Волноводная согласованная нагрузка

Изобретение относится к области радиотехники и радиоэлектроники и может быть использовано для поглощения электромагнитного излучения на выходе сверхвысокочастного волноведущего тракта, а также входить в состав сложных сверхвысокочастотных функциональных узлов и устройств. Волноводная согласованная нагрузка включает размещенные в короткозамкнутом отрезке волновода первый и второй относительно направления распространения электромагнитной волны основные диэлектрические слои и расположенный между ними металлический слой нанометровой толщины, причем плоскости слоев ориентированы перпендикулярно направлению распространения электромагнитной волны, при этом волноводная согласованная нагрузка согласно изобретению содержит дополнительный диэлектрический слой, расположенный перед первым основным диэлектрическим слоем и обладающий величиной относительной диэлектрической проницаемости, меньшей величины относительной диэлектрической проницаемости первого основного диэлектрического слоя, а также содержит по крайней мере один согласующий диэлектрический слой, расположенный между дополнительным диэлектрическим слоем и первым основным диэлектрическим слоем и/или между металлическим слоем и вторым основным диэлектрическим слоем, при этом величина относительной диэлектрической проницаемости согласующих диэлектрических слоев меньше величины диэлектрической проницаемости первого основного диэлектрического слоя и увеличивается по направлению к металлическому слою, а величина относительной диэлектрической проницаемости согласующих диэлектрических слоев, расположенных между металлическим слоем и вторым основным диэлектрическим слоем, меньше величины диэлектрической проницаемости второго основного диэлектрического слоя и увеличивается по направлению от металлического слоя. Изобретение обеспечивает возможность создания широкополосной волноводной нагрузки для поглощения СВЧ-излучения с расширенным рабочим диапазоном частот, технологически простой в изготовлении и с малыми продольными габаритами. 4 з.п. ф-лы, 10 ил., 8 табл., 8 пр.

 

Изобретение относится к области радиотехники и радиоэлектроники и может быть использовано для поглощения электромагнитного излучения на выходе сверхвысокочастного волноведущего тракта, а также входить в состав сложных сверхвысокочастотных функциональных узлов и устройств.

Известен поглотитель электромагнитных волн (см. патент РФ 127255 U1 МПК H01Q 17/00, опубл. 2013.20.04), состоящий из панелей пенополиуретана, содержащих электропроводящее углеродное волокно, концентрация которого монотонно увеличивается от лицевой до тыльной поверхности панели в таких пределах, которые обеспечивают поглощение энергии электромагнитной волны в широком диапазоне длин волн.

Однако данный поглотитель отличается трудоемкостью создания пластин с заданным градиентом концентрации углеродного волокна и ограничением размеров пластин диапазоном от 10 до 20 мм.

Известен поглотитель электромагнитных волн (см. патент РФ 2119216 С1 МПК H01Q 17/00, опубл. 1998.20.09), сформированный на основе многослойного интерференционного покрытия со слоями переменной толщины, между которыми расположены двумерные решетки резонансных элементов. Резонансные элементы выполнены в виде диполей полуволновой длины и замкнутых проводников (колец, эллипсов), равных центральной длине волны поглощаемого диапазона частот, из металла или рисунков электропроводной краской, пастой, клеем.

Однако данный поглотитель предполагает повышенные требования к электрофизическим параметрам и геометрическим размерам создаваемых массивов резонансных элементов.

Наиболее близким по сущности к предлагаемому является поглотитель электромагнитного излучения, используемый в широкополосной волноводной согласованной нагрузке (см. патент РФ 2360336 С1 МПК Н01Р 7/00, опубл. 2009.27.06), выполненный в виде многослойной металлодиэлектрической структуры с различными значениями толщины, диэлектрической проницаемости и электропроводности слоев, помещенной в волновод и полностью заполняющей его по поперечному сечению, причем плоскости слоев перпендикулярны направлению распространения электромагнитной волны. Количество слоев, их толщины, диэлектрические проницаемости и электропроводности выбираются путем подбора или численно из решения задачи по оптимизации, таким образом, чтобы в выбранном частотном диапазоне величины коэффициентов отражения и прохождения были меньше заданных значений.

Однако данный поглотитель отличается наличием в своей структуре нанометровых металлических слоев в количестве не менее двух и имеет недостаточную ширину рабочего диапазона частот.

Задача настоящего изобретения заключается в создании широкополосной волноводной нагрузки для поглощения СВЧ-излучения, лишенной недостатков прототипа, отличающейся расширенным рабочим диапазоном частот, технологической простотой изготовления и малыми продольными габаритами.

