Фосфор, люминесцентная смесь и люминесцентный материал

Изобретения могут быть использованы при изготовлении светодиодов. Фосфор, люминесцентный материал и люминесцентная смесь для прямо возбуждаемых переменным током светодиодных чипов включают люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В в массовом отношении (10-70):(30-90). Люминесцентный материал А является по меньшей мере одним из Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; CaS:Bi3+,Na+; CaS:Cu+,Na+ или CaSrS:Bi3+. Люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; Y2O2S:Mg,Ti; Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+; Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; CaS:Sm3+; YAG:Ce или Tb3Al5O12:Ce. Люминесцентные материалы А и В просеяны на сите с размером ячейки 500 меш. Светодиодные чипы являются синими с длиной волны излучения 460 нм, фиолетовыми с длиной волны излучения 400 нм или ультрафиолетовыми с длиной волны излучения 365 нм. Изобретения обеспечивают стабильность люминесценции при небольшом ослаблении света. 5 н. и 5 з.п. ф-лы, 5 ил., 3 табл., 18 пр.

 

Область техники

Изобретение относится к осветительному устройству на белых светодиодах переменного тока и к способу его изготовления, что относится к области производства светодиодов. Более конкретно, настоящее изобретение относится к способу изготовления осветительного устройства на белых светодиодах переменного тока с использованием люминесцентных материалов с синим послесвечением и желтых люминесцентных материалов.

Предпосылки для создания изобретения

В настоящее время светодиоды используются в таких областях, как освещение, визуализация, задняя подсветка и т.д., и как наиболее перспективные осветительные средства следующего поколения светодиоды привлекают большое внимание своими преимуществами энергосбережения, длительности срока службы, отсутствием загрязнений и т.д. Существуют многочисленные решения по реализации белого светодиода, причем наиболее разработанное техническое решение для изготовления белого светодиода в настоящее время заключается в реализации излучения белого света с использованием сочетания синего светодиодного чипа и желтого фосфора. В Томе 11 на странице 53 журнала Appl. Phys. Lett., опубликованного в 1967 г., описан люминесцентный материал Y3Al5O12:Се3+, который имеет желтую люминесценцию с максимальной длиной волны излучаемого света 550 нм и временем существования меньше 100 нс. В Томе 64 на странице 417 журнала Appl. Phys. А, опубликованного в 1997 г., описано, что излучение света белым светодиодом реализовано с использованием желтой люминесценции Y3Al5O12:Се3+ и синего нитрида галлия, и такая технология является наиболее разработанным техническим решением для изготовления белого светодиода в настоящее время. Но при практическом применении с подъемом температуры устройства во время работы интенсивности люминесценции синего светодиодного чипа и фосфора снижаются, и интенсивность люминесценции фосфора снижается более явно, что влияет на использование светодиода. Традиционный светодиод возбуждают постоянным током, но в настоящее время в жилых домах, промышленности, торговле и общественных зданиях и строениях в основном используется переменный ток. Таким образом, при использовании светодиода для освещения необходимо применять выпрямительный трансформатор для преобразования переменного тока в постоянный, чтобы обеспечить нормальную эксплуатацию светодиода. Однако при преобразовании переменного тока в постоянный до 15~30% энергии теряется и стоимость преобразовательного устройства высокая. Помимо этого, монтаж требует больших трудозатрат и времени и КПД невысокий. В патенте КНР №CN 100464111 С раскрыта лампа переменного тока на светодиодах, в которой использованы светодиодные чипы разных цветов, соединенные параллельно в источнике переменного тока. В патенте в основном сказано, что светодиодные чипы разных цветов вместе формируют белый свет, и описана конкретная схема из чипов, излучающих красный, зеленый и синий свет, без упоминания люминесцентного порошка. В патенте США №US 7489086 B2 раскрыто устройство для возбуждения светодиода переменного тока и осветительное устройство, в котором оно используется. Патент также описывает конструкцию схемы без инновационного отчета о люминесцентном порошке, при этом все еще применяется традиционный люминесцентный порошок Y3Al5O12:Се3+. Автор этого изобретения исследует люминесцентный материал Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P, имеющий феномен длительного желтого послесвечения, и осветительное устройство на белых светодиодах, возбуждаемое импульсным током (заявка на патент КНР №200910307357.3).

