Сцинтиллятор на основе тербия для детектора

Изобретение относится к области компьютерной томографии (КТ). Система визуализации содержит источник излучения и матрицу чувствительных к излучению детекторов, включающую в себя матрицу сцинтилляторов и матрицу фотодатчиков, оптически связанную с матрицей сцинтилляторов, причем матрица сцинтилляторов включает в себя Gd2O2S:Pr,Tb,Се, причем количество Tb3+ равно или меньше, чем пятьдесят мольных частей на миллион. Технический результат - повышение световыхода сцинтиллятора. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.

 

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ

Приведенные ниже сведения в основном относятся к чувствительному к излучению визуализирующему детектору с матрицей сцинтилляторов на основе тербия (Tb3+), при этом основной акцент сделан на применении в области компьютерной томографии (КТ). Однако приведенные ниже сведения также применимы к другим способам визуализации.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

Сканер компьютерной томографии (КТ) содержит рентгеновскую трубку и матрицу детекторов. Рентгеновская трубка поддерживается вращающимся гентри, который вращается вокруг обследуемой области, вращая тем самым рентгеновскую трубку вокруг обследуемой области. Массив детекторов размещен напротив рентгеновской трубки, с противоположной стороны обследуемой области. Рентгеновская трубка испускает излучение, которое пересекает обследуемую область (и расположенную внутри часть субъекта или объекта) и освещает матрицу детекторов. Матрица детекторов детектирует излучение, пересекающее обследуемую область, и генерирует сигнал, несущий информацию об этой области. Устройство реконструкции реконструирует сигнал, генерируя трехмерные объемные данные визуализации. Процессор данных может обрабатывать трехмерные объемные данные визуализации и генерировать на их основе одно или более изображений.

Обычная матрица детекторов содержит матрицу детекторов на основе сцинтилляторов. Типичная матрица детекторов на основе сцинтилляторов включает в себя матрицу сцинтилляторов, оптически связанных с матрицей фотодиодов. Обычная матрица детекторов на основе сцинтилляторов может включать в себя, например, матрицу сцинтилляторов на основе оксисульфида гадолиния (GOS) (например, Gd2O2S:Pr,Ce), оптически связанную с матрицей кремниевых (Si) фотодиодов. Излучение, пересекающее обследуемую область, освещает матрицу сцинтилляторов, которая поглощает фотоны рентгеновского излучения и, в свою очередь, излучает оптические фотоны, которые несут информацию о поглощенных фотонах рентгеновского излучения. Матрица фотодиодов детектирует оптические фотоны и генерирует электрический сигнал, несущий информацию о детектированных оптических фотонах. Устройство реконструкции реконструирует этот сигнал.

Матрица сцинтилляторов на основе Gd2O2S:Pr,Ce имеет световой выход примерно 40000 фотонов/МэВ, и послесвечение, подходящее для применения в области КТ. В общем случае, световой выход соответствует эффективности преобразования или способности преобразовывать поглощенные фотоны рентгеновского излучения в оптические фотоны. Таким образом, существует потребность в матрицах сцинтилляторов с более высокой эффективностью преобразования и более высоким световым выходом, с послесвечением, подходящим для применения в области КТ.

РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Аспекты настоящего документа направлены на преодоление указанных выше и других проблем.

В соответствии с одним из аспектов, система визуализации включает в себя источник излучения и матрицу чувствительных к излучению детекторов, которая включает в себя матрицу сцинтилляторов и матрицу фотодатчиков, оптически связанную с матрицей сцинтилляторов, причем матрица сцинтилляторов содержит Gd2O2S:Pr,Tb,Ce.

В соответствии с другим аспектом, способ включает в себя детектирование излучения с помощью матрицы чувствительных к излучению детекторов системы визуализации, причем матрица чувствительных к излучению детекторов включает в себя матрицу (118)s сцинтилляторов на основе Gd2O2S:Pr,Tb,Ce.

