Способ изготовления пластины маски и подложки матрицы

Авторы патента:


Способ изготовления пластины маски и подложки матрицы
Способ изготовления пластины маски и подложки матрицы
Способ изготовления пластины маски и подложки матрицы
Способ изготовления пластины маски и подложки матрицы
Способ изготовления пластины маски и подложки матрицы
Способ изготовления пластины маски и подложки матрицы

 

H01L51/50 - Приборы на твердом теле, предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения или конденсаторы или резисторы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером; с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей (способы или устройства для обработки неорганических полупроводниковых тел, включающей в себя образование или обработку органических слоев на них H01L 21/00,H01L 21/312,H01L 21/47)

Владельцы патента RU 2619817:

ШЭНЬЧЖЭНЬ ЧАЙНА СТАР ОПТОЭЛЕКТРОНИКС ТЕКНОЛОДЖИ КО., ЛТД. (CN)

Использование: для изготовления пластины маски и подложки матрицы. Сущность изобретения заключается в том, что пластина маски включает рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, при этом эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна, и каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из нескольких линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения, имеющей две или больше кривых частей, эти несколько кривых частей имеют S-образную форму и расположены непрерывно, и у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения разницы в уровнях сопротивления между веерными проводниками. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 6 ил.

 

ПРЕДПОСЫЛКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Область техники

Настоящее изобретение относится к области изготовления дисплеев, более конкретно к способу изготовления пластины маски и подложки матрицы.

2. Описание уровня техники

Панель отображения информации для изготовления дисплея включает панель LCD (жидкокристаллический дисплей) и панель OLED (органических светодиодов). Все они необходимы для фотолитографии, чтобы сформировать микросхему.

Процесс фотолитографии в основном включает четыре этапа: нанесение, экспонирование, проявление и травление фоторезиста. После формирования металлического слоя на стеклянную подложку наносят покрытие из фоторезиста, и на металлическом слое формируют слой фоторезиста. Затем слой фоторезиста экспонируют. После проявления экспонированного слоя фоторезиста, последний образует заданный рисунок микросхемы. В заключение металлический слой травят, при этом металл без защиты фоторезиста вытравливается, и оставшийся металл образует микросхему.

Хорошо известно, что панель отображения информации включает эффективную область отображения (АА, активная область) и неэффективную область отображения, окружающую эффективную область отображения. Эффективная область отображения включает разные линии сигнала, такие как строки развертки и строки данных. Неэффективная область включает расходящиеся веером проводники (далее "веерные проводники"), при этом один конец каждого веерного проводника соединен с линией сигнала, и другой конец каждого веерного проводника соединен с периферическим задающим чипом. Со ссылкой на Фиг. 1, где представлен схематический вид панели дисплея, известной из уровня техники, а также увеличенный вид веерных проводников. Поскольку веерные проводники соединены с соответствующими линиями сигнала, когда они передают сигналы, веерные проводники функционируют как нагрузка сигналов. Если веерные проводники все прямые, то эффективные длины веерных проводников на наружной периферии больше, чем эффективные длины средней части веерных проводников, так что сопротивления веерных проводников на наружной периферии больше, чем сопротивления средней части веерных проводников. Поэтому разные линии сигнала будут иметь разные нагрузки, чтобы влиять на передачу сигнала, что приводит к неравномерности отображения изображения на дисплее. Это явление называется неравномерностью отображения (дефекты Мура). Для преодоления этой проблемы средние части веерных проводников изгибают, чтобы увеличить эффективные длины веерных проводников в средней части, что может уменьшать разницу в сопротивлениях веерных проводников на наружной периферии.

Однако при использовании процесса фотолитографии, известного из уровня техники, вследствие ограниченных возможностей этого процесса в кривой части веерного проводника часто трудно достигнуть заданной ширины линии, что приводит к дальнейшему увеличению разницы в сопротивлениях. Со ссылкой на Фиг. 2, где приведен чертеж сравнения веерного проводника на панели отображения информации, выполненного до и после известным способом. Часть (а) Фиг. 2 показывает желательную форму кривой части веерного проводника до формирования. Ширина линии в кривой части равна ширине линии в другой части. Часть (b) Фиг. 2 показывает фактическую форму кривой части веерного проводника после формирования, выполненного известным процессом фотолитографии. Ширина линии кривой части больше, чем ширина линии другой части.

