Ионный источник



Ионный источник
Ионный источник

 


Владельцы патента RU 2630426:

Акционерное общество "Лыткаринский завод оптического стекла" (RU)

Изобретение относится к газоразрядным электронным приборам с ионным пучком и может использоваться при обработке материалов, в частности при ионной полировке оптических деталей до дифракционного качества поверхности. Ионный источник содержит магнитную систему под потенциалом катода с кольцевым зазором между внутренним и внешним полюсами системы, постоянный магнит в качестве источника магнитодвижущей силы, анод, установленный симметрично кольцевому зазору, систему подачи рабочего газа со стороны анода. Кольцевой зазор выполнен в виде конусообразной щели. Перед внутренним полюсом установлен дополнительный полюс в виде диска диаметром меньшим внутреннего конусного раскрытия кольцевого зазора, а внешний и внутренний полюса выполнены в виде конуса, ориентированного своим основанием в сторону дополнительного полюса. В пространстве между внутренним конусным раскрытием кольцевого зазора и дополнительным полюсом установлена кольцевая вставка из немагнитного материала. Технический результат - создание ионного источника со сходящимся пучком ионов для ионной полировки оптических деталей и повышение ресурса его работы. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

 

Изобретение относится к газоразрядным электронным приборам с ионным пучком и может использоваться при обработке материалов, в частности при ионной полировке оптических деталей до дифракционного качества поверхности.

Известна целая серия ионных источников данного типа, например, источник ионов согласно патенту RU 2248064, опубл. 10.03.2005 г., содержащий полый корпус, служащий катодом, в торцевых стенках которого выполнены эмиссионная щель и каналы для напуска рабочего газа, магнитные наконечники и анод, установленный в полости корпуса напротив щели, источники магнитодвижущей силы. Для уменьшения эрозии магнитных наконечников они снабжены дополнительными защитными пластинами, установленными с соблюдением определенных геометрических соотношений между размерами пластин и апертурой эмиссионной щели. Возникающие при ионизации рабочего газа положительные ионы ускоряются в области между анодом и защитными пластинами и, выходя через эмиссионную щель с заданной апертурой, образуют протяженный ленточный пучок ионов, повторяющий форму щели. Однако для целей ионной полировки, где нужен сходящийся пучок ионов, данный источник ионов не пригоден, т.е. он не решает поставленную задачу.

Известен ионный источник аналогичной конструкции по патентной заявке WO 01/09918, опубл. 08.02.2001 г., в котором, в отличие от предыдущего, вместо защитных пластин все поверхности эмиссионной щели выполнены с эррозионностойким покрытием из немагнитного материала. Однако и в этом источнике без дополнительных ухищрений невозможно получить сходящийся пучок ионов.

Ближайшим по конструктивному исполнению к предлагаемому может служить источник ионов с замкнутым дрейфом электронов по патенту RU 2030807, опубл. 10.03.1999 г. Источник ионов содержит магнитную систему в виде магнито-проводящего корпуса, служащего катодом, с полюсными наконечниками, образующими выходную кольцевую эмиссионную щель, источник магнитодвижущей силы, анод, установленный в полости корпуса симметрично относительно эмиссионной щели. Полость корпуса соединена с системой подачи рабочего газа со стороны анода, а эмиссионная щель образована двумя параллельными прямоугольными участками, замкнутыми на концах криволинейными конусообразными участками щели. При ионизации рабочего газа в эмиссионной щели формируется протяженный ленточный пучок ионов, который, выходя из щели, повторяет ее форму и распространяется перпендикулярно плоскости торцевой стенки корпуса. Ширина ленточного пучка может достигать 1400 мм. Однако создать сходящийся пучок ионов в данном источнике ионов затруднительно, и он не решает поставленную задачу.

Задачей изобретения является создание ионного источника со сходящимся пучком ионов для ионной полировки оптических деталей и повышение ресурса его работы.

