Прессованная линза, формирующая led-модуль масштаба интегральной схемы, и способ ее изготовления

Согласно изобретению предложен способ изготовления модульного кристалла светоизлучающего диода (LED), содержащий этапы, на которых формируют множество LED-кристаллов, каждый LED-кристалл содержит множество полупроводниковых слоев и по меньшей мере один металлический электрод, сформированный на нижней поверхности каждого из LED-кристаллов для электрического контакта с по меньшей мере одним из полупроводниковых слоев, при этом каждый из LED-кристаллов имеет верхнюю поверхность и боковые поверхности; при этом по меньшей мере один металлический электрод имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность, противоположную верхней поверхности; верхняя поверхность по меньшей мере одного металлического электрода сформирована на нижней поверхности LED-кристалла, устанавливают множество LED-кристаллов на временную поддерживающую структуру; отливают цельный материал поверх LED-кристаллов, который инкапсулирует по меньшей мере верхнюю поверхность и боковые поверхности LED-кристаллов и формирует линзу поверх верхней поверхности каждого из LED-кристаллов, цельный материал не покрывает нижнюю поверхность по меньшей мере одного металлического электрода и имеет основание, которое проходит вниз к временной поддерживающей структуре и к нижней поверхности LED-кристаллов, выполняют отверждение цельного материала, для соединения LED-кристаллов вместе, удаляют LED-кристаллы и цельный материал с поддерживающей структуры и разделяют цельный материал так, что по меньшей мере один металлический электрод остается открытым для присоединения с другим электродом после формирования линзы. Технический результат заявленного изобретения заключается в снижении стоимости и в исключении сложностей процесса разламывания вместе с поддерживающей пластиной, что приводит к формированию заусенцев и к другим проблемам.5 з.п. ф-лы, 10 ил.

 

Область техники, к которой относится изобретение

Это изобретение относится к обработке светоизлучающих диодов (LED) и, в частности, к способу формирования LED-модуля масштаба интегральной схемы.

Уровень техники

Типичный LED с перевернутым кристаллом имеет отражающие p- и n-контакты на нижней поверхности LED, и контакты непосредственно соединены с контактными площадками на жесткой вспомогательной подложке, которая гораздо больше LED-кристалла. Свет, создаваемый посредством LED, главным образом, излучается через верхнюю поверхность LED-поверхности. Таким образом, нет верхних контактов, которые блокируют свет, и проводные соединения не нужны.

Во время производства пластина вспомогательной подложки заполняется массивом LED-кристаллов. Электроды, сформированные на нижней поверхности LED-кристаллов, соединяются с монтажными площадками на верхней поверхности пластины вспомогательной подложки, и монтажные площадки ведут к более прочным монтажным площадкам на нижней поверхности пластины вспомогательной подложки для сборки на печатной плате. LED-кристаллы на пластине вспомогательной подложки затем дополнительно обрабатываются как комплект на пластине. Такая обработка в масштабе пластины может необязательно устранять подложки для выращивания кристаллов с верхних поверхностей LED-кристаллов, наносить фосфор поверх LED-кристаллов, инкапсулировать LED-кристаллы и формировать линзу поверх каждого LED. В конце концов, пластина вспомогательной подложки разделяется, например, посредством отрезания, чтобы формировать отдельные модульные LED.

Обработка в масштабе пластины является эффективной. Однако пластина вспомогательной подложки или другой поддерживающий слой, который механически поддерживает тонкий хрупкий LED-кристалл, добавляет стоимость. Дополнительно, процесс разделения пластины для типичных поддерживающих слоев, таких как керамика или металл, является весьма сложным для того, чтобы избегать разламывания, металлических заусенцев и других проблем.

Поэтому необходима технология для комплектования LED, которая не страдает от вышеупомянутых недостатков.