Причины такого результата заключаются в следующем: на этапе экспонирования трудно получить полностью коллимированный световой путь, поскольку бокового света мало. Область экспонирования будет освещаться коллимированным светом и боковым светом одновременно. Для части (b) Фиг. 2 область А веерного проводника не освещается светом, поскольку область А окружена тремя сторонами, то есть область А не экспонируется боковым светом на трех сторонах, но остальная область освещается коллимированным светом и боковым светом. Поэтому светочувствительная интенсивность области А меньше, чем у других экспонируемых областей, и химическая реакция фоторезиста проходит медленнее, так что при проявлении и травлении на последующих этапах скорость проявления и скорость травления области А меньше, чем на других экспонируемых областях. В заключение, кривая часть веерного проводника увеличивает область А, так что ширина линии кривой части веерного проводника увеличивается, и сопротивление соответственно уменьшается, так что разница в сопротивлениях становится больше.

РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Главная цель настоящего изобретения заключается в том, чтобы предложить способ изготовления пластины маски и подложки матрицы для уменьшения разницы в уровнях сопротивления между веерными проводниками.

Техническая задача, решенная настоящим изобретением, состоит в том, чтобы предложить пластину маски для изготовления веерных проводников в неэффективной области отображения на подложке матрицы, включающую: рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, причем эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна, и каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из нескольких линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения, имеющей две или больше кривых частей, эти кривые части имеют S-образную форму и расположены непрерывно, и у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения.

При этом заданная ширина каждой линии веерного тиснения равна.

При этом заданная ширина в средней части линий веерного тиснения меньше, чем заданная ширина линии в краевой части линий веерного тиснения.

При этом заданная ширина линий веерного тиснения увеличивается постепенно от средней части до краевой части.

Для того чтобы решить вышеуказанную техническую задачу, еще одним техническим решением, предложенным настоящим изобретением, является пластина маски для изготовления веерных проводников в неэффективной области отображения на подложке матрицы, включающая: рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, при этом каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из нескольких линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения.

При этом у одной линии веерного тиснения имеющей две или больше кривых частей эти несколько кривых частей имеют S-образную форму и расположены непрерывно.

При этом заданная ширина каждой линии веерного тиснения равна.

При этом заданные значения ширины линий в средней части линий веерного тиснения меньше, чем заданные значения ширины линий в краевой части линий веерного тиснения.

При этом заданные значения ширины линий веерного тиснения увеличиваются постепенно от средней части до краевой части.

При этом эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна.

Для того чтобы решить вышеуказанную техническую задачу, еще одним техническим решением, предложенным настоящим изобретением, является способ изготовления подложки матрицы, который включает:

предоставление стеклянной подложки и последующее формирование металлического слоя и слоя фоторезиста на стеклянной подложке;

предоставление пластины маски и использование этой пластины маски для экспонирования стеклянной подложки, при этом скорость экспонирования в положении слоя фоторезиста, соответствующем кривой части, меньше, чем скорость экспонирования в другом положении слоя фоторезиста, при этом пластина маски включает рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, при этом каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из некоторых линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения;

проявление стеклянной подложки и перенос печати рисунка веерных проводников на слой фоторезиста, при этом скорость проявления в положении слоя фоторезиста, соответствующем кривой части, меньше, чем скорость проявления в другом положении; и

травление металлического слоя, чтобы сформировать веерные проводники на стеклянной подложке, при этом скорость травления в положении металлического слоя, соответствующем кривой части, меньше, чем скорость травления в другом положении, так что ширина линии веерного проводника, соответствующего кривой части, меньше, чем заданная ширина линии или равна ей.

При этом слой фоторезиста выполняют из положительного фоторезиста, и рисунок веерных проводников является не полым рисунком.

При этом слой фоторезиста выполняют из отрицательного фоторезиста, и рисунок веерных проводников является полым рисунком.

При этом у одной линии веерного тиснения, имеющей две или больше кривых частей, эти несколько кривых частей имеют S-образную форму и расположены непрерывно.

При этом заданная ширина каждой линии веерного тиснения равна.

