Способ изготовления микромеханических упругих элементов

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков. Сущность изобретения: в способе изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния окисляют плоскую круглую пластину с ориентацией базовой поверхности в плоскости (100), наносят на нее защитный слой фоторезиста, проводят фотолитографию, вскрывают окна в окисном слое в области формирования упругих элементов на определенную ширину с учетом анизотропии травления монокристаллического кремния, анизотропно травят на глубину для получения требуемой толщины упругих элементов. Одновременно с вышеуказанными операциями по формированию упругих элементов формируют контрольный элемент, расположенный вне зоны упругих элементов, формирование контрольного элемента проводят до самоторможения на заданную глубину, определяемую заданным математическим выражением. Изобретение обеспечивает повышение технологичности изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния путем оценки травления контрольных элементов до самоторможения. 3 ил.

 

Изобретение относится к технологии приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков, таких как микромеханические акселерометры, датчики давления, датчики угловой скорости, гироскопы, и др.

Известен способ (Патент SU 1783596, кл. H01L 21/302, опубл. 23.12.1992) изготовления балочных упругих элементов групповым методом из пластин кремния кристаллографической ориентации (100), включающий формирование с двух сторон пластины защитного окисла путем термического окисления и анизотропное травление в 30%-ном щелочном растворе КОН, с целью повышения точности воспроизведения формы и размеров упругих элементов термическое окисление проводят до получения толщины защитного окисла не менее 2,3·10-3 толщины пластины, ориентируют пластину относительно направления кристаллографической оси с двух сторон пластины в окисле вскрывают окна напротив друг друга шириной не менее 0,75 толщины h пластины, анизотропное травление проводят при 96-98°С до получения заданного сечения упругого элемента, после чего дополнительно окисляют пластины с упругими элементами.

В данном изобретении при травлении кремниевой пластины насквозь с двух сторон в сечении упругого элемента образуется выпуклый шестигранник за время

,

где V100 - скорость травления плоскости (100) кремния. При дальнейшем травлении пластины кремния начинает расширяться сквозной паз за счет снятия острия до появления плоскости (110).

Время травления острия до получения прямоугольного сечения определяется как

,

где V110 - скорость травления плоскости (110) кремния, α - угол между плоскостями (111) и (100) кремния.

Общее время травления до получения упругого элемента согласно патенту составляет не менее

t=≥t1+t2=(156+78)·h=234·h

для h=0,34 мм t=80 мин.

Недостатки данного способа заключаются в следующем. Необходимо точно контролировать время травления, общее время травления составляет не менее 80 мин, таким образом, оно может быть и более 80 мин. Для получения упругого элемента прямоугольного сечения необходимо периодически контролировать ширину и форму получаемого элемента путем извлечения кремниевой пластины из раствора КОН по истечении 80 мин, так как точное время травления не определено. При этом при каждом извлечении пластины необходима ее отмывка и сушка. Это снижает технологичность получения упругого элемента.

Известен способ (Патент RU 2207658, Кл. Н01L 21/02, Н01L 29, опубл. 27.06.2003) изготовления микромеханического инерциального чувствительного элемента емкостного типа, включающий формирование размерным травлением кремния рамки и плат емкостных обкладок, закрепленных на рамке с помощью взаимно перпендикулярных перемычек и углубленных по отношению к плоскости рамки на величину, соответствующую емкостному зазору, после создания емкостных зазоров на противоположных поверхностях пластины создают из пленки двуокиси кремния толщиной 0,5…1,5 мкм совмещенные между собой маски под рамку, платы и перемычки с размерами, превышающими требуемые размеры рамки, плат и перемычек на величину (1,05…1,1)·h, содержащие в участках соединения перемычек с рамкой и платами прорези в областях рамки и плат длиной , причем перемычки располагают под углом 45° к направлению (110) плоскости пластины, проводят встречное травление кремния в 20…30%-ном водном растворе КОН до сквозных отверстий, получения требуемых размеров рамки, плат и перемычек.

В данном способе формирование взаимно перпендикулярных перемычек проводится методом анизотропного травления, при этом требуемая геометрия перемычек образуется за счет встречного травления исходной маски. При этом необходимо точно задавать топологию маски травления с технологическим допуском (0,05…0,1)·h. При формировании перемычек необходимо точно контролировать их размер, периодически извлекая пластины из раствора и проводя необходимые измерения, так как необходимо продолжение травления до требуемой ширины после получения сквозных отверстий в окнах маски. При этом необходима отмывка и сушка кремниевых пластин перед каждой операцией измерений, что снижает технологичность изготовления перемычек.