Сущность изобретения

Описывается процесс в масштабе пластины, который одновременно инкапсулирует LED-кристаллы, формирует линзы поверх LED-кристаллов и формирует модуль масштаба интегральной схемы для LED-кристаллов. Модуль масштаба интегральной схемы, как правило, только слегка больше по площади, чем сама интегральная схема.

Хотя изобретение описывается с помощью LED с перевернутым кристаллом в примерах, любой тип LED может применять изобретение, такие как LED, имеющие верхний соединенный проводом электрод.

Первоначально, в одном варианте осуществления изобретения массив полупроводниковых LED формируется на сапфировой подложке для выращивания кристаллов. Такие LED могут быть традиционными. Множество LED затем разделяются на кристаллы, чтобы формировать LED-кристаллы. Вместо способа предшествующего уровня техники для монтажа LED-кристаллов на пластину вспомогательной подложки LED-кристаллы временно прикрепляются к поддерживающей структуре, имеющей клейкую поверхность. Поддерживающая структура может быть любого размера, и LED-кристаллы могут быть размещены в любой конфигурации, например в вертикальных и горизонтальных рядах или в шахматном порядке.

Традиционная обработка масштаба пластины может затем выполняться по LED-кристаллам, например необязательное устранение сапфировой подложки с помощью процесса лазерного отслаивания или другими средствами, утончающими и огрубляющими экспонированный слой n-типа для увеличения вывода света, и нанесение фосфора поверх LED-кристаллов. В другом варианте осуществления сапфировая подложка остается на прежнем месте, и на ней формируется рисунок для увеличенного вывода света (уменьшения TIR). Такие процессы могут быть традиционными, и могут выполняться дополнительные процессы масштаба пластины.

Поддерживающая структура затем приводится в контакт с пресс-формой, содержащей силикон или другой подходящий материал, имеющий желательные инкапсулирующие и линзообразные свойства для LED-кристаллов. Пресс-форма сформирована так, что силикон формирует линзу поверх каждого LED-кристалла, в то же время также формируя жесткую структуру, окружающую каждый LED-кристалл. Нижний электрод(ы) LED-кристаллов не покрываются силиконом, поскольку нижние поверхности LED-кристаллов присоединены к поддерживающей структуре.

Силикон затем затвердевает, и поддерживающая структура удаляется из пресс-формы. Поддерживающая структура затем удаляется с затвердевшего силикона. Получающаяся в результате структура затем разделяется поштучно. Разделение поштучно легко выполняется посредством рассекания через силикон. Один этап отливки инкапсулирует каждый LED-кристалл, формирует линзу поверх каждого из LED-кристаллов и формирует модуль масштаба интегральной схемы для каждого LED-кристалла с помощью одного целостноотлитого материала. Получающийся в результате модульный LED-кристалл может иметь свой нижний электрод(ы), присоединенный (например, ультразвуком или спайкой) к любой подходящей структуре, такой как монтажные площадки печатной платы или другой подложки.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1 – это упрощенный вид "сверху вниз" LED-пластины, в целом показывающей области различных LED.

Фиг. 2 – это упрощенный вид "сверху вниз" временной поддерживающей подложки, имеющей массив разделенных поштучно LED-кристаллов, присоединенных к ней.

Фиг. 3 – это поперечное сечение вдоль линии 3-3 на фиг. 2, показывающее два LED-кристалла, установленных на поддерживающую структуру.

Фиг. 4 иллюстрирует поддерживающую структуру, приложенную к пресс-форме, содержащей силикон, где LED-кристаллы погружаются в силикон для инкапсуляции, в то время как силикон также формирует линзу и модуль масштаба интегральной схемы для LED-кристаллов.

Фиг. 5 иллюстрирует инкапсулированные LED-кристаллы после удаления из пресс-формы и после того, как поддерживающая структура удалена из затвердевшего силикона.

Фиг. 6 иллюстрирует один тип конфигурации LED-кристаллов после удаления из пресс-формы.