В соответствии с другим аспектом, матрица чувствительных к излучению детекторов включает в себя матрицу сцинтилляторов и матрицу фотодатчиков, оптически связанную с матрицей сцинтилляторов, причем матрица сцинтилляторов содержит Gd2O2S:Pr,Tb,Ce, и количество Tb3+ в Gd2O2S:Pr,Tb,Ce равно или меньше, чем двести частей на миллион.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Изобретение может быть осуществлено с использованием различных компонентов и сочетаний компонентов, а также в виде различных этапов и сочетаний этапов. Чертежи представлены исключительно для иллюстрации предпочтительных вариантов осуществления, и их не следует рассматривать как ограничивающие настоящее изобретение.

На фиг.1 схематически проиллюстрирован пример системы визуализации с матрицей детекторов, включающей в себя матрицу сцинтилляторов на основе тербия.

На фиг.2, 3 и 4 графически проиллюстрированы кривые временной зависимости интенсивности излучения Gd2O2S:Pr,Tb,Ce после возбуждения рентгеновскими лучами соответственно для трех различных количеств Tb3+ в сочетании с заранее заданным пороговым значением светового выхода в 200 частей на миллион и заранее заданным пороговым значением времени в 5 мс.

На фиг.5, 6 и 7 графически проиллюстрированы кривые временной зависимости интенсивности излучения Gd2O2S:Pr,Tb,Ce после возбуждения рентгеновскими лучами соответственно для трех различных количеств Tb3+ в сочетании с заранее заданными пороговыми значениями светового выхода в 200 и 50 частей на миллион и заранее заданными пороговыми значениями времени в 5 и 500 мс.

На фиг.8 проиллюстрирован пример способа детектирования наличия Tb3+ в сцинтилляторе.

На фиг.9 проиллюстрирован пример способа визуализации, в котором используется матрица детекторов с матрицей сцинтилляторов, содержащих Gd2O2S:Pr,Tb,Ce.

ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

На фиг.1 проиллюстрирована система 100 визуализации, например, сканер компьютерной томографии (КТ).

Система 100 визуализации включает в себя стационарный гентри 102 и вращающийся гентри 104, который поддерживается с обеспечением возможности вращения стационарным гентри 102. Вращающийся гентри 104 вращается вокруг обследуемой области 106 вокруг продольной или оси z 108.

Источник 108 излучения, такой как рентгеновская трубка, поддерживается вращающимся гентри 104 и вращается вместе с ним, и испускает излучение в направлении обследуемой области 106.

Коллиматор 112 источника коллимирует испускаемое излучение для формирования луча в форме конуса, веера, клина и др., который проходит через обследуемую область 106 и расположенную в ней часть объекта или субъекта.

Матрица 114 чувствительных к излучению детекторов прикреплена к вращающемуся гентри 104 и стягивает угловую дугу напротив источника 110 излучения, с противоположной стороны обследуемой области 106. Иллюстративная матрица 114 детекторов включает в себя по меньшей мере один модуль 116 детекторов с матрицей 118 сцинтилляторов, оптически связанной с матрицей 120 фотодатчиков. Матрица 118 сцинтилляторов поглощает рентгеновские фотоны 122 и в ответ испускает оптические фотоны (например, видимый свет или ультрафиолетовое излучение), которые несут информацию о поглощенных рентгеновских фотонах 122. Матрица 120 фотодатчиков детектирует оптические фотоны и генерирует электрический сигнал (ток или напряжение), несущий информацию о детектированных оптических фотонах.

Как более подробно описано ниже, иллюстрируемая матрица 118 сцинтилляторов содержит Gd2O2S:Pr,Tb,Ce, где количество тербия (Tb3+) в Gd2O2S:Pr,Tb,Ce увеличивает световой выход (т.е. эффективность преобразования фотоны-в-свет) по отношению к конфигурации без тербия (Tb3+), в то же время удовлетворяя заданному пороговому условию на послесвечение (скорость спада высвечивания). В иллюстрируемом варианте осуществления матрица 120 фотодатчиков связана с задней стороной матрицы 118 сцинтилляторов. В другом варианте осуществления матрица 120 фотодатчиков связана с боковой стороной матрицы 118 сцинтилляторов. Помимо этого, подходящие матрицы сцинтилляторов включают в себя матрицы композитных и керамических сцинтилляторов, например, описанных в US 201000032578 и US 2010/00167909 соответственно, указанные документы включены настоящее описание во всей своей полноте посредством ссылки.

