Способ формирования массива нанопроволок на ступенчатой поверхности cu2si

Использование: для создания массива упорядоченных ферромагнитных нанопроволок на ступенчатой поверхности Cu2Si с буферным слоем меди. Сущность изобретения заключается в том, что в условиях сверхвысокого вакуума на предварительно сформированной ступенчатой поверхности силицида меди формируют ровные монокристаллические нанопроволоки заданной ширины осаждением металла под малыми углами наклона в интервале 10°÷30° к плоскости подложки при толщине покрытия металла, равной 20 нм. Технический результат: обеспечение возможности создания массива упорядоченных металлических нанопроволок с заданной геометрией и блочной монокристаллической структурой. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

 

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способу создания массива упорядоченных металлических нанопроволок на ступенчатой поверхности силицида меди (Cu2Si).

Уникальные электрические и механические свойства нанопроволок создают предпосылки для их использования в электронных и электромеханических приборах, а также в качестве элементов новых композитных материалов и биосенсоров [1]. Магнитные нанопроволоки находят широкое применение при создании устройств спинтроники; практический интерес к магнитным нанопроволокам обусловлен проявлением в таких структурах спиновых эффектов [2].

В настоящее время существуют несколько способов роста металлических нанопроволок с помощью специально созданных технологических условий. В лабораториях нанопроволоки чаще всего получают методом эпитаксии, когда кристаллизация вещества происходит только в одном направлении.

Известен способ формирования проводящих нанопроволок меди на поверхности полупроводниковых подложек [3, 4]. Для этого медь осаждают на поверхность кремния Si(111) с формированием буферного слоя силицида меди (Cu2Si) моноатомной толщины при температуре 500°C в условиях сверхвысокого вакуума, после чего при температуре 20°C на атомных ступенях поверхности буферного слоя осаждают не менее 10 слоев меди, которые формируют нанопроволоки эпитаксиальной меди, ориентированные вдоль атомных ступеней подложки.

Недостатком данного метода является то, что получаемые проволоки состоят из наноостровков меди, которые срастаются между собой и содержат большое число дефектов. Нанопроволоки имеют неровные границы, их высота составляет 1-2 нм; это может привести к высоким значениям плотности тока и локальному нагреву в дефектных областях проволок и их последующему разрыву.

Известен способ получения нанопроволок металлов на твердых подложках на основе использования литографической полимерной маски. Окна для осаждения металла получают с помощью атомно-силового микроскопа методом индентирования [5]. По данной методике после формирования на поверхности образца полимерной пленки с окнами нужного размера и формы (литографической маски) на образец напыляется слой металла, толщина которого меньше толщины пленки, после чего маска химически растворяется. При этом на поверхности подложки остается только металл, осажденный через отверстия в маске. Данным методом были приготовлены проволоки Ni на поверхности SiO2 с минимальной шириной 60 нм, толщиной от 6 до 20 нм и длиной до 20 мкм.

Недостаток метода состоит в том, что отсутствует возможность вырастить монокристаллические нанопроволоки металлов с низким содержанием дефектов по сравнению с поликристаллическими наноматериалами.

Наиболее близким к заявляемому техническому решению является способ изготовления массива кобальтовых нанопроволок, выбранный за прототип по существенным признакам и достигаемому результату [6, 7]. Сущность работ состоит в получении массива кобальтовых нанопроволок на оксидированной вицинальной поверхности Si(111), изучении их структуры и магнитных свойств. Массивы кобальтовых нанопроволок шириной (25, 70) нм и толщиной (3 и 1,2) нм изготавливают осаждая кобальт под углом наклона (3°, 2,5°) к плоскости подложки на ступенчатую поверхность оксидированного Si(111) при комнатной температуре. Период и ширина террас ступеней на поверхности Si(111) составляет 110 нм и 85 нм соответственно. Перед осаждением кобальта ступенчатую поверхность Si(111) оксидируют в атмосфере кислорода при температуре 830°C в течение 15 ч. Толщина окисла составляет 110 нм. Показана сильная зависимость толщины нанопроволок от угла наклона осаждаемого материала в пределах 0,5°, что лежит в пределах ошибки измерения. Структура сформированных нанопроволок кобальта является поликристаллической.

