Устройство с выходным оптическим излучением и способ его изготовления



Устройство с выходным оптическим излучением и способ его изготовления
Устройство с выходным оптическим излучением и способ его изготовления
Устройство с выходным оптическим излучением и способ его изготовления
Устройство с выходным оптическим излучением и способ его изготовления

 

H01L33/00 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Владельцы патента RU 2618999:

ФИЛИПС ЛАЙТИНГ ХОЛДИНГ Б.В. (NL)

Изобретение относится к устройствам с выходным оптическим излучением, в частности с использованием дискретных источников оптического излучения, связанных со структурой с прозрачной подложкой. Матрицу источников (34) света встраивают в инкапсулирующий слой (32). Формируют матрицу полостей (30) с коэффициентом преломления, отличающимся от коэффициента преломления инкапсулирующего слоя, сформированных в инкапсулирующем слое (32). Матрица полостей (30) выполнена путем испарения добавки посредством использования по меньшей мере одного из тепла и света источников света. Полости (30) имеют численную плотность или размер, которые зависят от их близости к положениям источников света. Технический результат изобретения – обеспечение более равномерного воспроизведения выходного оптического излучения по площади устройства. 2 н.п. ф-лы, 7 ил.

 

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ

Настоящее изобретение относится к устройствам с выходным оптическим излучением, в особенности, но не исключительно, с использованием дискретных источников оптического излучения, связанных со структурой с прозрачной подложкой.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Одним известным примером такого типа осветительного устройства является так называемое устройство «СИД в стекле». Пример изображен на фиг.1. Обычно используется стеклянная пластина с прозрачным проводящим покрытием (например, оксид индия и олова), образующим электроды. Проводящее покрытие наносится с целью создания электродов, которые соединяются с полупроводниковым прибором на СИДах (светоизлучающих диодах). Сборка завершается наслоением стекла, при этом СИДы 4 размещаются внутри слоя термопластика (например, поливинилбутираля - PVB) или слоя органической смолы.

На фиг.2 показана известная структура СИДа в стекле в поперечном сечении. Устройство содержит стеклянные пластины 1 и 2. Между стеклянными пластинами имеются (полу)прозрачные электроды 3а и 3b (например, выполненные из оксида индия и олова или тонких монтажных проводов) и СИД 4, соединенный с прозрачными электродами 3а и 3b. Между стеклянными пластинами 1 и 2 предусмотрен слой электроизоляционного материала 5 (традиционно PVB или чувствительная к ультрафиолетовому излучению смола).

К применениям такого типа устройств относятся стеллажи, витрины, фасады, офисные перегородки, наружная обшивка стен и декоративное освещение. Осветительное устройство может использоваться для освещения других объектов, для отображения изображения или попросту в декоративных целях.

Могут использоваться СИДы с верхним излучением, и они имеют выходное излучение точечного источника света. Могут также использоваться СИДы с боковым излучением, при этом выходное оптическое излучение связано с выходом рассеивающих центров в смоле.

Чтобы сделать точечное выходное излучение более равномерным, как известно, на СИДе применяется отражатель или иной световой экран, действующий в качестве маски для снижения интенсивности локального выходного оптического излучения. Это усложняет изготовление устройства, поэтому остаются сложности в обеспечении требуемого выходного излучения от дискретных источников оптического излучения с точки зрения направления излучения и размера световой точки, и некоторым образом незначительно увеличивает стоимость изготовления.

Существует также потребность в создании самосветящихся листов - предпочтительно тонких и обладающих значительной гибкостью. Это позволяет обеспечивать более широкий выбор применений продукта и может также позволить сэкономить на дорогостоящих процедурах формовки в процессе изготовления. Требуется оптически прозрачный материал, обладающий гибкостью, при необходимой толщине около 1-10 мм.

Один из примеров - помещение СИДов в проволочную сетку, которая встроена в силикон или иной полимер. Такая конструкция заменяет дорогостоящие печатные платы (РСВ) или структуры на стеклянной подложке. Однако проволочная сетка не учитывает небольшое отклонение в расположении приборов на СИДах вследствие ее нежесткого характера.