В настоящее время осветительное устройство на белых светодиодах переменного тока все еще нуждается в исследованиях, чтобы преодолеть влияние эффекта снижения температуры и изменения направления переменного тока на осветительное устройство на белых светодиодах переменного тока, чтобы расширить выбор в области освещения белыми светодиодами.

Раскрытие изобретения

Цель настоящего изобретения заключается в том, чтобы предложить новое осветительное устройство на белых светодиодах.

Техническое решение настоящего изобретения: синие светодиодные чипы или ультрафиолетовые чипы + люминесцентные материалы А с синим послесвечением + желтые люминесцентные материалы В. При этом массовое отношение люминесцентных материалов А с синим послесвечением к желтым люминесцентным материалам В составляет 10-70% мас. / 30-90% мас. и предпочтительно 20-50% мас. / 50-80% мас.

Кроме того, люминесцентный материал А с синим послесвечением имеет пиковую длину волны излучаемого света 440~490 нм.

Кроме того, люминесцентный материал А с синим послесвечением является по меньшей мере одним из Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+, Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+, CaS:Bi3+,Na+, CaS:Cu+,Na+ и CaSrS:Bi3+.

Желтый люминесцентный материал В имеет пиковую длину волны излучаемого света 520~580 нм.

Кроме того, желтый люминесцентный материал В является люминесцентным материалом, имеющим или не имеющим феномен послесвечения или сочетание этого.

Кроме того, желтый люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P, Y2O2S:Mg,Ti, Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+, Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+, CaS:Sm3+, YAG:Ce и Tb3Al5O12:Ce.

Белый свет, излучаемый осветительным устройством на белых светодиодах настоящего изобретения, формируется из синего света, излучаемого люминесцентным порошком с синим послесвечением, желтого света, излучаемого желтым люминесцентным порошком, и света от синего или ультрафиолетового светодиодного чипа при возбуждении этого чипа.

Вышеупомянутый люминесцентный порошок также может возбуждаться фиолетовыми и ультрафиолетовыми светодиодными чипами с достижением того же эффекта.

Люминесцентное покрытие настоящего изобретения может быть сформировано путем смешивания люминесцентных материалов А с синим послесвечением и желтых люминесцентных материалов В или путем нанесения покрытия из люминесцентных материалов А с синим послесвечением на чипы с последующим нанесением покрытия из желтых люминесцентных материалов В на люминесцентные материалы А с синим послесвечением.

Принцип осветительного устройства на белых светодиодах переменного тока в настоящем изобретении следующий.

Из схематического изображения базового модуля осветительного устройства на светодиодах переменного тока, показанного на Фиг. 1, можно видеть, что из-за периодической характеристики переменного тока люминесценция светодиодов на основе модуля также имеет периодическое изменение светлый - темный, т.е. стробирование люминесценции, этим влияя на использование устройства.

Настоящее изобретение применяет люминесцентные материалы, имеющие характеристики послесвечения, так что свет будет поддерживаться, когда источник света возбуждения исчезает, таким образом, в осветительном устройстве на белых светодиодах переменного тока, основанном на решении настоящего изобретения, когда изменяется цикл тока, материал с синим послесвечением будет излучать синее послесвечение, чтобы компенсировать синий свет и возбуждать желтый люминесцентный порошок, этим устраняя влияние стробирования люминесценции светодиодного чипа, вызываемое колебаниями переменного тока, на осветительное устройство, так что световой выход устройства во время цикла переменного тока поддерживается стабильным. Помимо этого, поскольку светодиодный чип не работает в половину каждого цикла переменного тока, тепловой эффект уменьшается, что выгодно для преодоления серии трудностей, вызываемых нагревом чипа при использовании существующего осветительного устройства на белых светодиодах.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1 - схема базового светодиодного модуля осветительного устройства на светодиодах переменного тока;

Фиг. 2 - спектр послесвечения Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+;

Фиг. 3 - спектр послесвечения Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+;

Фиг. 4 - спектр фотолюминесценции Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P;

Фиг. 5 - схема конструкции блока светодиодной люминесценции.

