Способ и устройство для удаления покрытия с подложки

Изобретение относится к устройству и способу удаления покрытия с подложки. Устройство, предназначенное для удаления покрывающего слоя, в частности фоточувствительной краски, с кромочного участка круглой подложки, имеющей неоднородности вдоль своей окружности, содержит сопло для подачи струи растворителя, приемный элемент для удержания, позиционирования, скольжения и/или регулирования ориентации подложки, поворотный силовой привод для обеспечения поворота приемного элемента и линейный силовой привод и/или линейную направляющую для обеспечения скольжения приемного элемента относительно сопла. Изобретение обеспечивает возможность удаления покрывающего слоя с кромочного участка подложки, имеющего неоднородности. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 7 ил.

 

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

Описанное в данном документе изобретение относится к устройству, предназначенному для удаления покрытия с подложки в соответствии с признаками пункта 1 формулы изобретения, а также к способу в соответствии с признаками пункта 11 формулы изобретения.

СУЩЕСТВУЮЩИЙ УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

На некоторые подложки, такие как, пластины или платы, наносится слой покрытия в соответствии со сферой применения или этапом технологического процесса. В большинстве случаев данный процесс нанесения покрытия выполняется по всей поверхности указанной подложки. В некоторых вариантах выполнения кромку подложки необходимо оставлять свободной от покрытия. Проблема при соблюдении данного условия заключается в том, что процесс нанесения покрытия только на часть подложки при этом достаточно равномерным слоем представляется весьма трудоемким и затратным.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Целью данного изобретения является создание устройства, а также способа, позволяющих точно удалять покрытие с подложки на определенном ее участке, исключая повреждения указанной подложки.

Указанная цель достигается благодаря признакам, изложенным в пп. 1 и 11 формулы изобретения.

В типовых вариантах выполнения устройство, предназначенное для удаления покрытия, в частности, фоточувствительной краски, с подложки, по меньшей мере, на участке указанной подложки, содержит сопло.

Предпочтительно сопло предназначено для подачи струи растворителя.

В целом, под указанным покрывающим слоем понимается фоточувствительная краска. Покрывающий слой может быть еще жидким или уже высушенным. Предпочтительно подаваемый растворитель подбирается в соответствии с покрывающим слоем, который необходимо удалить.

Особенно предпочтительным является конструктивное решение устройства, с помощью которого указанный покрывающий слой, расположенный на кромке основы, должен быть удален посредством одной струи. Преимущество использования вышеуказанного сопла заключается в возможности выделения кромки определенного размера на поверхности, с которой удаляется покрытие, путем расположения сопла на необходимом малом или большом расстоянии относительно края указанной подложки. Предпочтительно проводить удаление на участке, расположенном на расстоянии от 1 до 30 мм от края подложки. Другое преимущество заключается в том, что благодаря правильному выбору растворителя и давления указанной струи покрывающий слой может быть полностью удален.

В типовых вариантах выполнения сопло предназначено для подачи струи растворителя так, что она направляется внутри струи сжатого воздуха. Преимущество такого способа заключается в обеспечении очень стабильного потока растворителя, что позволяет добиться точного удаления покрывающего слоя на участке подложки.

В типовых вариантах выполнения устройство содержит газвсасывающее средство. Такое решение обеспечивает преимущество, заключающееся в том, что растворитель, отскакивающий от подложки, не пропадает, а наоборот всасывается, и, при необходимости, может быть вновь использован. Другое преимущество всасывающего устройства заключается в том, что покрывающий слой после удаления с подложки может быть отсосан с предотвращением его выброса в окружающую среду.

В типовых вариантах выполнения всасывающее средство содержит разделительное устройство. Преимущество такого решения заключается в возможности отделения отсосанного вещества, т.е. удаленного покрывающего слоя и растворителя, из сжатого воздуха. Предпочтительно используется конденсатор в качестве разделительного устройства. Преимущество такого решения заключается в упрощении процесса разделения сжатого воздуха и содержащегося в нем вещества.

В типовых вариантах выполнения всасывающий элемент или разделительное устройство содержит конденсатор. Особенно предпочтительно использование в качестве конденсатора отражательной стенки. Предпочтительно, отражательная стенка предназначена для конденсации, по меньшей мере, части отсосанного вещества.

В особенности предпочтительно, чтобы отсосанное вещество направлялось на отражательную стенку с резкой остановкой у указанной стенки. Данное конструктивное решение обеспечивает конденсацию вещества. Предпочтительно, вещество, конденсирующееся на отражательной стенке, может направляться через выпуск в средство для переработки. Преимущество такого решения заключается в том, что растворитель может быть использован повторно.