Технический результат, обусловленный поставленной задачей, достигается тем, что в ионном источнике, включающем магнитную систему под потенциалом катода с кольцевым зазором между внутренним и внешним полюсами магнитной системы, источник магнитодвижущей силы, анод, установленный сзади симметрично кольцевому зазору, систему подачи рабочего газа со стороны анода, при этом кольцевой зазор выполнен в виде конусной щели, в отличие от известного перед внутренним полюсом магнитной системы установлен дополнительный полюс в виде диска диаметром меньшим внутреннего конусного раскрытия кольцевого зазора, магнитная система выполнена в виде конуса, ориентированного своим основанием в сторону дополнительного магнита, а между внутренним конусным раскрытием кольцевого зазора и дополнительным полюсом установлена кольцевая вставка.

Конусная конфигурация полюсов позволяет получить сходящийся ионный пучок. Торцевые поверхности полюсов в кольцевом зазоре имеют фаску под определенным углом и с требуемой ориентацией относительно зазора. Такая конфигурация магнитных полюсов в области кольцевого зазора и наличие вставки позволяют значительно снизить их эрозию, происходящую вследствие распыления данных участков полюсов высокоэнергетичными заряженными частицами, тем самым увеличить срок их службы (ресурс работы). Дополнительный полюс предназначен для формирования на определенном фокусном расстоянии ионного пучка с профилем в виде круга и Гауссовым (или близким к нему) распределением ионного тока по профилю.

Изобретение поясняется чертежом ионного источника в разрезе.

Ионный источник (ИИ) состоит из цилиндрического корпуса 1, на торце которого закреплены внешний 2 и внутренний 3 полюса магнитной системы в виде двух колец из магнитопроводящей стали. Полюса 2 и 3 выполнены в виде конуса, ориентированного своим основанием наружу. Между полюсами 2 и 3 имеется кольцевой зазор, переходящий на расстоянии от внутренней поверхности в пределах 1/3…1/2 толщины полюсов в фаски под углами 35…45° на наружной поверхности полюса. Кольцевой зазор с расширяющимся конусообразным выходом служит эмиссионной щелью для ионизированного газа. Внутри корпуса 1 симметрично и сзади кольцевого зазора (эмиссионной щели) установлен кольцевой водоохлаждаемый анод 4. К корпусу 1 подсоединена система подачи рабочего газа со стороны анода 4, а также источник магнитодвижущей силы - постоянный магнит 5. Полюса 2 и 3 находятся под потенциалом катода. Они так же, как и анод 4, охлаждаются водой. Перед внутренним полюсом 3 расположен закрепленный на корпусе дополнительный полюс 6 - магнитопровод в виде диска диаметром меньшим фасочного (конусного) раскрытия на внутреннем полюсе 3. Пространство между внутренним 3 и дополнительным 5 полюсами было заполнено вставкой 7 из немагнитного материала с низким коэффициентом распыления γ, например, алюминия.

Был изготовлен экспериментальный образец ИИ с диаметром кольцевого зазора, равным 100 мм. Благодаря коническому выполнению полюсов 2 и 3 и дополнительному полюсу 6 такой ИИ формирует конический пучок ионов с диаметром основания 100 мм, который сходится на расстоянии 350 мм на поверхности обрабатываемой детали.

Работает ИИ по схеме ускорителя с азимутальным дрейфом электронов. В источнике реализован принцип бездиссипативного ускорения ионов самосогласованным электромагнитным полем. Ускорительным каналом в источнике ионов служит кольцевой зазор между полюсами магнитной системы, ограниченный с одной стороны анодом. Магнитная система создает в кольцевом канале радиальное магнитное поле, электрическое поле, перпендикулярное магнитному полю, направленное вдоль оси канала. Электроны, подвижность которых поперек магнитного поля сильно ограничена, медленно двигаются к аноду. Атомы рабочего вещества поступают в канал со стороны анода, ионизируются и ускоряются, не испытывая воздействия магнитного поля. Полюса магнитной системы являются проводниками и находятся под потенциалом катода. Для фокусировки пучка на изделии и придания ему определенной конфигурации предусмотрен дополнительный полюс. Таким образом, профиль ионного тока на изделии имеет пик (Гауссово распределение) ионного тока на оси ионного источника.