Технический результат заключается в обеспечении рабочих диапазонов частот от 8,15 до 178,4 ГГц, упрощении конструкции за счет использования единственного нанометрового металлического слоя и сокращении размеров нагрузки до половины критической длины волны используемого частотного диапазона.

Предлагаемое устройство поясняется чертежами.

Фиг. 1. Волноводная согласованная нагрузка диапазона 8,15-12,05 ГГц.

Фиг. 2. Структура диэлектрических слоев, содержащих воздушные включения.

Фиг. 3. Экспериментальная частотная зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению в диапазоне 8,15-12,05 ГГц.

Фиг. 4. Теоретически рассчитанная частотная зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению в диапазоне 12,05-17,44 ГГц.

Фиг. 5. Теоретически рассчитанная частотная зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению в диапазоне 17,44-25,9 ГГц.

Фиг. 6. Теоретически рассчитанная частотная зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению в диапазоне 25,95-37,50 ГГц.

Фиг. 7. Теоретически рассчитанная частотная зависимость коэффициента стоячей волны в диапазоне 37,50-53,57 ГГц.

Фиг. 8. Теоретически рассчитанная частотная зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению в диапазоне 53,57-78,33 ГГц.

Фиг. 9. Теоретически рассчитанная частотная зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению в диапазоне 78,33-118,1 ГГц.

Фиг. 10. Теоретически рассчитанная частотная зависимость коэффициента стоячей волны по напряжению в диапазоне 118,1-178,4 ГГц.

Позициями на чертежах обозначены:

1 - дополнительный диэлектрический слой;

2, 3 - согласующий диэлектрический слой;

4 - первый основной диэлектрический слой;

5 - нанометровый металлический слой;

6 - согласующий диэлектрический слой;

7 - второй основной диэлектрический слой;

8 - отрезок прямоугольного волновода с соединительными фланцами;

9 - короткозамыкающая стенка.

В согласованной нагрузке для поглощения электромагнитного излучения сверхвысокочастотного диапазона длин волн используется многослойная металлодиэлектрическая структура с различными значениями толщины, диэлектрической проницаемости и электропроводности слоев, размещенная в короткозамкнутом отрезке волновода 8 и полностью заполняющая его по поперечному сечению, причем плоскости слоев перпендикулярны направлению распространения электромагнитной волны. Она содержит расположенный между первым 4 и вторым 7 основными диэлектрическими слоями один нанометровый металлический слой 5 с величиной поверхностного сопротивления в диапазоне значений от 60 до 120 Ом на квадрат, один дополнительный диэлектрический слой 1, расположенный перед первым основным диэлектрическим слоем и обладающий величиной относительной диэлектрической проницаемости, меньшей величины относительной диэлектрической проницаемости первого основного диэлектрического слоя, а также, по крайней мере, один согласующий диэлектрический слой, расположенный между дополнительным диэлектрическим слоем и первым основным диэлектрическим слоем и/или между металлическим слоем и вторым основным диэлектрическим слоем, при этом величина относительной диэлектрической проницаемости согласующих диэлектрических слоев, расположенных между дополнительным диэлектрическим слоем и первым основным диэлектрическим слоем, меньше величины диэлектрической проницаемости первого основного диэлектрического слоя и увеличивается по направлению к металлическому слою, а величина относительной диэлектрической проницаемости согласующих диэлектрических слоев, расположенных между металлическим слоем и вторым основным диэлектрическим слоем, меньше величины диэлектрической проницаемости второго основного диэлектрического слоя и увеличивается по направлению от металлического слоя к короткозамыкающей стенке 9. В варианте исполнения, представленном на фиг. 1, между дополнительным диэлектрическим слоем 1 и первым основным диэлектрическим слоем 4 расположены согласующие диэлектрические слои 2 и 3, а между металлическим слоем 5 и вторым основным диэлектрическим слоем 7 расположен один согласующий диэлектрический слой 6.

Толщина каждого из диэлектрических слоев не должна превышать одной четверти критической длины волны используемого частотного диапазона, а толщина всей многослойной структуры не должна превышать половины критической длины волны используемого частотного диапазона.

Любой диэлектрический слой может быть выполнен в виде структуры в плоскости слоя, представляющей собой диэлектрическую матрицу с большим числом включений, имеющих величину относительной диэлектрической проницаемости, отличную от величины относительной диэлектрической проницаемости слоя. Количество, размер, геометрическая форма и взаимное расположение включений определяются заданным значением эффективной диэлектрической проницаемости диэлектрического слоя. Под эффективной диэлектрической проницаемостью материала, содержащего включения, понимается диэлектрическая проницаемость, равная относительной диэлектрической проницаемости слоя сплошного материала, обладающего частотными характеристиками и постоянной распространения электромагнитной волны, идентичными частотным характеристикам и постоянной распространения электромагнитной волны материала с включениями (Sihvola A. Electromagnetic mixing formulas and applications / IET, 1999. - 284 p.; Ландау, Л.Д., Лифшиц, Е.М. Электродинамика сплошных сред. - М.: Наука, 1982. - 624 с.).