Недостатком данного способа является то, что вследствие поликристаллической структуры получаемые кобальтовые нанопроволоки содержат большое количество структурных дефектов (например, межзеренных границ) в отличие от монокристаллических проволок.

Задачей, поставленной и решаемой заявляемым способом, является создание массива упорядоченных металлических нанопроволок с заданной геометрией и блочной монокристаллической структурой на ступенчатой поверхности силицида меди Cu2Si.

Технический результат, достигаемый при реализации предлагаемого изобретения, - возможность контролируемого формирования на ступенчатой поверхности Cu2Si упорядоченных массивов металлических нанопроволок толщиной 12±2 нм с блочной монокристаллической структурой.

Поставленная задача решается способом формирования массива упорядоченных металлических нанопроволок, включающим осаждение в условиях сверхвысокого вакуума металла (Me) (кобальта, никеля, пермаллоя, меди, золота, железа) под малыми углами наклона 10°÷30° к плоскости подложки на ступенчатую поверхность подложки Cu2Si, при скорости осаждения Me 0,3±0,05 нм/мин и толщине покрытия 20±0,05 нм. Толщина покрытия - толщина осажденного материала, который регистрирует кварцевый измеритель толщин.

При этом, если осаждать Me под углом наклона 10° к плоскости ступенчатой поверхности подложки, формируют упорядоченный массив блочных монокристаллических нанопроволок шириной 35±2 нм.

При осаждении Me под углом наклона 20° к плоскости ступенчатой поверхности подложки формируют упорядоченный массив блочных монокристаллических нанопроволок шириной 45±2 нм.

При осаждении Me под углом наклона 30° к плоскости ступенчатой поверхности подложки формируют упорядоченный массив блочных монокристаллических нанопроволок шириной 65±2 нм.

Отличительный признак заявляемого способа формирования массива металлических нанопроволок на ступенчатой поверхности Cu2Si:

- формируют массив упорядоченных нанопроволок, осаждая Me под малым углом наклона в интервале (10°÷30°) к плоскости предварительно подготовленной ступенчатой поверхности подложки Cu2Si.

Предлагаемый способ поясняется схемой и изображениями, приведенными на фиг. 1-3:

- на фиг. 1 приведена схема, на которой показана геометрия расположения подложки относительно источника осаждения в заявляемом способе формирования массива металлических нанопроволок на ступенчатой поверхности Cu2Si: (а) - ступенчатая поверхность Cu2Si; (б) - осаждение Me на ступенчатую поверхность Cu2Si под выбранным углом наклона;

- на фиг. 2 приведены результаты исследования поверхности подложки с металлическими нанопроволоками, сформированными при осаждении кобальта под углом наклона 10° к плоскости ступенчатой поверхности Cu2Si: (а) - изображение, полученное методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ); (б) - изображение, полученное методом сканирующей электронной микроскопии (СЭМ);

- на фиг. 3 приведены результаты исследования поверхности подложки с металлическими нанопроволоками, сформированными при осаждении кобальта под углом наклона 20° к плоскости ступенчатой поверхности Cu2Si: (а) - изображение, полученное методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ); (б) - изображение, полученное методом сканирующей электронной микроскопии (СЭМ).

Заявляемый способ формирования массива упорядоченных металлических нанопроволок на поверхности подложки Si(111), покрытой слоем силицида меди, реализуют в два этапа. Схематично они показаны на фиг. 1(a) - получение ступенчатой поверхности Cu2Si; (б) - формирование массива упорядоченных металлических нанопроволок методом осаждения под разными углами к плоскости ступенчатой поверхности Cu2Si.

На первом этапе подготавливают ступенчатую структуру поверхности Cu2Si. Формирование идеально ровных ступеней высотой 12±2 нм и шириной 150±50 нм осуществляют по методике, разработанной и описанной авторами заявляемого изобретения - патент на изобретение «Способ формирования упорядоченных структур на поверхности полупроводниковых подложек» №2593633 (заявка №2015118114 от 14.05.2015).