Чтобы маскировать центры световых пятен для СИДов, сформированных в такой сетчатой структуре, на сетке СИДов, как указано выше, могут быть предусмотрены оптические структуры (которые могут просто включать в себя отражающую белую краску).

Альтернативный подход состоит во встраивании светорассеивающих частиц в полимерную структуру (которая выполняет функцию световода). Форма или концентрация, а также свойства поглощения, отражения и пропускания этих частиц влияют на то, как они изменяют характеристики выходного оптического сигнала.

Основной недостаток этих методов состоит в том, что положение частиц или оптических структур и их рассеивающие свойства определяются в процессе изготовления системы и не учитывают положение источников света. Это требует дорогостоящей юстировки оптики по отношению к источникам света. Необходимые оптические структуры или рассеивающие частицы, которые используются для маскирования центров световых пятен, требуют уровня юстировки в диапазоне 10-100 микрометров относительно положения СИДа. Таким образом, точная юстировка оптических структур или частиц относительно СИДов вызывает затруднения.

В документе по предшествующему уровню техники WO2010/129815A2 описана световодная система, в которой источники света встроены в тело световода, содержащего отклоняющие свет частицы. Упомянутые частицы могут представлять собой небольшие пузыри или области с другими коэффициентами преломления. Концентрация отклоняющих свет частиц может варьироваться исходя из расположения встроенных источников света с целью получения необходимой картины светового излучения. Документ по предшествующему уровню техники умалчивает о способах реализации таких вариаций концентрации.

Целью настоящего изобретения является создание устройства с выходным оптическим излучением описанного в предыдущем абзаце типа, которое может изготавливаться практически осуществимым методом.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

В соответствии с изобретением предлагается устройство с выходным оптическим излучением, содержащее:

- матрицу источников света;

- инкапсулирующий слой, в который встроена матрица источников света; и

- матрицу полостей или областей с коэффициентом преломления, отличающимся от коэффициента преломления инкапсулирующего слоя, сформированных в инкапсулирующем слое,

отличающееся тем, что полости или области имеют плотность или размер, которые зависят от их близости к положениям источников света, и отличающееся тем, что инкапсулирующий слой (32) содержит полимерную матрицу с добавкой, имеющей более низкую температуру кипения, чем матрица.

Полости используются для рассеивания выходного оптического излучения источника света, чтобы получить более равномерное световое излучение по поверхности устройства.

Источники света могут быть выполнены в виде СИДов, хотя могут использоваться и иные устройства с выходным оптическим излучением.

Благодаря тому, что плотность или размер полости/области выполнен зависящим от близости к источникам света, может использоваться самосборка полостей в инкапсулирующем слое. Свет отражается и преломляется на границах раздела полостей/областей с инкапсулирующим материалом. В этом случае поглощение не происходит, поскольку частицы, погруженные в среду, испытывают, по меньшей мере, некоторую степень поглощения света. Образование полости/области может легко регулироваться с помощью процесса изготовления.

Инкапсулирующий слой выполнен в виде полимерной матрицы с добавкой, имеющей более низкую температуру кипения, чем матрица. Добавка может при этом испаряться с образованием небольших заполненных газом полостей перед отверждением полимерной матрицы.

Добавка может испаряться за счет тепла источников света или света источников света.

Альтернативно, инкапсулирующий слой может быть выполнен в виде жидкости с диспергированным полимером с разделенными фазами. Выходное оптическое излучение может использоваться для того, чтобы вызвать реакцию полимеризации в смеси мономеров и неполимеризуемой жидкости. Когда реакция полимеризации приводит к образованию структуры полостей с полимерными стенками, неполимеризуемый жидкий материал может быть смыт с образованием полостей.

Опционально полости могут быть повторно заполнены вторым полимером или жидкостью.

