Кристаллический материал для регистрации рентгеновского излучения



Кристаллический материал для регистрации рентгеновского излучения
Кристаллический материал для регистрации рентгеновского излучения

 


Владельцы патента RU 2630511:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук (Институт геологии и минералогии СО РАН, ИГМ СО РАН) (RU)

Изобретение относится к технологии получения кристаллического материала, являющегося твердым раствором общей формулы Ва4-xSr3+x(ВО3)4-yF2+3y, где 0≤x≤1 и 0≤y≤0,5, пригодного для регистрации рентгеновского излучения. Кристаллический материал Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3y имеет центры окраски, образованные под воздействием рентгеновского излучения - стабильные дырочные центры [(ВО3)О]4-, устойчивые при комнатной температуре в течение не менее трех месяцев, обуславливающие поглощение в видимой области спектра и изменение окраски кристаллов до темно-фиолетового и релаксацию после облучения интенсивным источником света с длиной волны 300-400 нм. Данный материал является монокристаллическим, характеризуется низкой гигроскопичностью и может быть синтезирован на воздухе в отсутствие высокотоксичных элементов. 5 ил., 2 пр.

 

Рентгеночувствительные материалы с эффектом оптической памяти являются основой технологии изготовления запоминающих пластин (image plate) для регистрации изображений в медицинской рентгенографии, дефектоскопии и рентгеновской дифракции [Mori N., Oikawa Т. Adv. Imaging Electron Phys. 1998, 99, 241-290; Leblans P., Vandenbroucke D., Willems P. Materials. 2011, 4, 1034-1086]. Известны следующие рентгеночувствительные люминофоры - щелочные галоиды RbBr : Tl и CsI : Na, щелочноземельные фторогалоиды BaFX (X=Cl, Br, I), сульфиды MeS (Me=Mg, Са, Sr, Ва) с примесью (Се, Sm), (Eu, Sm) или Bi [Sonada M., Takano M., Miyahara J., Kato H. Radiology. 1983, 148, 833-837; Gurvich A.M., Myakhkova M.G., Rudiger J., Kavtorova V.P. Nucl. Tracks Rad. Meas. 1993, 21(1), 29-33; Doyama M., Terashima Y., Ozaki A., Iwamoto A., Kanazawa I., Komori F., Eto M. Appl. Surf. Sci. 1999, 149(1-4), 71-76; Kobayashi H., Satoh M., Matsubyashi M. Nucl. Instrum. Meth. A, 1999, 424(1), 221-228]. В настоящее время основным материалом, получившим широкое распространение для коммерческого использования, является фторидобромид бария, легированный европием BaFBr : Eu2+ [Bradford М., Andrews D.A., Harrison A., Roden S.G., King T.A. J. Lumin. 1997, 72(74), 742-744; Takahashi K., Miyahara J. J. Electrochem. 1985, 132, 1492-1494; Chen W., Su M. Z. Appl. Phys. Lett. 1997, 70(3), 301-302].

В наиболее эффективных рентгеночувствительных люминофорах значительная часть поглощенной энергии, ионизирующей частицы, запасается на метастабильных уровнях, образуя так называемые «центры окраски». При стимуляции, т.е. при освещении предварительно возбужденного кристалла светом из области наведенного поглощения, происходит ионизация электронных центров окраски и последующая рекомбинация зонных носителей с активаторными центрами, которые излучают в области спектра, соответствующие их люминесценции [Шалаев А.А. Взаимодействие дефектов и фотостимулированная люминесценция во фторидах бария: дис. канд. физ.-мат. наук / Ин-т геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН. - Иркутск, 2003. - 127 с.].

Система ВаО-BaF22О3 представляет значительный интерес для выращивания кристаллов низкотемпературной модификации бората бария β-BaB2O4 [Bekker Т.В., Kokh А.Е., Fedorov P.P. CrystEngComm. 2011, 13, 3822-3826] и функциональных фторидоборатов, в частности Ba3B6O11F2 (Р21) [Yu Н., Pan S., Wu Н., Su X., Yang Z. J. Alloys Comp. 2014, 585, 602-607; McMillen C.D., Stritzinger J.T., Kolis J.W. Inorg. Chem. 2012, 51(7), 3953-3955] и Ba4B11O20F (Cmc2) [Wu H., Yu H., Yang Z., Hou X., Su X., Pan K., Poeppelmeier K.R., Rondinelli J.M. J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 4215-4218].