На Фиг. 5-1 цифрой 1 обозначено смешанное люминесцентное покрытие, изготовленное из люминесцентных материалов А с синим послесвечением и желтых люминесцентных материалов В; цифрой 2 обозначен синий, фиолетовый или ультрафиолетовый светодиодный чип; и цифрой 3 обозначена линза; и

на Фиг. 5-2, цифрой 2 обозначен синий, фиолетовый или ультрафиолетовый светодиодный чип; цифрой 3 обозначена линза; цифрой 5 обозначено покрытие, изготовленное из люминесцентных материалов А с синим послесвечением, и цифрой 4 обозначено покрытие, изготовленное из желтых люминесцентных материалов В.

Вышеизложенное содержание настоящего изобретения, кроме того, подробно описано посредством нижеописанных вариантов осуществления изобретения в форме примеров. Но следует понимать, что объем предмета настоящего изобретения не ограничивается нижеописанными примерами и любая технология, реализуемая вышеприведенным содержанием настоящего изобретения, должна подпадать под объем настоящего изобретения. В частности, относительно конструкции базовой схемы, примеры настоящего изобретения показывают только простейшую однонаправленную последовательную схему, но схема осветительного устройства на светодиодах переменного тока этим не ограничена и включает, например, реверсивную последовательно-параллельную схему и мостовую схему. В примерах синий светодиодный чип имеет длину волны излучения 460 нм, фиолетовый светодиодный чип имеет длину волны излучения 400 нм, и ультрафиолетовый светодиодный чип имеет длину волны излучения 365 нм.

Подробное описание предпочтительных вариантов осуществления изобретения

Новое осветительное устройство на белых светодиодах состоит из синих светодиодных чипов, люминесцентных материалов А с синим послесвечением и желтых люминесцентных материалов В. При этом массовое отношение люминесцентных материалов А с синим послесвечением к желтым люминесцентным материалам В составляет 10-70% мас. / 30-90% мас., а предпочтительно 20-50% мас. / 50-80% мас.

При этом люминесцентный материал А с синим послесвечением имеет пиковую длину волны излучаемого света 440-490 нм, например, он может быть одним из или сочетанием следующих материалов: Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+, Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+, CaS:Bi3+,Na+, CaS:Cu+,Na+ и CaSrS:Bi3+.

Желтым люминесцентным материалом В может быть люминесцентный материал, имеющий или не имеющий феномен послесвечения или сочетание этого, с пиковой длиной волны излучения света 520-580 нм. Люминесцентный материал, имеющий феномен послесвечения, включает Се-активируемый Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P, Y2O2S:Mg,Ti, Sr3SiO5:Eu2+, Dy3+, Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ и CaS:Sm3+. Люминесцентный материал, не имеющий феномена послесвечения, включает YAG:Се и Tb3Al5O12:Се.

Белый свет, излучаемый осветительным устройством на белых светодиодах настоящего изобретения, формируется из синего света, излучаемого люминесцентным порошком с синим послесвечением, желтого света, излучаемого желтым люминесцентным порошком, и света от синего светодиодного чипа при возбуждении синего светодиодного чипа.

Осветительное устройство на белых светодиодах переменного тока настоящего изобретения может реализовывать вход переменного тока путем параллельного соединения двух обратных светодиодов или мостовых схем. Однако из-за периодической характеристики переменного тока люминесценция светодиодов на основе двух модулей также имеет периодическое изменений светлый - темный, т.е. стробирование люминесценции, что влияет на использование устройства.

В настоящем изобретении применены люминесцентные материалы, имеющие характеристики послесвечения, так что свет будет поддерживаться, когда источник света возбуждения исчезает, таким образом, в осветительном устройстве на белых светодиодах, возбуждаемом импульсным током, основанном на решении настоящего изобретения, когда изменяется цикл тока, материал с синим послесвечением будет излучать синее послесвечение, чтобы компенсировать синий свет, и возбуждать желтый люминесцентный порошок, этим устраняя влияние стробирования люминесценции светодиодного чипа, оказываемого колебаниями переменного тока на освещение, так что световой выход устройства во время цикла переменного тока поддерживается стабильным. Помимо этого, поскольку светодиодный чип не работает в половину каждого цикла импульсного тока, тепловой эффект уменьшается, что выгодно для преодоления серии трудностей, вызываемых нагревом чипа при использовании существующего осветительного устройства на белых светодиодах.