В типовых вариантах выполнения устройство содержит приемный элемент. Предпочтительно, приемный элемент предназначен для удерживания, позиционирования, управления и/или регулирования указанной подложки относительно сопла и/или струи растворителя. Преимущество такого решения заключается в возможности обеспечения относительного перемещения между струей растворителя и подложкой простым способом. Кроме того, другое преимущество заключается в отсутствии необходимости перемещения сложной конструкции, содержащей сопло и газвсасывающее средство.

Предпочтительно приемный элемент содержит средство, предназначенное для придания плоской формы подложке путем ее растягивания и соответствующего размещения. Предпочтительно, устройство, предназначенное для придания подложке плоской формы, содержит, по меньшей мере, одно всасывающее сопло. Предпочтительно, устройство содержит несколько или множество всасывающих сопел. В особенности предпочтительным представляется конструктивное решение, в котором всасывающие сопла расположены с обеспечением воздействия на кромочные участки подложки. Преимущество такого решения заключается в правильном расположении подложки, особенно тех ее участков, на которых необходимо удалить покрывающий слой, а также в предотвращении оказания нежелательного воздействия на подложку. Такое конструктивное решение является особенно эффективным, поскольку может произойти повреждение удерживаемой подложки и/или в ином случае недостаточное удаление покрывающего слоя.

В типовых вариантах выполнения указанное устройство содержит направляющий блок. Этот блок слежения предназначен для правильной ориентации положения подложки относительно сопла и, соответственно, относительно струи растворителя. Предпочтительно блок слежения или регулирующий блок устанавливает и/или регулирует положение подложки, исходя из измерений в нескольких точках. Предпочтительно выполнять измерение в двух точках.

В типовых вариантах выполнения направляющий блок содержит датчик, приводимый в движение для проведения указанных измерений. Как вариант, направляющий блок может содержать два датчика, или, соответственно, множество датчиков. В этом случае необходимость в приведении датчика в движение отпадает.

В типовых вариантах выполнения устройство содержит средство распознавания, предназначенное для распознавания контура подложки. Предпочтительно, рассматриваемое средство выполнено в виде камеры или датчика измерения расстояния. Преимущество такого решения заключается в возможности распознавания контура подложки, что является особенно эффективным, так как обеспечивает возможность удаления красочного покрытия с подложки с неоднородным контуром. Другое преимущество заключается в возможности распознавания формы линии контура.

Проблема, возникающая при удалении покрывающего слоя с кромки подложки, особенно при удалении слоя краски с круглых подложек наподобие круглых пластин, заключается в том, что такие пластины имеют неоднородности вдоль своей окружности, например, так называемый плоский участок, т.е. пропущенный сегмент круга, или выемку, т.е. некоторое подобие выреза. Когда круглая подложка просто поворачивается под струей растворителя, соответственно, под струей растворителя, и соответственно, под соплом для удаления покрывающего слоя с кромочного участка, то возникает проблема, заключающаяся в том, что покрывающий слой не может быть удален с плоского участка или выемки, т.к. их контуры просто не совпадают с контуром круга. Эта проблема особенно актуальна, когда вследствие поворота подложки при нанесении покрывающего слоя появляется утолщение. Данное утолщение образует препятствие на последующих этапах технологического процесса.

В типовых вариантах выполнения устройство содержит силовой привод, предназначенный для поворота приемного элемента. Таким образом, силовой привод также предназначен для поворота подложки, расположенной на приемном элементе. Предпочтительно поворот подложки выполняется в плоскости, которая фактически проходит перпендикулярно к направлению струи растворителя. Преимущество такого решения заключается в том, что все, что требуется для удаления покрывающего слоя вдоль круглого контура подложки, это обеспечить поворот приемного элемента вместе с подложкой.

Также, преимущественным является то, что благодаря повороту приемного элемента подложка может быть простым способом направлена к средству распознавания. Средство распознавания, предназначенное для распознавания контура, в этом случае предпочтительно расположено над кромочным участком подложки таким образом, что устройство при повороте подложки может распознать форму линии контура.

В типовых вариантах выполнения устройство содержит линейный силовой привод и/или линейную направляющую, предназначенные для обеспечения прямолинейного скольжения приемного элемента относительно сопла.

Предпочтительно линейный привод и/или линейная направляющая подходят для приведения в движение приемного элемента, предпочтительно вместе с подложкой, под средством распознавания или относительно него таким образом, что средство распознавания может распознать весь контур подложки по мере ее поворота под средством распознавания.

Предпочтительно линейный привод и/или линейная направляющая, предназначены для обеспечения скольжения приемного элемента совместно с поворотным силовым приводом между средством распознавания и соплом.

Еще более эффективным является конструктивное решение, в котором линейный привод и/или линейная направляющая также подходят для позиционирования приемного элемента и, соответственно, для расположения подложки под соплом, и, соответственно, под струей растворителя таким образом, чтобы удалить покрывающий слой на кромочных участках подложки путем поворота приемного элемента.