Известен способ (Патент RU 2211504, Кл. H01L 21/306, опубл. 27.08.2003. Прототип) изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния путем окисления плоской круглой пластины с ориентацией базовой поверхности в плоскости (100), нанесения на нее защитного слоя фоторезиста, фотолитографии, вскрытия окон в окисном слое в области формирования упругих элементов на определенную ширину с учетом анизотропии травления монокристаллического кремния, анизотропного травления на глубину, меньшую, чем необходимо для получения требуемой толщины упругих элементов, изотропного дотравливания до получения требуемой толщины упругих элементов, пластины с определенной величиной клиновидности профиля для анизотропного травления на глубину, меньшую, чем необходимо для получения требуемой толщины упругого элемента, подвешивают таким образом, что минимальная толщина находится в верхней части травильного раствора, с последующим одновременным извлечением их со скоростью

,

где υ - скорость извлечения пластин из раствора травителя, d - диаметр исходной кремниевой пластины, ТТР - расчетное время травления при максимальной толщине пластины, ТОТР - расчетное время травления при минимальной толщине пластины.

При изготовлении упругих элементов толщиной 20 мкм из пластины монокристаллического кремния с ориентацией плоскости (100), диаметром 76 мм, толщиной 0,38 мм и с клином 1 мкм минимальное время травления составляет 6 часов при скорости травления 60 мкм/час. При этом пластины извлекают из раствора травителя со скоростью 1,27 мм/сек. Если клин пластины составляет 6 мкм, скорость извлечения пластин составляет 0,25 мм/сек.

Недостатками данного способа является сложность используемой установки, предполагающей извлечение пластин из раствора травителя с точно заданной скоростью. При этом на части пластины, извлеченной из раствора, продолжается взаимодействие травящего раствора с кремнием, так как раствор не удаляется с пластины. Это может привести к нарушению воспроизводимой геометрии упругих элементов из монокристаллического кремния, что также является недостатком данного способа.

Целью изобретения является повышение технологичности изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния путем оценки травления контрольных элементов до самоторможения.

Технический результат изобретения - повышение точности воспроизведения толщины упругих элементов за счет визуального контроля травления контрольных элементов.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния путем окисления плоской круглой пластины с ориентацией базовой поверхности в плоскости (100), нанесения на нее защитного слоя фоторезиста, фотолитографии, вскрытия окон в окисном слое в области формирования упругих элементов на определенную ширину с учетом анизотропии травления монокристаллического кремния, анизотропного травления на глубину для получения требуемой толщины упругих элементов, согласно изобретению одновременно вышеуказанными операциями по формированию упругих элементов формируют контрольный элемент, расположенный вне зоны упругих элементов, причем формирование контрольного элемента проводят до самоторможения на заданную глубину, определяемую математическим выражением:

,

где hтр - глубина травления, Δ - технологический допуск, равный 3…6 мкм, - ширина контрольного элемента, связанная с требуемой толщиной упругих элементов следующим математическим выражением:

,

где hпл - толщина плоской круглой пластины, hуэ - толщина упругих элементов, n - количество сторон пластины, подвергаемой травлению.

Формирование контрольного элемента одновременно вышеуказанными операциями по формированию упругих элементов и расположенного вне зоны упругих элементов позволяет проводить контроль геометрических размеров изготавливаемых упругих элементов без использования измерительных приборов. Это обусловлено тем, что скорость травления кремния в контрольном элементе и во вскрытых окнах в области формирования упругих элементов одинакова. При травлении контрольного элемента на глубину, равную:

,

выявляются кристаллографические плоскости (111), причем они травятся до самоторможения. Это связано с тем, что стороны контрольного элемента ориентированы по кристаллографическим направлениям [100] и ширина контрольного элемента связана с требуемой толщиной упругих элементов и толщиной плоской круглой пластины математическим выражением:

При таких отношениях толщины плоской круглой пластины, толщины упругих элементов и ширины контрольного элемента последний травится до самоторможения при травлении на глубину для получения требуемой толщины упругих элементов, при этом момент самоторможения, т.е. момент схождения кристаллографических плоскостей (111), характеризует завершение процесса травления упругих элементов до получения требуемой толщины.