В данном изобретении также предлагается способ изготовления устройства с выходным оптическим излучением, включающий в себя:

- встраивание матрицы источников света в инкапсулирующий слой;

- формирование матрицы полостей или областей с коэффициентом преломления, отличающимся от коэффициента преломления инкапсулирующего слоя, в инкапсулирующем слое, причем полости имеют численную плотность или размер, которые зависят от их близости к положениям источников света.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Примеры изобретения подробно описываются ниже со ссылкой на прилагаемые чертежи, на которых:

на фиг.1 схематически показано известное устройство на основе СИДа в стекле;

на фиг.2 схематически показан пример структуры устройства, изображенного на фиг.1;

на фиг.3(а) показан известный подход, в котором полости формируются в инкапсулирующем слое, в который встроены СИДы;

на фиг.3(b) показан подход изобретения, в котором полости формируются с плотностью или размером, которые зависят от их близости к положениям источников света;

на фиг.4 показано, как источники света вызывают локальный нагрев, когда они включены;

на фиг.5 показано, как профиль распределения температур может быть реализован с помощью сетчатой структуры проводов; и

на фиг.6 показано, как полости могут формироваться с помощью света, подаваемого от внешнего источника.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

На всех чертежах одни и те же ссылочные позиции используются для обозначения одинаковых деталей.

В данном изобретении предлагается устройство с выходным оптическим излучением и способ его изготовления, в котором в инкапсулирующий слой встраивается матрица СИДов, и в инкапсулирующем слое формируется матрица полостей (или областей с другим коэффициентом преломления). Полости/области имеют плотность или размер, которые зависят от их близости к положениям СИДов с целью уменьшения центров световых пятен (локальных областей высокой интенсивности света) и посредством этого более равномерного воспроизведения выходного оптического излучения по площади устройства.

На фиг.3(а) показан известный подход, в котором полости 30 формируются в инкапсулирующем слое 32, в который встроены СИДы 34. На фиг.3(а) полости равномерно распределены в среде, и они выполнены в виде равномерно распределенной структуры пузырей, которая заполняет полимер инкапсулирующего слоя. Однако центры световых пятен все же присутствуют.

В данном изобретении предлагаются полости или области с другим коэффициентом преломления, имеющие численную плотность или размер, которые зависят от их близости к положениям СИДов, как показано на фиг.3(b). В частности, полости/области меньше и, следовательно, имеют более высокую плотность расположения вблизи СИДов. Это приводит к более сильному рассеянию света вблизи СИДов, меньшему просачиванию света вблизи СИДов и, следовательно, лучшему распространению света.

СИД 32 может быть соединен и, кроме того, проволочная сетка может быть встроена в прозрачный инкапсулирующий слой 30. Данный слой является силиконовым, но могут использоваться и другие материалы, такие как, например, РММА (полиметилметакрилат), PVC (поливинилхлорид), PU (полиуретан), РС (поликарбонат), РЕТ (полиэтилентерефталат), PES (полиэфирсульфон) или PEN (полиэтилен нафталат). Инкапсулирующий слой действует как световодный материал и, как правило, представляет собой прозрачный полимер.

Толщина инкапсулирующего слоя составляет приблизительно от 1 до 10 мм.

Проволочная сетка может быть выполнена в виде электропроводящих проводов, которые могут подавать электрический ток в СИДы, например медных проводов диаметром 0,25 мм.

Проволочная сетка и соединенные СИДы выполняются с помощью соответствующего промышленному стандарту перегрузочного процесса сборки и пайки, а герметизация выполняется с помощью литья или покрытия.

СИДы обычно представляют собой дискретные серийно выпускаемые компоненты и имеют типичный размер 2×3 мм, высоту 0,5-1 мм и находятся на расстоянии от 10 до 50 мм друг от друга в зависимости от требований применения.

Зависимость свойств полости/области от близости к СИДу достигается путем использования оптического или теплового излучения (тепла) с пространственной структурой с целью локального создания полостей/областей.

В первом примере используется самоформирование полостей путем дифференциального нагрева между двумя различными температурами.

На фиг.4 показано, как СИДы 32 вызывают локальный нагрев областей 35, когда они включены.

