Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприёмников и способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться при создании матричных фотоприемников. Заявляемые зондовая установка и способ позволяют проводить межоперационный контроль матричных фотоприемников при температуре жидкого азота и различных фоновых условиях с подсчетом и исключением дефектных элементов исходя из качества полученного изображения с помощью ИК объектива после проведения двухточечной коррекции и оценкой объемной диффузионной длины по чувствительности до утоньшения матричного фотоприемника в установке открытого типа с помощью многоконтактной зондовой головки с фиксированным расположением зондов, прижимающей матричные фотоприемники к пьедесталу, расположенному в теплоизолирующей чашке, залитой жидким азотом до уровня, не превышающего верхнего уровня пьедестала. Технический результат - ускорение процесса межоперационного контроля матричных фотоприемников при температуре жидкого азота, где время термоцикла в основном ограничено временем охлаждения пьедестала. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 8 ил.

 

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников (ФП) и может использоваться при создании матричных фотоприемников (МФП) различного назначения.

Известен способ изготовления матричного фотоприемника, описанный в [RU 2460174 C1], в котором фоточувствительный элемент из InSb утоньшался, как правило, до толщины 8-12 мкм. Такой способ изготовления предполагает проведение технологического контроля МФП до и после утоньшения при температуре жидкого азота. Однако при обычном способе контроля изготовленный фоточувствительный модуль, как показано на фиг. 2, после гибридизации БИС считывания (2) и матрицы фоточувствительных элементов (1) при помощи индиевых микроконтактов приклеивался криостойким клеем на растр (3, типично из сапфира) и разваривался проволочками. Далее БИС считывания (2) разваривалась на растр (3). После приклейки сборки с помощью временного клеевого соединения со стеклянным держателем проводилась разварка проволочками с растра на контакты держателя. После чего проводилось откачивание внутренней полости и герметизация через стеклянный спай (4). Далее проводился контроль фотоэлектрических параметров. При таком способе практически невозможен межоперационный контроль (например, до и после утоньшения), а финишный контроль перед сборкой на штатный держатель трудоемок и длителен. Аналогичными недостатками обладает тестирование с помощью металлического криостата, описанного в патенте [RU 2492435 C1].

С другой стороны, существует множество контактных устройств с фиксированным расположением зондов [см. ссылки в патенте US 8410806 В2], однако, они не позволяют охлаждать МФП до температуры жидкого азота [Автомат зондового контроля ЭМ-6290 компании ПЛАНАР-СО, ОАО, Минск (Беларусь), http://planar-so.all.biz/ru/avtomat-zondovogo-kontrolya-em-6290-g176176. Устройство контактное с фиксированным расположением зондов - УКФ, КБТЭМ-СО, УП, Минск (Беларусь), http://belarus.oborudunion.ru/company.php?comp=2461065. Устройства для зондового контроля полупроводниковых приборов, НП ООО СПЕКТРИН, Минская область, г. Держинск (Беларусь), http://www.spektrin.com/ru/about/. Устройства контактные с фиксированной топологией зондов УКФ, УП «Аранэй», Минская область, Минский район, район деревни Боровая 1 (Беларусь)].

Наиболее близким аналогом заявляемого устройства является полуавтоматическая криогенная зондовая установка фирмы Cascade Microtech, Inc [РАС200: 200 mm Semi-automated Cryogenic Probe System, Cascade Microtech, Inc., www.cascademicrotech.com], которая позволяет проводить межоперационный контроль МФП на пластинах и отдельных чипах при криогенных температурах. Однако такая многофункциональная и дорогостоящая система не позволяет проводить тестирование достаточно оперативно из-за необходимости откачки внутреннего значительного объема до охлаждения, во время охлаждения и во время отогревания. Характерное время термоцикла такой системы составляет величину существенно больше 1 часа.