Особенно эффективной представляется одновременная работа обоих приводов, т.е. поворотного силового привода и линейного привода. Преимущество такого решения заключается в том, что движение приемного элемента и, соответственно, подложки не является только прямолинейным или только поворотным. Путем совмещения обоих способов движения приемный элемент и, соответственно, подложка, могут перемещаться всеми возможными способами в зависимости от формы подложки и линии контура. Такое решение является преимущественным, поскольку в таком случае подложка может перемещаться под соплом и, соответственно, под струей растворителя так, что покрывающий слой может быть удален вдоль плоского участка и выемки. Преимущество такого решения заключается в том, что в ходе одного этапа покрывающий слой на кромочном участке подложки может быть полностью удален, даже если указанная подложка имеет неоднородные участки, такие как плоский участок или выемка.

Особый пункт формулы изобретения выделен для правовой охраны способа удаления покрывающего слоя, в частности, фоточувствительной краски с подложки, по меньшей мере, на одном участке подложки, в котором задают направление подложки для последующей подачи растворителя на подложку.

В типовых вариантах выполнения для управления положением подложки обеспечивают ее размещение в плоском состоянии, а затем подложку и/или сопло располагают на расстоянии от центра сопла, в зависимости от выбранной ширины участка, с которого должен быть удален покрывающий слой. Преимущество такого решения заключается в том, что с помощью одного устройства с подложки простым способом может быть удалено множество различных участков покрывающего слоя.

В типовых вариантах выполнения для подачи растворителя на подложку струю растворителя направляют внутри струи сжатого воздуха. Также, в этом случае обеспечивается относительное перемещение устройства между подложкой и струей растворителя. Преимущество такого решения заключается в возможности простым способом выполнять удаление покрывающего слоя.

В типовых вариантах выполнения способ удаления покрывающего слоя, в частности, фоточувствительной краски, с по существу круглой подложки, по меньшей мере, с участка подложки, включает следующий этап: распознавание контура подложки. В этом случае предпочтительно распознать контур неоднородной формы, такой как плоский участок или выемка. Особенно предпочтительно распознать расположение неоднородности. Предпочтительно подложку располагают относительно струи растворителя в зависимости от заданной ширины участка, на котором должен быть удален покрывающий слой. Особенно предпочтительно, если подложка совершает скольжение вдоль линии распознанного контура относительно струи растворителя так, что покрывающий слой удаляется на кромочном участке распознанного контура. Преимущество такого решения заключается в том, что у краев подложки, не вписывающихся в контур круга, также возможно удаление покрывающего слоя. Это обстоятельство является особенно важным, поскольку, у края подложки обычно образуется утолщение покрывающего слоя, при этом указанное утолщение препятствует дополнительной обработке.

Предпочтительно для этого подложку поворачивают под струей растворителя и направляют в местах неоднородных участков с помощью дополнительного прямолинейного движения, совмещаемого с поворотом, вдоль контура неоднородностей через струю растворителя.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

В следующем разделе изобретение описано более подробно на основании прилагаемых чертежей, на которых:

Фиг. 1 схематично изображает вид в аксонометрии устройства, выполненного в соответствии с изобретением и предназначенного для удаления покрывающего слоя с подложки;

Фиг. 2 схематично изображает вид сбоку устройства, выполненного в соответствии с данным изобретением и показанного на фиг. 1, вместе с подложкой.

Фиг. 3 схематично изображает разрез всасывающего средства, являющегося частью устройства, выполненного в соответствии с данным изобретением и предназначенного для удаления покрывающего слоя, на основе фиг. 1;

Фиг. 4 схематично изображает вид сбоку устройства в соответствии с другим вариантом выполнения данного изобретения, предназначенного для удаления покрывающего слоя на кромочном участке круглой подложки;

Фиг. 5 схематично изображает вид сверху устройства, предназначенного в частности для удаления покрывающего слоя на кромочном участке круглой подложки, в соответствии с фиг. 4;

Фиг. 6 схематично изображает круглую плату с плоским участком;

Фиг. 7 схематично изображает круглую плату с выемкой.

ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНОГО ВАРИАНТА ВЫПОЛНЕНИЯ

Фиг. 1 и 2 изображают устройство 1, выполненное в соответствии с данным изобретением и предназначенное для удаления покрывающего слоя, в частности, фоточувствительной краски, с подложки 10, по меньшей мере, с участка подложки 10.

Устройство 1 содержит приемный элемент 2 и удаляющее средство 3.

К примерам возможных подложек относятся круглые, прямоугольные, квадратные платы, тонкие слоистые пластины, компьютерные платы и подобные устройства.