Фиг. 7 иллюстрирует шахматный тип конфигурации LED-кристаллов после удаления из пресс-формы, чтобы увеличивать плотность размещения LED-кристаллов.

Фиг. 8 иллюстрирует то, как линзы могут быть асимметричными.

Фиг. 9 иллюстрирует отделенный LED, нижние электроды которого соединяются с монтажными площадками подложки, такой как печатная плата.

Фиг. 10 иллюстрирует структуру на фиг. 5 с нижним отражающим слоем.

Элементы, которые являются одинаковыми или эквивалентными, обозначены одинаковым числом.

Подробное описание изобретения

Фиг. 1 – это вид "сверху вниз" традиционной пластины 10 для изготовления LED, содержащей тысячи LED-площадок 12. LED-площадки 12 представляют LED-кристаллы после разделения. В используемом примере LED являются LED на основе GaN, такими как AlInGaN или INGaN LED, для создания синего света. Типично, относительно толстый GaN-слой n-типа выращивается на сапфировой подложке для выращивания кристаллов с помощью традиционных технологий. Относительно толстый GaN-слой типично включает в себя низкотемпературный слой образования центров кристаллизации и один или более слоев, чтобы предоставлять низкодефектную структуру кристаллической решетки для слоя покрытия n-типа и активного слоя. Один или более слоев покрытия n-типа затем формируются поверх толстого слоя n-типа, за которыми следует активный слой, один или более слоев покрытия p-типа и контактный слой p-типа (для металлизации).

Для перевернутого кристалла фрагменты p-слоев и активный слой стравливаются, чтобы раскрывать n-слой для металлизации. Таким образом, p-контакт и n-контакт находятся на одной стороне интегральной схемы. Ток от n-металлического контакта первоначально протекает сбоку сквозь n-слой. Нижние электроды LED типично формируются из отражающего металла.

Другие типы LED, которые могут быть использованы в настоящем изобретении, включают в себя AlInGaP LED, которые могут создавать свет в диапазоне от красного до желтого. Также могут быть использованы LED, не использующие технологии перевернутого кристалла.

Сапфировая подложка для выращивания может быть удалена с пластины 10 с помощью традиционных процессов, таких как химико-механическое полирование, травление, лазерное отслаивание или другие процессы. Раскрытый полупроводниковый слой может затем быть сделан шероховатым для увеличения вывода света. В другом варианте осуществления подложка для выращивания остается на прежнем месте и на ней формируется рисунок, чтобы увеличивать вывод света. Фосфор может быть осажден поверх светоизлучающей поверхности множества LED.

LED тестируются, пока находятся в пластине 10, по рабочим характеристикам и распределяются по категориям (сортируются).

Пластина 10 затем разделяется, чтобы выделять отдельные LED, с помощью традиционного процесса.

Традиционная монтажная захватная установка затем позиционирует отдельные LED-кристаллы на временной поддерживающей структуре, как показано на фиг. 2. Фиг. 2 – это вид "сверху вниз" поддерживающей структуры 14, на которой размещаются LED-кристаллы 16.

Поддерживающая структура 14 может быть любого размера и формы. В одном варианте осуществления поддерживающая структура 14 имеет липкую поверхность или другой тип клейкой поверхности с электродами LED-кристаллов, обращенными к клейкой поверхности. Поддерживающая структура 14 может быть тонкой, растягиваемой, клейкой пленкой. Клейкая поверхность может быть удаляемым слоем, который становится не прилипающим после применения тепла, UV, растворителя или посредством другого технического приема. Шаг LED-кристаллов 16 на поддерживающей структуре 14 достаточен, чтобы предоставлять возможность формирования линзы поверх каждого LED-кристалла 16.