Конкретные примеры приведены в таблице 1

Таблица 1

Способ изготовления следующий: просеивание люминесцентных материалов А и В через сетку с ячейкой 500 меш, равномерное смешивание люминесцентных материалов А и В в отношениях, указанных в Примерах 1-18, и упаковка их со светодиодным чипом, имеющим мощность 0,1 Вт, чтобы сформировать осветительное устройство на белых светодиодах с его базовым блоком, показанным на Фиг. 1.

Проверочный пример 1: характеристики люминесценции осветительного устройства на светодиодах переменного тока настоящего изобретения

Частота обычного переменного тока составляет 50 Гц, т.е. цикл составляет 20 мс. Направление тока не изменяется, тогда как величина тока изменяется каждую половину цикла (т.е. 10 мс). В таблице 2 указана яркость в пределах 20 мс, проверенная осветительным устройством, показанным как модуль на Фиг. 1, с помощью скоростной камеры, делающей 300 фотоснимков в секунду, когда светодиодные чипы, указанные в Примерах 1-18, запитаны непосредственно от сети переменного тока без преобразователя переменного тока в постоянный. Контрольным образцом является осветительное устройство на светодиодах переменного тока, которое выполнено таким же образом с белым светодиодным чипом и с имеющимся в продаже синим чипом, упакованным с желтым люминесцентным материалом. Данные по яркости в таблице 2 являются относительной проверяемой яркостью прибора и не имеют размерности.

Как можно видеть из данных в таблице 2, люминесценция настоящего изобретения стабильна во время цикла переменного тока, тогда как люминесценция осветительного устройства на белых светодиодах с имеющимся в продаже синим чипом, упакованным с желтым люминесцентным материалом, нестабильна, и свет не излучается во время отрицательной половины цикла переменного тока из-за обращения напряжения.

Проверочный пример 2: ослабление света осветительного устройства на светодиодах переменного тока настоящего изобретения

В таблице 3 приведены данные по ослаблению света Примеров 1-18 и контрольного образца. Контрольным образцом является осветительное устройство, выполненное путем установки белого светодиодного чипа с имеющимся в продаже синим чипом, упакованным с желтым люминесцентным материалом, в настоящее время в режиме электропитания от обычного источника постоянного тока. Способ испытания следующий: подача электропитания на осветительные устройства на светодиодах переменного тока Примеров 1-18 и контрольный образец и проверка их яркости после определенного интервала времени. Результаты показаны в таблице 3, при этом данные являются относительной яркостью и нормализованы исходными данными.

Как можно видеть из данных таблицы 3, ослабление яркости осветительного устройства на белых светодиодах настоящего изобретения меньше ослабления яркости светодиодного осветительного устройства, использующего существующий режим.

Данные таблиц 2-3 показывают, что осветительное устройство на белых светодиодах переменного тока, изготовленное с люминесцентными материалами с синим послесвечением и желтыми люминесцентными материалами согласно настоящему изобретению, лучше по стабильной люминесценции и небольшому ослаблению света и посредством этого имеет очевидную новизну и изобретательский уровень по сравнению с существующим светодиодным осветительным устройством.

1. Фосфор для прямо возбуждаемых переменным током светодиодных чипов, отличающийся тем, что фосфор включает люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В, причем

люминесцентный материал А с синим послесвечением является по меньшей мере одним из Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; CaS:Bi3+,Na+; CaS:Cu+,Na+ или CaSrS:Bi3+,

желтый люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; Y2O2S:Mg,Ti; Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+; Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; CaS:Sm3+; YAG:Ce или Tb3Al5O12:Ce,

массовое отношение между люминесцентным материалом А с синим послесвечением и желтым материалом В составляет 10~70 мас. % : 30~90 мас. %, и

при прямой подаче переменного тока без преобразования переменного тока в постоянный ток фосфор может излучать свет малого мерцания в сочетании со светодиодными чипами.