При этом заданные значения ширины линий в средней части линий веерного тиснения , чем заданные значения ширины линий в краевой части линий веерного тиснения.

При этом заданные значения ширины линий веерного тиснения увеличиваются постепенно от средней части до краевой части.

При этом эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна.

Вкратце, в способе изготовления пластины маски и подложки матрицы настоящего изобретения ширина линии в кривой части линии веерного тиснения меньше, чем заданная ширина линии в кривой части линии веерного тиснения. Светочувствительная интенсивность слоя фоторезиста в положении кривой части слабее, чем светочувствительная интенсивность слоя фоторезиста в другом положении кривой части. После проявления и травления ширина линии веерного проводника, соответствующего кривой части, меньше, чем заданная ширина линии или равна ей, чтобы уменьшить разницу в уровнях сопротивления между веерными проводниками и устранить явление неравномерности отображения.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Фиг. 1 - схематический вид панели отображения информации, известной из уровня техники, и увеличенный вид веерных проводников;

Фиг. 2 - чертеж сравнения веерного проводника на панели отображения информации, выполненный до и после в соответствии с известным уровнем техники;

Фиг. 3 - схематический чертеж пластины маски согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения;

Фиг. 4 - увеличенный вид одной линии веерного тиснения пластины маски, показанной на Фиг. 3;

Фиг. 5 - схема процесса, иллюстрирующая способ изготовления подложки матрицы согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения; и

Фиг. 6 - чертеж сравнения слоя фоторезиста на стеклянной подложке на этапах экспонирования и проявления согласно способу изготовления с Фиг. 5.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНОГО ВАРИАНТА ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

В следующем тексте сделаны ссылки на чертежи и взят вариант осуществления для подробного описания настоящего изобретения.

Рассмотрим Фиг. 3 и Фиг. 4 совместно. На Фиг. 3 представлен схематический чертеж пластины маски согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. На Фиг. 4 представлен увеличенный вид одной линии веерного тиснения пластины маски, показанной на Фиг. 3.

Пластина маски 30 предназначена для изготовления веерных проводников в неэффективной области отображения на подложке матрицы. Пластина маски 30 включает рисунок веерных проводников 31, и рисунок веерных проводников 31 соответствует веерным проводникам в неэффективной области отображения, то есть используя пластину маски 30 для экспонирования, рисунок веерных проводников 31 можно перенести на рисунок веерных проводников на подложке матрицы. Рисунок веерных проводников 31 имеет форму веера, и веерные проводники, выполненные по рисунку веерных проводников 31, также будут распределены в форме веера.

Рисунок веерных проводников 31 имеет некоторое число линий веерного тиснения 310. Каждая линия веерного тиснения 310 имеет определенную ширину L1, и определенная ширина L1 соответствует ширине линии по проектному значению. Некоторые из линий веерного тиснения 310 имеют кривые части 311. Поскольку линии веерного тиснения 310 соответствуют веерным проводникам, длины линий веерного тиснения 310 определяют длины веерных проводников. Если эффективные длины линий веерного тиснения 310 разные, эффективные длины веерных проводников также будут разными. Поэтому разница в значениях сопротивления между веерными проводниками будет увеличиваться. Кривые части 311 могут увеличивать эффективные длины линий веерного тиснения 310. В данном варианте осуществления, линии веерного тиснения 310 имеют равные эффективные длины.

У одной линии веерного тиснения, ширина линии L2 в кривой части 311 линии веерного тиснения 310 меньше, чем определенная ширина L1 линии веерного тиснения 310. У линий тиснения разветвления 310 без кривой части 311 значения ширины линии в каждом из положений равны определенной ширине L1. У линии веерного тиснения 310, имеющей две или больше кривых частей 311, эти несколько кривых частей 311 имеют S-образную форму и расположены непрерывно (как показано на Фиг. 4).

Определенная ширина L1 каждой линии веерного тиснения 310 может быть одинаковой или разной. В данном варианте осуществления заданная ширина линии L1 каждой линии веерного тиснения 310 одинаковая. В еще одном варианте осуществления заданные значения ширины линий L1 на рисунке 31 в средней части линий веерного тиснения 310 веерного проводника меньше, чем заданные значения ширины линий L1 на рисунке 31 в краевой части линий веерного тиснения 310 веерного проводника. В частности, заданные значения ширины линий L1 данного числа линий веерного тиснения 310 увеличиваются постепенно от средней части до краевой части.