Заявляемое изобретение решает задачу оперативного межоперационного контроля матричных фотоприемников при температуре жидкого азота, где время термоцикла в основном ограничено временем охлаждения пьедестала (5 на фиг. 3) и может достигать пяти-десяти минут. Для этого использовалась зондовая установка открытого типа, как показано на фиг. 1, которая позволяла проводить охлаждения без временных затрат на откачку внутреннего объема. Основу ее составляло сменное контактное устройство с фиксированным расположением зондов, которое совмещалось с МФП, размещенном на съемном пьедестале (5) с помощью подвижек с микрометрическими винтами по осям X, Y, Z, поворотного механизма теплоизолированной чашки и микроскопа, размещенного на штанге с возможностью перемещения по окружности и радиусу (см. фиг. 1).

Сущность изобретения поясняется чертежами:

На фиг. 1 показан рисунок открытой зондовой установки ускоренного тестирования матричных фотоприемников при температуре жидкого азота.

На фиг. 2 показан рисунок стеклянного криостата, предназначенного для обычного способа тестирования МФП перед сборкой на держатель в штатный корпус.

На фиг. 3 показан рисунок, поясняющий конструкцию охлаждаемого держателя.

На фиг. 4 показан рисунок, поясняющий взаимодействие контактного устройства с фиксированным расположением зондов (УКФ) и МФП, размещенного на пьедестале.

На фиг. 5 показан рисунок, поясняющий способ измерения с фоном, регулируемым экраном, охлаждаемым парами азота.

На фиг. 6 показан рисунок, поясняющий способ измерения с минимальным фоном, создаваемым зеркальной металлической поверхностью, размещенной на минимальном расстоянии от МФП и охлаждаемой парами азота.

На фиг. 7 показан рисунок, полученный на зондовой установке открытого типа при температуре жидкого азота, поясняющий способ измерения дефектности и чувствительности после операции гибридизации матричного фотоприемника на основе антимонида индия формата 640×512 элементов с шагом 15 мкм.

На фиг. 8 показан рисунок, полученный на зондовой установке открытого типа при температуре жидкого азота, поясняющий способ измерения дефектности и чувствительности фотоприемных элементов после операции утоньшения и просветления матричного фотоприемника на основе антимонида индия формата 640×512 элементов с шагом 15 мкм.

Технический результат достигается тем, что в зондовой установке осуществляют ускоренный способ тестирования матричных фотоприемников для межоперационного контроля при температуре жидкого азота, тестирование осуществляют на зондовой установке открытого типа с помощью многоконтактной зондовой головки с фиксированным расположением зондов (УКФ, типично из вольфрама), прижимающей матричные фотоприемники к пьедесталу (типично из меди и тепловой массой, достаточной для стабилизации температуры) с усилием, обеспечивающим надежный тепловой контакт. Сменный пьедестал (5) расположен в свободной посадке теплоизолирующей чашки (6, типично из пенопласта), залитой жидким азотом до уровня (9) не превышающего верхнего уровня пьедестала (фиг. 3). Кроме этого с целью исключения выпадения конденсата на МФП, помимо обеспечения надежного теплового контакта к пьедесталу (5) за счет прижима УКФ, необходимо использовать экран из теплоизоляционного материала (например, пластик) в виде плоского кольца (7), прикрывающего чашку сверху и создающего избыточное давление паров испаряющегося жидкого азота над поверхностью матричного фотоприемника. Также для решения проблемы значительного смещения зондовых иголок (10) в направлении к центру и выходом их за пределы контактных площадок БИС считывания при охлаждении жидким азотом зонды необходимо приклеить к зондовой головке клеем (11) на основе эпоксидной смолы с наполнителем (типично нитридом бора) (фиг. 4).

Для ускорения процесса тестирования тепловую массу пьедестала (5) минимизируют таким образом, чтобы время охлаждения было больше или равно времени выхода МФПУ на основе тестируемого матричного фотоприемника, а пьедестал (5) необходимо установить в свободную посадку термоизолированной чашки (6) для обеспечения быстрой его смены на аналогичный при отогревании зондовой установки после охлаждения. В результате время тестирования при таком термоциклировании уменьшается до 5-10 минут.