Инкапсулирующий слой выполняется в виде полимерной матрицы с добавкой, имеющей более низкую температуру кипения, чем матрица. Разность между температурой полимеризации основного инкапсулирующего материала и температурой кипения добавки используется для управления испарением добавки перед отверждением полимера. Благодаря этому инкапсулирующий слой выполняется в виде набора СИДов, погруженных в полимер с добавкой.

СИДы могут быть взаимосвязаны с помощью проволочной сетки, как указано выше, но это необязательно. Расположение СИДов может быть регулярным, случайным или псевдохаотическим.

Полимер световодного материала имеет температуру полимеризации и временную константу Тр и tp соответственно. Временная константа tp зависит от температуры Тр.

Добавка имеет низкую температуру Т2 кипения и соответствующую временную константу t2. Эта временная константа t2 является временной константой, связанной с коалесценцией пузырей: небольшие пузыри проявляют тенденцию к коалесценции с образованием крупных пузырей. Таким образом, имеется некоторая степень свободы: либо создавать высокую плотность небольших пузырей и предотвращать их коалесценцию путем своевременного стимулирования конечной полимеризации при Тр (относительно длительная t2) либо локально активировать образование крупных коалесцированных пузырей (относительно короткая t2).

В первом примере инкапсулирующий слой и его добавка локально нагреваются с помощью излучения источников света.

СИДы могут циклически включаться и выключаться для поддержания необходимой температуры (между Тр и Т2), чтобы вызывать испарение добавки перед полимеризацией слоя основного инкапсулирующего материала.

Во втором примере вместо использования локального нагрева, вызываемого СИДами, полости могут быть образованы путем дифференциального нагрева с помощью маски нагрева или создаваемого извне градиента. Таким образом, инкапсулирующий слой подвергается воздействию внешнего теплового излучения, которое имеет пространственный и временной градиент.

Профиль распределения температур может быть реализован с помощью сетчатой структуры проводов, проводящих ток, как схематически изображено на фиг.5. Проволочная сетка 50 вызывает локальное кипение/испарение добавки, поэтому плотность или размер полостей вблизи проводов является иными. Проволочная сетка 50 размещается и упорядочивается в инкапсулирующем слое и имеет максимальную ячейку в тех местах, в которых размещены СИДы.

Как объяснялось выше, одна возможность - это образование полостей меньшего размера, имеющих более высокую плотность расположения вблизи источников света, а другая возможность - это создание более крупных полостей вдали от источников света (например, с помощью проволочной сетки).

В альтернативном варианте осуществления сами соединительные провода СИДов используются с целью локального нагрева полимера. Обычно СИДы соединяются в группы. Сначала группа из N СИДов соединяется параллельно. Затем М этих групп соединяются последовательно с образованием матрицы соединенных СИДов N×M. Каждый из проводов, который соединяет группу СИДов параллельно, может использоваться в качестве проволочного нагревателя для достижения необходимого эффекта. При этом ток через СИДы не протекает, и тепло в СИДах не образуется.

В еще одном варианте осуществления, изображенном на фиг.6, полости формируются с помощью света, подаваемого от внешнего источника.

Инкапсулирующий материал может содержать добавку с низкой температурой кипения, как в приведенных выше примерах. Однако альтернатива состоит в использовании вещества, допускающего разделение фаз.

Используется внешний источник 60 света, который ускоряет формирование полостей в полимере вследствие светоиндуцированной полимеризации или светоиндуцированного образование химических связей. Между внешним источником света и инкапсулирующим материалом 64 помещается физическая маска 62.

Полимер инкапсулирующего слоя при этом облучается светом применимой длины волны. Маска создает пространственный градиент, необходимый для получения пространственного варьирования полостей.

В качестве полимера может использоваться, например, Merck PN393 или Norland 73, а в качестве добавки TL205 - жидкокристаллическая смесь компании Merck. Такие комбинации материалов, как известно, формируют слои так называемого жидкого кристалла с диспергированным полимером, в которых происходит разделение фаз между полимерной матрицей и жидкокристаллической фазой.

Подход с фазовыми переходами может также применяться при использовании самих СИДов в качестве источника света, как в приведенных выше примерах.