Когда эффективные длины в средней части линий веерного тиснения 310 веерного проводника на рисунке 31 меньше, чем эффективные длины в краевой части линий веерного тиснения 310 веерного проводника на рисунке 31, если заданная ширина линии sL1 в средней части линий веерного тиснения 310 веерного проводника на рисунке 31 меньше, чем заданные значения ширины линий L1 в краевой части линий веерного тиснения 310 веерного проводника на рисунке 31, получается так, что сопротивления на единицу длины в средней части веерных проводников больше, чем сопротивления на единицу длины в краевой части веерных проводников, что может уменьшать разницу в уровнях сопротивления между веерными проводниками.

Со ссылкой на Фиг. 5, где представлена схема процесса, иллюстрирующая способ изготовления подложки матрицы согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. Способ изготовления включает следующие этапы.

Этап S51: предоставление стеклянной подложки и последующее формирование металлического слоя и слоя фоторезиста на стеклянной подложке.

При этом металлический слой может быть сформирован путем осаждения, и слой фоторезиста может быть сформирован путем нанесения.

Этап S52: предоставление пластины маски и использование этой пластины маски для экспонирования стеклянной подложки, при этом скорость экспонирования в положении слоя фоторезиста, соответствующем кривой части 311, меньше, чем скорость экспонирования в другом положении слоя фоторезиста.

При этом пластиной маски является пластина маски 30, описанная в предыдущем варианте осуществления. В данном варианте осуществления слой фоторезиста выполнен из положительного фоторезиста. Рисунок веерных проводников 31 является не полым рисунком. То есть фоторезист, который формирует веерные проводники, не требуется облучать.

Поскольку ширина линии L2 в кривой части 311 линии веерного тиснения 310 меньше, чем заданная ширина линии L1, слой фоторезиста, соответствующего кривой части 311, имеет более слабую светочувствительную интенсивность, так что химическая реакция фоторезиста во внутренней части кривой части 311 слабее. Например, смотрите также Фиг. 6, на которой представлен чертеж сравнения слоя фоторезиста на стеклянной подложке на этапах экспонирования и проявления согласно способу изготовления, показанному на Фиг. 5.

Часть (а) Фиг. 6 представляет собой схематический чертеж слоя фоторезиста на этапе экспонирования. После экспонирования через пластину маски 30 положение слоя фоторезиста, соответствующее кривой части 311, т.е. область В, нельзя облучать боковым светом, поскольку оно окружено фоторезистом на трех сторонах. Светочувствительная интенсивность слабее, так что химическая реакция фоторезиста в области В проходит медленнее. Поэтому скорость экспонирования в области В меньше, чем в другом положении.

Этап S53: проявление стеклянной подложки и перенос печати рисунка веерных проводников на слой фоторезиста, при этом скорость проявления в положении слоя фоторезиста, соответствующем кривой части 311, меньше, чем скорость проявления в другом положении.

При этом фоторезист после процесса проявления показан как часть (b) Фиг. 6. Часть (b) Фиг. 6 представляет собой схематический чертеж слоя фоторезиста на этапе проявления. Поскольку химическая реакция фоторезиста в области В проходит очень медленно, химические свойства фоторезиста в основном не изменяются. В процессе проявления скорость проявления очень низкая, и фоторезист не будет смыт проявителем. Фоторезист в области В сохраняется, так что ширина линии фоторезиста, соответствующего кривой части 311, увеличена как показано в части (b) Фиг. 6.

Этап S54: травление металлического слоя для формирования веерных проводников на стеклянной подложке, при этом скорость травления в положении металлического слоя, соответствующего кривой части 311, меньше, чем скорость травления в другом положении, так что ширина линии веерного проводника, соответствующеая кривой части 311, меньше, чем заданная ширина линии или равна ей.