На вышеописанной открытой зондовой установке возможно осуществление межоперационного контроля при температуре жидкого азота на следующих этапах формирования матричных фотоприемников: после формирования индиевых микроконтактов на БИС считывания, после гибридизации, после утоньшения матричного фоточувствительного элемента, после просветления тыльной стороны матричного фотоприемника и приклейки его на растр. Также возможно тестированияе при температуре жидкого азота после гибридизации и после утоньшения матричного фоточувствительного элемента с просветлением тыльной стороны матричного фотоприемника при различных фоновых условиях за счет использования набора зеркальных снаружи и черненных изнутри холодных экранов (12) с различным относительным отверстием (типично 1:1, 1:2, 1:3, 1:4) (фиг. 5), а при использовании зеркальной металлической поверхности (13, типично из золота), приближенной на минимальное расстояние к МФП (фиг. 6), возможна оценка уровня и распределения по площади темновых токов. Кроме этого, на зондовой установке при температуре жидкого азота возможно получение изображения тест-объектов с помощью ИК объектива (8) после проведения двухточечной коррекции неоднородности фотоэлементов для качественной оценки МФП, подсчета и исключения дефектных элементов исходя из качества полученного изображения (фиг. 3). Еще одной возможностью является измерение на зондовой установке при температуре жидкого азота чувствительности до утоньшения матричного фотоприемника на основе объемного материала антимонида индия (типично толщиной 500 мкм), по которой возможна оценка объемной диффузионной длины [Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин А.А., Полунеев В.В., Рябова А.А. Характеристики серийных матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия формата 320×256, Успехи прикладной физики №6, 2013, том 1, С. 733-738].

Открытая зондовая установка ускоренного тестирования матричных фотоприемников и способ ускоренного тестирования при температуре жидкого азота были опробованы и используются на предприятии-изготовителе при создании экспериментальных, опытных и серийных образцов матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия [см. последний источник]. Предлагаемая открытая зондовая установка и способ применимы и к матричным фотоприемным устройствам на основе других полупроводниковых материалов (например, на основе QWIP структур).

Пример 1.

Открытая зондовая установка ускоренного тестирования матричных фотоприемников на основе антимонида индия формата 640×512 элементов с шагом 15 мкм при температуре жидкого азота на этапах после гибридизации и после утоньшения, пассивирования и просветления тыльной стороны МФП за счет формирования однослойного покрытия ZnS. В зондовой установке применен пьедестал из меди диаметром 24 мм и высотой 28 мм, свободно расположенный в пенопластовой чашке диаметром 80 мм, глубиной 24 мм и толщиной стенок 10 мм. Сверху чашку прикрывает экран, изготовленный из пластика толщиной 1 мм и внутренним диаметром отверстия 35 мм, разбитый на два полукольца, позволяющие оперативно устанавливать экран после прижима УКФ к контактным площадкам БИС считывания. УКФ состоит из 30 шт. иголок из вольфрама, приклеенных к держателю с помощью эпоксидного клея «ЭПК-1» с наполнителем из нитрида бора. Среднее время охлаждения МФП в вышеописанном варианте составило 8 мин, что с учетом времени проведения измерений и отогрева до комнатной температуры (с учетом быстрой смены пьедестала) привело к среднему времени термоцикла 12 мин.

Пример 2.

Способ ускоренного тестирования матричного фотоприемника на основе антимонида индия формата 640×512 элементов с шагом 15 мкм в установке, описанной в примере 1, при температуре жидкого азота после гибридизации и после утоньшения матричного фоточувствительного элемента с просветлением тыльной стороны матричного фотоприемника при использовании холодного экрана с относительным отверстием 1:4 (высота 24 мм и диаметр отверстия 6 мм) и фильтром на спектральный диапазон 3-5 мкм. Примеры полученных изображений без коррекции приведены на рисунках до (фиг. 7) и после (фиг. 8) утоньшения и просветления. Полученная дефектность после гибридизации составила 0.12% (404 шт.), чувствительность на dA4T 12°С - 0.9 мВ при времени накопления 100 мкс. После утоньшения до толщины 15 мкм и просветления тыльной стороны ZnS дефектность составила 0.11%) (365 шт.), чувствительность на dАЧТ 12°С - 78.6 мВ при времени накопления 100 мкс.

1. Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприемников для оперативного межоперационного контроля при температуре жидкого азота, отличающаяся тем, что тестирование осуществляют в установке открытого типа с помощью многоконтактной зондовой головки с фиксированным расположением зондов (УКФ, типично из вольфрама), прижимающей матричные фотоприемники к пьедесталу (типично из меди и тепловой массой, достаточной для стабилизации температуры) с усилием, обеспечивающим надежный тепловой контакт, расположенному в теплоизолирующей чашке (типично из пенопласта), залитой жидким азотом до уровня, не превышающего верхнего уровня пьедестала.

2. Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприемников по п. 1, отличающаяся тем, что с целью исключения выпадения конденсата используют экран из теплоизоляционного материала в виде плоского кольца, прикрывающего чашку сверху и создающего избыточное давление паров испаряющегося жидкого азота над поверхностью матричных фотоприемников.

3. Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприемников по п. 1, отличающаяся тем, что с целью уменьшения смещения зондовых иголок в направлении к центру при охлаждении жидким азотом зонды приклеивают к зондовой головке клеем на основе эпоксидной смолы с наполнителем (типично нитридом бора).

4. Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприемников по п. 1, отличающаяся тем, что для ускорения процесса тестирования тепловую массу пьедестала минимизируют таким образом, чтобы время охлаждения было больше или равно времени выхода МФПУ на основе тестируемого матричного фотоприемника, а пьедестал устанавливают в свободную посадку термоизолированной чашки для обеспечения быстрой его смены на аналогичный при отогревании зондовой установки после охлаждения.

5. Способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников для межоперационного контроля при температуре жидкого азота, отличающийся тем, что тестирование матричных фотоприемников осуществляют в установке открытого типа с помощью многоконтактной зондовой головки с фиксированным расположением зондов (УКФ, типично из вольфрама), прижимающей матричные фотоприемники к пьедесталу (типично из меди и тепловой массой, достаточной для стабилизации температуры) с усилием, обеспечивающим надежный тепловой контакт, расположенному в теплоизолирующей чашке (типично из пенопласта), залитой жидким азотом до уровня, не превышающего верхнего уровня пьедестала, межоперационный контроль осуществляют на этапах формирования матричных фотоприемников: после формирования индиевых микроконтактов на БИС считывания, после гибридизации, после утоньшения матричного фоточувствительного элемента, после просветления тыльной стороны матричного фотоприемника и приклейки его на растр.

6. Способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников по п. 5, отличающийся тем, что осуществляют тестирование при температуре жидкого азота после гибридизации и после утоньшения матричного фоточувствительного элемента с просветлением тыльной стороны матричного фотоприемника при различных фоновых условиях за счет использования набора зеркальных снаружи и черненных изнутри холодных экранов с различным относительным отверстием (типично 1:1, 1:2, 1:3, 1:4), а также зеркала для оценки уровня и распределения по площади темновых токов.

7. Способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников по п. 5, отличающийся тем, что на зондовой установке при температуре жидкого азота получают изображение тест-объектов с помощью ИК объектива после проведения двухточечной коррекции неоднородности элементов МФПУ по чувствительности и смещению, подсчитывают и исключают дефектные элементы исходя из качества полученного изображения.

8. Способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников по п. 5, отличающийся тем, что на зондовой установке при температуре жидкого азота измеряют чувствительность до утоньшения матричного фотоприемника на основе объемного материала антимонида индия (типично толщиной 500 мкм), по которой оценивают объемную диффузионную длину.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электротехники, а именно к устройству каскадной солнечной батареи. Каскадная солнечная батарея выполнена с первой полупроводниковой солнечной батареей, причем в первой полупроводниковой солнечной батарее имеется р-n переход из первого материала с первой константой решетки, и со второй полупроводниковой солнечной батареей, причем во второй полупроводниковой солнечной батарее имеется р-n переход из второго материала со второй константой решетки, и причем первая константа решетки меньше, чем вторая константа решетки, и у каскадной солнечной батареи имеется метаморфный буфер, причем метаморфный буфер включает в себя последовательность из первого, нижнего слоя AlInGaAs или AlInGaP, и второго, среднего слоя AlInGaAs или AlInGaP, и третьего, верхнего слоя AlInGaAs или AlInGaP, и метаморфный буфер сформирован между первой полупроводниковой солнечной батареей и второй полупроводниковой солнечной батареей, и константа решетки метаморфного буфера изменяется по толщине (по координате толщины) метаморфного буфера, и причем между по меньшей мере двумя слоями метаморфного буфера константа решетки и содержание индия увеличивается, а содержание алюминия уменьшается.

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.

Изобретение относится к области производства фотоприемных устройств и касается узла установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ИК МФПУ.

Приемник-преобразователь лазерного излучения включает приемную плоскость, выполненную в виде круговой панели. На внешней стороне панели установлены фотоэлектрические преобразователи на основе полупроводниковых фотоэлементов (ФЭ) с внутренним фотоэффектом для непосредственного преобразования энергии электромагнитного излучения кругового гауссового лазерного пучка, ось которого нормально направлена на центр круговой панели.

Фотогальванический элемент содержит кристаллическую полупроводниковую подложку (1), содержащую переднюю сторону (1а) и заднюю сторону (1b); передний пассивирующий слой (3), нанесенный на переднюю сторону (1а) подложки (1); задний пассивирующий слой (2), нанесенный на заднюю сторону (1b) подложки (1); первую металлизированную зону, выполненную на заднем пассивирующем слое (2) и предназначенную для сбора электронов; вторую металлизированную зону, предназначенную для сбора дырок и содержащую: поверхностную часть, расположенную на заднем пассивирующем слое (2); и внутреннюю часть, проходящую через задний пассивирующий слой (2) и образующую в подложке (1) область, в которой концентрация акцепторов электронов выше, чем в остальной части подложки (1), при этом кристаллическая полупроводниковая подложка (1) является подложкой из n-легированного или р-легированного кристаллического кремния, передний пассивирующий слой (3) содержит: слой (6) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящий в контакт с подложкой (1); и расположенный на нем слой (7) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующийся легированием р-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью р-типа, или легированием n-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью n-типа; и/или задний пассивирующий слой (2) содержит: слой (4) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящий в контакт с подложкой (1); и расположенный на нем слой (5) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующийся легированием n-типа.

Изобретение относится к солнечным элементам и может использоваться в качестве преобразователя солнечной энергии в электрическую энергию в энергетике и в портативной электронике.
Изобретение относится к способам получения эмиссионных слоев, в частности для органических светоизлучающих диодов. Способ нанесения эмиссионного слоя органического светоизлучающего диода на подложку из стекла или полимера, покрытую слоем анода, включает получение раствора, содержащего люминофорсодержащее соединение и проводящий материал, и нанесение тонкой пленки из полученного раствора на упомянутую подложку.

Изобретение относится к области прикладной оптики и касается устройства для приема изображений с переменной кривизной матрицы и внутренней трансфокацией. Устройство состоит из корпуса, подвижного тубуса, мембраны-подушки, на которой размещены подвижные двухслойные пиксели матрицы, и компрессора.

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Входное окно предназначено для использования в вакуумных фотоэлектронных приборах проксимити типа.