В предлагаемом способе изготовления возможно проведение визуального контроля получения геометрических размеров изготавливаемых упругих элементов без использования измерительных приборов, а также проведение разбраковки по геометрическим размерам упругих элементов, что повышает технологичность изготовления.

На чертежах фиг. 1-3 показана последовательность операций, применяемых для реализации предложенного способа.

На фиг. 1 изображена круглая кремниевая пластина 1 с окисным слоем 2. На фиг. 2 а, б) показаны вскрытые окна 3 в окисном слое 2, контрольный элемент 4. На фиг. 3 а, б) показан контрольный элемент 4 после анизотропного травления до самоторможения, упругие элементы 5 требуемой толщины.

Пример реализации предложенного способа.

На плоской круглой кремниевой пластине 1 с ориентацией базовой поверхности в плоскости (100) создают окисный слой 2 (фиг. 1), наносят на нее защитный слой фоторезиста, методами фотолитографии вскрывают окна 3 в окисном слое 2 (фиг. 2 а, б) в области формирования упругих элементов 5 (фиг. 3 а) на определенную ширину с учетом анизотропии травления монокристаллического кремния, одновременно вышеуказанными операциями по формированию упругих элементов 5 формируют контрольный элемент 4 (фиг. 2 а, б), расположенный вне зоны упругих элементов 5, анизотропно травят на глубину для получения требуемой толщины упругих элементов 5, при этом формирование контрольного элемента 4 проводят до самоторможения на заданную глубину (фиг. 3 а, б), что является моментом получения упругих элементов 5 требуемой толщины.

На практике, на кремниевой пластине расположено множество кристаллов с формируемыми упругими элементами. Формирование контрольных элементов вне области формирования упругих элементов возможно около каждого кристалла. Это позволяет оценивать геометрические размеры упругих элементов каждого кристалла и, таким образом, проводить разбраковку по геометрическим размерам упругих элементов.

При производстве пластин допуск по толщине исходной кремниевой пластины составляет ±1..2% [Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. - М.: Радио и связь, 1991. - 528 с.]. Например, при заявленной толщине исходной кремниевой пластины 300 мкм значение ее толщины может составить 294…306 мкм. С этим связан технологический допуск Δ, равный 3…6 мкм.

Например, при толщине пластины hпл=294 мкм, толщине упругого элемента hуэ=30 мкм, одностороннем травлении пластины ширина контрольного элемента определится как:

Данный способ может использоваться при травлении кремниевых пластин как с одной стороны, например для формирования упругих элементов датчиков давления, так и при травлении с двух сторон кремниевых пластин, например при формировании упругих элементов микромеханических акселерометров и датчиков угловой скорости.

Таким образом, предлагаемое техническое решение позволяет повысить технологичность изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния путем оценки травления контрольных элементов до самоторможения.

Способ изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния путем окисления плоской круглой пластины с ориентацией базовой поверхности в плоскости (100), нанесения на нее защитного слоя фоторезиста, фотолитографии, вскрытия окон в окисном слое в области формирования упругих элементов на определенную ширину с учетом анизотропии травления монокристаллического кремния, анизотропного травления на глубину для получения требуемой толщины упругих элементов, отличающийся тем, что одновременно вышеуказанными операциями по формированию упругих элементов формируют контрольный элемент, расположенный вне зоны упругих элементов, причем формирование контрольного элемента проводят до самоторможения на заданную глубину, определяемую математическим выражением:
,
где hтр - глубина травления, Δ - технологический допуск, равный 3…6 мкм, l - ширина контрольного элемента, связанная с требуемой толщиной упругих элементов следующим математическим выражением:
,
где hпл - толщина плоской круглой пластины, hуэ - толщина упругих элементов, n - количество сторон пластины, подвергаемой травлению.



 

Похожие патенты:

Изобретение может быть использовано для создания упругих подвесов, торсионов и других элементов (например, балок, мембран, струн) микромеханических устройств, например кремниевых гироскопов и акселерометров.

Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков, таких как датчики давления и акселерометры. Сущность изобретения: в способе изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур на кремниевой пластине создают защитный слой, создают контрастный слой из материала, отличающегося от материала защитного слоя, формируют последовательными операциями фотолитографии и травления структуру заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры, последующем чередованием травления кремния и оставшегося защитного слоя получают в кремнии заданный профиль.