Устройство 124 реконструкции реконструирует сигнал и генерирует данные объемного изображения, несущие информацию об обследуемой области 106 и содержащейся в ней части субъекта или объекта.

Устройство 126 поддержки субъекта, такое как кушетка, поддерживает объект или субъект в обследуемой области 106. Устройство 126 поддержки подвижно в направлении осей х, у и z в сочетании с вращением вращающегося гентри 104 для обеспечения спиральных, аксиальных или других требуемых траекторий сканирования.

Вычислительная система общего назначения служит в качестве консоли 128 оператора, которая включает в себя считываемые человеком устройства вывода, такие как дисплей, и устройства ввода, такие как клавиатура и/или мышь. Программное обеспечение, находящееся в консоли 128, предоставляет оператору возможность управлять работой системы 100, например, предоставляя оператору возможность инициировать сканирование и т.п.

Как уже кратко обсуждалось выше, иллюстрируемая матрица 118 сцинтилляторов легирована некоторым количеством Tb3+, что увеличивает световой выход по отношению к конфигурации без Tb3+, удовлетворяя при этом заданному пороговому условию на послесвечение.

На фиг.2, 3 и 4 графически проиллюстрированы кривые 200, 300 и 400 временной зависимости интенсивности излучения Gd2O2S:Pr,Tb,Ce после прекращения возбуждения рентгеновскими лучами соответственно для трех различных количеств Tb3+. На фиг.2, 3 и 4 ось y 202 представляет нормированную интенсивность света в логарифмическом масштабе, а ось х 204 представляет время в логарифмическом масштабе. Для этих примеров установлено пороговое значение 206 светового выхода в 200 частей на миллион (ppm) и пороговое значения 208 времени в 5 миллисекунд (мс). В других вариантах осуществления пороговые значения 206 и/или 208 могут отличаться как в меньшую, так и в большую сторону.

На фиг.2 количество Tb3+ в Gd2O2S:Pr,Tb,Ce составляет примерно 10 мольных частей на миллион, на фиг.3 количество Tb3+ в Gd2O2S:Pr,Tb,Ce составляет примерно 50 мольных частей на миллион, и на фиг.4 количество Tb3+ в Gd2O2S:Pr,Tb,Ce составляет примерно 200 мольных частей на миллион. Из фиг.2, 3 и 4 видно, что условие порогового значения 206 светового выхода удовлетворяется для всех трех количеств Tb3+ (10, 50 и 200 частей на миллион) при пороговом значении 208 времени, как показано кривыми 200, 300 и 400, поскольку все кривые 200, 300 и 400 находятся на уровне или ниже порогового значения 206 светового выхода на пересечении 210 порогового значения 206 светового выхода и порогового значения 208 времени.

Приведенные выше выводы сведены в представленной ниже таблице 1.

Таблица 1
Светоотдача для заданного количества Tb3+ за 5 мс
Номер фигуры Tb3+ (мольных частей не миллион) Светоотдача (фотонов/МэВ) Нормализованное послесвечение (частей на миллион) при 5 мс
Фиг.1 0 6700 100
Фиг.2 0 9200 100
Фиг.3 00 3000 200

Из фиг.2, 3 и 4 и таблицы 1 видно, что для порогового значения 206 светового выхода в 200 частей на миллион может использоваться количество Tb3+ до 200 мольных частей на миллион. С этим количеством световой выход матрицы 118 сцинтилляторов составляет приблизительно 53000 фотонов/МэВ. Это соответствует увеличению светового выхода на приблизительно 33% по отношению к световому выходу 40000 фотонов/МэВ сцинтиллятора, который обсуждался в разделе "Уровень техники". Могут быть получены более высокие показатели увеличения светоотдачи, например, от более 35% вплоть до 50%, все еще соответствующие требованиям к временной интенсивности света в КТ. Для количества Tb3+, превышающего 200 частей на миллион, Tb3+ начинает давать доминирующий вклад в послесвечение, увеличивая эффективное короткое послесвечение сцинтиллятора вследствие относительно низкого испускания Tb3+ в Gd2O2S.

