Кассета для сплавления элементов силовых полупроводниковых диодов



Кассета для сплавления элементов силовых полупроводниковых диодов
Кассета для сплавления элементов силовых полупроводниковых диодов
H01L21/67 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

Владельцы патента RU 2614202:

федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (национальный исследовательский университет)" (СГАУ) (RU)

Изобретение относится к области силовой электроники и может быть использовано при сплавлении элементов силовых полупроводниковых приборов. Кассета для сплавления элементов конструкции полупроводниковых диодов содержит основание, выполненное из пластины углерода, в котором внедрены керамические стержни, на последних установлена пластина, в которой по внешней образующей окружности керамических стержней изготавливают п-образные полости глубиной (1,5-2,5) диаметра керамических стержней. В той же пластине по внутренней образующей керамических стержней выполнена п-образная полость диаметром, равным или превышающим на 10% диаметр термокомпенсатора. В области дна полости выполняют сквозное отверстие, боковая поверхность которого наклонена относительно нормали к поверхности пластины на угол 3-5 градусов для обеспечения качественного набора элементов полупроводникового прибора в кассету. Причем размер диаметра сквозного отверстия в области поверхности потолка п-образной полости равен внутреннему диаметру, проведенному по образующей керамических стержней. Технический результат – повышение производительности закладки и выемки элементов полупроводниковых диодов, облегчение процесса набора элементов структуры полупроводникового диода в ручном и в автоматизированном режимах. 3 ил.

 

Изобретение относится к области силовой электроники и может быть использовано при сплавлении элементов силовых полупроводниковых приборов.

Известна конструкция кассеты (Коутный Й., Кудлак Я., Микушек Я. Технология серийного производства транзисторов и полупроводниковых диодов. Перевод с чешского Пшениснова В.Н. М., Энергия, 1968, с. 217), состоящей из трех частей. В нижней части выполняется полость, в которую последовательно закладываются термокомпенсатор, выполненный из ковара или молибдена, припойная прокладка и пластина кремния. После этого на нижнюю часть накладывается средняя часть конструкции, в сквозное отверстие которой помещается алюминиевый цилиндрик, формирующий контакт к диоду. Для устранения выпадения цилиндрика на среднюю часть конструкции кассеты накладывают верхнюю часть, имеющую форму пластины, а в сечении - прямоугольника.

К недостаткам данной кассеты следует отнести: сложность конструкции, требующей постоянной сборки и разборки в процессе эксплуатации; герметизацию элементов полупроводникового диода тремя частями конструкции кассеты, затрудняющую выход паров легкоиспаряющихся материалов, что повышает вероятность выброса элементов из полости, следовательно, требует дополнительных элементов конструкции, устраняющих этот недостаток; затрудненный выход паров загрязнений адсорбируемых поверхностями элементов конструкции полупроводникового диода, приводящий к их осаждению на поверхностях полости и сквозного отверстия средней части. Поэтому при использовании подобной конструкции необходимо вводить в технологический процесс дополнительную операцию очистки этих поверхностей.

Известна конструкция кассеты (Коутный Й., Кудлак Я., Микушек Я. Технология серийного производства транзисторов и полупроводниковых диодов. Перевод с чешского Пшениснова В.Н. М., Энергия, 1968, с. 52), в которой предусмотрен элемент, прижимающий своим весом в направлении сверху вниз элементы полупроводникового диода. Это устраняет возможность смещения элементов полупроводникового диода и улучшает смачиваемость поверхностей диода и термокомпенсатора припоем.

Однако, наличие механизма прижима элементов полупроводникового диода не устраняет процесс загрязнения поверхности полости кассеты и, следовательно, также требует введения дополнительной операции очистки поверхности полости от слоя загрязнений.