Вместо формирования полостей с помощью источника света формирование полостей может замедляться светом, например, светом, излучаемым встроенными СИДами.

Еще одной модификацией является использование разделения фаз с помощью фотополимеризации.

Известно, что смесь двух смешивающихся жидкостей может разделяться по фазе за счет полимеризации одного из компонентов. Это, например, имеет место в материале на основе так называемого жидкого кристалла с диспергированным полимером (PDLC), указанного выше, в котором полимерная матрица образуется посредством термической активации или выпаривания растворителя при фотополимеризации. В случае PDLC образуется непрерывность разных фаз, означающая, что и полимерная фаза, и жидкокристаллическая фаза являются сплошными материалами (без полостей, но губчатыми).

Жидкая фаза может при этом смываться, оставляя заполненную воздухом губчатую полимерную матрицу.

Может использоваться совокупность материалов, аналогичная совокупности соединения материалов жидкого кристалла с диспергированным полимером, в которой с помощью света СИДов индуцируется разделение фаз полимерного соединения и в которой жидкая фаза смывается и заменяется воздухом. В результате вблизи СИДов формируется самосовмещенная полимерная структура. Еще одна модификация состоит в использовании фазового разделения двух полимеров с различным коэффициентом преломления.

Мономеры двух полимеров могут являться смешивающимися на молекулярном уровне в зависимости от температуры и давления. Результирующая смесь имеет эффективный коэффициент преломления, определяемый хорошо известными правилами смешения.

Если в одном из мономеров начинается реакция полимеризации, например, посредством УФ облучения, начинают формироваться области полимера, и смешиваемость смеси может значительно уменьшиться: произойдет разделение фаз. Области полимера будут расти за счет масс-диффузии первого мономера. Если размер областей приблизится к оптическому размеру (микрометры), то начнет происходить рассеяние света, поскольку коэффициент преломления начинает проявлять сильные разрывности на границах области полимера.

В результате второй мономер может также полимеризироваться, например, за счет нагрева, при этом образуется новый материал с разделением фаз.

Таким образом, смесь двух или более мономеров может разделяться по фазе под воздействием излучения СИДа. В результате после разделения фаз все мономеры полимеризуются с целью стабилизации материала соединения.

Могут использоваться те же примеры материалов, что и приведенные выше, а именно Merck PN393 или Norland 73 может использоваться в качестве полимера, а TL205 - в качестве добавки.

В еще одном примере используется создаваемый внешним источником профиль распределения температур.

Расположение, плотность и размер полостей могут постепенно изменяться по толщине пленки (перпендикулярно плоскости) путем создания внешним источником профиля распределения температур по полимеру, например горячего внизу и более холодного на верхней поверхности (или наоборот). В соответствии с другим вариантом для создания встроенных структур может применяться чередующийся профиль (перпендикулярно плоскости) горячих и холодных областей в шахматном порядке.

Данное изобретение представляет особый интерес для сигнализационных панелей, декоративного освещения, такого как лампы, остекления, архитектурно-строительного стекла и окон с обеспечением секретности, а также для тыловой подсветки жидкокристаллических дисплеев (LCD). Возможны и другие применения, например мебель и прочие декоративные элементы.

Приведенные выше примеры основаны на СИДах. Однако СИДы можно заменить любым другим источником света (электрической лампой, флуоресцентной лампой с холодным катодом (CCFL), компактной люминесцентной лампой (CFL), органическими СИДами (OLED)).

При осуществлении заявляемого изобретения по результатам изучения чертежей, описания и прилагаемой формулы изобретения специалисты могут понять и реализовать другие модификации. В формуле изобретения слово «содержащий» не исключает другие элементы или этапы, а неопределенный артикль не исключает множества. Сам по себе тот факт, что некоторые критерии излагаются в различных зависимых пунктах формулы изобретения, не означает, что совокупность этих критериев не может использоваться с пользой. Любые ссылочные позиции в формуле изобретения не должны толковаться как ограничивающие объем изобретения.