При этом рисунок фоторезиста, остающийся на металлическом слое, соответствует рисунку веерных проводников 31. В процессе травления скорость травления металлического слоя в защищенной области В очень медленная. Поэтому остающийся металлический рисунок соответствует рисунку веерных проводников 31, и ширина линии веерных проводников, соответствующей кривой части 311, меньше чем определенная ширина L1 или равна ей, так что разница в уровнях сопротивления между веерными проводниками будет уменьшена, чтобы устранить явление неравномерности отображения.

В еще одном варианте осуществления слой фоторезиста может быть выполнен из отрицательного фоторезиста, и рисунок веерных проводников 31 является полым рисунком. Независимо от того, является ли фоторезист положительным или отрицательным, фоторезист в области В будет сохранен, так что ширина линии в каждом положении веерных проводников на подложке будет равной и однородной, ширина линии веерного проводника, соответствующего кривой части 311, будет меньше, чем заданная ширина линии.

За счет вышеизложенного процесса в способе изготовления пластины маски и подложки матрицы настоящего изобретения ширина линии в кривой части линии веерного тиснения меньше, чем заданная ширина линии в кривой части линии веерного тиснения. Светочувствительная интенсивность слоя фоторезиста в положении кривой части слабее, чем светочувствительная интенсивность слоя фоторезиста в другом положении кривой части. После проявления и травления ширина линии веерного проводника, соответствующего кривой части, меньше, чем заданная ширина линии или равна ей, чтобы уменьшить разницу в уровнях сопротивления между веерными проводниками и устранить явление неравномерности отображения.

Вышеописанные варианты осуществления настоящего изобретения не используются для ограничения пунктов формулы настоящего изобретения. Любое использование содержимого описания или чертежей настоящего изобретения, которое создает эквивалентные структуры или эквивалентные процессы, или прямо или косвенно используется в других родственных областях техники, также охватывается пунктами формулы настоящего изобретения.

1. Пластина маски для изготовления веерных проводников в неэффективной области отображения на подложке матрицы, включающая:

рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, при этом эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна, и каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из нескольких линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения, имеющей две или больше кривых частей, эти несколько кривых частей имеют S-образную форму и расположены непрерывно, и у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения.

2. Пластина маски по п. 1, отличающаяся тем, что заданная ширина каждой линии веерного тиснения равна.

3. Пластина маски по п. 1, отличающаяся тем, что заданные значения ширины линий в средней части линий веерного тиснения меньше, чем заданные значения ширины линий в краевой части линий веерного тиснения.

4. Пластина маски по п. 1, отличающаяся тем, что заданные значения ширины линий веерного тиснения увеличиваются постепенно от средней части до краевой части.

5. Пластина маски для изготовления веерных проводников в неэффективной области отображения на подложке матрицы, включающая:

рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, при этом каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из нескольких линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения.

6. Пластина маски по п. 5, отличающаяся тем, что у одной линии веерного тиснения, имеющей две или больше кривых частей, эти несколько кривых частей имеют S-образную форму и расположены непрерывно.

7. Пластина маски по п. 5, отличающаяся тем, что заданная ширина каждой линии веерного тиснения равна.

8. Пластина маски по п. 5, отличающаяся тем, что заданные значения ширины линий в средней части линий веерного тиснения меньше, чем заданные значения ширины линий в краевой части линий веерного тиснения.

9. Пластина маски по п. 5, отличающаяся тем, что заданные значения ширины линий веерного тиснения увеличиваются постепенно от средней части до краевой части.

10. Пластина маски по п. 5, отличающаяся тем, что эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна.

11. Способ изготовления подложки матрицы включает:

предоставление стеклянной подложки и последующее формирование металлического слоя и слоя фоторезиста на стеклянной подложке;

предоставление пластины маски и использование этой пластины маски для экспонирования стеклянной подложки, при этом скорость экспонирования в положении слоя фоторезиста, соответствующем кривой части, меньше, чем скорость экспонирования в другом положении слоя фоторезиста, при этом пластина маски включает рисунок веерных проводников, имеющий некоторое число линий веерного тиснения, при этом каждая линия веерного тиснения имеет заданную ширину линии, и каждая из некоторых линий веерного тиснения имеет по меньшей мере одну кривую часть, при этом у одной линии веерного тиснения ширина линии по меньшей мере в одной кривой части меньше, чем заданная ширина линии веерного тиснения;

проявление стеклянной подложки и перенос печати рисунка веерных проводников на слой фоторезиста, при этом скорость проявления в положении слоя фоторезиста, соответствующем кривой части, меньше, чем скорость проявления в другом положении; и

травление металлического слоя для формирования веерных проводников на стеклянной подложке, при этом скорость травления в положении металлического слоя, соответствующем кривой части, меньше, чем скорость травления в другом положении, так что ширина линии веерного проводника, соответствующего кривой части, меньше, чем заданная ширина линии или равна ей.