Известна конструкция кассеты (Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. М., Высшая школа, 1974, с. 106), помещаемая на съемник, выполненная в виде полости в углероде, в которую вставляют нижнюю пробку. В отверстие пробки помещается дозированный цилиндрик сплава для формирования электрода. После этого на поверхность указанной пробки последовательно укладывают кристаллы полупроводникового диода, кольца из базового сплава и кристаллодержатели. Поднимая кассету над съемником, опускают нижнюю пробку, освобождая пространство полости кассеты для помещения в нее верхней пробки. Верхняя пробка имеет сквозное отверстие, через которое загружают электрод полупроводникового диода. При сплавлении полученной структуры происходит выделение паров легколетучих элементов, загрязняющих поверхность полости. В процессе проведения технологического процесса происходит увеличение толщины этого слоя, что препятствует закладке и выемке нижней, верхней пробок и полупроводникового диода из полости кассеты. Поэтому в технологический процесс вводят дополнительную операцию очистки поверхности полости кассеты. Кроме этого рост толщины слоя загрязнений герметизирует элементы в полости кассеты, в результате в рабочем объеме полости увеличивается давление паров легколетучих материалов, последние, прорываясь в локальной области полости во внешнюю среду, способны выбросить нижнюю и верхнюю пробки из полости кассеты. В результате этого при сплавлении образуются бракованные конструкции полупроводниковых диодов.

Наиболее близкая по технической сущности к предлагаемому изобретению (патент №2555209, МПК H01b 21/67, опубликованный 10.07.2015) кассета, содержащая основание, выполненное из пластины углерода, в объеме которой по образующей элементов полупроводниковых диодов изготавливаются п-образные полости, в которые по легкопрессовой посадке помещаются керамические стержни диаметром 4-7 миллиметров, причем высота полостей в углеродной пластине составляет (1,5-2) диаметра керамических стержней, выступающих над поверхностью углеродной пластины на высоту, превышающую на (10-20)% высоту элементов полупроводниковых диодов, собранных в единую конструкцию.

Однако применение подобной конструкции кассеты в автоматизированном производстве приводит к необходимости повышения требований к соблюдению строгой соосности элементов диода и устройства, держащего эти элементы, т.к. любое отклонение приводит к взаимодействию этого устройства с торцами керамических стержней, что, безусловно, приведет к их поломке.

В основу изобретения поставлена задача повышения производительности закладки и выемки элементов полупроводниковых диодов и значительного облегчения процесса набора элементов структуры полупроводникового диода как в ручном, так и в автоматизированном режимах.

Указанная задача достигается тем, что в известном устройстве, содержащем основание, выполненное из пластины углерода, в котором внедрены по окружности керамические стержни, причем внутренний диаметр, проводимый по внутренней образующей керамических стержней равен диаметру термокомпенсатора полупроводникового прибора, согласно изобретению на керамические стержни установлена пластина, в которой соосно керамическим стержням выполнены п-образные полости глубиной 1,5-2,5 диаметра керамических стержней, ограничивающие пространство для вкладывания термокомпенсатора. Причем диаметр этого пространства равен диаметру термокомпенсатора или превышает его на 10%, внутри этого пространства изготавливается п-образная полость такого же диаметра на глубину, равную глубине п-образных полостей, соосных стержням. В потолочной поверхности данной п-образной полости, необходимой для вкладывания термокомпенсатора и элементов полупроводникового диода, выполнено сквозное отверстие конусной формы с диаметром меньшего основания конуса, равного диаметру, проведенному по внутренней образующей керамических стержней, и имеющее наклон боковой поверхности, равный 3-5 градусам.

Изобретение поясняется чертежами, где:

на фиг. 1 - схема устройства кассеты для сплавления элементов конструкции полупроводниковых диодов;

на фиг. 2 - вид сверху на устройство кассеты для сплавления элементов конструкции полупроводниковых диодов;

на фиг. 3 - разрез углеродной пластины 3.

Кассета для сплавления элементов конструкции полупроводниковых диодов содержит углеродную пластину 1, керамические стержни 2, углеродную пластину 3, термокомпенсатор 4, припойную прокладку 5, полупроводниковый диод 6, припойную прокладку 7, токовывод 8.