Изобретение относятся к использованию графена в качестве прозрачного проводящего покрытия (ППП). Согласно изобретению предложен солнечный элемент, содержащий стеклянную подложку; первый проводящий слой на основе графена, расположенный, непосредственно или опосредованно, на стеклянной подложке; первый слой полупроводника в контакте с первым проводящим слоем на основе графена; по меньшей мере один поглощающий слой, расположенный, непосредственно или опосредованно, на первом слое полупроводника; второй слой полупроводника, расположенный, непосредственно или опосредованно, на упомянутом по меньшей мере одном поглощающем слое; второй проводящий слой на основе графена в контакте со вторым слоем полупроводника; и задний контакт, расположенный, непосредственно или опосредованно, на втором проводящем слое на основе графена, при этом каждый из упомянутых первого и второго проводящих слоев на основе графена является изначально легируемым легирующими примесями одного из n-типа и p-типа, и при этом по меньшей мере один из упомянутых первого и второго проводящих слоев на основе графена легирован легирующими примесями n-типа или p-типа, внедренными в его объем из твердого материала-источника легирующих примесей.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к конструкции и составу слоев фотоэлектрических преобразователей с несколькими переходами. Задачей заявляемого изобретения является создание фотоэлектрического преобразователя с несколькими р-n-переходами, отличающегося повышенным КПД за счет введения в состав фотопреобразователя близких по параметру решетки с кремнием слоев на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А2В4С52. В качестве подложки для фотоэлектрического преобразователя выбран кристаллический кремний, обладающий высокими прочностными и теплопроводными характеристиками. Техническим результатом, позволяющим выполнить поставленную задачу, является использование в составе фотоэлектрического преобразователя полупроводниковых слоев соединений А2В4С52, близких по параметру решетки к кремнию, например слои ZnGeP2 и ZnSiP2, в результате чего не происходит формирование кристаллических дефектов, таких как дислокации несоответствия, что приводит к увеличению квантовой эффективности преобразования оптического излучения фотопреобразователя, при этом результат достигается за счет увеличения времени жизни неосновных носителей заряда по причине уменьшения плотности кристаллических дефектов за счет использования полупроводниковых слоев соединений А2В4С52, близких по параметру решетки к кремнию, например слои ZnGeP2 и ZnSiP2. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