С точки зрения технологичности производства более предпочтительным представляется создание в диэлектрических слоях волноводной согласованной нагрузки упорядоченных массивов воздушных включений, выполненных в виде сквозных отверстий. Для повышения стабильности рабочих параметров согласованной нагрузки, содержащей диэлектрические слои с воздушными включениями, диэлектрические свойства которых могут изменяться, например, при изменении влажности воздуха, дополнительный диэлектрический слой 1, расположенный самым первым относительно направления распространения электромагнитной волны, может быть выполнен сплошным.

Количество слоев, их толщины, диэлектрические проницаемости, электропроводности, а также число, форму, размеры и взаимное расположение воздушных включений для получения заданной величины эффективной диэлектрической проницаемости диэлектрического слоя выбирают путем подбора или численно решая задачу по оптимизации, таким образом, чтобы в выбранном частотном диапазоне величина коэффициента стоячей волны по напряжению была не больше заданного значения.

Количество согласующих диэлектрических слоев, обеспечивающих необходимую степень согласования и расположенных до и/или после нанометрового металлического слоя, подбирают в зависимости от требуемого коэффициента стоячей волны по напряжению в заданном частотном диапазоне, в частности в стандартных поддиапазонах сверхвысокочастотного диапазона.

Примеры практической реализации

Пример 1

Была разработана согласованная волноводная нагрузка в трехсантиметровом диапазоне длин волн со следующими параметрами:

Рабочий диапазон, ГГц 8,15-12,05
Сечение волноводного канала, мм 23,0×10,0
Коэффициент стоячей волны по напряжению, не более 1,10

Расчет коэффициента стоячей волны по напряжению для многослойной структуры сложной пространственной геометрии со слоями, содержащими массивы воздушных включений, и оптимизация геометрических формы и размеров этих включений для получения определенного значения эффективной диэлектрической проницаемости диэлектрического слоя проводились методом конечных элементов. В ходе процесса оптимизации была выбрана металлодиэлектрическая структура, состоящая из 7 слоев (фиг. 1), параметры которых сведены в таблицу 1.

В данном частотном диапазоне для улучшения условий согласования волноводного тракта и волноводной согласованной нагрузки перед нанометровым металлическим слоем были размещены четыре диэлектрических слоя, а после него - два диэлектрических слоя. Нанометровый металлический слой (хром) напылялся на диэлектрическую подложку (Al2O3), играющую роль предшествующего металлическому слою диэлектрического согласующего слоя. Первый относительно направления распространения электромагнитной волны диэлектрический слой толщиной 0,5 мм был выполнен из тефлона и являлся сплошным для предотвращения изменений диэлектрических свойств воздушных включений, наличествующих в последующих диэлектрических слоях, при изменении влажности воздуха. Второй, третий, шестой и седьмой слои содержали упорядоченные массивы воздушных включений, состоящих из 17 сквозных отверстий цилиндрической формы, радиус которых подбирался в процессе оптимизации для получения заданного значения эффективной диэлектрической проницаемости (фиг. 2). Для второго, третьего и шестого диэлектрических слоев радиусы отверстий первого и третьего по вертикали рядов составляли 3, 2,74 и 3,2 мм, а второго - 3,2, 2,4, 1,6 мм соответственно. Слои плотно прижимались друг к другу механически и помещались в короткозамкнутый отрезок волновода. Измеренные значения частотной зависимости коэффициента стоячей волны по напряжению (КСВН) представлены на фиг. 3.

Пример 2

Приводятся полученные после процесса оптимизации параметры слоев волноводной согласованной нагрузки для частотного диапазона 12,05-17,44 ГГц. На фиг. 4 приведен результат расчета коэффициента стоячей волны по напряжению для указанного диапазона.

Рабочий диапазон, ГГц 12,05-17,44
Сечение волноводного канала, мм 16,0×8,0
Коэффициент стоячей волны по напряжению, не более 1,10

В ходе процесса оптимизации была выбрана металлодиэлектрическая структура, состоящая из 6 слоев, параметры которых сведены в таблицу 2.