Устройство осуществляется следующим образом. Вдоль окружности, равной или больше на 10% диаметра термокомпенсатора, располагаются п-образные полости 9 глубиной 1,5-2,5 диаметра керамических стержней 2. Выполнение глубины п-образной полости 9 менее 1,5 диаметра керамических стержней приводит к их ненадежному закреплению из-за пластических свойств углерода и скола частиц приповерхностного слоя углерода в области взаимодействия поверхностей углерода и керамики. В процессе эксплуатации, т.е. при наборе и выемке элементов полупроводникового диода, происходит механическое воздействие на керамические стержни, приводящие к их расшатыванию и выпадению из полости. Данное явление приводит к смещению элементов полупроводникового диода и появлению конструкционного брака в серии сплавляемых элементов. Изготовление полостей 9 глубиной более 2,5 диаметров керамических стержней приводит к нецелесообразному увеличению толщины углеродной пластины 3 и ее веса, что затрудняет ее эксплуатацию в технологическом процессе сплавления элементов полупроводниковых диодов и увеличивает стоимость кассеты.

Внутри пространства, ограниченного диаметром внутренней образующей п-образных полостей 9, изготавливается п-образная полость 10, равная им по глубине и имеющая диаметр, равный диаметру термокомпенсатора или превышающий его на 10%. В первом случае происходит полная центровка элементов полупроводникового диода в процессе сплавления. Аналогичные требования выполняются и в случае увеличения диаметра в пределах 10%. Однако увеличение диаметра более чем на 10% приводит к ощутимому смещению элементов полупроводникового диода и появлению брака. В потолочной поверхности данной полости 10 изготавливается сквозное конусной формы отверстие 11 (фиг. 3) с диаметром основания, равным диаметру, проведенному по внутренней образующей керамических стержней, и имеющее наклон боковой поверхности, равный α=3-5 градусам. Изготовление наклона боковой поверхности конусного отверстия α менее 3 градусов приводит к необоснованному увеличению требований к точности помещения элементов диода в кассету, т.е. затрудняет перевод этой операции в автоматический режим, а следовательно, приводит к удорожанию технологического процесса без увеличения его качества. С другой стороны увеличение наклона боковой поверхности сквозного отверстия α более 5 градусов создает условия смещения элементов прибора относительно оси симметрии в процессе их падения на дно кассеты. При сплавлении это смещение нарушает конструкцию прибора, существенно ухудшая его характеристики.

Размер диаметра сквозного отверстия в области поверхности потолка п-образной полости 10 равен внутреннему диаметру, проведенному по образующей керамических стержней, т.к. если он будет больше, то в области границы взаимодействия поверхности пластины и торцов керамических стержней за счет последних образуется выступ, который будет сбивать элементы полупроводникового прибора, нарушая структуру расположения элементов его конструкции. С другой стороны уменьшение этого диаметра приводит к задержке процесса осаждения элементов структуры полупроводникового прибора на дно кассеты и нарушению механизма их набора в кассету. Кроме этого элементы, взаимодействуя с уступом, изменяют траекторию своего падения на дно кассеты, что приводит к браку при производстве полупроводниковых приборов.

При использовании предлагаемого устройства набор элементов полупроводниковых приборов значительно упрощается, не препятствуя его автоматизации. Кроме этого предлагаемое устройство полностью исключает взаимодействие керамических стержней с технологической оснасткой, что увеличивает их долгодействие.