2. Люминесцентный материал с характеристикой люминесценции послесвечения, отличающийся тем, что люминесцентный материал включает люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В, причем

люминесцентный материал А с синим послесвечением является по меньшей мере одним из Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; CaS:Bi3+,Na+; CaS:Cu+,Na+ или CaSrS:Bi3+,

желтый люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; Y2O2S:Mg,Ti; Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+; Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; CaS:Sm3+; YAG:Ce или Tb3Al5O12:Ce,

массовое отношение между люминесцентным материалом А с синим послесвечением и желтым люминесцентным материалом В составляет 10~70 мас. % : 30~90 мас. %, и

при прямой подаче переменного тока без преобразования переменного тока в постоянный ток люминесцентный материал может излучать свет малого мерцания в сочетании со светодиодными чипами.

3. Фосфор для белых светодиодных чипов, отличающийся тем, что фосфор включает люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В, причем

люминесцентный материал А с синим послесвечением является по меньшей мере одним из Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; CaS:Bi3+,Na+; CaS:Cu+,Na+ или CaSrS:Bi3+,

желтый люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2: Ce⋅B⋅Na⋅P; Y2O2S:Mg,Ti; Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+; Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; CaS:Sm3+; YAG:Ce или Tb3Al5O12:Ce,

массовое отношение между люминесцентным материалом А с синим послесвечением и желтым люминесцентным материалом В составляет 10~70 мас. % : 30~90 мас. %, и

при прямой подаче переменного тока без преобразования переменного тока в постоянный ток фосфор может излучать свет малого мерцания в сочетании со светодиодными чипами.

4. Люминесцентная смесь, отличающаяся тем, что смесь включает люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В, причем

люминесцентный материал А с синим послесвечением является по меньшей мере одним из Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; CaS:Bi3+,Na+; CaS:Cu+,Na+ или CaSrS:Bi3+,

желтый люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; Y2O2S:Mg,Ti; Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+; Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; CaS:Sm3+, YAG:Ce или Tb3Al5O12:Ce,

массовое отношение между люминесцентным материалом А с синим послесвечением и желтым люминесцентным материалом В составляет 10~70 мас. % : 30~90 мас. %, и

при прямой подаче переменного тока без преобразования переменного тока в постоянный ток смесь может излучать свет малого мерцания в сочетании со светодиодными чипами.

5. Фосфор, смесь или люминесцентный материал по одному из пп. 1-4, причем

люминесцентный материал А с синим послесвечением включает Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+, и желтый люминесцентный материал В включает Y3Al5O12:Ce и/или Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+.

6. Фосфор, смесь или люминесцентный материал по п. 5, причем фосфор, смесь или люминесцентный материал включает:

40 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+ и 60 мас. % Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; или

35 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ и 65 мас. % Y3Al5O12:Ce; или

10 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; 30 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+ и 60 мас. % Tb3Al5O12:Се; или

5 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; 30 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; 15 мас. % CaS:Bi3+,Na+; 25 мас. % Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; 10 мас. % Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+ и 15 мас. % Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; или

10 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; 15 мас. % CaSrS:Bi3+; 35 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; 5 мас. % CaS:Bi3+,Na+; 5 мас. % CaS:Cu+,Na+; 5 мас. % Y2O2S:Mg,Ti и 25 мас. % Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; или

5 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; 15 мас. % CaSrS:Bi3+; 20 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; 15 мас. % Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+; 20 мас. % Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ и 25 мас. % Y3Al5O12:Ce; или

35 мас. % CaS:Bi3+,Na+; 25 мас. % Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; 10 мас. % CaS:Sm3+; 15 мас. % Y2O2S:Mg,Ti; 5 мас. % Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+ и 10 мас. % Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; или

45 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+ и 55 мас. % Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; или

40 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ и 60 мас. % Y3Al5O12:Ce; или

10 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; 35 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+ и 55 мас. % Tb3Al5O12:Се; или

5 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; 25 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; 15 мас. % CaS:Bi3+,Na+; 25 мас. % Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; 20 мас. % Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+ и 10 мас. % Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; или

10 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; 10 мас. % CaSrS:Bi3+; 35 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; 5 мас. % CaS:Bi3+,Na+; 5 мас. % CaS:Cu+,Na+; 10 мас. % Y2O2S:Mg,Ti и 25 мас. % Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; или

40 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ и 60 мас. % Y3Al5O12:Ce; или

30 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+ и 70 мас. % Tb3Al5O12:Ce; или