В представленном варианте выполнения приемный элемент 2 выполнен в форме квадратной пластины. Приемный элемент 2 выполнен с возможностью скольжения относительно удаляющего средства 3. Предпочтительно приемный элемент содержит регулирующее средство 9. Предпочтительно регулирующее средство 9 предназначено для обеспечения скольжения приемного элемента 2 в плоскости X-Z. Предпочтительно регулирующий элемент 9 выполнен с обеспечением скольжения приемного элемента вдоль оси Y. Такое конструктивное решение особенно эффективно, если, например, расстояние между удаляющим средством 3 и приемным элементом 2 должно меняться.

В неуказанных в данном документе вариантах выполнения удаляющее средство содержит регулирующее средство, предназначенное для обеспечения скольжения регулирующего средства в плоскости X-Z и/или вдоль оси Y.

Также, приемный элемент 2 содержит несколько всасывающих сопел 4, 5, 6 и 7. Всасывающие сопла 4, 5, 6 и 7 обычно расположены в угловых зонах приемного элемента 2. Всасывающие сопла 4, 5, 6 и 7 выполняют функцию присасывания подложки 10, лежащей на приемном элементе 2, и размещения с растягиванием в плоском состоянии. Целью этого этапа обработки является предотвращение куполообразного выгибания подложки, лежащей на приемном элементе 2. С этой целью всасывающие сопла 4, 5, 6 и 7 присоединены к источнику пониженного давления, не показанному на чертежах.

Задача удаляющего средства 3 заключается в подаче растворителя на подложку 10, лежащую на приемном элементе 2, для удаления покрывающего слоя с подложки 10, по меньшей мере, на ее участке. Предпочтительно фоточувствительная краска должна быть удалена на кромочном участке подложки 10. В качестве растворителя может использоваться подходящий растворяющий реагент либо другое вещество с малыми частицами с абразивным действием.

Дополнительная задача средства 3 заключается во всасывании растворителя и/или покрывающего слоя, удаленного с подложки 10. Для этого удаляющее средство 3 содержит колпак 8, служащий в качестве защитного средства. Предпочтительно колпак 8 обеспечивает защиту внутренних процессов в удаляющем средстве 3. Также он служит в качестве вытяжного колпака.

Устройство 1, в частности, удаляющее средство 3, содержит сопло 11. Сопло 11 предназначено для подачи растворителя. Предпочтительно сопло 11 предназначено для подачи растворителя в виде струи. Особенно предпочтительно сопло 11 предназначено для направления струи растворителя с помощью сжатого воздуха. Для этого сопло 11 предпочтительно соединено с источником сжатого воздуха. Особенно предпочтительным является конструктивное решение, в котором сопло 11 снабжено системой трубок, проходящих друг в друге. Предпочтительно струя растворителя подается из внутренней трубки. Особенно предпочтительно струя сжатого воздуха подается из наружной трубки. Указанные элементы подсоединены к насосу, не показанному на чертежах, и резервуару с растворителем, не показанному на чертежах. Предпочтительно насос предназначен для подачи растворителя под давлением.

Дополнительно, устройство 1, в частности, удаляющее средство 3 содержит всасывающее средство 12, присоединенное через проводящую трубку 13 к источнику пониженного давления, не показанному на чертежах.

Фиг. 3 иллюстрирует увеличенный разрез всасывающего средства 12. Всасывающее средство 12 содержит всасывающее отверстие 14, рядом с которым проходит канал 15, ведущий к конденсационной камере 17. Конденсационная камера 17 содержит отражательную стенку 16 и имеет открытую сторону 18, расположенную напротив отражательной стенки 16.

Смежно с конденсационной камерой 17 выполнен выпуск 19, расположенный вблизи отражательной стенки 16. Открытая сторона 18 проходит к камере 20, содержащей клапан 21.

Представленное в данном документе изобретение работает следующим образом.

Подложку 10, как показано на фиг. 2, располагают на приемном элементе 2, соответственно, с помощью всасывающих сопел 4, 5, 6 и 7, которые обеспечивают присасывание подложки так, что она растягивается до плоского состояния с предотвращением куполообразного выгибания.

Далее, приемный элемент 2 вместе с подложкой 10 ориентируют в соответствии с положением сопла 11 и, соответственно, относительно удаляющего средства 3. Для этого устройство 1 содержит позиционирующий блок, не показанный на чертежах. Предпочтительно позиционирующий блок предназначен для обеспечения расположения подложки в строго определенном правильном положении посредством измерения в двух точках.

Если подложка 10 правильно расположена относительно сопла 11, то сопло 11 располагают у края подложки 10. Центр сопла 11 располагают относительно подложки 10 в зависимости от ширины участка, с которого должен быть удален покрывающий слой.

Затем из сопла 11 обеспечивают подачу струи растворителя, направляемой внутри струи сжатого воздуха.