Фиг. 3 – это упрощенный вид в разрезе LED-кристаллов 16 и поддерживающей структуры 14 вдоль линии 3-3 на фиг. 2. Служащие в качестве примера LED-кристаллы 16A и 16B (называемые LED 16), в целом, содержат эпитаксиально выращенный полупроводниковый слой 18 N-типа, полупроводниковый активный слой 20 и полупроводниковый слой 24 P-типа. Для перевернутого кристалла фрагменты слоя 24 P-типа и активный слой 20 вытравливаются, чтобы раскрывать слой 18 N-типа, и N-электрод 26 наносится, чтобы контактировать со слоем 18 N-типа. P-электрод 28 контактирует со слоем 24 P-типа. В другом варианте осуществления LED-электроды 26/28 распределены как точки на нижней поверхности LED-кристалла для более однородного распределения тока. Подложка для выращивания кристалла показана удаленной со слоя 18 N-типа на фиг. 3, но она может вместо этого быть на месте.

В одном варианте осуществления LED являются AlInGaN и излучают свет от синего до янтарного.

Фосфорный слой может присутствовать, по меньшей мере, поверх поверхности слоя 18 N-типа, чтобы преобразовывать синий свет, например, в белый свет.

Процесс формовки затем выполняется, как показано на фиг. 4. Пресс-форма 32 имеет углубление 34, соответствующее желаемой форме линзы поверх каждого LED-кристалла 16. Пресс-форма 32 предпочтительно сформирована из металла. Пресс-форма 32 может использовать тонкий разделительный слой или может иметь неадгезионную поверхность, если необходимо, чтобы предотвращать приклеивание к ней затвердевшего формовочного материала. Пресс-форма 32 также имеет боковые стенки 36, которые действуют в качестве герметизирующих прокладок по отношению к периферии поддерживающей структуры 14, а также служат в качестве разделителей, чтобы отливать формовочный материал вокруг сторон LED-кристаллов 16, чтобы инкапсулировать их. Пресс-форма 32 может включать в себя рассекающую структуру 37, которая уменьшает любую вероятность повреждения линзы во время разделения.

На фиг. 4 углубления 34 пресс-формы и область между боковыми стенками 36 заполнены термоотверждаемым жидким материалом 40 линзы. Материал 40 линзы может быть любым подходящим оптически прозрачным материалом, таким как силикон, эпоксидная смола или гибридный силикон/эпоксид. Гибрид может быть использован, чтобы добиваться коэффициента соответствия теплового расширения (CTE). Силикон и эпоксидная смола имеют достаточно высокий коэффициент преломления (больше 1,4), чтобы значительно улучшать вывод света из AlInGaN или AlInGaP LED, так же как и действовать в качестве линзы. Один тип силикона имеет коэффициент преломления 1,76.

Вакуумное уплотнение создается между периферией поддерживающей структуры 14 и боковыми стенками 36 пресс-формы, так что каждый LED-кристалл 16 вставляется в жидкий материал 40 линзы, и материал 40 линзы находится в сжатом состоянии.

Пресс-форма 32 затем нагревается примерно до 150 градусов Цельсия (или другой подходящей температуры) на время, чтобы делать твердым материал 40 линзы. LED-кристаллы 16 теперь механически соединены вместе посредством затвердевшего материала 40 линзы и могут обрабатываться как единый блок.

Поддерживающая структура 14 затем отделяется от пресс-формы 32, что устраняет инкапсулированные LED-кристаллы 16 из пресс-формы 32. Инкапсулированные LED-кристаллы 16 затем отсоединяются от поддерживающей структуры 14, например, посредством отслаивания затвердевшего материала 40 линзы от поддерживающей структуры 14 или отделения клейкого слоя от материала 40 линзы. Поддерживающая структура 14 может быть повторно использована.

В другом варианте осуществления в материал 40 линзы внедряется фосфор или материал с другой длиной волны, чтобы преобразовывать синий свет в другой цвет, включающий в себя белый свет. Рассеивающие частицы могут также быть внедрены в материал 40 линзы.

Одна или более дополнительных силиконовых линз могут быть сформованы поверх материала 40 линзы, чтобы придавать форму излучению.