Из фиг.2, 3 и 4 и Таблицы 1 также видно, что для порогового значения 206 светового выхода в 100 частей на миллион или менее может использоваться количество Tb3+ до 50 моль частей на миллион. С этим количеством световой выход матрицы 118 сцинтилляторов составляет приблизительно 49200 фотонов/МэВ. Это соответствует увеличению светового выхода приблизительно 23% по отношению к световому выходу в 40000 фотонов/МэВ сцинтиллятора, который обсуждался в разделе "Уровень техники". Из фиг.2, 3 и 4 и таблицы 1 видно, что для порогового значения 206 светового выхода, превышающего 200 частей на миллион, может использоваться количество Tb3+, превышающее 200 мольных частей на миллион.

В общем случае, поскольку для Gd2O2S:Pr,Ce не характерны потери вследствие гашения, связанного с концентрацией, а также вследствие температурного гашения, очень вероятно, что перенос энергии от состояний кристаллической решетки основы к состояниям Pr3+ имеет эффективность меньше единицы, вследствие чего эта энергия не используется для генерации света, который впоследствии должен использоваться в процедурах КТ. В случае Gd2O2S:Pr,Tb,Ce дополнительное количество Tb3+ обеспечивает дополнительную радиационную рекомбинацию или канал сбора энергии. Однако, поскольку Tb3+ обладает гораздо более медленным собственным временем спада, это определяет верхний предел для концентрации Tb3+. Слишком высокая концентрация Tb3+ приводит к слишком высокой относительной интенсивности света как функции времени по сравнению с интенсивностью света непосредственно после импульса рентгеновского излучения, поскольку только часть фотонов генерируется ионами Tb3+, при этом ионы Pr3+ также дают вклад в процесс генерации фотонов. В этой связи относительные вклады Tb3+ и Pr3+ должны подбираться очень тщательно с тем, чтобы не ухудшить такие свойства Gd2O2S:Pr,Ce как очень малое послесвечение.

На фиг.2, 3 и 4 указана только одна пороговая точка, а именно пересечение 210, в качестве критерия для определения максимального количества Tb3+, которое может быть добавлено в материал сцинтиллятора для увеличения светового выхода. Очевидно, что количество добавляемого Tb3+ может быть определено, основываясь более чем на одной пороговой точке. Примеры этого показаны на фиг.5, 6 и 7. Также как и на фиг.2, 3 и 4, на фиг.5, 6 и 7 ось y 202 представляет нормированную интенсивность света в логарифмическом масштабе, а ось х 204 представляет время в логарифмическом масштабе.

Из фиг.5, 6 и 7 видно, что условие второго порогового значения 502 светового выхода в 50 частей на миллион удовлетворяется для всех трех количеств Tb3+ (10, 50 и 200 мольных частей на миллион) при втором пороговом значении 504 времени в 500 мс, как показано кривыми 200, 300 и 400, поскольку кривые 200, 300 и 400 находятся на уровне ниже порогового значения 502 светового выхода на пересечении 506 второго порогового значения 502 светового выхода и второго порогового значения 504 времени. В других примерах, в случае необходимости, может быть использовано больше пороговых значений светового выхода и/или времени.

На фиг.8 проиллюстрирован способ детектирования присутствия Tb3+ в сцинтилляторе.

Следует отметить, что порядок выполнения перечисленных ниже этапов является иллюстративным и не ограничивающим. Таким образом, порядок выполнения может быть различным, включая одновременно выполняемые этапы. Более того, один или более из этапов могут быть опущены и/или один или более из этапов могут быть включены.

На этапе 802 активируют источник света для освещения матрицы 118 сцинтилляторов. Примером подходящего источника света может служить источник света, испускающий свет с длинной волны 254 нм.

На этапе 804 матрица 118 сцинтилляторов возбуждается под действием освещения.

На этапе 806 матрица 118 сцинтилляторов, в ответ на ее освещение, испускает характеристическое излучение.