1. Устройство с выходным оптическим излучением, содержащее:

- матрицу источников (34) света;

- инкапсулирующий слой (32), внутри которого встроена матрица источников света;

- матрицу полостей (30) с коэффициентом преломления, отличающимся от коэффициента преломления инкапсулирующего слоя, сформированных в инкапсулирующем слое (32), причем полости (30) имеют численную плотность или размер, которые зависят от их близости к положениям источников света, причем инкапсулирующий слой (32) содержит полимерную матрицу с добавкой, имеющей более низкую температуру кипения, чем матрица, и причем добавка выполнена с возможностью испарения посредством по меньшей мере одного из тепла и света источников света.

2. Способ изготовления устройства с выходным оптическим излучением, содержащий этапы:

- встраивания матрицы источников (34) света в инкапсулирующий слой (32), причем инкапсулирующий слой (32) содержит полимерную матрицу и добавку с более низкой температурой кипения, чем матрица; и

- формирования матрицы полостей (30) с коэффициентом преломления, отличающимся от коэффициента преломления инкапсулирующего слоя (32), в инкапсулирующем слое, причем полости (30) имеют численную плотность или размер, которые зависят от их близости к положениям источников света, причем матрица полостей (30) выполнена путем испарения добавки посредством использования по меньшей мере одного из тепла и света источников света.



 

Похожие патенты:

Светоизлучающее устройство содержит твердотельный источник (101) света, выполненный с возможностью излучения первичного света (L1); преобразующий длину волны элемент (102), включающий множество преобразующих длину волны областей (102a, 102b, 102c и т.д.) для преобразования первичного света во вторичный свет (L2), при этом каждая преобразующая длину волны область посредством этого обеспечивает поддиапазон полного спектра светового выхода, причем по меньшей мере некоторые из упомянутых преобразующих длину волны областей расположены в виде массива и содержат квантовые точки, при этом разные преобразующие длину волны области содержат квантовые точки, имеющие разные диапазоны излучения вторичного света, обеспечивающие разные поддиапазоны полного спектра светового выхода, и при этом поддиапазон, обеспечиваемый каждой преобразующей длину волны областью перекрывается или является смежным с по меньшей мере одним другим поддиапазоном, обеспечиваемым другой преобразующей длину волны областью, при этом упомянутые преобразующие длину волны области вместе обеспечивают вторичный свет, включающий в себя все длины волн диапазона от 400 нм до 800 нм.

Настоящее раскрытие относится к устройствам отображения, использующим полупроводниковые светоизлучающие устройства. Устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно изобретению может включать в себя первую подложку, содержащую электродную часть, проводящий адгезионный слой, расположенный на первой подложке, и множество полупроводниковых светоизлучающих устройств, по меньшей мере часть из которых утоплены в верхней области проводящего адгезионного слоя, чтобы составить отдельные пиксели с электрическим соединением с электродной частью, причем проводящий адгезионный слой содержит непрозрачную смолу, чтобы блокировать свет между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами.

Согласно изобретению предложен способ изготовления модульного кристалла светоизлучающего диода (LED), содержащий этапы, на которых формируют множество LED-кристаллов, каждый LED-кристалл содержит множество полупроводниковых слоев и по меньшей мере один металлический электрод, сформированный на нижней поверхности каждого из LED-кристаллов для электрического контакта с по меньшей мере одним из полупроводниковых слоев, при этом каждый из LED-кристаллов имеет верхнюю поверхность и боковые поверхности; при этом по меньшей мере один металлический электрод имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность, противоположную верхней поверхности; верхняя поверхность по меньшей мере одного металлического электрода сформирована на нижней поверхности LED-кристалла, устанавливают множество LED-кристаллов на временную поддерживающую структуру; отливают цельный материал поверх LED-кристаллов, который инкапсулирует по меньшей мере верхнюю поверхность и боковые поверхности LED-кристаллов и формирует линзу поверх верхней поверхности каждого из LED-кристаллов, цельный материал не покрывает нижнюю поверхность по меньшей мере одного металлического электрода и имеет основание, которое проходит вниз к временной поддерживающей структуре и к нижней поверхности LED-кристаллов, выполняют отверждение цельного материала, для соединения LED-кристаллов вместе, удаляют LED-кристаллы и цельный материал с поддерживающей структуры и разделяют цельный материал так, что по меньшей мере один металлический электрод остается открытым для присоединения с другим электродом после формирования линзы.