20 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; 35 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+ и 45 мас. % Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; или

10 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; 25 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; 5 мас. % CaS:Bi3+,Na+; 30 мас. % Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; 15 мас. % Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+ и 15 мас. % Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; или

15 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; 5 мас. % CaSrS:Bi3+, 10 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; 5 мас. % CaS:Bi3+,Na+; 5 мас. % CaS:Cu+,Na+; 20 мас. % Y2O2S:Mg,Ti и 40 мас. % Y2O3⋅Al2O3⋅ SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; или

10 мас. % Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; 5 мас. % CaSrS:Bi3+; 35 мас. % Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; 15 мас. % Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+; 15 мас. % Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ и 20 мас. % Y3Al5O12:Ce.

7. Фосфор, смесь или люминесцентный материал по п. 6, причем люминесцентный материал А с синим послесвечением имеет длину волны пикового излучения света 440~490 нм, желтый люминесцентный материал В имеет длину волны пикового излучения света 520~580 нм.

8. Фосфор, смесь или люминесцентный материал по п. 5, причем массовое отношение между люминесцентным материалом А с синим послесвечением и желтым люминесцентным материалом В составляет 20~50 мас. % : 50~80 мас. %.

9. Фосфор, смесь или люминесцентный материал по п. 7, причем светодиодные чипы являются синими, фиолетовыми или ультрафиолетовыми светодиодными чипами, причем

синие светодиодные чипы имеют длину волны излучения 460 нм,

фиолетовые светодиодные чипы имеют длину волны излучения 400 нм, и

ультрафиолетовые светодиодные чипы имеют длину волны излучения 365 нм.

10. Фосфор, смесь или люминесцентный материал по п. 9, причем люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В просеяны на сите с размером ячейки 500 меш.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к осветительной технике, в частности к источникам света, в которых в качестве элементов, генерирующих свет, используются мощные светодиоды, а для формирования светового потока применяют рефлекторы с сочетанием различной кривизны, которые могут быть использованы для проектирования экономичных осветителей различного назначения.

Изобретение относится к области технической светотехники и может быть использовано при изготовлении осветительных приборов. Фотолюминофор нейтрально-белого свечения со структурой граната на основе оксидов редкоземельных элементов и элементов IIIa подгруппы имеет следующую химическую формулу: (ΣLn,Bi)3[(ΣMl)2][AlO4-x(F,N)x]3, где Ln - лантаноиды Y, Се, Lu, Tb; Ml - В, Al, Ga; [х]≤0,2 атомных долей.

Изобретение относится к устройствам с выходным оптическим излучением, в частности с использованием дискретных источников оптического излучения, связанных со структурой с прозрачной подложкой.

Светоизлучающее устройство содержит твердотельный источник (101) света, выполненный с возможностью излучения первичного света (L1); преобразующий длину волны элемент (102), включающий множество преобразующих длину волны областей (102a, 102b, 102c и т.д.) для преобразования первичного света во вторичный свет (L2), при этом каждая преобразующая длину волны область посредством этого обеспечивает поддиапазон полного спектра светового выхода, причем по меньшей мере некоторые из упомянутых преобразующих длину волны областей расположены в виде массива и содержат квантовые точки, при этом разные преобразующие длину волны области содержат квантовые точки, имеющие разные диапазоны излучения вторичного света, обеспечивающие разные поддиапазоны полного спектра светового выхода, и при этом поддиапазон, обеспечиваемый каждой преобразующей длину волны областью перекрывается или является смежным с по меньшей мере одним другим поддиапазоном, обеспечиваемым другой преобразующей длину волны областью, при этом упомянутые преобразующие длину волны области вместе обеспечивают вторичный свет, включающий в себя все длины волн диапазона от 400 нм до 800 нм.

Настоящее раскрытие относится к устройствам отображения, использующим полупроводниковые светоизлучающие устройства. Устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно изобретению может включать в себя первую подложку, содержащую электродную часть, проводящий адгезионный слой, расположенный на первой подложке, и множество полупроводниковых светоизлучающих устройств, по меньшей мере часть из которых утоплены в верхней области проводящего адгезионного слоя, чтобы составить отдельные пиксели с электрическим соединением с электродной частью, причем проводящий адгезионный слой содержит непрозрачную смолу, чтобы блокировать свет между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами.