На этапе 808 измеряют эмиссионный спектр испускаемого излучения.

На этапе 810 измеренный эмиссионный спектр анализируют для определения, присутствует ли Tb3+. В одном из вариантов осуществления это включает в себя идентификацию присутствия эмиссионных линий в области ниже 490 нм, где Pr3+ не излучает в этом материале, что и указывает на присутствие Tb3+. Такие линии включают в себя линии на примерно 450 нм, 410 нм и 380 нм. Также может наблюдаться эмиссионная линия с высокой интенсивностью на 545 нм. Также могут использоваться и другие подходы.

На фиг.9 проиллюстрирован способ визуализации.

Следует отметить, что порядок выполнения перечисленных ниже этапов является иллюстративным и не ограничивающим. Таким образом, порядок выполнения может быть различным, включая одновременно выполняемые этапы. Более того, один или более из этапов могут быть опущены и/или один или более из этапов могут быть включены.

На этапе 902 с помощью источника 110 излучения создают и испускают излучение.

На этапе 904 испущенное излучение проходит через обследуемую область 106 и размещенную в ней часть субъекта или объекта.

На этапе 906 излучение, проходящее через обследуемую область 106 и размещенную в ней часть субъекта или объекта, принимается матрицей 118 сцинтилляторов, которая поглощает излучение и испускает оптические фотоны, несущие информацию о принятом излучении.

Как уже обсуждалось в данном документе, в одном из вариантов осуществления сцинтиллятор 118 включает в себя некоторое количество Tb3+ для обеспечения требуемого светового выхода с требуемой скоростью спада высвечивания. Например, как уже указывалось в настоящем документе, для светового выхода менее 200 частей на миллион при 5 мс или более может использоваться менее 200 частей на миллион Tb3+ для увеличения интенсивности света на примерно 33% по отношению к варианту без добавления Tb3+.

На этапе 908 оптические фотоны детектируют с помощью матрицы 120 фотодатчиков, которая генерирует электрический сигнал, несущий информацию о детектированном излучении.

На этапе 910 реконструируют электрический сигнал, тем самым генерируя данные объемного изображения, несущие информацию об обследуемой области 106 и содержащейся в ней части субъекта или объекта.

Описанное выше может быть осуществлено при помощи одного или более процессоров, исполняющих одну или более машиночитаемых инструкций, кодированных или реализованных на машиночитаемом носителе, таком как физическая память, которая вызывает выполнение указанными одним или более процессорами указанных различных этапов и/или других функций, и/или этапов. В качестве дополнения или альтернативы, указанные один или более процессоров могут исполнять инструкции, переносимые носителем, не имеющем определенной структуры, таким как сигнал или несущая.

Хотя выше было описано определение количества Tb для сцинтиллятора, основанное на комбинации пороговых значений светового выхода и времени спада, в другом варианте осуществления количество Tb основано на заданном отношении Tb и Pr, Tb и Ce, Tb и Pr и Ce, и/или Tb и других элементов сцинтилляторов. В другом варианте осуществления количество Tb основано исключительно на заданном пороговом значении светового выхода. Примерная относительная светоотдача (LY) (т.е. число между 0 и 1) может быть определена следующим образом: [N(Pr) + 25N(Tb)]/[N(Pr) + 25N(Tb) + 25N(Ce) + 400], где N выражен в мольных частях на миллион. При этом абсолютная светоотдача задается следующим выражением: 45000 * [N(Pr) + 25N(Tb)]/[N(Pr) + 25N(Tb) + 25N(Ce) + 400]. В еще одном варианте осуществления количество Tb основано на других заданных характеристиках.

Изобретение было описано со ссылками на предпочтительные варианты осуществления. При прочтении представленного выше подробного описания у специалиста могут возникнуть идеи о модификациях и альтернативных вариантах. Все такие модификации и альтернативные варианты следует рассматривать как входящие в состав настоящего изобретения при условии, что они попадают в объем прилагаемой формулы изобретения или ее эквивалентов.