Пример 3

Приводятся полученные после процесса оптимизации параметры слоев волноводной согласованной нагрузки для частотного диапазона 17,44-25,95 ГГц. На фиг. 5 приведен результат расчета коэффициента стоячей волны по напряжению для указанного диапазона.

Рабочий диапазон, ГГц 17,44-25,95
Сечение волноводного канала, мм 11,0×5,5
Коэффициент стоячей волны по напряжению, не более 1,10

В ходе процесса оптимизации была выбрана металлодиэлектрическая структура, состоящая из 7 слоев, параметры которых сведены в таблицу 3.

Пример 4

Приводятся полученные после процесса оптимизации параметры слоев волноводной согласованной нагрузки для частотного диапазона 25,95-37,50 ГГц. На фиг. 6 приведен результат расчета коэффициента стоячей волны по напряжению для указанного диапазона.

Рабочий диапазон, ГГц 25,95-37,50
Сечение волноводного канала, мм 7,2×3,4
Коэффициент стоячей волны по напряжению, не более 1,15

В ходе процесса оптимизации была выбрана металлодиэлектрическая структура, состоящая из 7 слоев, параметры которых сведены в таблицу 4.

Пример 5

Приводятся полученные после процесса оптимизации параметры слоев волноводной согласованной нагрузки для частотного диапазона 37,50-53,57 ГГц. На фиг. 7 приведен результат расчета коэффициента стоячей волны по напряжению для указанного диапазона.

Рабочий диапазон, ГГц 37,50-53,57
Сечение волноводного канала, мм 5,2×2,6
Коэффициент стоячей волны по напряжению, не более 1,15

В ходе процесса оптимизации была выбрана металлодиэлектрическая структура, состоящая из 7 слоев, параметры которых сведены в таблицу 5.

Пример 6

Приводятся полученные после процесса оптимизации параметры слоев волноводной согласованной нагрузки для частотного диапазона 53,57-78,33 ГГц. На фиг. 8 приведен результат расчета коэффициента стоячей волны по напряжению для указанного диапазона.

Рабочий диапазон, ГГц 53,57-78,33
Сечение волноводного канала, мм 3,6×1,8
Коэффициент стоячей волны по напряжению, не более 1,15

В ходе процесса оптимизации была выбрана металлодиэлектрическая структура, состоящая из 5 слоев, параметры которых сведены в таблицу 6.

Пример 7

Приводятся полученные после процесса оптимизации параметры слоев волноводной согласованной нагрузки для частотного диапазона 78,33-118,1 ГГц. На фиг. 9 приведен результат расчета коэффициента стоячей волны по напряжению для указанного диапазона.

Рабочий диапазон, ГГц 78,33-118,1
Сечение волноводного канала, мм 2,4×1,2
Коэффициент стоячей волны по напряжению, не более 1,20

В ходе процесса оптимизации была выбрана металлодиэлектрическая структура, состоящая из 5 слоев, параметры которых сведены в таблицу 7.

Пример 8

Приводятся полученные после процесса оптимизации параметры слоев волноводной согласованной нагрузки для частотного диапазона 118,1-178,4 ГГц. На фиг. 10 приведен результат расчета коэффициента стоячей волны по напряжению для указанного диапазона.

Рабочий диапазон, ГГц 118,1-178,4
Сечение волноводного канала, мм 1,6×0,8
Коэффициент стоячей волны по напряжению, не более 1,20

В ходе процесса оптимизации была выбрана металлодиэлектрическая структура, состоящая из 6 слоев, параметры которых сведены в таблицу 8.

Таким образом, использование многослойных металлодиэлектрических структур, содержащих один нанометровый металлический слой и диэлектрические слои с массивами воздушных включений, параметры которых определяются из результатов оптимизации, позволяет создавать широкополосные волноводные согласованные нагрузки для диапазона частот, в котором необходимо реализовать требуемый коэффициент стоячей волны по напряжению, при этом обладающие продольными размерами, не превышающими половины критической длины волны используемого частотного диапазона.