В системе ВаО-BaF22О3 коллективом авторов синтезирована и структурно охарактеризована фаза Ba7(BO3)4-yF2+3y, 0.21<y<0.65 (P63) и ее стронциевый аналог Ва4-xSr3+x(BO3)4-yF2+3y (P63mc) с новым типом анионного изоморфизма [(ВО3)Р]4-↔[F4]4- [Rashchenko S.V., Bekker Т.В., Bakakin V.V., Seryotkin Yu.V., Shevchenko V.S., Kokh A.E., Stonoga S. Yu. Cryst. Growth Des. 2012, 12 (6), 2955-2960; Bekker Т.В., Rashchenko S.V., Bakakin V.V., Seryotkin Yu. V., Fedorov P.P., Kokh A.E., Stonoga S. Yu. CrystEngComm. 2012, 14, 6910-6915; Rashchenko S.V., Bekker T.B., Bakakin V.V., Seryotkin Yu. V., Kokh A.E., Gille P., Popov A.I., Fedorov P.P. J. Appl. Cryst. 2013, 46, 1081-1084]. Фазы имеют характерную общую структурную особенность - пирамидальные группы [Х4]4-, вершины которой могут быть заняты или четырьмя атомами фтора 4F-, или атомом фтора и появившимся вместо одной из треугольных граней (кроме базальной) группой (ВО3)3-. Это приводит к статистическому распределению пирамид [(ВО3)F]4- и [4F]4- в структуре фаз.

Кристаллы Ba7(BO3)4-yF2+3y обнаружили ранее не описанное для кристаллов боратов явление - под действием рентгеновского излучения в кристаллах происходит образование полос поглощения в видимой области и, как следствие, интенсивное окрашивание в темно-фиолетовый цвет. Под действием лазерного излучения с длиной волны менее 300-400 нм наведенные центры окраски исчезают, что делает их перспективным сенсором с оптической памятью, пригодным для фиксации рентгеновских изображений (Фиг. 1). Изучение новых фаз методами оптической и ЭПР-спектроскопии показало, что наведенное поглощение в видимой области спектра связано с наличием в структуре тетраэдрических анионных групп [4F]4- и [(ВО3)F]4- [Yelisseyev А.Р., Jiang X., Solntsev V.P., Bekker T.B., Lin Z., Fedorov P.P. J. Solid State Chem. 2015, 229, 358-365].

В необлученных кристаллах Ba7(BO3)4-yF2+3y парамагнитные центры и, соответственно, спектры ЭПР не наблюдаются. Под действием рентгеновского излучения в кристаллах образуются центры электронного (F-центры) и дырочного типа (атомы кислорода O-, потерявшие электрон или, что то же самое, захватившие дырку. Центры окраски в Ba7(BO3)4-yF2+3y релаксируют спонтанно при хранении в темноте при 300К. Установлено, что вхождение стронция усиливает образование F-центров и стабилизирует дырочные центры при комнатной температуре [Batentschuk М., Hackenschmied P., Winnacker A. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1999, 560, 27-32; Hackenschmied, P.; Li, H.; Epelbaum, E.; Fasbender, R.; Batentschuk, M.; Winnacker, A. Radiat. Meas. 2001, 33, 669-674].

Задачей настоящего изобретения является получение кристаллического материала в системе ВаО-BaF22О3-SrO, пригодного для регистрации рентгеновского излучения.

Технический результат заключается в получении кристаллического материала, являющегося твердым раствором общей формулы Ва4-xSr3+x(ВО3)4-yF2+3у, где 0≤х≤1 и 0≤у≤0.5, пригодного для регистрации рентгеновского излучения, характеризующегося низкой гигроскопичностью, который может быть получен как монокристаллический материал, а также синтезирован на воздухе в отсутствии высокотоксичных элементов.