Согласно изобретению предложен способ изготовления модульного кристалла светоизлучающего диода (LED), содержащий этапы, на которых формируют множество LED-кристаллов, каждый LED-кристалл содержит множество полупроводниковых слоев и по меньшей мере один металлический электрод, сформированный на нижней поверхности каждого из LED-кристаллов для электрического контакта с по меньшей мере одним из полупроводниковых слоев, при этом каждый из LED-кристаллов имеет верхнюю поверхность и боковые поверхности; при этом по меньшей мере один металлический электрод имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность, противоположную верхней поверхности; верхняя поверхность по меньшей мере одного металлического электрода сформирована на нижней поверхности LED-кристалла, устанавливают множество LED-кристаллов на временную поддерживающую структуру; отливают цельный материал поверх LED-кристаллов, который инкапсулирует по меньшей мере верхнюю поверхность и боковые поверхности LED-кристаллов и формирует линзу поверх верхней поверхности каждого из LED-кристаллов, цельный материал не покрывает нижнюю поверхность по меньшей мере одного металлического электрода и имеет основание, которое проходит вниз к временной поддерживающей структуре и к нижней поверхности LED-кристаллов, выполняют отверждение цельного материала, для соединения LED-кристаллов вместе, удаляют LED-кристаллы и цельный материал с поддерживающей структуры и разделяют цельный материал так, что по меньшей мере один металлический электрод остается открытым для присоединения с другим электродом после формирования линзы.

Изобретение относится к люминесцентному материалу на основе люминесцентных наночастиц и к осветительному устройству на их основе для преобразования света от источника света.

Способ изготовления эпитаксиальной структуры включает в себя обеспечение подложки и гетеропереходного пакета на первой стороне подложки и формирование пакета светоизлучающего диода на GaN на второй стороне подложки.

Изобретение относится к красному люминесцентному материалу и содержащему его осветительному устройству. Осветительное устройство включает световой источник, выполненный с возможностью генерировать свет светового источника, и люминесцентный материал в форме частиц, выполненный с возможностью преобразовывать по меньшей мере часть света светового источника в свет люминесцентного материала.

Светодиодная матрица относится к области информационной техники и может быть использована при построении крупногабаритных матричных экранов и иных средств отображения визуальной информации.

Предложенное изобретение относится к защитной маркировки изделий, таких как ценные документы и банкноты, и служит для приборного контроля их подлинности. Защитная маркировка выполнена с использованием неорганических люминесцентных соединений на основе редкоземельных и щелочных металлов, содержащих замещающие элементы.

Изобретение относится к светотехнике и может быть использовано при изготовлении светодиодов, используемых в лампах дневного света, светильниках, автомобильных фарах, архитектурном, дизайнерском или тепличном освещении.

Изобретение относится к полимерной композиции для производства укрывного материала теплиц, используемого для выращивания растений в защищенном грунте. Композиция содержит полимер, преимущественно поликарбонат, люминесцирующий наполнитель - люминофор с синим цветом свечения в области спектра 380-510 нм и областью возбуждения 250-380 нм, например ФК-1 и/или красным цветом свечения в области спектра 580-710 нм и областью возбуждения 200-600 нм, например ФЛ-626.

Изобретение относится к защитному признаку с люминесцирующим компонентом и компонентом, маскирующим люминесцирующий компонент, для ценных документов. Защитный признак содержит по меньшей мере один люминофор, состоящий из легированной решетки основного кристалла, и компонент, маскирующий люминесцирующий компонент.

Изобретение относится к технологии новых оптических стеклообразных кварцоидных материалов, обладающих люминесценцией в широком спектральном диапазоне, и может быть использовано в производстве волоконных световодов с лазерной генерацией в инфракрасном спектральном диапазоне и различных устройств на их основе для оптимизации элементов волоконно-оптических линий связи.