1. Система (100) визуализации, содержащая:
источник (110) излучения и
матрицу (114) чувствительных к излучению детекторов, включающую в себя:
матрицу (118) сцинтилляторов и
матрицу (12 0) фотодатчиков, оптически связанную с матрицей сцинтилляторов, причем матрица сцинтилляторов включает в себя Gd2O2S:Pr,Tb,Се, причем количество Tb3+ равно или меньше чем пятьдесят мольных частей на миллион.

2. Система визуализации по п. 1, в которой Gd2O2S:Pr,Tb,Се включает в себя Tb3+ в количестве, при котором световой выход сцинтиллятора ниже заданного порогового значения светового выхода при заданном времени спада.

3. Система визуализации по п. 2, в которой количество Tb3+ равно или меньше чем десять мольных частей на миллион.

4. Система визуализации по любому из пп. 2, 3, в которой световой выход составляет примерно 46700 фотонов/МэВ.

5. Система визуализации по любому из пп. 1-3, в которой матрица (118) сцинтилляторов включает в себя композитный материал.

6. Система визуализации по любому из пп. 1-3, в которой матрица (118) сцинтилляторов включает в себя керамический материал.

7. Система визуализации по любому из пп. 1-3, в которой световая эффективность матрицы сцинтилляторов примерно на тридцать три процента превышает таковую для варианта, в котором матрица сцинтилляторов не включает в себя Tb3+.

8. Система визуализации по любому из пп. 1-3, при этом система визуализации представляет собой сканер компьютерной томографии.

9. Способ визуализации, содержащий:
детектирование излучения с использованием матрицы (114) чувствительных к излучению детекторов системы (100) визуализации, причем матрица чувствительных к излучению детекторов включает в себя матрицу (118) сцинтилляторов на основе Gd2O2S:Pr,Tb,Се, и количество Tb3+ равно или меньше чем пятьдесят мольных частей на миллион.

10. Способ по п. 9, в котором Gd2O2S:Pr,Tb,Се включает в себя Tb3+ в количестве, при котором световой выход сцинтиллятора ниже заданного порогового значения светового выхода при заданном времени спада.

11. Способ п. 10, в котором количество Tb3+ равно или меньше чем 10 мольных частей на миллион.

12. Способ по п. 10, в котором световой выход составляет примерно 46700 фотонов/МэВ.

13. Способ по любому из пп. 9-12, в котором матрица (118) сцинтилляторов включает в себя один из композитного материала или керамического материала.

14. Способ по любому из пп. 9-12, в котором световая эффективность матрицы сцинтилляторов примерно на тридцать три процента превышает таковую для варианта, в котором матрица сцинтилляторов не включает в себя Tb3+.

15. Способ по любому из пп. 9-12, в котором система визуализации представляет собой сканер компьютерной томографии.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к сцинтиллятору для использования в радиационном детекторе. Сцинтиллятор для высокотемпературных условий содержит кристалл типа кольквириита формулы LiM1M2X6, где M1 выбирают из щелочноземельных элементов Mg, Ca, Sr и Ba; M2 выбирают из Al, Ga и Sc; X - галоген.

Изобретение может быть использовано в детекторах ионизирующего излучения в виде электромагнитных волн низких энергий, гамма-, рентгеновского излучения, космических лучей и частиц.

Изобретение относится к технологии получения сцинтилляционных монокристаллов и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов детекторов гамма- и рентгеновского излучения Сцинтилляционные монокристаллы La(1-m-n)HfnCemBr(3+n), где m - мольная доля замещения La церием (0,0005≤m≤0,3), n - мольная доля замещения La гафнием (0≤n≤0,015), получают из смеси бромидов металлов.

Изобретение относится к области детектирования частиц ионизирующего излучения, в частности к сцинтилляционным детекторам на основе пластмассовых или кристаллических сцинтилляторов, в которых для вывода излучения применяются спектросмещающие волокна.

Изобретение относится к области «сцинтилляционная техника», прежде всего к эффективным быстродействующим сцинтилляционным детекторам, предназначенным для регистрации гамма и рентгеновских квантов, в приборах для экспресс-диагностики в медицине, промышленности, космической технике, научных исследованиях.