На втором этапе под малым углом наклона (10°÷30°) к плоскости подложки на ступенчатую поверхность Cu2Si осаждают Me.

При этом, если осаждать Me под углом наклона 10° к плоскости ступенчатой поверхности подложки, формируют упруго напряженный упорядоченный массив металлических нанопроволок шириной 35±2 нм с блочной монокристаллической структурой (фиг. 2, осаждаемый Me-Co) при толщине покрытия Co - 20 нм. Экспериментальным путем установлено, что осаждение Me под малыми углами наклона (10°÷30°) на ступенчатую поверхность подложки Cu2Si приводит к формированию монокристаллических нанопроволок.

При этом период расположения металлических нанопроволок повторяет ступенчатую структуру поверхности Cu2Si. Нанопроволоки образованы из сросшихся между собой плоских островков Me.

Пример 1 демонстрирует, что рост эпитаксиальных нанопроволок Co происходит вдоль направления ступеней и преимущественно совпадает с кристаллографическим направлением подложки Si(111) типа <110>.

Осаждение Me под углом наклона 20° к плоскости ступенчатой поверхности подложки приводит к формированию упруго напряженного упорядоченного массива монокристаллических нанопроволок шириной 45±2 нм с блочной структурой. Период расположения нанопроволок повторяет ступенчатую структуру поверхности Cu2Si. Рост эпитаксиальных нанопроволок наблюдается строго вдоль края ступеней Cu2Si и совпадает с кристаллографическим направлением подложки Si(111) типа <110>, что подтверждается экспериментальным путем в случае осаждения кобальта с толщиной покрытия 20 нм /пример 2, фиг. 3/.

Если осаждать Me под углом наклона 30° к плоскости ступенчатой поверхности подложки, то формируется упруго напряженный упорядоченный массив монокристаллических нанопроволок шириной 65±2 нм с блочной кристаллической структурой.

Осаждение Me под углами наклона в интервале (10°÷30°) на ступенчатую поверхность Cu2Si приводит к формированию ровных упорядоченных монокристаллических нанопроволок.

Осаждение Me под углами наклона меньше 10° на ступенчатую поверхность Cu2Si приводит к формированию извилистых, шероховатых и структурно не сплошных монокристаллических нанопроволок.

При осаждении Me под углами наклона больше 30° на ступенчатую поверхность Cu2Si происходит формирование не упорядоченных и местами сросшихся между собой монокристаллических нанопроволок.

Сопоставительный анализ существенных признаков заявляемого способа с существенными признаками аналогов и прототипа свидетельствует о его соответствии критерию «новизна».

При этом отличительные признаки заявляемого способа формирования массива нанопроволок на ступенчатой поверхности кремния Si(111), покрытой слоем силицида меди, в совокупности с известными существенными признаками, обеспечивают заявляемому техническому решению новое техническое свойство, заключающееся в возможности, изменяя угол осаждения металла к плоскости поверхности ступенчатой подложки, формировать посредством самоорганизации структуры в виде ровных упорядоченных монокристаллических нанопроволок, имеющих заданные размеры, зависящие от технологических параметров. Упорядоченный массив металлических нанопроволок, получаемых заявляемым способом, имеет высоту, равную 12±2 нм, и протяженность 3 мм, что соответствует высоте ступеней и ширине поверхности подложки. Массив упорядоченных блочных монокристаллических нанопроволок Co имеет гексагональную плотноупакованную решетку с гладкими краями, что является существенным преимуществом по сравнению с известными образцами в случае их последующего практического применения.

На основании изложенного можно заключить, что совокупность существенных признаков заявляемого изобретения имеет причинно-следственную связь с достигаемым техническим результатом.