12. Способ изготовления по п. 11, отличающийся тем, что слой фоторезиста выполнен из положительного фоторезиста, и рисунок веерных проводников является не полым рисунком.

13. Способ изготовления по п. 11, отличающийся тем, что слой фоторезиста выполнен из отрицательного фоторезиста, и рисунок веерных проводников является полым рисунком.

14. Способ изготовления по п. 11, отличающийся тем, что у одной линии веерного тиснения, имеющей две или больше кривых частей, эти несколько кривых частей имеют S-образную форму и расположены непрерывно.

15. Способ изготовления по п. 11, отличающийся тем, что заданная ширина каждой линии веерного тиснения равна.

16. Способ изготовления по п. 11, отличающийся тем, что заданные значения ширины линий в средней части линий веерного тиснения меньше, чем заданные значения ширины линий в краевой части линий веерного тиснения.

17. Способ изготовления по п. 16, отличающийся тем, что заданные значения ширины линий веерного тиснения увеличиваются постепенно от средней части до краевой части.

18. Способ изготовления по п. 11, отличающийся тем, что эффективная длина каждой линии веерного тиснения равна.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к барьерным полимерным пленкам и касается инкапсулирующей барьерной многослойной структуры, способной инкапсулировать изделие, чувствительное к влаге и/или кислороду.

Изобретение относится к области полупроводниковой, органической и гибридной оптоэлектроники и может быть использовано в системах обработки оптической информации.

Изобретение относится к преобразующему длину волны элементу для светоизлучающих устройств. Преобразующий длину волны элемент включает полимерный материал, содержащий преобразующую длину волны составляющую, способную преобразовывать свет первой длины волны в свет второй длины волны.

Изобретение относится к многослойному пакету на подложке для использования в качестве капсулы. Многослойный пакет содержит: один или более неорганических барьерных слоев для снижения переноса через них молекул газа или пара; неорганический химически активный слой, содержащий неорганический связующий материал и расположенный смежно с одним или более неорганическими барьерными слоями, и химически активный слой обладает способностью вступать в реакцию с молекулами газа или пара.

Изобретение описывает устройство ОСИД (1), содержащее органический слой (3), который испускает свет (L1) при работе и который расположен между, по существу, прозрачным анодным слоем (5) и по существу непрозрачным катодным слоем (7).

Изобретение относится к новым соединениям в ряду хелатных комплексов иридия, а именно к бис(2-фенилпиридинато-N,С2′){2-[2′-(4-алкилбензолсульфонамидо)фенил]бензоксазолато-N,N′}иридия(III) формулы I где R = алкил (С1-С6).

Изобретение относится к микродисплею на основе органического светоизлучающего светодиода и способу его получения. Светоизлучающая матрица, использующая в качестве элементов матрицы пиксели на основе светоизлучающих органических диодов белого цвета свечения для применения в составе микродисплея, содержит кремниевую подложку с активно-матричной схемой управления и слоем анода из нитрида титана, р+-легированный дырочно-инжекционный слой, дырочно-инжекционный слой, дырочно-транспортный слой, инжекционный слой голубого цвета свечения, разделительный слой, красно-зеленый инжекционный слой, дырочно-блокирующий слой, электронно-транспортный слой, электронно-инжекционный слой, слой катода из серебряно-магниевого сплава, слой тонкопленочной герметизации AlxOy, нанесенный методом магнетронного напыления, слой тонкопленочной герметизации AlxOy, нанесенный методом атомно-слоевого осаждения, герметизирующий слой (филлер), стеклянную крышку.