Изобретение относится к сцинтилляционной технике, а именно к быстродействующим, эффективным сцинтилляционным детекторам, предназначенным для регистрации гамма и рентгеновских квантов, и может быть использована в медицине, промышленности, космической технике, научных исследованиях.

Изобретение относится к новым неорганическим сцинтилляционным материалам, к новому сцинтиллятору кристаллического типа, особенно в форме монокристалла, и может быть использовано для регистрации ионизирующего излучения в виде электромагнитных волн низких энергий, гамма-излучения, рентгеновского излучения, космических лучей и частиц в фундаментальной физике, устройствах компьютерной томографии, РЕТ-томографах, в томографах нового поколения, гамма-спектрометрах, в карго-сканерах, в системах каротажа скважин, в системах радиационного контроля и др.

Изобретение относится к люминесцирующим веществам, к примеру веществам, используемым для того, чтобы обнаруживать ионизирующее излучение, Технический результат - повышение эффективности сцинтиллятора.

Изобретение относится к новым неорганическим кристаллическим сцинтилляционным материалам на основе бромида лантана, легированного церием, и может быть использовано для регистрации ионизирующего излучения – гамма-квантов, рентгеновского излучения, космических излучений, элементарных частиц в фундаментальной физике, технике и медицине. Неорганический монокристаллический сцинтиллятор имеет состав La(1-m)CemBr(3-2k)Оk, где m - мольная доля церия, замещающего La, больше 0, но меньше или равно 1; k - мольная доля кислорода, замещающего бром, находится в пределах от 1.5⋅10-4 до 8⋅10-4. Технический результат заключается в повышенной механической прочности (повышение трещиностойкости, уменьшение хрупкости) кристаллического сцинтиллятора, в особенности диаметром 15 мм и более, с сохранением высоких сцинтилляционных характеристик. 1 табл., 8 пр.

Изобретения могут быть использованы в медицинских томографических устройствах, в устройствах для измерения излучения в области физики высоких энергий и разведки природных ресурсов. Монокристалл со структурой граната для сцинтиллятора представлен одной из общих формул (1), (2) или (3). где 0,0001≤х≤0,15, 0≤у≤0,1, 2,5<z≤3,5, RE – Y и/или Yb, а отношение суммы содержаний Gd, Се, RE к сумме содержаний Al и Ga составляет 3:5. где 0,0001≤а≤0,15, 0,1<b≤3, 3<с≤4,5 и 0≤3-а-b. где 0,0001≤р≤0,15, 0,1<q≤1,5 1<r≤4,5, 0≤3-p-q, RE' - Y или Yb, а отношение суммы содержаний Gd, Се, RE’ к сумме содержаний Al и Ga составляет 3:5. Детектор излучения включает указанный сцинтиллятор и приемник света от сцинтиллятора. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 12 ил., 9 табл.

Изобретение относится к сцинтиллятору, который может быть использован в качестве детектора рентгеновского излучения в медицине, при досмотре вещей в аэропортах, досмотре грузов в портах, в нефтеразведке. Сцинтиллятор содержит кристалл CsI в качестве его основы и Tl, Bi и O, причем концентрация a Bi по отношению к Cs в кристалле составляет 0,001 атомной млн-1 ≤ a ≤ 5 атомных млн-1; и отношение (a/b) концентрации a Bi по отношению к Cs в кристалле к концентрации b O по отношению к I в кристалле составляет от 0,005⋅10-4 до 200⋅10-4. Сцинтиллятор имеет высокий выход при повышенных характеристиках послесвечения. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл., 12 пр.

Изобретение относится к материалам детекторов для регистрации ионизирующего излучения, а также может быть использовано как оптический материал для ИК-оптики, лазерной техники, акустооптики. Кристаллы на основе бромида таллия дополнительно содержат 0,0028-0,00008 мас.% примеси бромида магния. Техническим результатом изобретения является повышение детекторных характеристик материала: μτе до 7,8⋅10-4 см2/В, μτh до 2,5⋅10-4 см2/В, удельного сопротивления до 1⋅1012 Ом⋅см, и обеспечение стабильности свойств в процессе эксплуатации. 1 табл.