Технический результат достигается тем, что кристаллический материал для регистрации рентгеновского излучения является твердым раствором общей формулы Ba4-xSr3+x(BO3)4-yF2+3y, где 0≤х≤1 и 0≤у≤0.5, имеет центры окраски, образованные под воздействием рентгеновского излучения - стабильные дырочные центры [(ВО3)О]4-, устойчивые при комнатной температуре в течение не менее трех месяцев, обуславливающие поглощение в видимой области спектра и изменение окраски кристаллов до темно-фиолетового и релаксацию после облучения интенсивным источником света с длиной волны 300-400 нм.

Кристаллический материал оптического качества для регистрации рентгеновского излучения, являющийся твердым раствором общей формулы Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у, где 0≤х≤1 и 0≤у≤0.5, может быть получен выращиванием монокристаллов из раствор-расплавов, содержащих 40 мол.% Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у, 60 мол.% NaF. В прецизионной нагревательной печи при температуре начала кристаллизации 1010-1080°С со скоростью снижения температуры 0.2 град/сутки и последующим охлаждением монокристаллов со скоростью 15 град/час получают монокристаллический материал общей формулы Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у, где 0≤х≤1 и 0≤у≤0.5.

Также может быть получен поликристаллический материал, являющийся твердым раствором общей формулы Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у, где 0≤х≤1 и 0≤у≤0.5, методом твердофазного синтеза на воздухе из смеси стехиометрического количества исходных компонентов SrF2, SrCO3, ВаСО3, НВО2 при температуре 830-840°С получают поликристаллический материал общей формулы Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у, где 0≤х≤1 и 0≤у≤0.5.

На Фиг. 1 приведена фотография образца (10×10×2 мм3), изготовленного из кристалла Ва7(ВО3)3.51F3.47 после облучения рентгеновским излучением в течение 30 мин (40 кВ, 20 мА, вольфрамовый антикатод) и последующего облучения диодным лазером (405 нм, 50 мВт) в течение 10 сек через трафарет с изображением бабочки.

На Фиг. 2 представлен квадрат составов твердого раствора Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у, а также фотографии выращенных кристаллов Ba4Sr3(BO3)4F2, Ва3.12Sr3.88(ВО3)3.65F3.05, Ba3Sr4(ВО3)4F2 и изготовленных из них образцов для исследования. Катионное замещение Ва2+↔Sr2+ происходит вдоль горизонтальной оси, анионное замещение [4F]4-↔[BO3F]4- - вдоль вертикальной оси. Составы 'Ba4Sr3(ВО3)3F5' и 'Ba3Sr4(ВО3)3F5' не существуют в виде индивидуальных соединений.

На Фиг. 3а приведены спектры пропускания пластинки 0.5 мм, изготовленной из кристалла Ba3Sr4(ВО3)4F2 до (1) и после (2) рентгеновского облучения в течение 30 мин. На вставке: край фундаментального поглощения Ba3Sr4(ВО3)4F2 в координатах (α hν)'=f(hν) при 300 К (3) и 80К (4). На Фиг. 3б приведены спектры возбуждения люминесценции Ba4Sr3(ВО3)4F2 при возбуждении 450 нм (1), 500 нм (2), 550 нм (3), 600 нм (4), 650 нм (5) при 300К.

На Фиг. 4 приведены спектры фотолюминесценции кристалла Ba3Sr4(ВО3)4F2 до (1) и после рентгеновского облучения (40 кВ, 20 мА, вольфрамовый антикатод) в течение 30 мин (2), возбуждение 365 нм, Т=300 K.

На Фиг. 5 представлены рентгенограммы образца состава Ba3Sr4(ВО3)4F2, полученного методом твердофазного синтеза (а) и монокристалла соответствующего состава (б), полученного выращиванием из раствор-расплава.

Установлено, что частичное замещение Ва2+ на Sr2+ в структуре Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у твердого раствора изменяет размер F-центров и природу дырочных центров - приводит к образованию устойчивых дырочных центров [(ВО3)О]4-, представляющих собой дефектную пирамиду [(ВО3)F]4-, в которой в позиции фтора находится кислород. Данные центры отсутствуют в кристаллах Ba7(BO3)4-F2+3x. Эти результаты согласуются с результатами Batentschuk с соавторами, полученными для рентгеновского люминофора Ba0.82Sr0.18F1+xBr1-x : Eu2+ [Batentschuk М., Hackenschmied P., Winnacker А. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1999, 560, 27-32; Hackenschmied, P.; Li, H; Epelbaum, E.; Fasbender, R.; Batentschuk, M.; Winnacker, A. Radiat. Meas. 2001, 33, 669-674].