1. Волноводная согласованная нагрузка, включающая размещенные в короткозамкнутом отрезке волновода и полностью заполняющие его поперечное сечение первый и второй относительно направления распространения электромагнитной волны основные диэлектрические слои и расположенный между ними металлический слой нанометровой толщины, причем плоскости слоев ориентированы перпендикулярно направлению распространения электромагнитной волны, отличающаяся тем, что содержит дополнительный диэлектрический слой, расположенный перед первым основным диэлектрическим слоем и обладающий величиной относительной диэлектрической проницаемости, меньшей величины относительной диэлектрической проницаемости первого основного диэлектрического слоя, а также содержит по крайней мере один согласующий диэлектрический слой, расположенный между дополнительным диэлектрическим слоем и первым основным диэлектрическим слоем и/или между металлическим слоем и вторым основным диэлектрическим слоем, при этом величина относительной диэлектрической проницаемости согласующих диэлектрических слоев, расположенных между дополнительным диэлектрическим слоем и первым основным диэлектрическим слоем, меньше величины диэлектрической проницаемости первого основного диэлектрического слоя и увеличивается по направлению к металлическому слою, а величина относительной диэлектрической проницаемости согласующих диэлектрических слоев, расположенных между металлическим слоем и вторым основным диэлектрическим слоем, меньше величины диэлектрической проницаемости второго основного диэлектрического слоя и увеличивается по направлению от металлического слоя.

2. Волноводная согласованная нагрузка по п. 1, отличающаяся тем, что величина поверхностного сопротивления металлического слоя находится в диапазоне значений от 60 до 120 Ом на квадрат.

3. Волноводная согласованная нагрузка по п. 1, отличающаяся тем, что толщина каждого из диэлектрических слоев не превышает одной четверти критической длины волны используемого частотного диапазона, при этом толщина всей многослойной структуры не превышает половины критической длины волны используемого частотного диапазона.

4. Волноводная согласованная нагрузка по п. 1, отличающаяся тем, что по крайней мере один из диэлектрических слоев выполнен сплошным.

5. Волноводная согласованная нагрузка по п. 1, отличающаяся тем, что по крайней мере один из диэлектрических слоев выполнен в виде структуры в плоскости слоя, представляющей собой диэлектрическую матрицу с включениями, имеющими величину относительной диэлектрической проницаемости, отличную от величины относительной диэлектрической проницаемости слоя, причем количество, размер, геометрическая форма и взаимное расположение включений определяются заданным значением эффективной диэлектрической проницаемости слоя.



 

Похожие патенты:

Предлагаемое изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в волноводных трактах передатчиков, приемников, антенн РЛС для направленной передачи электромагнитных волн.

Предлагаемое изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в волноводных трактах передатчиков, приемников, антенн РЛС для направленной передачи электромагнитных волн.

Изобретение относится к области радиосвязи. Технический результат изобретения заключается в повышении эффективности устройств генерации и частотной модуляции за счет увеличения линейного участка частотной модуляционной характеристики при произвольных характеристиках нелинейного элемента.

Изобретение относится к радиоэлектронике и измерительной технике и может быть использовано для заданного ослабления высокочастотного сигнала большой мощности в широкой полосе рабочих частот.

Изобретения относятся к областям радиосвязи и могут быть использованы для создания устройств генерации и частотной модуляции с увеличенным линейным участком частотной модуляционной характеристики при произвольных характеристиках нелинейного элемента, цепи внешней обратной связи и параметрах резистивного четырехполюсника.

Изобретение относится к области радиосвязи. Технический результат изобретения заключается в возможности усиления и частотной демодуляции высокочастотного сигнала с увеличенным линейным участком частотной демодуляционной характеристики и увеличенным динамическим диапазоном при произвольных характеристиках нелинейного элемента, цепи внешней обратной связи и параметрах резистивного четырехполюсника.

Изобретение относится к области радиосвязи. Способ генерации высокочастотных сигналов состоит в том, что энергию источника постоянного напряжения преобразуют в энергию высокочастотного сигнала за счет скачкообразного изменения амплитуды источника постоянного напряжения в момент его включения, усиливают и ограничивают амплитуду высокочастотного сигнала с помощью трехполюсного нелинейного элемента и организации обратной связи.

Изобретение относится к области радиолокационной техники, в частности к устройствам антенно-фидерной системы, используемым для передачи сверхвысокочастотной энергии между неподвижной частью радиолокационной станции (РЛС), например стационарными (неподвижными) передатчиками, приемниками, и вращающейся антенной системой.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот (СВЧ) и может быть использовано для коммутации СВЧ-сигналов в фидерных трактах различного назначения, в частности при создании переключателя фидерных трактов.

Настоящее изобретение относится к области связи, и в частности, к устройствам связи в СВЧ-диапазоне. Устройство СВЧ-связи включает в себя: первый модуль преобразования, второй модуль преобразования, сконфигурированные для выполнения взаимного преобразования между сигналом основной полосы частот или сигналом промежуточной частоты и СВЧ-сигналом, причем СВЧ-сигналы, принятые или выведенные первым модулем преобразования и вторым модулем преобразования, имеют, соответственно, одинаковое направление поляризации либо перпендикулярные направления поляризации; и ортомодовый преобразователь с тремя волноводными портами, сконфигурированный для выполнения разделения и синтеза ортогонально поляризованных СВЧ-сигналов.