Изобретение относится к сцинтилляционным неорганическим оксидным монокристаллам со структурой граната, предназначенным для датчиков ионизирующего излучения в задачах медицинской диагностики, экологического мониторинга, неразрушающего контроля и разведке полезных ископаемых, экспериментальной физике, устройствах для измерения в космосе. Монокристалл со структурой граната для сцинтилляционных датчиков представляет собой соединение, описываемое формулой ((Gd1-rYr)1-s-xMesCex)3-z(Ga1-y-qAlyTiq)5+zO12, причем q находится в диапазоне от 0,00003 до 0,02; r находится в диапазоне от 0 до 1; х находится в диапазоне от 0,001 до 0,01; y находится в диапазоне от 0,2 до 0,6; z находится в диапазоне от -0,1 до 0,1; s находится в диапазоне от 0,0001 до 0,1, при этом Me обозначает, по крайней мере, один элемент из ряда Mg, Са, Sr, Ва. Изобретение позволяет увеличить выход сцинтилляций в расширенном интервале температур (от минус 20°C до плюс 50°C) и повысить энергетическое разрешение сцинтилляционных детекторов при регистрации гамма-квантов. Технический результат достигается за счет того, что монокристалл со структурой граната солегирован церием, титаном и элементами второй группы в заданном соотношении. Данный монокристалл получают методом Чохральского с последующим изотермическим отжигом. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 2 табл., 17 пр.

Изобретение относится к сцинтилляционным неорганическим оксидным монокристаллам со структурой граната, предназначенным для датчиков ионизирующего излучения в задачах медицинской диагностики, экологического мониторинга, неразрушающего контроля и разведке полезных ископаемых, экспериментальной физике, устройствах для измерения в космосе. Монокристалл со структурой граната для сцинтилляционных датчиков представляет собой соединение, описываемое формулой ((Gd1-rYr)1-s-xMesCex)3-z(Ga1-y-qAlyTiq)5+zO12, причем q находится в диапазоне от 0,00003 до 0,02; r находится в диапазоне от 0 до 1; х находится в диапазоне от 0,001 до 0,01; y находится в диапазоне от 0,2 до 0,6; z находится в диапазоне от -0,1 до 0,1; s находится в диапазоне от 0,0001 до 0,1, при этом Me обозначает, по крайней мере, один элемент из ряда Mg, Са, Sr, Ва. Изобретение позволяет увеличить выход сцинтилляций в расширенном интервале температур (от минус 20°C до плюс 50°C) и повысить энергетическое разрешение сцинтилляционных детекторов при регистрации гамма-квантов. Технический результат достигается за счет того, что монокристалл со структурой граната солегирован церием, титаном и элементами второй группы в заданном соотношении. Данный монокристалл получают методом Чохральского с последующим изотермическим отжигом. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 2 табл., 17 пр.

Группа изобретений относится к медицинской технике, а именно к устройствам рентгенографической визуализации. Устройство содержит детектор излучения, проходящего через исследуемый объект и корпус, выполненный с возможностью покрывать детектор излучения, причем в корпусе расположено отверстие и съемный покрывающий элемент присоединен к отверстию таким образом, чтобы быть прикрепленным к корпусу, а герметизирующий элемент расположен внутри покрывающего элемента, для герметизации отверстия. Во втором варианте выполнения устройства отверстие расположено в корпусе и съемный покрывающий элемент присоединен к отверстию таким образом, чтобы быть прикрепленным к корпусу, причем первый герметизирующий элемент расположен внутри покрывающего элемента, второй герметизирующий элемент расположен на корпусе, и первый и второй герметизирующие элементы выполнены с возможностью герметизации этого отверстия, и причем первый и второй герметизирующие элементы являются клапанами, которые выполнены с возможностью позволять воздуху проходить в предопределенном направлении. Использование изобретений позволяет уменьшить разность давления воздуха между внутренней частью устройства визуализации и окружающей атмосферой. 2 н. и 17 з.п. ф-лы, 8 ил.
Наверх