Использование: для изготовления микроэлектромеханических структур. Сущность изобретения заключается в том, что способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине с кристаллографической ориентацией (100) при глубинном анизотропном травлении в водном растворе гидрооксида калия КОН включает формирование масочного рисунка с элементами защиты углов, элементы защиты углов, имеющие диагональную форму на топологической маске, располагают под углом 45° к контурам жесткого центра, причем размеры изготовляемых трехмерных микромеханических структур определяются из определенных условий.

Изобретение относится к подложке с маской для травления, которая нанесена при помощи алмазоподобного углерода, и способу изготовления указанной подложки. Способ изготовления подложки с маской для травления включает подготовку подложки, нанесение фоточувствительного материала на поверхность подложки, экспонирование и проявление фоточувствительного материала для формирования рисунка в фоторезисте, формирование покрывающей пленки из алмазоподобного углерода на поверхности подложки и поверхности рисунка в фоторезисте и отделение покрывающей пленки вместе с рисунком в фоторезисте для формирования рисунка из алмазоподобного углерода на поверхности подложки.

Изобретение относится к приборостроению и может применяться для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках, а именно упругих подвесов и всего чувствительного элемента в целом, например для микромеханических акселерометров и гироскопов.

Использование: для селекции электромагнитного излучения. Сущность изобретения заключается в том, что микроструктурный элемент выполнен в виде перфорированной сеточной структуры, объем которой в основном выполнен из полимерной пленки и вся ее поверхность, включая внутренние полости, металлизирована.

Изобретение относится к изготовлению конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках. Изобретение обеспечивает снижение трудоемкости изготовления и повышение качества структур.

Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур и может быть использовано в нанотехнологии, микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем и запоминающих устройств.

Изобретение относится к способу формирования рельефа из электронных и фотонных материалов и структурам и устройствам, изготовленным с использованием этого способа.

Изобретение относится к жидкой композиции, способу получения кремниевой подложки и к способу получения подложки для головки для выброса жидкости. .
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии создания 3D микроструктур кремния, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники, металл-стимулированным травлением с использованием локально расположенных масок Ni. В состав раствора для травления кремния входит фтористоводородистая кислота, перекись водорода и деионизованная вода в объемном соотношении 2:1:10. Процесс травления с использованием никеля является экономически выгодным процессом, так как позволяет заменить дорогостоящие благородные металлы и удешевить технологию создания кремниевых 3D структур.

Изобретение относится к области дифракционной оптики и может быть использовано для разработки новых дифракционных оптических элементов для диапазона 0,35-5,5 мкм. В основу изобретения поставлена задача получения периодических профилей на поверхности кристаллов парателлурита методом анизотропного химического травления. Пластина, вырезанная из кристалла парателлурита и отшлифованная, покрывается смесью химически стойкого к щелочам нитроцеллюлозного лака с растворителем 646, часть смеси удаляется с помощью алмазной иглы через различные интервалы, затем проводится химическое травление, промывка, в результате получаем периодическую структуру заданной геометрии на поверхности образца. Применение данного способа позволяет получать периодические профили на кристаллах парателлурита, обладающих высокими оптическими характеристиками. 3 ил.

Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых кристаллов микроэлектромеханических систем, используемых в конструкциях микромеханических приборов, таких как акселерометры, гироскопы, датчики угловой скорости. В способе изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем наносят защитные покрытия на лицевую и обратную стороны пластины, проводят фотолитографию по защитным слоям с лицевой и обратной сторон, травят кремний с лицевой и обратной сторон пластины на заданную глубину и с заданным профилем, наносят защитный слой с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок от растрава при последующем травлении с обратной стороны пластины, удаляют остатки маскирующих покрытий с лицевой и обратной сторон пластины. Согласно изобретению после травления кремния на заданную глубину и с заданным профилем удаляют защитный слой с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок, проводят обработку профиля в полирующем травителе и удаляют остатки маскирующих покрытий с лицевой и обратной сторон пластины. Кроме того, фотолитографию по защитным слоям на лицевой и обратной стороне проводят одновременно, в качестве защитного слоя с лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок наносят медную пленку, в качестве маскирующих покрытий с лицевой и обратной стороны используют идентичные материалы, например нитрид кремния. Изобретение повышает чувствительность и прочность конструкций микроэлектромеханических систем за счет повышения технологичности изготовления и формирования кремниевых кристаллов с минимальной шероховатостью вертикального профиля канавок. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области приборостроения и могжет быть использованы для изготовления монокристаллических элементов, таких как струны, упругие элементы, технологические перемычки, используемые в конструкциях микромеханических приборов, например, микромеханических акселерометров, гироскопов, резонаторов. В способе изготовления монокристаллического элемента микромеханического устройства окисляют плоскую пластину из монокристаллического кремния с ориентацией поверхности в плоскости (100), наносят на нее с двух сторон защитный слоя фоторезиста, предварительно вскрывают окна в слое фоторезиста при помощи двухсторонней фотолитографии, травят окисел по вскрытым окнам и анизотропно травят пластину до промежуточной глубины h, вскрывают окисел для формирования монокристаллического элемента, анизотропно травят кремний до получения требуемой толщины монокристаллического элемента. Согласно способа, после вскрытия окисла проводят утонение пластины наносят защитное покрытие в области формирования монокристаллического элемента, проводят анизотропное травление до получения требуемой толщины монокристаллического элемента и удаляют защитное покрытие. Изобретение обеспечивает повышение технологичности изготовления монокристаллических элементов за счет возможности формирования элементов с различным поперечным сечением. 8 ил.

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и направлено на улучшение электрических характеристик высоковольтных приборов, снижение количества выхода из строя приборов в результате обрыва металла и пробоя по поверхности высоковольтных планарных р-п-переходов. Техническим результатом изобретения является формирование контактных окон с пологим профилем в защитном слое структуры с двойной металлизацией с возможностью проведения разварки над активной областью кристалла высоковольтного прибора. В способе формирования контактных окон в слое защитного основания высоковольтного прибора, включающем формирование диэлектрического слоя на слое металлизации, осаждение пассивирующего слоя, осаждение фоторезиста через маску, плазмохимическое травление до металла, удаление фоторезиста, нанесение второго слоя металлизации, в качестве диэлектрического слоя центрифугированием наносится полиимид, после чего проводится его полимеризация при температуре 350-450°С, после нанесения фоторезиста проводится подтравливание пассивирующего слоя до полиимида под маску фоторезиста жидко-химическим травлением, затем проводится плазмохомическое травление поверхности на половинное время вытравливания полиимида, остатки фоторезиста удаляются и снова наносится фоторезистивный слой через маску меньшего размера для травления до металла. 4 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении упругих элементов, используемых в конструкциях кремниевых чувствительных элементов микромеханических датчиков - акселерометров, гироскопов, датчиков угловой скорости. В способе изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния окисляют плоскую круглую пластину с ориентацией базовой поверхности в плоскости (100), наносят на нее защитный слой фоторезиста, проводят фотолитографию, вскрывают окна в окисном слое в области формирования упругих элементов на определенную ширину с учетом анизотропии травления монокристаллического кремния, анизотропно травят на глубину для получения требуемой толщины упругих элементов, изотропно дотравливают с одновременным формированием галтельных переходов. При этом согласно способу после анизотропного травления удаляют окисный слой, наносят защитную пленку, методом фотолитографии формируют рисунок для изотропного травления, после чего изотропно дотравливают кремний и удаляют защитную пленку. Технический результат изобретения - получение упругих элементов требуемой толщины на кремниевых пластинах анизотропным травлением с устранением концентраторов механических напряжений на всех внутренних и внешних углах формируемых кремниевых структур путем изотропного дотравливания с дополнительной защитой поверхности пластины. 5 ил.

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков. Сущность изобретения: в способе изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния окисляют плоскую круглую пластину с ориентацией базовой поверхности в плоскости, наносят на нее защитный слой фоторезиста, проводят фотолитографию, вскрывают окна в окисном слое в области формирования упругих элементов на определенную ширину с учетом анизотропии травления монокристаллического кремния, анизотропно травят на глубину для получения требуемой толщины упругих элементов. Одновременно с вышеуказанными операциями по формированию упругих элементов формируют контрольный элемент, расположенный вне зоны упругих элементов, формирование контрольного элемента проводят до самоторможения на заданную глубину, определяемую заданным математическим выражением. Изобретение обеспечивает повышение технологичности изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния путем оценки травления контрольных элементов до самоторможения. 3 ил.

Наверх