Кассета для сплавления элементов конструкции полупроводниковых диодов, содержащая основание, выполненное из пластины углерода, в котором внедрены по окружности керамические стержни, причем внутренний диаметр, проводимый по внутренней образующей керамических стержней, равен диаметру термокомпенсатора полупроводникового прибора, отличающаяся тем, что на керамические стержни установлена пластина, в которой соосно керамическим стержням выполнены п-образные полости глубиной 1,5-2,5 диаметра керамических стержней, ограничивающие пространство для вкладывания термокомпенсатора диаметром, равным диаметру термокомпенсатора или превышающего его на 10%, внутри которого выполнена п-образная полость такого же диаметра на глубину, равную глубине п-образных полостей, соосных стержням, причем в потолочной поверхности данной полости выполнено сквозное отверстие конусной формы с диаметром меньшего основания конуса, равным диаметру, проведенному по внутренней образующей керамических стержней, имеющее наклон боковой поверхности, равный 3-5 градусам.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к производству LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics - низкотемпературная совместно обжигаемая керамика) толстопленочных многослойных коммутационных плат и может быть использовано при формировании рисунка функциональных слоев на сырой керамической подложке.

Изобретение относится к технологии присоединения элемента интегральной схемы (чип) к поверхности, которая содержит проводящие рисунки. Технический результат - создание способа и устройства для быстрого, плавного и надежного подключения чипа к печатной проводящей поверхности за счет точечного характера передачи тепла и приложения давления к поверхности в точках контакта.
Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки включает обработку поверхности кремниевых подложек, поверхность подложки подвергается обработке полировальной подушкой, пропитанной суспензией, в два этапа: 1.

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя, формирование областей эмиттера, коллектора и базы, которую формируют легированием углеродом концентрацией 2,1-2,4·1019 см-3 с последующим отжигом при температуре 500-550°C в течение 50-60 с.

Изобретение относится к области силовой электроники. Кассета для сплавления элементов конструкции полупроводниковых диодов содержит основание, выполненное из пластины углерода, в котором по образующей окружности термокомпенсатора изготовлены п-образные полости глубиной h=(1-2) диаметра керамических стержней.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве детекторов электромагнитных излучений различной длины. Сущность изобретения заключается в том, что наносят слой полупроводникового материала требуемой толщины на керамическую, стеклянную или полимерную непроводящую пластину.

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к созданию тонкопленочных элементов матрицы неохлаждаемого типа в тепловых приемниках излучения (болометров) высокой чувствительности. Способ получения чувствительного элемента матрицы теплового приемника на основе оксида ванадия представляет собой нанесение металлической пленки ванадия и электродов методами магнетронного распыления и последующей лифт-офф литографии на диэлектрическую подложку.

Использование: для создания материалов с новыми свойствами и способа обработки поверхности твердого материала с получением на этой поверхности структур с чешуйками субмикронной толщины и микронными размерами и/или с субмикронными трещинами и щелями между упомянутыми чешуйками и/или участками поверхности с характерными субмикронными перепадами по высоте рельефа.

Изобретение относится к способу образования прозрачного легированного слоя, содержащего оксид цинка, на полимерной подложке для оптоэлектронных устройств и прозрачному легированному слою.

Группа изобретений относится к области электронной техники, микро- и наноэлектроники и может быть использована для локального определения концентрации свободных носителей заряда в отдельно взятых полупроводниковых нанообъектах и наноструктурах, а также для контроля качества материалов, применяемых в полупроводниковом приборостроении.