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к технике СВЧ, и предназначено для создания полосно-заграждающих фильтров на основе диэлектрических резонаторов преимущественно в дециметровом диапазоне длин волн. Техническим результатом является уменьшение электрической длины, повышение избирательности и улучшение стабильности электрических характеристик фильтра повышенной мощности. Сущность изобретения: отличительной особенностью изобретения является то, что полосно-заграждающий фильтр снабжен полыми цилиндрическими секциями, установленными поочередно с противоположных сторон относительно линии передачи через расстояния в одну четверть волны (λ/4). В каждой полой цилиндрической секции установлен дисковый диэлектрический резонатор (ДР), закрепленный между основной и дополнительно введенной диэлектрическими подставками, в дополнительной подставке выполнено отверстие, в котором установлен винт настройки. Линия передачи, выполненная в виде коаксиальной линии, снабжена проводниками шлейфов, подключенными к ее внутреннему проводнику, а каждый из проводников шлейфов продлен внутрь полости цилиндрической секции в виде петли связи, конец которой закреплен, например, пайкой на стенке цилиндрической секции. Петля связи выполнена из проводника в форме "хвоста бабочки", обращенного вогнутой стороной к дисковому ДР, а длина проводника вогнутой стороны выбрана в пределах 0,25-0,3 диаметра дискового ДР. Дисковые ДР 3 настроены в полосе заграждения на разные резонансные частоты, а соотношение толщин ДР и диэлектрических подставок 4,5 выбрано в пределах , где εп<<εр - диэлектрические проницаемости, а Нп, Нр - толщины подставок 4, 5 и ДР 3 соответственно. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к радиотехнике. Полосовой фильтр образован прямоугольными волноводами, отделенными друг от друга вдоль середины имеющей большую ширину поверхности фильтра, и тонкой металлической пластиной, заключенной между прямоугольными волноводами. Одна из пластин связи, сформированных из металлической пластины, имеет вырез со скругленным углом или различными ширинами обоих концов пластины связи. При этом пластина связи, сформированная на одном конце металлической пластины, имеет вырез, либо две пластины связи, сформированные на двух концах металлической пластины, имеют вырезы. Металлическая пластина выполнена из структуры металлического слоя на печатной плате. Полосовой фильтр может иметь криволинейный волновод U-образной формой. Также полосовой фильтр может быть образован множеством фильтрующих элементов, соединенных друг с другом. Технический результат - увеличение коэффициента связи, расширение полосы частот. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 16 ил.

Использование: для создания волноводной нагрузки. Сущность изобретения заключается в том, что волноводная нагрузка содержит короткозамкнутый отрезок прямоугольного волновода, внутри которого вдоль двух широких стенок установлены поглотители, которые выполнены в виде плоских пластин из поглощающего материала, имеют одинаковую толщину, заполняют всю площадь двух широких стенок прямоугольного волновода, узкие стенки короткозамкнутого отрезка прямоугольного волновода выполнены с уменьшающейся высотой от начала нагрузки к ее концу и на короткозамкнутом конце нагрузки высота узких стенок волновода выбрана равной двум толщинам пластин из поглощающего материала. Технический результат: обеспечение возможности равномерного поглощения СВЧ мощности вдоль нагрузки. 1 ил.

Тем-камера // 2606173
Изобретение относится к электротехнике. Сущность изобретения заключается в том, что ТЕМ-камера содержит корпус в форме пирамиды, при этом в поперечном сечении центральная и сужающиеся части корпуса являются прямоугольником с соотношением сторон 1:1,15, причем длина центральной части равна ее ширине, а сужающиеся части выполнены с линейными углами сужения 32,7° и 36,7°, открытые концы которого имеют размер 7,2×8,4 мм и вдоль продольной составляющей сгибы для соединения со стягивающим кольцом, которое выполнено в форме цилиндра с прямоугольным вырезом внутри и отношением сторон 1:1,15, по краям которого имеются по меньшей мере четыре отверстия с резьбовым соединением для крепления с помощью винтов через токопроводящую пасту держателя под соединитель, который также имеет цилиндрическую форму с по меньшей мере четырьмя резьбовыми отверстиями и по меньшей мере пятью отверстиями под высокочастотный соединитель, четыре из которых выполнены с одинаковым диаметром, а пятое выполнено в виде коаксиального волновода с волновым сопротивлением 50 Ом, центральный проводник которого соединен при помощи пайки и соединения в паз с центральной пластиной, которая выполнена из проводящего материала толщиной 2 мм и шириной 1:1,3 по отношению к ширине центральной части корпуса, а на концах центральной пластины выполнено линейное сужение со ступенчатыми вырезами на кромках в форме дуги, причем сужение в начале выполнено под углом 46° на расстоянии толщины стягивающего кольца и под углом 61° на расстоянии от толщины стягивающего кольца до 5,5 мм, превышающем расположение ребер корпуса, в одной из стенок которого имеется прямоугольный вырез, кромки которого выполнены с фаской под угол 45°, для испытательного стола из проводящего материала, который имеет по меньшей мере одно отверстие для соединителя и фаску под углом 45°. Технический результат – получение максимальной рабочей частоты камеры в диапазоне от 1 до 2 ГГц при максимальной высоте испытуемого объекта в диапазоне от 40 до 20 мм и максимальном коэффициенте стоячих волн по напряжению, не превышающем 1,08 (модуль коэффициента отражения, не превышает минус 22 дБ). 6 ил.