Использование: для изготовления как солнечных фотоэлектрических преобразователей на основе гетероперехода, так и для классических кристаллических и поликристаллических фотоэлектрических преобразователей. Сущность изобретения заключается в том, что контактная сетка гетеропереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния содержит поперечные элементы сетки или поперечные и продольные элементы сетки, выполненные из металла, при этом элементы сетки состоят из антидиффузионного подслоя и слоя низкотемпературного припоя. Технический результат: обеспечение возможности повышения прочности механического соединения при коммутации отдельных фотоэлектрических преобразователей в единую цепь, повышение надежности соединения, снижение контактного сопротивления и повышение срока эксплуатации фотоэлектрического преобразователя. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к структуре фотопреобразователей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния и к линии по производству фотопреобразователей. Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния включает: текстурированную поликристаллическую или монокристаллическую пластину кремния; пассивирующий слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на каждую сторону пластины кремния; р-слой; n-слой; контактные токосъемные слои в виде прозрачных проводящих оксидов; тыльный токосъемный слой в виде металлического непрозрачного проводящего слоя, при этом в качестве р-слоя и n-слоя применяют металлические оксиды соответственно р-типа и n-типа, при этом слои n-типа и р-типа, пассивирующий и токосъемный слои наносятся методом магнетронного распыления. В качестве металлического оксида n-типа используют оксид цинка (ZnO), или SnO2, Fe2О3, ТiO2, V2O7, МnО2, CdO, или другие металлические оксиды n-типа. В качестве металлического оксида р-типа используют МоО, или СоО, Сu2О, NiO, Сr2О3, или другие металлические оксиды р-типа. Линия по производству фотопреобразователя на основе кристаллического кремния, включающая последовательные операции, такие как: очистку и текстурирование пластин кристаллического кремния; нанесение пассивирующего слоя аморфного гидрогенизированного кремния на каждую сторону пластины кремния; нанесение р-слоя фотопреобразователя; нанесение n-слоя фотопреобразователя; нанесение контактных токосъемных слоев фотопреобразователя; нанесение тыльного токосъемного слоя; окончательная сборка, при этом выполняют последовательное магнетронное напыление пассивирующего слоя, р-слоя в виде металлического оксида р-типа, n-слоя в виде металлического оксида n-типа и токосъемных слоев методом магнетронного распыления. При этом может осуществляться магнетронное распыление кремниевой мишени в атмосфере силана и аргона с добавлением водорода. Изобретение позволяет повысить производительность, уменьшить габариты производственной линии, исключить необходимость переворота пластин кремния в процессе производства. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe из раствора на основе теллура включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe (0,19<х<0,33) методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле при температуре 500÷513°С на подложку Cd1-yZnyTe (0,02<y<0,06) с кристаллографической ориентацией поверхности (111)В±0,5°, расположенную горизонтально над слоем жидкой фазы высотой от 1 до 2 мм, в условиях принудительного охлаждения системы подложка/раствор на 6÷11°С, в зависимости от требуемой толщины эпитаксиального слоя, и предварительное растворение поверхностного слоя подложки в перегретом не более чем на 2° относительно температуры ликвидуса растворе на основе теллура, из которого проводится выращивание эпитаксиального слоя, при этом охлаждение системы проводят со скоростью снижения температуры 0,2÷0,5 град/мин, начиная с момента контакта подложки с перегретым раствором. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe диаметром до 50 мм без отклонения формы поверхности от формы поверхности подложки с высотой микрорельефа на поверхности эпитаксиального слоя не более 60 нм и разнотолщинностью эпитаксиального слоя по его площади не более 1 мкм при номинальном значении толщины в интервале от 10 до 20 мкм. 1 табл.

Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается способа защиты приемника оптического излучения. Способ включает в себя прием входного оптического потока матричным фотоприемным устройством (МФПУ), измерение величины ii выходного сигнала каждого i-го чувствительного элемента (ЧЭ) МФПУ, где - номер ЧЭ МФПУ, N - количество ЧЭ в МФПУ, и сравнение их значения с пороговым значением iП. При превышении величины ij выходного сигнала j-ого ЧЭ МФПУ порогового значения iП закрывают j-ую часть входного оптического потока. Далее периодически открывают j-ую часть входного оптического потока и измеряют величины ij выходного сигнала j-го ЧЭ МФПУ. При ij≥iП закрывают j-ую часть входного оптического потока, а при ij<iП оставляют j-ую часть входного оптического потока открытой. Технический результат заключается в обеспечении возможности функционирования устройства в условиях засветки фоточувствительной поверхности мощными сигналами. 3 ил.

Настоящее изобретение относится к способу изготовления солнечного элемента, имеющего долговременную надежность и высокую эффективность, причем упомянутый способ включает в себя: этап нанесения пастообразного электродного вещества на просветляющую пленку, сформированную на стороне светопринимающей поверхности полупроводниковой подложки, имеющей по меньшей мере pn-переход, причем упомянутое электродное вещество содержит проводящий материал; и этап обжига электрода, включающий в себя локальную термообработку для подачи тепла так, что обжигают по меньшей мере часть проводящего материала посредством облучения лазерным лучом только участка с нанесенным электродным веществом, и термообработку всего объекта для нагревания полупроводниковой подложки целиком до температуры ниже 800°C. 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 5 ил.

Использование: для изготовления высокочувствительных приемников одиночных фотонов видимого и инфракрасного диапазонов. Сущность изобретения заключается в том, что сверхбыстрый и сверхчувствительный гибридный сверхпроводниковый нановолноводный однофотонный детектор с низкой скоростью темнового счета включает в себя чувствительный нанопровод из сверхпроводниковой пленки NbN, расположенный на нановолноводе Si3N4, и защитное диэлектрико-металлическое покрытие, состоящее из слоя диэлектрика SiO2 и слоя металла Al, нанесенного поверх нанопровода. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения ложных срабатываний сверхпроводникового однофотонного волноводного детектора и увеличения чувствительности сверхпроводникового однофотонного волноводного детектора. 3 ил.