Опытным путем установлено, что заявляемый способ формирования массива упорядоченных металлических нанопроволок на ступенчатой поверхности Cu2Si позволяет управлять шириной нанопроволок, ориентированных вдоль направления типа <110> Si. В процессе осаждения Me качество покрытий контролируют методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ). Морфологию и геометрические параметры нанопроволок (ширину, высоту и протяженность) определяют с помощью методов сканирующей электронной микроскопии и атомной силовой микроскопии.

Возможность осуществления предлагаемого изобретения подтверждается ниже приведенными примерами.

Пример 1. Формирование массива монокристаллических нанопроволок с блочной кристаллической структурой при осаждении Co под углом наклона 10° к плоскости ступенчатой поверхности подложки

На первом этапе формируют ступенчатую структуру поверхности Cu2Si. Формирование идеально ровных ступеней высотой 12±2 нм и шириной 150±50 нм осуществляют по методике, описанной в патенте на изобретение №2593633 (заявка №2015118114 от 14.05.2015).

На втором этапе осаждают кобальт из эффузионной ячейки со скорость осаждения Co 0,3 нм/мин методом молекулярно-лучевой эпитаксии в условиях сверхвысокого вакуума (5×10-10 Торр) /фиг. 1(б)/. Толщину покрытий контролируют кварцевым измерителем толщин фирмы «Омикрон»; калибровку кварцевого датчика осуществляют посредством методов ДБЭ и СТМ. Структуру сформированных слоев кобальта исследуют в вакууме методом ДБЭ с энергией электронного пучка 15 кэВ и СТМ (напряжение ±2,0 В, туннельный ток 1 нА) производства фирмы «Омикрон». Морфологию поверхности исследуют на воздухе методами сканирующей электронной микроскопии и атомной силовой микроскопии.

В результате осаждения Co под углом наклона 10° к плоскости ступенчатой поверхности подложки формируют упорядоченный массив нанопроволок шириной 35±2 нм, высотой 12±2 нм при толщине покрытия Co - 20 нм. На фиг. 2,а показано изображение, полученное методом дифракции быстрых электронов от кобальтовых нанопроволок. После осаждения кобальта на картинах дифракции наблюдаются размытые рефлексы на просвет от нанопроволок кобальта. Картина дифракции с рефлексами в виде пятен получается от отдельных монокристаллических блоков с малым углом разориентации в плоскости подложки. Теоретический расчет упругих напряжений по картинам дифракции от кобальтовых нанопроволок показывает, что деформация монокристаллических нанопроволок составляет 2%. Это доказывает, что монокристаллический массив нанопроволок Co имеет блочную кристаллическую структуру с упругими напряжениями. Повторяемость дифракционной картины наблюдается через 180 градусов. Расшифровка дифракционной картины от Co нанопроволок показывает, что Co имеет гексагональную плотноупакованную (ГПУ) решетку и ориентируется плоскостью (-12-10):

Таким образом, кристаллографическая ось [0001] в ГПУ решетке Co ориентирована вдоль длинной стороны нанопроволок. Нанопроволоки лежат на поверхности террасы слоя Cu2Si боковой гранью.

На фиг. 2,б показано изображение СЭМ поверхности, содержащей эпитаксиальные нанопроволоки Co. Период расположения нанопроволок повторяет ступенчатую структуру поверхности подложки Cu2Si. Нанопроволоки образованы из сросшихся между собой плоских островков кобальта. Рост эпитаксиальных нанопроволок Co наблюдается вдоль направления ступеней и преимущественно совпадает с кристаллографическим направлением подложки Si(111) типа <110>.

Пример 2. Формирование упорядоченного массива нанопроволок при осаждении Co под углом наклона 20° к плоскости ступенчатой поверхности подложки

Пример 2 проводят по примеру 1, но кобальт осаждают под углом наклона 20° к плоскости ступенчатой поверхности подложки. В результате формируют упорядоченный массив напряженных блочных монокристаллических нанопроволок шириной 45±2 нм и высотой 12±2 нм. Толщина покрытия Co составляет 20 нм. Структура кобальтовых нанопроволок такая же, как описано в примере 1.

