разрядной;трубкой 3. Сверхвьвсокочаототная нагрузка выполнена в виде объемного резонатора 4, снабженного охлаждаемой нагрузочкой б и соединенного с 30 передающей линией отрезком 6 запределыного волновода. Устрой ство работает следующим ооразом. Включают систему охлаждения плазматрона, подачу газа в трубку 3 и источник питания. Согласование источника питания с передающей линией достигается тем, что энергия, поступающая в передающую линию, с по мощью элемента 2 высокочастотной связи подается в,резоиатор 4 и поглощается охлаждаемой нагрузкой 5. Далее одним из известIIhlx спосооов |поджитается разряд В тпуоке д При этом наступает !рассогласование резонатора с,передающей линией за счет того, что труока 3 пронизывает его в области пучности электрического поля, а это приводит к резкому снижению его добротности. При этом плазма поглощает подавляющую часть подводимой энергии. Предмет изобретения Сверхвысокочастотный плазматрон, состоящий из отрезка псредающей линии, сверхвысокочастотной нагрузки, элемента высокочастотной связи между ними и диэлектрической разрядной трубки, отличающийся тем, что, с целью увеличения к..п.д. и |надежности плазматрона, указанная нагрузка выполнена в виде снабженного охлаждаемым поглотителем энергии объемного, резонатора, соединен269377 Составитель В. А. Рябый Техред 3. Н. Тараненко Корректор О. Б. Тюрина Редактор Н. Громов Заказ 3790 5 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж-35, Раушскал наб., д. 4 5 типография, пр. Сапунова, 2 ного с передающей линией отрезком зааредельно го волн овода, внутри которого р а з м ещена диэлектрическая разря д ная трубка, :1 пронизывающая отрезок передающей линии и объемный резо на тор в области максимальной величины элекпрического поля.