Фиг. 5 иллюстрирует получающуюся в результате структуру с прессованной линзой 44 поверх каждого LED-кристалла 16. В одном варианте осуществления прессованная линза 44 имеет диаметр между 1 мм и 5 мм. Линза 44 может быть любого размера или формы. LED-кристаллы 16 инкапсулируются с помощью материала 40 линзы, и материал 40 линзы формирует модуль масштаба интегральной схемы для каждого кристалла 16, составляющего одно целое с герметизирующим материалом и линзой. Электроды 26/28 LED раскрыты через низ модуля, так что они могут быть присоединены (например, ультразвуком или спайкой) к монтажным площадкам подложки или печатной платы. Модули масштаба интегральной схемы для двух кристаллов 16, показанные на фиг. 5, будут сегментированы вдоль пунктирной линии 46. Модули могут быть сегментированы более предпочтительно посредством рассекания, чем разрезания. Рассекание – это просто применение направленного вниз лезвия вдоль линий сегментации. Это создает хорошо контролируемые отрезы и не приводит в результате к порошкообразным отходам.

В одном варианте осуществления линза 44 является полусферической. В других вариантах осуществления линза 44 может быть любой формы, такой как линза бокового свечения, линза Френеля и т.д.

Хотя линза 44 показана почти выровненной с верхней поверхностью LED-кристалла 16, линза 44 может простираться ниже верхней поверхности. Толщина материала 40 линзы, соединяющего модули вместе, может быть любой толщиной, чтобы предоставлять возможность легкого разделения в случае затвердевшего силикона.

Соответственно, модуль, герметизирующий материал и линза формируются с помощью одного этапа отливки с использованием одного типа материала, такого как силикон. Дополнительная поддерживающая структура для модуля, такая как выводная рамка, теплоприемник или пластиковый корпус, не требуется, что значительно уменьшает стоимость модуля. Необязательно, одна или более дополнительных силиконовых линз могут быть отлиты поверх линзы 44 или присоединены с помощью клея, чтобы придавать форму излучению.

Фиг. 6 и 7 иллюстрируют различные возможные компоновки LED-кристаллов 16 перед сегментацией. Компоновка LED-кристаллов 16 на поддерживающей структуре 14 может обеспечивать максимальную плотность размещения. Фиг. 6 иллюстрирует компоновку с горизонтальными-вертикальными рядами аналогично фиг. 2. Это обеспечивает легкость разделения, поскольку линии разделения прямые. Фиг. 7 иллюстрирует компоновку в шахматном порядке, обеспечивающую увеличенную плотность размещения, поскольку существует меньше пространства вокруг полусферической линзы 44. Разделение требует более сложного отрезания.

Фиг. 8 иллюстрирует то, что отлитые линзы 50 могут быть асимметричными или любой другой формы, чтобы добиваться желаемой диаграммы направленности.

Фиг. 9 иллюстрирует отделенный модуль 54, имеющий электроды 26/28 LED-кристалла, присоединенные к металлическим монтажным площадкам 56/58 подложки 60 или печатной платы. Монтажные площадки 56/58, в конечном счете, электрически соединяются, чтобы проводить ток от источника энергии. В одном варианте осуществления размеры в ширину и длину всего модуля 54 меньше, чем тройные соответствующие размеры самого кристалла 16. Типичный размер кристалла 16 приблизительно 1×1 мм или меньше, что дает в результате размер всего модуля 54 меньше 3×3 мм. В другом варианте осуществления модуль 54 меньше двойного размера LED-кристалла 16.