Изобретение относится к системам автоматической очистки солнечных панелей. Устройство очистки солнечной панели, содержащее источник питания, соединенный с солнечной панелью, датчики контроля загрязнения и провода, расположенные на поверхности солнечной панели, отличающееся тем, что провода выполнены с возможностью колебания и переплетены друг с другом в виде решетки, установленной на поверхность солнечной панели, при этом в качестве источника питания используют источник переменного тока, а датчики контроля загрязнения выполнены в виде датчиков натяжения проводов, расположенных по всей внешней грани решетки из проводов. Также предложен способ автоматизированной очистки солнечных панелей. Изобретение обеспечивает эффективную очистку поверхности солнечной панели от снега, льда, мусора и других объектов, мешающих преобразованию солнечной энергии. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Настоящее изобретение относится к способу формирования сильнолегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния, который может быть использован в солнечной энергетике, оптоэлектронике, приборах ночного и тепловидения. Способ заключается в размещении поверхности кремния под химически активной жидкой средой серосодержащего соединения и облучении поверхности кремния импульсами сфокусированного лазерного излучения наносекундной длительности инфракрасного диапазона, при этом задают плотность энергии лазерного излучения достаточной для проникновения этим излучением через жидкую среду к поверхности кремния с разложением молекул серосодержащего соединения до выделения атомов серы и для нагрева поверхности кремния до температуры, при которой происходит диффузия в нее атомов серы вместе с ее абляционным микроструктурированием и отжигом. Технический результат изобретения состоит в многократном расширении области и величины высокой поглощательной способности (в том числе высокого коэффициента поглощения) поверхностного слоя кремния в процессе сверхлегирования атомами серы под действием лазерного облучения с сохранением его кристаллического характера. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Настоящее изобретение относится к способу формирования сильнолегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния, который может быть использован в солнечной энергетике, оптоэлектронике, приборах ночного и тепловидения. Способ заключается в размещении поверхности кремния под химически активной жидкой средой серосодержащего соединения и облучении поверхности кремния импульсами сфокусированного лазерного излучения наносекундной длительности инфракрасного диапазона, при этом задают плотность энергии лазерного излучения достаточной для проникновения этим излучением через жидкую среду к поверхности кремния с разложением молекул серосодержащего соединения до выделения атомов серы и для нагрева поверхности кремния до температуры, при которой происходит диффузия в нее атомов серы вместе с ее абляционным микроструктурированием и отжигом. Технический результат изобретения состоит в многократном расширении области и величины высокой поглощательной способности (в том числе высокого коэффициента поглощения) поверхностного слоя кремния в процессе сверхлегирования атомами серы под действием лазерного облучения с сохранением его кристаллического характера. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться при создании матричных фотоприемников. Заявляемые зондовая установка и способ позволяют проводить межоперационный контроль матричных фотоприемников при температуре жидкого азота и различных фоновых условиях с подсчетом и исключением дефектных элементов исходя из качества полученного изображения с помощью ИК объектива после проведения двухточечной коррекции и оценкой объемной диффузионной длины по чувствительности до утоньшения матричного фотоприемника в установке открытого типа с помощью многоконтактной зондовой головки с фиксированным расположением зондов, прижимающей матричные фотоприемники к пьедесталу, расположенному в теплоизолирующей чашке, залитой жидким азотом до уровня, не превышающего верхнего уровня пьедестала. Технический результат - ускорение процесса межоперационного контроля матричных фотоприемников при температуре жидкого азота, где время термоцикла в основном ограничено временем охлаждения пьедестала. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 8 ил.

Наверх