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в волноводных трактах передатчиков, приемников, антенн РЛС для направленной передачи электромагнитных волн. Т-циркулятор содержит симметричное волноводное Т-разветвление в Н-плоскости, согласующий металлический клин, три ферритовых вкладыша и магнитную систему. Для повышения тепловой и электрической прочности Т-циркулятора при расширении полосы рабочих частот каждый ферритовый вкладыш выполнен в виде двух трехгранных равносторонних ферритовых призм, которые соосно установлены на противоположных широких стенках волноводного Т-разветвления в Н-плоскости, в областях круговой поляризации. При этом каждая трехгранная равносторонняя ферритовая призма ориентирована одной боковой гранью ортогонально к плоскости симметрии волноводного Т-разветвления в Н-плоскости и одним боковым ребром в сторону согласующего металлического клина. 1 ил.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в селективных трактах приемных и передающих систем. Микрополосковый полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое основание, а на вторую - нанесены электромагнитно связанные полосковые проводники: смещенные относительно друг друга протяженные широкие отрезки полосковых проводников, заземляемые на основание со стороны свободных концов, с противоположных - соединены между собой посредством протяженных отрезков полосковых проводников, с внутренней стороны - соединены с отрезками протяженных узких полосковых проводников, дважды изогнутых под прямым углом, при этом вдоль по их периметрам, внутри каждого расположены свернутые П-образно отрезки полосковых проводников, заземляемые на основание со стороны свободных концов, соединенные с внешней стороны с ортогонально расположенными протяженными широкими отрезками полосковых проводников, являющихся портами фильтра. Изобретение обеспечивает расширение рабочей полосы пропускания и высокочастотной полосы заграждения, а также улучшение селективных свойств. 2 ил.

Изобретение относится к областям радиотехники и связи. Высокочастотный фазовращатель выполнен на основе КМОП-технологии, при этом усилители с переменным коэффициентом усиления построены на основе модифицированных ячеек Гильберта, а аналоговый дифференциальный квадратурный сумматор подключен к квадратурному полифазному фильтру напрямую. Каждая модифицированная ячейка Гильберта состоит из десяти МОП-транзисторов. При этом затворы первого и четвертого МОП-транзисторов являются высокочастотными входами, истоки первого и второго МОП-транзисторов соединены со стоком девятого МОП-транзистора, истоки третьего и четвертого МОП-транзисторов соединены со стоком десятого МОП-транзистора, исток девятого и десятого МОП-транзисторов подключен к общему узлу, затворы девятого и десятого МОП-транзисторов подключены к первому выходу источника напряжений смещения, затворы второго и третьего МОП-транзисторов подключены ко второму выходу источника напряжений смещения, стоки первого и третьего МОП-транзисторов подключены к узлу, к которому подключены истоки пятого и шестого МОП-транзисторов, стоки второго и четвертого МОП-транзисторов подключены к узлу, к которому подключены истоки седьмого и восьмого МОП-транзисторов, затворы пятого и восьмого МОП-транзисторов и затворы шестого и седьмого МОП-транзисторов представляют собой управляющие дифференциальные входы соответственно, стоки пятого и седьмого МОП-транзисторов и стоки шестого и восьмого МОП-транзисторов подключены к двум входам цепи нагрузки соответственно Высокочастотный фазовращатель на МОП-транзисторах с конструкцией согласно изобретению обладает уменьшенной ошибкой установки фазы и потребляемой мощностью, а также более низкой себестоимостью. 3 ил.