При пайке LED-модуля 54 на подложку (например, FR4, MCPCB, керамика и т.д.) отражательная способность области вокруг кристалла 16 (через прозрачный силиконовый герметизирующий материал) будет зависеть от подложки, к которой он присоединен/припаян. Чтобы улучшать отражательную способность, может быть выполнен следующий необязательный этап процесса, который дает в результате структуру на фиг. 10, имеющую нижний отражающий слой 64. После помещения кристалла 16 на поддерживающую структуру 14 на фиг. 3 (которая может быть растягиваемой липкой пленкой), силикон (или золь-гель) с внедренными отражающими частицами TiO2 распределяется по поверхности подложки 14, но не поверх кристаллов 16, и затвердевает. Может быть использован простой процесс трафаретной печати, где трафарет включает в себя маску. Контакт со сторонами кристаллов 16 является желательным. После этапа отливки на фиг. 4 отражающий слой 64 силикон/TO2 (фиг.10) будет приклеен к нижней поверхности силиконовой линзы 44 и может быть отсоединен от подложки 14 вместе с линзой 44. Отражающий слой 64 будет тогда частью модуля 54, эффективно увеличивая отражательную способность модуля (все вокруг кристалла 16) независимо от любой отражательной способности подложки потребителя.

Альтернативным, без формовки, способом формирования линз на массиве LED-кристаллов 16 является распределение капель силикона поверх каждого кристалла 16 на поддерживающей подложке 14. Используя тиксотропный силиконовый материал поверх кристаллов 16 и предоставляя слабоклейкую (например, тефлоновую) поверхность подложки 14, поверхностное натяжение силикона будет естественным образом после распределения формировать форму типа купола. Силикон затем затвердевает, чтобы делать линзу твердой.

В то время как конкретные варианты осуществления настоящего изобретения были показаны и описаны, специалистам в области техники будет очевидно, что могут быть сделаны изменения и модификации без отступления от этого изобретения и его широких аспектов и, следовательно, прилагаемая формула изобретения должна заключать в своих рамках все такие изменения и модификации, как попадающие в сущность и рамки этого изобретения.

1. Способ изготовления модульного кристалла светоизлучающего диода (LED), содержащий этапы, на которых:

формируют множество LED-кристаллов, каждый LED-кристалл содержит множество полупроводниковых слоев и по меньшей мере один металлический электрод, сформированный на нижней поверхности каждого из LED-кристаллов для электрического контакта с по меньшей мере одним из полупроводниковых слоев, при этом каждый из LED-кристаллов имеет верхнюю поверхность и боковые поверхности;

при этом по меньшей мере один металлический электрод имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность, противоположную верхней поверхности;

при этом верхняя поверхность по меньшей мере одного металлического электрода сформирована на нижней поверхности LED-кристалла; и

устанавливают множество LED-кристаллов на временную поддерживающую структуру;

отливают цельный материал поверх LED-кристаллов, который инкапсулирует по меньшей мере верхнюю поверхность и боковые поверхности LED-кристаллов и формирует линзу поверх верхней поверхности каждого из LED-кристаллов, цельный материал не покрывает нижнюю поверхность по меньшей мере одного металлического электрода, при этом цельный материал проходит вдоль множества боковых поверхностей LED-кристалла и имеет основание, которое проходит вниз к временной поддерживающей структуре и к нижней поверхности LED-кристаллов;

выполняют отверждение цельного материала, чтобы механически соединять LED-кристаллы вместе;

удаляют LED-кристаллы и цельный материал с поддерживающей структуры; и

разделяют цельный материал, чтобы разделять LED-кристаллы, чтобы создавать отдельные модульные LED-кристаллы так, что по меньшей мере один металлический электрод остается открытым для присоединения с другим электродом после формирования линзы.

2. Способ по п.1, в котором фосфор внедряется в цельный материал.

3. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап, на котором формируют отражающий слой на временной поддерживающей структуре после этапа установки множества LED-кристаллов на временную поддерживающую структуру, при этом цельный материал приклеивается к отражающему слою во время этапа удаления LED-кристаллов и цельного материала с поддерживающей структуры, получая в результате модульные LED-кристаллы, имеющие отражающий слой.