Настоящее изобретение относится к способу получения полимерных микросфер, содержащих квантовые точки. Описан способ получения полимерных микросфер, содержащих квантовые точки, включающий приготовление раствора квантовых точек в органическом растворителе, содержащем катионактивное ПАВ, представляющее собой алкилдиметилэтилбензиламмоний хлорид в количестве 1-2 мас.%, с концентрацией квантовых точек в растворе 0,1-1,0 г/л, с последующим добавлением к раствору квантовых точек полимерных микросфер полистирола или полиметилметакрилата, при соотношении полимер:раствор квантовых точек, равном 1:1, полученную смесь подвергают ультразвуковой обработке, затем выдерживают в течение 2-6 часов при комнатной температуре и диспергируют в С2-С4-алифатическом спирте с катионактивным ПАВ, представляющим собой алкилдиметилэтилбензиламмоний хлорид, взятый в количестве 1-2 мас.%, выдерживают в течение 5-15 минут, затем центрифугируют для выделения образовавшегося осадка, состоящего из полимерных микросфер, содержащих квантовые точки.

Изобретение относится к материалу для изготовления светокорректирующей полимерной пленки, которая может найти широкое применение в качестве светопреобразующего материала.

Изобретение относится к сцинтиллятору для использования в радиационном детекторе. Сцинтиллятор для высокотемпературных условий содержит кристалл типа кольквириита формулы LiM1M2X6, где M1 выбирают из щелочноземельных элементов Mg, Ca, Sr и Ba; M2 выбирают из Al, Ga и Sc; X - галоген.
Изобретение относится к области технических средств маркировки метками ценных бумаг, культурных ценностей, предметов антиквариата, ювелирных изделий, сложных технических изделий и может быть использовано для защиты их от подделок, а также от их хищения и подмены.

Изобретение относится к новым люминесцентным материалам для светоизлучающих устройств. Предлагается материал формулы (Ba1-x-y-zSrxCayEuz)2Si5-a-bAlaN8-a-4bOa+4b, где 0,3≤х≤0,9, 0,01≤у≤0,04, 0,005≤z≤0,04, 0≤а≤0,2, 0≤b≤0,2 и средний размер частиц d50≥6 мкм.

Изобретение может быть использовано при изготовлении осветительных устройств. Сначала смешивают люминесцентные наночастицы, наружная поверхность которых покрыта двумя типами защитных молекул, с предшественником твердого полимера. Защитные молекулы содержат первую и вторую функциональные группы. Первая функциональная группа соединяется с наружной поверхностью люминесцентной наночастицы, а вторая функциональная группа обеспечивает смешиваемость с предшественником твердого полимера и/или способность вступать с ним в реакцию. Первая функциональная группа первого типа защитных молекул содержит ион металла, имеющий координационную функциональность, а первая функциональная группа второго типа защитных молекул имеет функциональность основания Льюиса. Из полученного твердого полимера с внедренными люминесцентными наночастицами изготавливают полимерное изделие, например покрытие, самонесущий слой или пластину, пропускающее свет с длиной волны 380-750 нм. Осветительное устройство содержит источник света и преобразователь света, включающий указанный твердый полимер. В изобретении могут быть использованы любые люминесцентные наночастицы, при этом улучшается их стабильность и чистота цвета, повышается эффективность люминесценции и увеличивается время жизни. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретения могут быть использованы при изготовлении светодиодов. Фосфор, люминесцентный материал и люминесцентная смесь для прямо возбуждаемых переменным током светодиодных чипов включают люминесцентный материал А с синим послесвечением и желтый люминесцентный материал В в массовом отношении :. Люминесцентный материал А является по меньшей мере одним из Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+; Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; CaS:Bi3+,Na+; CaS:Cu+,Na+ или CaSrS:Bi3+. Люминесцентный материал В является по меньшей мере одним из Y2O3⋅Al2O3⋅SiO2:Ce⋅B⋅Na⋅P; Y2O2S:Mg,Ti; Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+; Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+; CaS:Sm3+; YAG:Ce или Tb3Al5O12:Ce. Люминесцентные материалы А и В просеяны на сите с размером ячейки 500 меш. Светодиодные чипы являются синими с длиной волны излучения 460 нм, фиолетовыми с длиной волны излучения 400 нм или ультрафиолетовыми с длиной волны излучения 365 нм. Изобретения обеспечивают стабильность люминесценции при небольшом ослаблении света. 5 н. и 5 з.п. ф-лы, 5 ил., 3 табл., 18 пр.

Наверх