Приемный элемент 2 вместе с подложкой 10 помещают под соплом 11. Для этого весьма важным является правильное расположение подложки и ее размещение в плоском состоянии. Если на этой стадии процесса подложка наклонена или куполообразно выгнута, то покрывающий слой на выбранном участке не может быть удален равномерно. Также, подложка, расположенная куполообразно, будет создавать проблему, которая, возможно, повлечет за собой удаление покрытия на большем или меньшем участке в отличие от заданного вдоль оси Y.

Когда угловая часть подложки 10 подходит к соплу 11, то приемный элемент 2 вместе с подложкой 10 поворачивают и повторяют процесс. Эти этапы повторяют до тех пор, пока не будут обработаны все выбранные края и/или стороны подложки 10.

Во время процесса подачи растворителя из сопла 11 происходит всасывание выпускаемого растворителя, отскакивающего от подложки 10, и/или снятого с подложки покрывающего слоя.

Жидкость и/или смесь частиц с газом, подвергшаяся всасыванию, проходит через всасывающее отверстие 14 в канал 15. Через канал 15 указанная жидкость и/или смесь частиц с газом направляется в конденсационную камеру 17 и резко останавливается у отражательной стенки 16. Благодаря этому процессу жидкость сжимается у отражательной стенки 16. Сжатый растворителя проводят через выпуск 19 в фильтр или средство переработки.

Газообразные составляющие всасываемого вещества всасываются через открытую сторону 18 конденсационной камеры 17 в камеру 20 и с помощью клапана 21 отсасываются источником сжатого воздуха, который не показан на чертежах.

Фиг. 4 изображает другой вариант выполнения устройства 22, предназначенного для удаления покрывающего слоя с подложки 24, 25, в частности, с круглой подложки 24, 25.

Фиг. 6 и 7 изображают два разных варианта выполнения круглой подложки 24 и 25. У круглой подложки 24 есть неоднородный сегмент - плоский участок 26. Форма круглой подложки 24 образуется путем удаления с круглого диска дугового сегмента.

Круглая подложка 25 имеет выемку 27, полученную путем вырезания и выполненную в виде круглого сегмента или выемки.

Устройство 22 содержит распознающее средство 28, содержащее предпочтительно камеру или датчик, предназначенный для распознавания контура подложки.

Устройство 22 содержит удаляющее средство 29, выполненное по существу по аналогии с удаляющим средством 3. В данном документе представлен стационарный вариант выполнения удаляющего средства 29.

Предпочтительно, удаляющее средство 29 и распознающее средство 28 расположены на таком расстоянии друг от друга, что они не контактируют с подложкой одновременно. Преимущество такого решения заключается в том, что распознающее средство 28 загрязняется, по меньшей мере, до приемлемой степени.

Устройство 22 содержит приемный элемент 30 с приемной пластиной 23. Приемный элемент 30 и, соответственно, приемная пластина 23, предназначены для удержания, поворота и позиционирования одной из подложек 24 или 25.

Приемный элемент 30 содержит поворотный силовой привод, который не показан на чертежах. Поворотный силовой привод предназначен для поворота приемного элемента 30 и, соответственно, подложки в плоскости Z-X.

Устройство 22 содержит линейную направляющую 31, проходящую между распознающим средством 28 и удаляющим средством 29.

Устройство 22 содержит линейный привод, не показанный на чертежах. Задача линейного привода заключается в обеспечении движения скольжения приемного элемента 30 вместе с поворотным силовым приводом вдоль линейной направляющей 31 вдоль оси X.

Устройство в соответствии с вариантами выполнения, показанными на фиг. 4 и 5, работает следующим образом:

В частности, для процесса удаления краски с круговой подложки, например подложки 24 или 25, указанную подложку располагают на удерживающей пластине 23 приемного элемента 30.

Затем с помощью линейного привода обеспечивается скольжение приемного элемента 30 вдоль линейной направляющей 31 относительно распознающего средства 28 так, что распознающее средство может распознавать контур подложки.

После позиционирования подложки 24, 25 приемный элемент 30 и, соответственно, подложку 24, 25 поворачивают, располагая их под распознающим средством 28 в плоскости X-Z. Таким образом, с помощью распознающего элемента 28 может быть определен полный контур подложки 24, 25, распознаны форма и расположение плоского участка 26 или выемки 27, т.е. распознаны или выявлены форма и расположение неоднородного сегмента.

Далее обеспечивают скольжение приемного элемента 30 совместно с подложкой 24, 25 вдоль оси X относительно удаляющего средства 29 таким образом, что последнее может удалять покрывающий слой на кромочном участке подложки 24, 25. До тех пор, пока идет обработка однородной круглой части кромки подложки 24, 25, достаточно обеспечивать поворот приемного элемента только в плоскости X-Z.

Когда неоднородные контуры 26 и 27 попадают в область действия сопла 32 и, соответственно, струи растворителя, то приемный элемент 30 и, соответственно подложку перемещают вдоль оси X так, что благодаря совмещению прямолинейного движения и поворота контуры 26 и 27 подложки 24, 25 располагаются под соплом 32. При этом, покрывающий слой удаляется с кромки по всему контуру.