Промежуточные члены твердого раствора Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у (P63mc) принадлежат квадрату составов (Фиг. 2), где замещение Ва2+↔Sr2+ происходит вдоль горизонтальной оси, а замещение [4F]4-↔[(ВО3)F]4- - вдоль вертикальной. Установлено, что в виде индивидуальных соединений существуют крайние члены Ba4Sr3(BO3)4F2 и Ba3Sr4(BO3)4F2, составы 'Ba4Sr3(BO3)3F5' и 'Ba3Sr4(BO3)3F5' в виде индивидуальных соединений не существуют. В ряду твердых растворов Ва4-xSr3+x(ВО3)4F2 все анионные группы [Х4]4- представлены группами [(ВО3)F]4-. Это означает, что концентрация образующихся дырочных центров [(ВО3)О]4- в них максимальна. Интенсивность ЭПР спектров центров [(ВО3)О]4- не меняется при хранении при комнатной температуре в течение трех месяцев, что значительно превышает аналогичные показатели для галогенсодержащих фосфоров.

В отличие от галогенидов щелочных и щелочноземельных металлов, синтез которых требует бескислородной атмосферы, предлагаемый материал для регистрации рентгеновского излучения на основе Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у может быть легко синтезирован на воздухе. Другими преимуществами являются отсутствие высокотоксичных элементов и низкая гигроскопичность. Кристаллы Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у могут храниться на воздухе без признаков карбонатизации и гидратации в течение длительного времени.

В ряду твердых растворов Ва4-xSr3+x(ВО3)4F2 ширина запрещенной зоны увеличивается от 5.517 до 6.1 эВ при 300 K для Ba4Sr3(ВО3)4F2 и Ba3Sr4(ВО3)4F2, соответственно. Для соединения Ba3.12Sr3.88(BO3)3.65F3.05 ширина запрещенной зоны составляет 5.88 эВ при 300 K. Область прозрачности Ba4Sr3(BO3)4F2 для 0.5 мм пластины простирается от 212 нм до 2.7 мкм, отдельные окна прозрачности наблюдаются в диапазонах 3-3.7 и 5-6.3 мкм. На Фиг. 3 приведены спектры пропускания кристалла Ba4Sr3(BO3)4F2 до и после рентгеновского облучения, край фундаментального поглощения в координатах (α hν)2=f(hν) и спектры возбуждения люминесценции облученного кристалла. На спектрах возбуждения люминесценции четко проявлены два пика поглощения с максимумами на 400 и 520 нм.

Установлено, что кристаллы твердого раствора Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у после облучения рентгеновскими лучами показывают интенсивный спектр люминесценции с максимумами на 455 и 610 нм (Фиг. 4), подобный известному фосфору Ba0.88Sr0.12F1.09Br0.91 : Eu2+, применяемому для регистрации рентгеновского излучения [Batentschuk М., Hackenschmied P., Winnacker A. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1999, 560, 27-32; Hackenschmied, P.; Li, H.; Epelbaum, E.; Fasbender, R.; Batentschuk, M.; Winnacker, A. Radiat. Meas. 2001, 33, 669-674]. Положение полос люминесценции согласуется с наблюдаемыми полосами поглощения в облученном кристалле и результатами оценки расщепления p-уровня дырочного центра [(ВО3)О]4-. Возможность вариации состава Ва2+↔Sr2+, [(ВО3)F]4-↔[F4]4- в пределах кристаллической структуры Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у позволяет оптимизировать характеристики данного фосфора, позволяя, в частности, менять величину К-края (для Ва2+ К-край составляет 37.4 кэВ, для Sr2+ - 16.1 кэВ). Образование центров окраски является обратимым: после облучения интенсивным источником видимого света с длиной волны от 300-400 нм центры окраски релаксируют и кристаллы возвращаются к исходному состоянию. Эффективность считывания информации может быть увеличена путем легирования кристаллов Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у редкоземельными элементами и реализации механизма фотостимулированной люминесценции.