На фиг. 3(б) показано изображение СЭМ поверхности, содержащей монокристаллические нанопроволоки Co. Период расположения нанопроволок повторяет ступенчатую структуру поверхности подложки Cu2Si. Рост эпитаксиальных нанопроволок Со наблюдается строго вдоль края ступеней Cu2Si и совпадает с кристаллографическим направлением подложки Si(111) типа <110>.

Таким образом, экспериментальным путем доказана возможность формирования массива упорядоченных блочных монокристаллических металлических нанопроволок (Me - кобальт, никель, пермаллой, медь, золото, железо) на ступенчатой поверхности Cu2Si в результате осаждения Me под малыми углами наклона (10°÷30°) к плоскости ступенчатой подложки силицида меди.

Разработанный способ формирования массива металлических нанопроволок является перспективным для создания наноструктур на ступенчатой поверхности Cu2Si требуемых размеров, что позволит изготавливать твердотельные электронные приборы и их компоненты, например шины данных для передачи электрического сигнала в наноэлектронике или спин поляризованных фильтров в устройствах спинтроники.

Литература

1. К. Богданов. Нанотехнологий: когда размер имеет значение // Ж. Квант. 3 (2008), 6-12.

2. В.М. Анищик, В.Е. Борисенко, С.А. Жданок, Н.К. Толочко, В.М. Федосюк. Наноматериалы и Нанотехнологии // Мн.: БГУ (2008), 375 с.

3. A.V. Zotov, D.V. Gruznev, О.A. Utas, V.G. Kotlyar, A.A. Saranin. Multi-mode growth in Cu/Si(111) system: Magic nanoclustering, layer-by-layer epitaxy and nanowire formation // Surface Science 602 (2008), 391-398.

4. Патент Российской Федерации №2359356, опубл. 20.06.2009 г.

5. Д.А. Бизяев, А.А. Бухараев, Д.В. Лебедев, Н.И. Нургазизов, Т.Ф. Ханипов. Наночастицы и нанопроволоки никеля, полученные с помощью сканирующей зондовой литографии методом точечного индентирования // Письма в ЖТФ, 38, 14 (2012), 8-15.

6. S.K. Arora, В.J. O'Dowd, С. Nistor, Т. Balashov, В. Ballesteros, A. Lodi Rizzini, J.J. Kavich, S.S. Dhesi, P. Gambardella and I.V. Shvets. Structural and magnetic properties of planar nanowire arrays of Co grown on oxidized vicinal silicon (111) templates // J. Appl. Phys. 111 (2012) 07E342-1-07E342-3.

7. S.K. Arora, B.J. O'Dowd, B. Ballesteros, P. Gambardella and I.V. Shvets. Magnetic properties of planar nanowire arrays of Co fabricated on oxidized step-bunched silicon templates // Nanotechnology 23 (2012) 235702-1-235702-7.

1. Способ формирования массива нанопроволок на ступенчатой поверхности подложки Cu2Si, отличающийся тем, что в условиях сверхвысокого вакуума на предварительно сформированной ступенчатой поверхности силицида меди формируют ровные монокристаллические нанопроволоки заданной ширины осаждением металла под малыми углами наклона в интервале 10°÷30° к плоскости подложки при толщине покрытия металла, равной 20 нм.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при осаждении металла под углом наклона к плоскости подложки 10° формируют нанопроволоки шириной 35±2 нм, под углом наклона 20° - шириной 45±2 нм, а при угле наклона 30° формируют нанопроволоки шириной 65±2 нм.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве металла используют кобальт, никель, пермаллой, медь, золото, железо.

4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют упорядоченные массивы монокристаллических нанопроволок с толщиной 12±2 нм с блочной кристаллической структурой и с малым количеством дефектов.

5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формируют массив монокристаллических нанопроволок, ориентированных вдоль боковых граней ступеней подложки с кристаллографическим направлением типа <110>Si.