Перечень элементов и номеров позиций

1 Устройство

2 Приемный элемент

3 Удаляющее средство

4 Всасывающее сопло

5 Всасывающее сопло

6 Всасывающее сопло

7 Всасывающее сопло

8 Колпак

9 Средство, обеспечивающее скольжение

10 Подложка

11 Сопло

12 Всасывающее средство

13 Трубка

14 Всасывающее отверстие

15 Канал

16 Отражательная стенка

17 Конденсационная камера

18 Открытая сторона

19 Выпуск

20 Камера

21 Клапан

22 Устройство

23 Приемная пластина

24 Подложка

25 Подложка

26 Плоский участок

27 Выемка

28 Распознающее средство

29 Удаляющее средство

30 Приемный элемент

31 Линейная направляющая

32 Сопло

X Ось Х

Y Ось Y

Z Ось Z.

1. Устройство (1), предназначенное для удаления покрывающего слоя, в частности фоточувствительной краски, с кромочного участка круглой подложки, имеющей неоднородности вдоль своей окружности, отличающееся тем, что оно содержит

сопло (11, 32), предназначенное для подачи струи растворителя,

приемный элемент (2, 30), предназначенный для удержания, позиционирования, скольжения и/или регулирования ориентации подложки (10, 24, 25),

поворотный силовой привод, предназначенный для обеспечения поворота приемного элемента (2, 30), и

линейный силовой привод и/или линейную направляющую (31), предназначенные для обеспечения скольжения приемного элемента (2, 30) относительно сопла.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что сопло (11, 32) предназначено для подачи струи растворителя, направляемой внутри струи сжатого воздуха.

3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что оно содержит всасывающее средство (12).

4. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что всасывающее средство (12) содержит конденсатор.

5. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что всасывающее средство (12) содержит отражательную стенку (16), предназначенную, по меньшей мере, для частичной конденсации всосанного вещества,

6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что оно содержит регулирующий блок, предназначенный для регулирования ориентации подложки (10, 24, 25) относительно сопла (11, 32).

7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что оно содержит распознающее средство (28), предназначенное для распознавания контура подложки (10, 24, 25).

8. Способ удаления покрывающего слоя, в частности фоточувствительной краски, с кромочного участка круглой подложки (10, 24, 25), имеющей неоднородности вдоль своей окружности, отличающийся тем, что он включает следующие этапы:

a) размещают подложку (10, 24, 25) относительно струи растворителя в зависимости от выбранной ширины кромочного участка, на котором должен быть удален покрывающий слой,

b) распознают контур подложки (10, 24, 25),

c) регулируют ориентацию подложки (10, 24, 25) посредством приемного элемента в зависимости от распознанного контура, и

d) подают струю растворителя на подложку (10, 24, 25), одновременно поворачивая приемный элемент (2, 30) посредством поворотного силового привода и обеспечивая скольжение приемного элемента (2, 30) относительно сопла посредством линейного силового привода и/или линейной направляющей (31) таким образом, что кромочный участок подложки (10, 24, 25) полностью освобождают от краски.

9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что на этапе а)

обеспечивают размещение подложки (10, 24, 25) в плоском состоянии путем ее растягивания, и

размещают подложку (10, 24, 25) и/или струю растворителя в зависимости от выбранной ширины кромочного участка, на котором должен быть удален покрывающий слой.

10. Способ по п. 8, отличающийся тем, что на этапе d)

направляют струю растворителя внутри струи сжатого воздуха.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологическому оборудованию, используемому в процессах обработки пластин полупроводников. Способ переворота подложек включает установку первого подложкодержателя с посадочными местами, в которых расположены подложки, на поворотный стол при помощи механизма загрузки, сверху на первый подложкодержатель устанавливается второй подложкодержатель, и они фиксируются между собой, далее производят переворот стола, затем выгружают подложкодержатели механизмом выгрузки с последующим разъединением подложкодержателей таким образом, что пластины остаются на втором держателе подложек для последующей обработки и нанесения слоев на вторую сторону подложек.

Использование: для создания регенеруемого биосенсора. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает в себя изготовление подложки биосенсора с массивом нанопроволок, формирующих фотонный кристалл, подготовку поверхности подложки для модификации аффинными молекулами, активацию поверхности аффинными молекулами, специфичными к целевым аналитам, присутствие целевых аналитов выявляют добавлением специфичных к ним детектирующих молекул, несущих на себе флуоресцентную метку, выбранную таким образом, чтобы максимум флуоресценции метки совпадал по длине волны с резонансной модой фотонного кристалла, приводя к увеличению интенсивности флуоресценции метки на этой длине волны, после чего поверхность биосенсора регенерируют для повторных использований.