4. Способ по п.1, при этом модульные кристаллы не содержат выводную рамку, так что по меньшей мере один металлический электрод сконфигурирован, чтобы присоединяться к металлическим монтажным площадкам поддерживающей структуры.

5. Способ по п.1, при этом цельный материал формирует только линзу поверх кристалла.

6. Способ по п.1, при этом каждый модульный LED-кристалл имеет размеры в ширину и длину, при этом размеры в ширину и длину модульного LED-кристалла меньше тройных соответствующих размеров в ширину и длину LED-кристалла.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к люминесцентному материалу на основе люминесцентных наночастиц и к осветительному устройству на их основе для преобразования света от источника света.

Способ изготовления эпитаксиальной структуры включает в себя обеспечение подложки и гетеропереходного пакета на первой стороне подложки и формирование пакета светоизлучающего диода на GaN на второй стороне подложки.

Изобретение относится к красному люминесцентному материалу и содержащему его осветительному устройству. Осветительное устройство включает световой источник, выполненный с возможностью генерировать свет светового источника, и люминесцентный материал в форме частиц, выполненный с возможностью преобразовывать по меньшей мере часть света светового источника в свет люминесцентного материала.

Светодиодная матрица относится к области информационной техники и может быть использована при построении крупногабаритных матричных экранов и иных средств отображения визуальной информации.

Изобретение относится к люминофору, содержащему М2АХ6, легированному четырехвалентным марганцем. При этом М включает одновалентные катионы, по меньшей мере включая калий и рубидий, причем А включает четырехвалентный катион, по меньшей мере включая кремний, причем Х включает одновалентный анион, по меньшей мере включая фтор, и причем М2АХ6 имеет гексагональную фазу.

Изобретение относится к осветительному устройству, содержащему преобразователь цвета. Осветительное устройство содержит по меньшей мере один светодиод и по меньшей мере один преобразователь цвета.

Изобретение относится к области светотехники, в частности к изготовлению светодиодной полосы, включающей светодиодный чип, встроенный резистор, магнит, инкапсуляционную скобу полосы и источник питания.

Структура светоизлучающего устройства содержит опорную подложку, содержащую тело и множество сквозных отверстий, проходящих через всю толщину тела; и полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее светоизлучающий слой, размещенный между областью n-типа и областью p-типа, причем полупроводниковое светоизлучающее устройство присоединено к опорной подложке посредством диэлектрического соединяющего слоя; при этом опорная подложка является не более широкой, чем полупроводниковое светоизлучающее устройство, и при этом соединяющий слой является первым соединяющим слоем, образованным на полупроводниковом светоизлучающем устройстве, при этом упомянутая структура дополнительно содержит второй соединяющий слой, образованный на опорной подложке.

В оптической подложке вогнуто-выпуклая структура включает в себя множество выпуклых участков и вогнутых участков, обеспечиваемых между выпуклыми участками. При этом средний интервал Pave между смежными выпуклыми участками в вогнуто-выпуклой структуре удовлетворяет условию 50 нм ≤ Pave ≤ 1500 нм и выпуклый участок, имеющий высоту hn выпуклой части, удовлетворяющую условию 0,6 h≥hn≥0 h для средней высоты Have выпуклого участка, присутствует с вероятностью Z, удовлетворяющей 1/10000≤Z≤1/5.

Изобретение относится к светотехнике и может быть использовано для упрощения конструкций, повышения выхода излучения и улучшения спектра излучения источника света на основе светодиодов.

Настоящее раскрытие относится к устройствам отображения, использующим полупроводниковые светоизлучающие устройства. Устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно изобретению может включать в себя первую подложку, содержащую электродную часть, проводящий адгезионный слой, расположенный на первой подложке, и множество полупроводниковых светоизлучающих устройств, по меньшей мере часть из которых утоплены в верхней области проводящего адгезионного слоя, чтобы составить отдельные пиксели с электрическим соединением с электродной частью, причем проводящий адгезионный слой содержит непрозрачную смолу, чтобы блокировать свет между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами. Изобретение обеспечивает возможность создания устройства отображения, имеющего быстрое время отклика, высокую гибкость, увеличенный срок службы и выход годных, а также упростить процесс формирования разделительной перегородки между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами, содержащимися в нем. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 22 ил.