За счет фасок на внешнем и внутреннем полюсах, вместе образующих конусное раскрытие кольцевой щели, через которую ионный пучок выходит из источника, удалось добиться значительного снижения выработки материала полюсов. В свою очередь, вставка на дополнительном полюсе не дает накапливаться ионизированному газу возле него (полюса), что также приводит к снижению его выработки и достижению технического результата.

1. Ионный источник, включающий магнитную систему под потенциалом катода с кольцевым зазором между внутренним и внешним полюсами системы, источник магнитодвижущей силы (постоянный магнит), установленный сзади симметрично кольцевому зазору анод, систему подачи рабочего газа со стороны анода, при этом кольцевой зазор выполнен в виде конусной щели, отличающийся тем, что перед внутренним полюсом системы установлен дополнительный полюс в виде диска диаметром меньшим внутреннего конусного раскрытия кольцевого зазора, внешний и внутренний полюса выполнены в виде конуса, ориентированного своим основанием в сторону дополнительного полюса, а в пространстве между внутренним конусным раскрытием кольцевого зазора и дополнительным полюсом установлена кольцевая вставка из немагнитного материала.

2. Ионный источник по п. 1, отличающийся тем, что кольцевой зазор выполнен с фасками под углом 35-45° на наружной поверхности полюсов и на расстоянии от внутренней поверхности в пределах 1/3-1/2 их толщины.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам ионно-лучевой обработки изделий с большой площадью поверхности. Обрабатываемые изделия перемещают поперек большой оси пучка, формируемого с помощью ионно-оптической системы, содержащей плазменный и ускоряющий электроды, каждый из которых содержит большое число щелевых апертур.

Изобретение относится к области ионно-плазменного распыления, в частности к ионно-лучевому распылению мишеней для получения тонкопленочных проводящих, полупроводниковых и диэлектрических покрытий на движущихся или вращающихся подложках большой площади.

Изобретение относится к устройствам для синтеза износостойких нанокомпозитных покрытий на изделиях в вакуумной камере. Устройство для синтеза покрытий, содержащее рабочую вакуумную камеру, соединенный с камерой анод, полый катод, эмиссионную сетку, перекрывающую полый катод, мишень, установленную на дне полого катода напротив эмиссионной сетки, источник питания разряда, положительным полюсом соединенный с камерой и анодом, а отрицательным полюсом - с полым катодом и мишенью, и генератор импульсов высокого напряжения, положительным полюсом соединенный с камерой и анодом, а отрицательным полюсом - с эмиссионной сеткой, дополнительно содержит вторую сетку и полый электрод, охватывающий пространство между сетками и соединенный с ними электрически, кроме того, устройство дополнительно содержит магнитную систему с арочной конфигурацией силовых линий, установленную за мишенью на дне полого катода.

Изобретение относится к области обработки поверхности объекта. Устройство для ионного распыления мишени и/или обработки поверхности объекта содержит кольцевой источник ионов, формирующий ионный пучок, распространяющийся в промежутке между двумя условными вложенными друг в друга сходящимися - в направлении от источника ионов к держателю объекта (мишени) - коническими поверхностями, образующие которых составляют с общей осью конусов разные углы и общее основание которых совпадает с окружностью, ограниченной круговой выходной щелью кольцевого источника ионов.

Изобретение относится к устройствам для ввода энергии ионизации в ионный или электронный источник с индуктивным или индуктивно-емкостным возбуждением. .

Изобретение относится к технике получения низкотемпературной плазмы и может быть использовано в источниках электронных и ионных пучков в качестве эмиттера. .

Изобретение относится к клапанам и предназначено преимущественно для быстрого и точного регулирования газовой среды накопительных камер инжекторов холодной плазмы, в реакторах для синтеза легких ядер, при давлении газа на входе клапана не более 10 мм ртутного столба.

Изобретение относится к плазменной технике и может использоваться для генерации потоков заряженных частиц, например ионов, в технологических целях и в космических двигательных установках.

Изобретение относится к методам получения нейтрализованных пучков заряженных частиц, их формирования, транспортировки и сепарации и может быть использовано в ионно-пучковых технологиях для ионной имплантации, обработки и модификации поверхностей, нанесения покрытий, для разделения изотопов, нагрева плазмы в ловушках для управляемого термоядерного синтеза и др.
Наверх