Изобретение относится к области силовой электроники и может быть использовано при сплавлении элементов силовых полупроводниковых приборов. Кассета для сплавления элементов конструкции полупроводниковых диодов содержит основание, выполненное из пластины углерода, в котором внедрены керамические стержни, на последних установлена пластина, в которой по внешней образующей окружности керамических стержней изготавливают п-образные полости глубиной (1,5-2,5) диаметра керамических стержней.

Изобретение относится к производству LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics - низкотемпературная совместно обжигаемая керамика) толстопленочных многослойных коммутационных плат и может быть использовано при формировании рисунка функциональных слоев на сырой керамической подложке.

Изобретение относится к технологии присоединения элемента интегральной схемы (чип) к поверхности, которая содержит проводящие рисунки. Технический результат - создание способа и устройства для быстрого, плавного и надежного подключения чипа к печатной проводящей поверхности за счет точечного характера передачи тепла и приложения давления к поверхности в точках контакта.
Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки включает обработку поверхности кремниевых подложек, поверхность подложки подвергается обработке полировальной подушкой, пропитанной суспензией, в два этапа: 1.

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя, формирование областей эмиттера, коллектора и базы, которую формируют легированием углеродом концентрацией 2,1-2,4·1019 см-3 с последующим отжигом при температуре 500-550°C в течение 50-60 с.

Изобретение относится к области силовой электроники. Кассета для сплавления элементов конструкции полупроводниковых диодов содержит основание, выполненное из пластины углерода, в котором по образующей окружности термокомпенсатора изготовлены п-образные полости глубиной h=(1-2) диаметра керамических стержней.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве детекторов электромагнитных излучений различной длины. Сущность изобретения заключается в том, что наносят слой полупроводникового материала требуемой толщины на керамическую, стеклянную или полимерную непроводящую пластину.

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к созданию тонкопленочных элементов матрицы неохлаждаемого типа в тепловых приемниках излучения (болометров) высокой чувствительности. Способ получения чувствительного элемента матрицы теплового приемника на основе оксида ванадия представляет собой нанесение металлической пленки ванадия и электродов методами магнетронного распыления и последующей лифт-офф литографии на диэлектрическую подложку.

Настоящее изобретение касается аммиачных композиций, включающих в себя по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение и по меньшей мере два соединения элементов 3-й главной подгруппы. Указанная композиция может быть использована для изготовления электронных компонентов и для получения слоя, наносимого на подложку с последующей термической конверсией. Технический результат: получение слоев с необходимыми электрическими свойствами: высокой подвижностью электронов, благоприятным гистерезисом и отпирающим напряжением. 4 н. и 10 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 пр.

Изобретение может быть использовано при пайке многокристальных силовых полупроводниковых приборов в восстановительной или инертной среде. В отверстие многоместной кассеты предварительно вставляют вспомогательную стеклянную втулку и загружают соединяемые детали сборки полупроводникового прибора, выполненные в виде полупроводниковых кристаллов, теплоотводов и выводов. Размещают между ними припойные прокладки и осуществляют пайку полученной сборки в печи с восстановительной или инертной средой путем нагрева до температуры выше температуры плавления припоя. Внутренний диаметр стеклянной втулки соответствует габаритам загружаемых деталей сборки полупроводникового прибора. Способ позволяет повысить степень центровки элементов сборок полупроводниковых приборов и предотвратить механическое повреждение кристаллов сборок при их выгрузке из кассеты после пайки. 5 ил., 1 табл.

Использование: для создания поворотного устройства позиционирования. Сущность изобретения заключается в том, что устройство содержит кольцевой магнитопровод, генерирующий магнитное поле по кольцевому воздушному зазору, по меньшей мере три якоря, каждый из которых включает в себя множество катушек, по меньшей мере частично расположенных в кольцевом воздушном зазоре, и каждый из которых выполнен с возможностью генерирования силы левитации в направлении левитации, ортогональном кольцевому магнитопроводу, и движущей силы в направлении приведения в движение вдоль кольцевого магнитопровода, причем упомянутые якоря расположены в различных угловых положениях вдоль упомянутого кольцевого магнитопровода, и контроллер для подачи токов на упомянутые якоря для индивидуального управления генерированием силы левитации и/или движущей силы посредством упомянутых якорей для осуществления вращательного движения и/или движения качания, и/или поступательного движения упомянутого кольцевого магнитопровода. Технический результат: обеспечение возможности создания устройства, где все шесть степеней свободы приводятся в действие небольшим числом элементов. 10 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп включает этапы, на которых в изолирующем слое на кремниевой подложке формируют канавку, в канавку наносят первый буферный слой на основе материала III-V групп на кремниевую подложку, на первый буферный слой наносят второй буферный слой на основе материала III-V групп, слой канала устройства на основе материала III-V групп наносят на второй буферный слой на основе материала III-V групп. Изобретение обеспечивает интеграцию устройств на основе материалов III-V групп n-типа и p-типа на кремниевой подложке. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к технологии монтажа микроэлектронных компонентов в модули с встроенными в плату компонентами. Технический результат - упрощение процесса изготовления микроэлектронных узлов, увеличение плотности упаковки компонентов, улучшение массогабаритных характеристик сборочного узла. Достигается тем, что в окна подложки собираемого узла прецизионно устанавливают предварительно протестированные и запрограммированные бескорпусные кристаллы. Предварительно подложку собираемого узла и кристаллы устанавливают лицевой стороной на технологическую подложку с нанесенным на нее тонким липким слоем термопластичного клея, совмещая их реперными знаками, герметизируют подложку собираемого узла с установленными в ней кристаллами, после чего снимают технологическую подложку, нагревая ее до температуры плавления термопластичного клея. Далее путем последовательного селективного формирования диэлектрических и проводящих слоев на активной поверхности подложки собираемого узла и кристаллов создают многоуровневую коммутацию с последующей установкой чип-компонентов на соответствующие контактные площадки. 1 ил.