Использование: для создания регенеруемого биосенсора. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает в себя изготовление подложки биосенсора с массивом нанопроволок, формирующих фотонный кристалл, подготовку поверхности подложки для модификации аффинными молекулами, активацию поверхности аффинными молекулами, специфичными к целевым аналитам, присутствие целевых аналитов выявляют добавлением специфичных к ним детектирующих молекул, несущих на себе флуоресцентную метку, выбранную таким образом, чтобы максимум флуоресценции метки совпадал по длине волны с резонансной модой фотонного кристалла, приводя к увеличению интенсивности флуоресценции метки на этой длине волны, после чего поверхность биосенсора регенерируют для повторных использований. Технический результат: обеспечение возможности многократного использования биосенсора. 13 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технологическому оборудованию, используемому в процессах обработки пластин полупроводников. Способ переворота подложек включает установку первого подложкодержателя с посадочными местами, в которых расположены подложки, на поворотный стол при помощи механизма загрузки, сверху на первый подложкодержатель устанавливается второй подложкодержатель, и они фиксируются между собой, далее производят переворот стола, затем выгружают подложкодержатели механизмом выгрузки с последующим разъединением подложкодержателей таким образом, что пластины остаются на втором держателе подложек для последующей обработки и нанесения слоев на вторую сторону подложек. Загрузку и выгрузку подложек осуществляют в ручном режиме при помощи подкатного столика или в автоматическом - при помощи манипулятора. Устройство переворота подложек содержит механизм загрузки и/или выгрузки, поворотный стол, установленный на станине при помощи шарниров поворотного механизма, на столике установлены два подложкодержателя, соединенные между собой при помощи фиксаторов. Техническим результатом является повышение производительности, снижение контакта подложек с посторонними предметами при перевороте подложек и, как следствие, повышение качества подложек. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к устройству и способу удаления покрытия с подложки. Устройство, предназначенное для удаления покрывающего слоя, в частности фоточувствительной краски, с кромочного участка круглой подложки, имеющей неоднородности вдоль своей окружности, содержит сопло для подачи струи растворителя, приемный элемент для удержания, позиционирования, скольжения и/или регулирования ориентации подложки, поворотный силовой привод для обеспечения поворота приемного элемента и линейный силовой привод и/или линейную направляющую для обеспечения скольжения приемного элемента относительно сопла. Изобретение обеспечивает возможность удаления покрывающего слоя с кромочного участка подложки, имеющего неоднородности. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 7 ил.

Настоящее изобретение касается аммиачных композиций, включающих в себя по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение и по меньшей мере два соединения элементов 3-й главной подгруппы. Указанная композиция может быть использована для изготовления электронных компонентов и для получения слоя, наносимого на подложку с последующей термической конверсией. Технический результат: получение слоев с необходимыми электрическими свойствами: высокой подвижностью электронов, благоприятным гистерезисом и отпирающим напряжением. 4 н. и 10 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 пр.

Изобретение может быть использовано при пайке многокристальных силовых полупроводниковых приборов в восстановительной или инертной среде. В отверстие многоместной кассеты предварительно вставляют вспомогательную стеклянную втулку и загружают соединяемые детали сборки полупроводникового прибора, выполненные в виде полупроводниковых кристаллов, теплоотводов и выводов. Размещают между ними припойные прокладки и осуществляют пайку полученной сборки в печи с восстановительной или инертной средой путем нагрева до температуры выше температуры плавления припоя. Внутренний диаметр стеклянной втулки соответствует габаритам загружаемых деталей сборки полупроводникового прибора. Способ позволяет повысить степень центровки элементов сборок полупроводниковых приборов и предотвратить механическое повреждение кристаллов сборок при их выгрузке из кассеты после пайки. 5 ил., 1 табл.