Изобретение относится к автотранспортным средствам, в частности специального назначения, может быть использовано для повышения помехозащищенности бортового электрооборудования к внешнему высокочастотному электромагнитному полю при эксплуатации АТС в условиях сложной электромагнитной обстановки. Повышение помехозащищенности электрооборудования АТС к внешнему высокочастотному ЭМП достигается нанесением широкополосного радиопоглощающего материала как минимум на три взаимно перпендикулярные металлические внутренние поверхности того объема кузова АТС, в котором расположено защищаемое электрооборудование. Параметры широкополосного радиопоглощающего материала выбираются из учета начала ослабления ЭМП на заданной минимальной частоте диапазона частот, в котором наблюдается не менее 90% нарушений работоспособности электрооборудования при воздействии внешнего высокочастотного ЭМП. Способ позволяет перейти из режима стоячих волн на режим смешанных волн, за счет чего уменьшить во внутреннем объеме кузова АТС максимальные уровни ЭМП, вследствие чего улучшается электромагнитная обстановка и снижается влияние ЭМП на бортовое электрооборудование, тем самым происходит повышение его помехозащищенности. 3 ил.

Использование – в области электротехники. Технический результат – повышение стойкости к деформации обмотки линейного фильтра. Согласно изобретению линейный фильтр для систем передачи на линиях электропередач переменного тока среднего/высокого напряжения содержит непрерывную катушку из электропроводного металла, при этом катушка сформирована непрерывной спиралью, выполненной из витков (1, 1А, 1В, 1С) катушки, которые намотаны как соленоид и удерживаются разнесенными друг от друга последовательностью прокладок (2), выполненных из электрически изолирующего материала. Витки (1, 1А, 1В, 1С) катушки имеют Н-образное сечение, чтобы на каждой из противоположных поверхностей таких витков катушки образовывалось углубление или непрерывный канал, куда помещены прокладки (2). При этом прокладки (2) создают надежную опору для каждого витка катушки. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к устройствам СВЧ-электроники и может быть использовано при конструировании нано- и микроэлектронных элементов для обработки сигналов. Элемент на магнитостатических спиновых волнах (МСВ) имеет две пары микрополосковых преобразователей, которые образуют два параллельных линейных канала распространения МСВ, разнесенных друг от друга на расстояние, обеспечивающее размещение между указанными каналами резонатора МСВ, взаимодействующего с линейными каналами. Каждый линейный канал распространения МСВ выполнен в виде системы одиночных цилиндрических включений из ферромагнитного материала, образованных в базовой ферромагнитной пленке и расположенных равномерно по длине канала, а резонатор МСВ представляет собой систему одиночных цилиндрических включений из ферромагнитного материала, образованных в базовой ферромагнитной пленке и расположенных равномерно по окружности. Включения из ферромагнитного материала имеют большую намагниченность, чем базовая ферромагнитная пленка. Технический результат - возможность реализации функций фильтра и резонатора при обеспечении пониженных вносимых потерь в диапазоне частот нескольких ГГц. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и радиоэлектроники и может быть использовано для поглощения электромагнитного излучения на выходе сверхвысокочастного волноведущего тракта, а также входить в состав сложных сверхвысокочастотных функциональных узлов и устройств. Волноводная согласованная нагрузка включает размещенные в короткозамкнутом отрезке волновода первый и второй относительно направления распространения электромагнитной волны основные диэлектрические слои и расположенный между ними металлический слой нанометровой толщины, причем плоскости слоев ориентированы перпендикулярно направлению распространения электромагнитной волны, при этом волноводная согласованная нагрузка согласно изобретению содержит дополнительный диэлектрический слой, расположенный перед первым основным диэлектрическим слоем и обладающий величиной относительной диэлектрической проницаемости, меньшей величины относительной диэлектрической проницаемости первого основного диэлектрического слоя, а также содержит по крайней мере один согласующий диэлектрический слой, расположенный между дополнительным диэлектрическим слоем и первым основным диэлектрическим слоем иили между металлическим слоем и вторым основным диэлектрическим слоем, при этом величина относительной диэлектрической проницаемости согласующих диэлектрических слоев меньше величины диэлектрической проницаемости первого основного диэлектрического слоя и увеличивается по направлению к металлическому слою, а величина относительной диэлектрической проницаемости согласующих диэлектрических слоев, расположенных между металлическим слоем и вторым основным диэлектрическим слоем, меньше величины диэлектрической проницаемости второго основного диэлектрического слоя и увеличивается по направлению от металлического слоя. Изобретение обеспечивает возможность создания широкополосной волноводной нагрузки для поглощения СВЧ-излучения с расширенным рабочим диапазоном частот, технологически простой в изготовлении и с малыми продольными габаритами. 4 з.п. ф-лы, 10 ил., 8 табл., 8 пр.

Наверх