Настоящее изобретение относится к использованию производных фуллеренов в оптоэлектронных устройствах, таких как фотовольтаические ячейки, формулы (I): , где F - [60]фуллерен или [70]фуллерен, М представляет собой COOH, r представляет собой целое число от 2 до 8, Z представляет собой группу -(СН2)n-, Ar, или -S-, n представляет собой число от 1 до 12, Y представляет собой алифатическую С1-С12 углеродную цепь, Ar представляет собой фенил, бифенил или нафтил и X представляет собой Н, Cl или независимую от Y С1-С12 углеродную цепь.

Изобретение относится к способу герметизации микродисплеев на основе органических электролюминесцентных материалов и может быть использовано при изготовлении микродисплеев OLED на кремниевой подложке.

Предлагается прозрачный фотогальванический элемент, содержащий прозрачную подложку и первый прозрачный активный материал, расположенный поверх подложки. Первый активный материал имеет пик поглощения при длине волны более чем приблизительно 650 нанометров.

Изобретение относится к области технологии изготовления многоуровневой металлизации сверхбольших интегральных микросхем. В способе формирования системы многоуровневой металлизации для высокотемпературных интегральных микросхем, включающем операции нанесения диэлектрических и металлических слоев, фотолитографию и травление канавок в этих слоях, нанесение барьерного и зародышевого слоев, нанесение слоя металла и его ХМП, процесс формирования одного уровня металлической разводки включает следующую последовательность основных операций: на пластину кремния со сформированным транзисторным циклом наносится слой вольфрама для формирования горизонтальных проводников, проводится его ХМП и сквозное травления областей под заполнение проводящим барьерным слоем нитрида титана и диэлектриком, ХМП диэлектрика, нанесение барьерного слоя нитрида титана и слоя вольфрама для формирования вертикальных проводников, ХМП слоя вольфрама, сквозное травление областей под заполнение диэлектрическим барьерным слоем нитрида кремния и диэлектриком, ХМП диэлектрика с последующим покрытием полученной структуры проводящим барьерным слоем нитрида титана.

Изобретение относится к устройству (10) с переходными отверстиями в подложке, содержащему подложку (12), выполненную из материала подложки и имеющую первую поверхность (12а) подложки и вторую поверхность (12b) подложки, противоположную первой поверхности (12а) подложки.

Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации сверхбольших интегральных микросхем (СБИС). Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС многократным повторением процессов изготовления типовых структур, состоящих из медных горизонтальных и вертикальных проводников и окружающих их диэлектрических слоев с низким значением эффективной диэлектрической постоянной, включает нанесение на полупроводниковую пластину металлических слоев, фотолитографию, локальное электрохимическое нанесение меди и защитных слоев на ее поверхность.

Изобретение относится к способу выполнения отверстия в слое материала. Создают первые и вторые адгезивные области на поверхности подложки.

Изобретение относится к технологии изготовления сверхбольших интегральных схем (СБИС) в части формирования многоуровневых металлических соединений. Способ формирования многоуровневых медных межсоединений СБИС по процессу двойного Дамасцена через двухслойную жесткую маску включает нанесение слоя изолирующего диэлектрика на пластину, в теле которого будут формироваться проводники многоуровневой металлизации интегральной схемы, нанесение поверх изолирующего диэлектрика нижнего слоя двухслойной жесткой маски двуокиси кремния и верхнего слоя двухслойной жесткой маски, формирование на верхнем слое двухслойной жесткой маски топологической маски из резиста, травление верхнего слоя двухслойной жесткой маски по топологической маске из резиста, удаление остаточного резиста с поверхности топологического рисунка, сформированного в верхнем слое двухслойной жесткой маски, травление нижнего слоя двухслойной жесткой маски двуокиси кремния по топологическому рисунку верхнего слоя двухслойной жесткой маски, вытравливание траншей и переходных контактных окон в слое изолирующего диэлектрика по топологическому рисунку в двухслойной жесткой маске, заполнение сформированных траншей и переходных контактных окон слоем металлизации и удаление избыточного объема нанесенного металла с поверхности пластин, при этом в качестве материала верхнего слоя жесткой маски используют слой вольфрама.

Изобретение относится к подложке схемы, дисплейной панели и дисплейному устройству. .

Изобретение относится к подложке панели отображения и панели отображения на подложке. .

Изобретение относится к способу изготовления устройства полупроводниковой памяти, которое является стойким к окислению разрядных шин. .
Наверх