Использование: для создания поворотного устройства позиционирования. Сущность изобретения заключается в том, что устройство содержит кольцевой магнитопровод, генерирующий магнитное поле по кольцевому воздушному зазору, по меньшей мере три якоря, каждый из которых включает в себя множество катушек, по меньшей мере частично расположенных в кольцевом воздушном зазоре, и каждый из которых выполнен с возможностью генерирования силы левитации в направлении левитации, ортогональном кольцевому магнитопроводу, и движущей силы в направлении приведения в движение вдоль кольцевого магнитопровода, причем упомянутые якоря расположены в различных угловых положениях вдоль упомянутого кольцевого магнитопровода, и контроллер для подачи токов на упомянутые якоря для индивидуального управления генерированием силы левитации и/или движущей силы посредством упомянутых якорей для осуществления вращательного движения и/или движения качания, и/или поступательного движения упомянутого кольцевого магнитопровода. Технический результат: обеспечение возможности создания устройства, где все шесть степеней свободы приводятся в действие небольшим числом элементов. 10 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп включает этапы, на которых в изолирующем слое на кремниевой подложке формируют канавку, в канавку наносят первый буферный слой на основе материала III-V групп на кремниевую подложку, на первый буферный слой наносят второй буферный слой на основе материала III-V групп, слой канала устройства на основе материала III-V групп наносят на второй буферный слой на основе материала III-V групп. Изобретение обеспечивает интеграцию устройств на основе материалов III-V групп n-типа и p-типа на кремниевой подложке. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к технологии монтажа микроэлектронных компонентов в модули с встроенными в плату компонентами. Технический результат - упрощение процесса изготовления микроэлектронных узлов, увеличение плотности упаковки компонентов, улучшение массогабаритных характеристик сборочного узла. Достигается тем, что в окна подложки собираемого узла прецизионно устанавливают предварительно протестированные и запрограммированные бескорпусные кристаллы. Предварительно подложку собираемого узла и кристаллы устанавливают лицевой стороной на технологическую подложку с нанесенным на нее тонким липким слоем термопластичного клея, совмещая их реперными знаками, герметизируют подложку собираемого узла с установленными в ней кристаллами, после чего снимают технологическую подложку, нагревая ее до температуры плавления термопластичного клея. Далее путем последовательного селективного формирования диэлектрических и проводящих слоев на активной поверхности подложки собираемого узла и кристаллов создают многоуровневую коммутацию с последующей установкой чип-компонентов на соответствующие контактные площадки. 1 ил.

Изобретение относится к системам автоматической очистки солнечных панелей. Устройство очистки солнечной панели, содержащее источник питания, соединенный с солнечной панелью, датчики контроля загрязнения и провода, расположенные на поверхности солнечной панели, отличающееся тем, что провода выполнены с возможностью колебания и переплетены друг с другом в виде решетки, установленной на поверхность солнечной панели, при этом в качестве источника питания используют источник переменного тока, а датчики контроля загрязнения выполнены в виде датчиков натяжения проводов, расположенных по всей внешней грани решетки из проводов. Также предложен способ автоматизированной очистки солнечных панелей. Изобретение обеспечивает эффективную очистку поверхности солнечной панели от снега, льда, мусора и других объектов, мешающих преобразованию солнечной энергии. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам. Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике включает формирование ростовых кремниевых островков на поверхности диэлектрической подложки (сапфир, шпинель, алмаз, кварц) с последующим наращиванием начального слоя кремния путем термического разложения моносилана, его термообработку в течение времени, достаточного для устранения структурных дефектов, образовавшихся в результате релаксации напряжений кристаллической решетки кремния, и продолжение наращивания слоя кремния до требуемых значений толщины, при этом наращивание начального слоя кремния осуществляют при температуре 930-945°C до момента слияния ростовых кремниевых островков и образования сплошного слоя, температуру термообработки устанавливают в пределах 945-975°C, а температуру роста слоя требуемой толщины задают не менее 960°C. Технический результат изобретения - повышение структурного качества и однородности распределения удельного сопротивления по толщине гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике. 4 ил.

Изобретение относится к области силовой электроники и может быть использовано при сплавлении элементов силовых полупроводниковых приборов. Кассета для сплавления элементов конструкции полупроводниковых диодов содержит основание, выполненное из пластины углерода, в котором внедрены керамические стержни, на последних установлена пластина, в которой по внешней образующей окружности керамических стержней изготавливают п-образные полости глубиной диаметра керамических стержней. В той же пластине по внутренней образующей керамических стержней выполнена п-образная полость диаметром, равным или превышающим на 10 диаметр термокомпенсатора. В области дна полости выполняют сквозное отверстие, боковая поверхность которого наклонена относительно нормали к поверхности пластины на угол 3-5 градусов для обеспечения качественного набора элементов полупроводникового прибора в кассету. Причем размер диаметра сквозного отверстия в области поверхности потолка п-образной полости равен внутреннему диаметру, проведенному по образующей керамических стержней. Технический результат – повышение производительности закладки и выемки элементов полупроводниковых диодов, облегчение процесса набора элементов структуры полупроводникового диода в ручном и в автоматизированном режимах. 3 ил.

Наверх