 

Похожие патенты:

Использование: для создания массива упорядоченных ферромагнитных нанопроволок на ступенчатой поверхности Cu2Si с буферным слоем меди. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования массива ферромагнитных нанопроволок включает формирование упорядоченной ступенчатой структуры силицида меди Cu2Si в условиях сверхвысокого вакуума на предварительно подготовленной поверхности вицинального кремния Si(111), на поверхность подложки Cu2Si/Si(111) наносят буферный слой меди толщиной 2 нм с последующим формированием на его поверхности эпитаксиальных массивов ферромагнитных нанопроволок с заданными геометрическими параметрами осаждением ферромагнитных металлов под малыми углами наклона в интервале (10°÷30°) к плоскости ступенчатой подложки с медным буферным слоем.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением, применяемым в производстве полупроводниковых приборов.

Группа изобретений относится к технологии вакуумной эпитаксии германия или германия и кремния, включающей применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления естественно образовавшегося или сформированного защитного слоя диоксида кремния с рабочей поверхности химически очищенной кремниевой подложки на этапе - ее подготовительной вакуумной очистке перед вакуумным осаждением германия или германия и кремния на указанную подложку для получения соответствующей эпитаксиальной пленки.

Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно новой фазы дисилицида стронция, обладающего в контакте с кремнием низкой высотой барьера Шоттки, и может быть использовано для создания контактов истока/стока в технологии производства полевых транзисторов с барьером Шоттки.

Изобретение относится к области формирования эпитаксиальных слоев кремния на изоляторе. Способ предназначен для изготовления эпитаксиальных слоев монокристаллического кремния n- и p-типа проводимости на диэлектрических подложках из материала с параметрами кристаллической решетки, близкими к параметрам кремния с помощью химической газофазной эпитаксии.

Изобретение относится к способу получения эпитаксиальной пленки дисилицида европия на кремниевой подложке и может быть использовано для создания контактов истока/стока в технологии производства полевых МОП транзисторов с барьером Шоттки (SB-MOSFET), а также для создания устройств спинтроники в качестве контакта-инжектора/детектора спин-поляризованных носителей.

Изобретение относится к пассивации поверхности пластин кремния. Пассивация поверхности кремниевых пластин включает очистку пластин кристаллического кремния, распыление кремния магнетроном с кремниевой мишенью.

Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений А3В5 методами жидкостной эпитаксии.

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к установкам для выращивания наногетероэпитаксиальных структур методом жидкофазной эпитаксии, и может быть использовано при производстве материалов для полупроводниковых приборов.
Изобретение относится к способу получения тонких аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти и может быть использовано в качестве рабочего слоя в устройстве энергонезависимой фазовой памяти для электронной техники.

Изобретение относится к получению газа, метана и его гомологов из приповерхностных скоплений твердых газовых гидратов донных отложений. В процессе разработки аквальной залежи газогидратов, газ аккумулируется и проходит первичную обработку на платформе (или на судне), снабженной насосно-компрессорной трубой, трубопроводом со специальными баками для распределения и подачи воды, узлом подготовки вод, измерительными приборами для контроля за подачей воды и разрушающими залежь частицами, сборным колоколом, трубопроводом для отбора образующейся газовой смеси, приборами для контроля системы откачки образующегося продукта (газовой смеси), далее транспортируется в береговой накопитель метана.

Изобретение относится к способу получения нанокапсул циклофосфана-ЛЭНС. Указанный способ характеризуется тем, что 0,5 г циклофосфана-ЛЭНС медленно добавляют в суспензию 0,1 г альгината натрия в бутаноле в присутствии 50 мг препарата Е472с в качестве поверхностно-активного вещества при перемешивании 1000 об/мин, далее приливают 5 мл серного эфира, выпавший осадок отфильтровывают и сушат при комнатной температуре.

Изобретение относится к способу получения нанокапсул веро-ифосфамида в альгинате натрия. Указанный способ характеризуется тем, что веро-ифосфамид медленно добавляют в суспензию альгината натрия в петролейном эфире в присутствии препарата Е472с в качестве поверхностно-активного вещества при перемешивании 1000 об/мин, далее приливают метиленхлорид, выпавший осадок отфильтровывают и сушат при комнатной температуре, при этом массовое соотношение ядро:оболочка в нанокапсулах составляет 5:1 или 1:1.