Примеры конкретного выполнения

Пример. 1. Для выращивания кристаллов Ba4Sr3(ВО3)4F2 и Ba3Sr4(ВО3)4F2 крайних членов твердого раствора Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у использовали составы 40 мол.% Ba4Sr3(BO3)4F2, 60 мол.% NaF и 40 мол.% Ba3Sr4(BO3)4F2, 60 мол.% NaF, соответственно. Выращивание кристаллов проводили в прецизионной нагревательной печи в платиновом тигле диаметром 40 мм, высотой 40 мм из раствор-расплава массой 40 г. Раствор-расплав готовили из исходных компонентов SrF2, SrCO3, BaCO3, Н3ВО3, NaF, категории «осч». На первом этапе приготовления раствор-расплава из Н3ВО3 получали соединение НВО2 путем отжига при температуре 150°С в течение 12 часов. Затем компоненты смешивали и нагревали со скоростью 25 град/час. Температуру ликвидуса определяли модифицированным методом визуально-политермического анализа. При температуре ликвидуса, которая составила для кристаллов Ba4Sr3(ВО3)4F2 и Ba3Sr4(ВО3)4F2, 1010 и 1080°С, соответственно, устанавливали платиновую петлю и включали снижение температуры со скоростью 0.2 град/сутки. Выращивание кристаллов проводили в течение 10 дней. По окончании ростового цикла монокристалл поднимали над расплавом и охлаждали до комнатной температуры со скоростью 15 град/сутки. Указанным способом получены монокристаллы Ba4Sr3(BO3)4F2 и Ba3Sr4(ВО3)4F2 до 25 мм в диаметре (Фиг. 2).

Пример. 2. Поликристаллические образцы твердого раствора Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3у, где 0≤x≤1 и 0≤y≤0.5 синтезированы на воздухе с использованием в качестве исходных компонентов SrF2, SrCO3, ВаСО3, НВО2. Температура синтеза 830-840°С. Длительность синтеза зависит от массы навески. Для 5 г конечного продукта время синтеза составляет 2 суток. Рентгенограммы синтезированных образцов идентичны рентгенограммам монокристаллов соответствующих составов (Фиг. 5). Аналогично монокристаллическим образцам под воздействием рентгеновского излучения происходит изменение окраски поликристаллических образцов, которая исчезает после облучения интенсивным источником видимого света с длиной волны от 300-400 нм.

Кристаллический материал для регистрации рентгеновского излучения, являющийся твердым раствором общей формулы Ва4-xSr3+х(ВО3)4-yF2+3y, где 0≤х≤1 и 0≤у≤0,5, имеющий центры окраски, образованные под воздействием рентгеновского излучения - стабильные дырочные центры [(ВО3)О]4-, устойчивые при комнатной температуре в течение не менее трех месяцев, обуславливающие поглощение в видимой области спектра и изменение окраски кристаллов до темно-фиолетового и релаксацию после облучения интенсивным источником света с длиной волны 300-400 нм.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области получения монокристаллических пленок на подложках для магнитных, оптических, магнитооптических и резонансных исследований. Шихту наплавляют в платиновый тигель, компоненты берут в соотношении, мас.%: Fe2O3 - 5,37, В2О3 - 51,23, PbO - 29,31, PbF2 - 13,73.

Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств, которые могут быть использованы для получения линейно-поляризованного света в оптико-электронных приборах: поляриметрах, эллипсометрах, дихрометрах, фотоэлектрических автоколлиматорах, модуляторах световых потоков, устройств индикации, отображения и хранения информации, элементов памяти.

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов метафторидобората бария-натрия Ba2Na3(В3О6)2F для использования в терагерцовой области спектра в диапазоне от 0,3 ТГц до 1 ТГц в качестве волновых пластин, поляризаторов, а также в воздушной терагерцовой фотонике.
Изобретение относится к области химической технологии выращивания кристаллов натрий-висмутового молибдата NaBi(MoO4)2 для исследования физических свойств и практического использования.
Изобретение относится к области химической технологии и касается получения кристаллов рубидий-висмутового молибдата RbBi(MoO4)2. Кристаллы RbBi(MoO4)2 выращивают из высокотемпературного раствора в расплаве из шихты, содержащей растворитель димолибдатат рубидия и тройной литий-рубидий-висмутовый молибдат LiRbBi2(MoO4)4, при соотношении последнего к димолибдату рубидия, равном 10-40: 90-60 мол.