Изобретение относится к люминесцентному материалу на основе люминесцентных наночастиц и к осветительному устройству на их основе для преобразования света от источника света.

Способ изготовления эпитаксиальной структуры включает в себя обеспечение подложки и гетеропереходного пакета на первой стороне подложки и формирование пакета светоизлучающего диода на GaN на второй стороне подложки.

Изобретение относится к красному люминесцентному материалу и содержащему его осветительному устройству. Осветительное устройство включает световой источник, выполненный с возможностью генерировать свет светового источника, и люминесцентный материал в форме частиц, выполненный с возможностью преобразовывать по меньшей мере часть света светового источника в свет люминесцентного материала.

Светодиодная матрица относится к области информационной техники и может быть использована при построении крупногабаритных матричных экранов и иных средств отображения визуальной информации.

Изобретение относится к люминофору, содержащему М2АХ6, легированному четырехвалентным марганцем. При этом М включает одновалентные катионы, по меньшей мере включая калий и рубидий, причем А включает четырехвалентный катион, по меньшей мере включая кремний, причем Х включает одновалентный анион, по меньшей мере включая фтор, и причем М2АХ6 имеет гексагональную фазу.

Изобретение относится к осветительному устройству, содержащему преобразователь цвета. Осветительное устройство содержит по меньшей мере один светодиод и по меньшей мере один преобразователь цвета.

Изобретение относится к области светотехники, в частности к изготовлению светодиодной полосы, включающей светодиодный чип, встроенный резистор, магнит, инкапсуляционную скобу полосы и источник питания.

Изобретение относится к отрезаемому по замеру устройству отображения и способу конструирования такого устройства, в частности, изобретение относится к матрице светодиодов (светоизлучающих диодов, СИД) и соответствующим управляющим устройствам.

Изобретение относится к сборке светоизлучающих диодов для создания сигнальной информации. Первый органический светоизлучающий диод (101) содержит первый светоизлучающий слой (105), расположенный на электроде первой подложки (107), и непросвечивающий первый электрод (109), расположенный на первом светоизлучающем слое (105).

Изобретение относится к указателю пути, например пути эвакуации при пожаре, размещаемому в полу или стене. .

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для отображения информации в устройствах индикации . .

Изобретение относится к области технической светотехники и может быть использовано при изготовлении осветительных приборов. Фотолюминофор нейтрально-белого свечения со структурой граната на основе оксидов редкоземельных элементов и элементов IIIa подгруппы имеет следующую химическую формулу: (ΣLn,Bi)3[(ΣMl)2][AlO4-x(F,N)x]3, где Ln - лантаноиды Y, Се, Lu, Tb; Ml - В, Al, Ga; [х]≤0,2 атомных долей. Фотолюминофор имеет кристаллографическую структуру граната с принадлежностью к пространственной группе 1a3d, параметром кубической кристаллической решетки «а» более 12 ангстрем , возрастающим при увеличении концентрации Се3+. Светодиод нейтрально-белого свечения включает нитридную гетероструктуру GaInN 1 и находящийся в контакте с ней гетерофазный равнотолщинный переизлучающий конвертер 4, выполненный из радиационно стойкого поликарбоната в качестве дисперсионной среды и 12-26% вышеуказанного фотолюминофора в качестве дисперсной фазы. Толщина конвертера 4 составляет 60-120 мкм. Светодиод также включает конический керамический светосборник 6 с коэффициентом отражения внутренней поверхности более 96% и полусферическую крышку 7 из оптически прозрачного полимера, радиус кривизны которой выбран таким, что точка фокуса находится в геометрическом центре переизлучающего конвертера 4. Фотолюминофор нейтрально-белого свечения обладает повышенной термоустойчивостью, а светодиод – светоотдачей более 170 лм/Вт. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 10 ил., 1 табл.
Наверх