Изобретение относится к способу получения нанокапсул хлоральгидрата в каппа-каррагинане. Указанный способ характеризуется тем, что в суспензию каппа-каррагинана в бутаноле и 0,01 г препарата Е472с, используемого в качестве поверхностно-активного вещества, добавляют порошок хлоральгидрата, затем добавляют 10 мл метиленхлорида, полученную суспензию нанокапсул отфильтровывают и сушат, при этом массовое соотношение ядро:оболочка в нанокапсулах составляет 1:1 или 1:3.

Изобретение относится к способу синтеза керамического материала на основе корунда, модифицированного углеродом. Материал может быть использован для изготовления пластин для бронежилетов, а также различных компонент изделий, требующих повышенной твердости.

Изобретение может быть использовано при изготовлении осветительных устройств. Сначала смешивают люминесцентные наночастицы, наружная поверхность которых покрыта двумя типами защитных молекул, с предшественником твердого полимера.

Изобретение относится к оптико-механической и электронной промышленности, а точнее к технологии получения композиционных материалов, содержащих полупроводниковые частицы, для оптических и электронных приборов и комплексов.

Изобретение относится к области молочной промышленности и нанотехнологии. В процессе заквашивания в получаемый продукт вводят наноструктурированную добавку, включающую сульфат железа в каррагинане или в конжаковой камеди.

Изобретение относится к получению порошка карбида титана. Металлический титан помещают в печь, разогревают печь до 700÷850°C и подают на поверхность металлического титана углеводородный компонент в газообразном виде совместно с аргоном в течение 90÷180 минут.

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано для получения модифицированной лигатуры неодим-железо для постоянных магнитов неодим-железо-бор.

Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано для получения надежного люминесцентного маркера в медицине и биологии. Сначала смешивают водные растворы, содержащие катионы Са2+ и Eu3+, при контроле их концентрации и соотношении в растворе. В качестве источников катионов Са2+ и Eu3+ берут нитраты этих элементов. Нитрат кальция берут с концентрацией 1 моль/л и в количестве 20 мл, а нитрат европия берут с концентрацией 0,02 моль/л и в количестве 5-50 мл, что соответствует мольному соотношению Eu/Са 0,5-5%. Дистиллированной водой объем раствора доводят до 100 мл. Одновременно готовят водный раствор, содержащий фосфат-анионы, при контроле их концентрации, для чего используют смесь 12 мл дигидрофосфата калия с концентрацией 1 моль/л и 10 мл раствора KOH с концентрацией 1,4 моль/л. Доводят второй раствор дистиллированной водой до 100 мл и рН 11-12. Каждый из приготовленных растворов нагревают до 90°С, берут в объеме 100 мл и смешивают при активном перемешивании. Затем смешанный раствор выдерживают при 90°С в течение 2-3 часов, охлаждают и отделяют из раствора осадок, который промывают не менее 6 раз дистиллированной водой в объеме не менее 400 мл. Промытый осадок высушивают при температуре 110°С в течение 6-7 часов. Полученный наноразмерный высоколюминесцентный апатит с примесью европия (Eu) имеет интенсивность люминесценции до 3500000 отн. ед., что является максимально возможным значением для люминесцентных апатитов, содержащих европий. 4 ил., 3 табл., 3 пр.

Использование: для создания массива упорядоченных ферромагнитных нанопроволок на ступенчатой поверхности Cu2Si с буферным слоем меди. Сущность изобретения заключается в том, что в условиях сверхвысокого вакуума на предварительно сформированной ступенчатой поверхности силицида меди формируют ровные монокристаллические нанопроволоки заданной ширины осаждением металла под малыми углами наклона в интервале 10°÷30° к плоскости подложки при толщине покрытия металла, равной 20 нм. Технический результат: обеспечение возможности создания массива упорядоченных металлических нанопроволок с заданной геометрией и блочной монокристаллической структурой. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Наверх