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов калий-бариевого молибдата K2Ва(МоО4)2 из раствора-расплава K2Ва(МоО4)2 для исследования физических свойств и практического использования.

Изобретение относится к неорганической химии. Способ синтеза тетрагональных теллуридов железа и теллуридов железа, легированных селеном и/или серой, включает размещение в одном конце герметичной ампулы шихты из теллура, селена, серы и железа, заполнение ее смесью эвтектического состава из различных комбинаций хлоридов натрия, калия, рубидия и цезия, нагрев ампулы с градиентом температур от величины 600-790°С со стороны размещения шихты до температуры, уменьшенной на 30-100°С с противоположной стороны, в течение времени, обеспечивающего перенос шихты в противоположный конец ампулы.
Изобретение относится к области химической технологии и касается получения объемных кристаллов состава Li8Bi2(MoO4)7. Кристаллы выращивают из раствора-расплава литий-висмутового молибдата в растворителе путем кристаллизации при постепенном охлаждении расплава и выращенных кристаллов, при этом в качестве растворителя используют эвтектическую смесь, содержащую 47 мол.

Изобретение относится к выращиванию крупных кристаллов, предназначенных для использования в приборах квантовой электроники. Способ выращивания кристалла методом Киропулоса из расплава или из раствор-расплава включает рост кристалла на затравку, зафиксированную в кристаллодержателе и расположенную сверху в центральной точке поверхности расплава, разращивание кристалла в ростовом тигле при медленном снижении температуры и охлаждение выросшего кристалла, при этом по окончании ростового цикла оставшийся в тигле расплав или раствор-расплав сливают через нагретую с помощью дополнительного нагревателя трубку, расположенную в донной части тигля, а выросший кристалл, сохраняющий свое положение после окончания ростового цикла, охлаждают в тигле, освобожденном от расплава.

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO 4)3. .

Изобретение относится к области получения монокристаллических пленок на подложках для магнитных, оптических, магнитооптических и резонансных исследований. Шихту наплавляют в платиновый тигель, компоненты берут в соотношении, мас.%: Fe2O3 - 5,37, В2О3 - 51,23, PbO - 29,31, PbF2 - 13,73.

Изобретение относится к материалам для поляризационных оптических устройств, которые могут быть использованы для получения линейно-поляризованного света в оптико-электронных приборах: поляриметрах, эллипсометрах, дихрометрах, фотоэлектрических автоколлиматорах, модуляторах световых потоков, устройств индикации, отображения и хранения информации, элементов памяти.

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов метафторидобората бария-натрия Ba2Na3(В3О6)2F для использования в терагерцовой области спектра в диапазоне от 0,3 ТГц до 1 ТГц в качестве волновых пластин, поляризаторов, а также в воздушной терагерцовой фотонике.
Изобретение относится к области химической технологии выращивания кристаллов натрий-висмутового молибдата NaBi(MoO4)2 для исследования физических свойств и практического использования.
Изобретение относится к области химической технологии и касается получения кристаллов рубидий-висмутового молибдата RbBi(MoO4)2. Кристаллы RbBi(MoO4)2 выращивают из высокотемпературного раствора в расплаве из шихты, содержащей растворитель димолибдатат рубидия и тройной литий-рубидий-висмутовый молибдат LiRbBi2(MoO4)4, при соотношении последнего к димолибдату рубидия, равном 10-40: 90-60 мол.

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов калий-бариевого молибдата K2Ва(МоО4)2 из раствора-расплава K2Ва(МоО4)2 для исследования физических свойств и практического использования.
Изобретение относится к области химической технологии и касается получения объемных кристаллов состава Li8Bi2(MoO4)7. Кристаллы выращивают из раствора-расплава литий-висмутового молибдата в растворителе путем кристаллизации при постепенном охлаждении расплава и выращенных кристаллов, при этом в качестве растворителя используют эвтектическую смесь, содержащую 47 мол.

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата Li2Mg2(MoO 4)3. .

Изобретение относится к получению монокристалла -BaB2O4(ВBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения. .

Изобретение относится к технологии получения новых многофункциональных фторидных материалов для фотоники и ионики твердого тела, оптического материаловедения, магнитооптики, систем оптической записи информации.
Наверх