Светоизлучающее устройство содержит твердотельный источник (101) света, выполненный с возможностью излучения первичного света (L1); преобразующий длину волны элемент (102), включающий множество преобразующих длину волны областей (102a, 102b, 102c и т.д.) для преобразования первичного света во вторичный свет (L2), при этом каждая преобразующая длину волны область посредством этого обеспечивает поддиапазон полного спектра светового выхода, причем по меньшей мере некоторые из упомянутых преобразующих длину волны областей расположены в виде массива и содержат квантовые точки, при этом разные преобразующие длину волны области содержат квантовые точки, имеющие разные диапазоны излучения вторичного света, обеспечивающие разные поддиапазоны полного спектра светового выхода, и при этом поддиапазон, обеспечиваемый каждой преобразующей длину волны областью перекрывается или является смежным с по меньшей мере одним другим поддиапазоном, обеспечиваемым другой преобразующей длину волны областью, при этом упомянутые преобразующие длину волны области вместе обеспечивают вторичный свет, включающий в себя все длины волн диапазона от 400 нм до 800 нм. Изобретение дает возможность обеспечить светоизлучающее устройство, которое дает световой выход непрерывного спектра. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 табл., 13 ил.

Изобретение относится к устройствам с выходным оптическим излучением, в частности с использованием дискретных источников оптического излучения, связанных со структурой с прозрачной подложкой. Матрицу источников (34) света встраивают в инкапсулирующий слой (32). Формируют матрицу полостей (30) с коэффициентом преломления, отличающимся от коэффициента преломления инкапсулирующего слоя, сформированных в инкапсулирующем слое (32). Матрица полостей (30) выполнена путем испарения добавки посредством использования по меньшей мере одного из тепла и света источников света. Полости (30) имеют численную плотность или размер, которые зависят от их близости к положениям источников света. Технический результат изобретения – обеспечение более равномерного воспроизведения выходного оптического излучения по площади устройства. 2 н.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области технической светотехники и может быть использовано при изготовлении осветительных приборов. Фотолюминофор нейтрально-белого свечения со структурой граната на основе оксидов редкоземельных элементов и элементов IIIa подгруппы имеет следующую химическую формулу: (ΣLn,Bi)3[(ΣMl)2][AlO4-x(F,N)x]3, где Ln - лантаноиды Y, Се, Lu, Tb; Ml - В, Al, Ga; [х]≤0,2 атомных долей. Фотолюминофор имеет кристаллографическую структуру граната с принадлежностью к пространственной группе 1a3d, параметром кубической кристаллической решетки «а» более 12 ангстрем , возрастающим при увеличении концентрации Се3+. Светодиод нейтрально-белого свечения включает нитридную гетероструктуру GaInN 1 и находящийся в контакте с ней гетерофазный равнотолщинный переизлучающий конвертер 4, выполненный из радиационно стойкого поликарбоната в качестве дисперсионной среды и 12-26% вышеуказанного фотолюминофора в качестве дисперсной фазы. Толщина конвертера 4 составляет 60-120 мкм. Светодиод также включает конический керамический светосборник 6 с коэффициентом отражения внутренней поверхности более 96% и полусферическую крышку 7 из оптически прозрачного полимера, радиус кривизны которой выбран таким, что точка фокуса находится в геометрическом центре переизлучающего конвертера 4. Фотолюминофор нейтрально-белого свечения обладает повышенной термоустойчивостью, а светодиод – светоотдачей более 170 лм/Вт. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 10 ил., 1 табл.
Наверх