Изобретение относится к системам автоматической очистки солнечных панелей. Устройство очистки солнечной панели, содержащее источник питания, соединенный с солнечной панелью, датчики контроля загрязнения и провода, расположенные на поверхности солнечной панели, отличающееся тем, что провода выполнены с возможностью колебания и переплетены друг с другом в виде решетки, установленной на поверхность солнечной панели, при этом в качестве источника питания используют источник переменного тока, а датчики контроля загрязнения выполнены в виде датчиков натяжения проводов, расположенных по всей внешней грани решетки из проводов. Также предложен способ автоматизированной очистки солнечных панелей. Изобретение обеспечивает эффективную очистку поверхности солнечной панели от снега, льда, мусора и других объектов, мешающих преобразованию солнечной энергии. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам. Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике включает формирование ростовых кремниевых островков на поверхности диэлектрической подложки (сапфир, шпинель, алмаз, кварц) с последующим наращиванием начального слоя кремния путем термического разложения моносилана, его термообработку в течение времени, достаточного для устранения структурных дефектов, образовавшихся в результате релаксации напряжений кристаллической решетки кремния, и продолжение наращивания слоя кремния до требуемых значений толщины, при этом наращивание начального слоя кремния осуществляют при температуре 930-945°C до момента слияния ростовых кремниевых островков и образования сплошного слоя, температуру термообработки устанавливают в пределах 945-975°C, а температуру роста слоя требуемой толщины задают не менее 960°C. Технический результат изобретения - повышение структурного качества и однородности распределения удельного сопротивления по толщине гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике. 4 ил.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры подложку кремния с тыльной стороны подвергают обработке ионами Sb+ энергией 30 кэВ, дозой 3,5*1015 см-2 при температуре 300°С, с последующей термообработкой при температуре 800°C в течение 4-6 часов. Затем наращивают пленку кремния на кремниевой подложке и формируют полупроводниковые приборы по стандартной технологии. Обработка тыльной стороны подложки ионами сурьмы обеспечивает геттерирование дефектов, что повышает качество структур и процент выхода годных. 1 табл.

Настоящее изобретение относится к области технологий отображения жидкокристаллическими устройствами и, в частности, к способу изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликремния, включающему: выращивание буферного слоя и затем слоя аморфного кремния на подложке; нагрев слоя аморфного кремния до температуры выше комнатной и выполнение предварительной очистки поверхности слоя аморфного кремния; использование отжига эксимерным лазером (ELA) для облучения слоя аморфного кремния, предварительно очищенного на предыдущем этапе, чтобы преобразовать аморфный кремний в поликремний. Настоящее изобретение также предлагает систему для изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликремния. Путем совершенствования системы для изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликремния и способа предварительной очистки настоящее изобретение уменьшает неравномерность толщины слоя аморфного кремния и неравномерность слоя поликремния, получаемого на последующем этапе облучения эксимерным лазером. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения нитевидных нанокристаллов Si (ННК) включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → капельная жидкость → кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь на пластину Si наносят пленку Ti и анодируют длительностью от 5 до 90 мин в 1%-ном растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока поддерживают в интервале от 5 до 20 мА/см2, а наночастицы катализатора на анодированную поверхность Ti наносят осаждением металла, выбираемого из ряда Ni, Ag, Pd, из 0,1 М раствора, имеющего общую формулу Me(NO3)x, где Me - Ni, Ag, Pd; х=1-2, в течение 1-2 мин при воздействии на раствор ультразвуком мощностью 60 Вт. Изобретение обеспечивает возможность получения ННК с диаметрами от 10 до 100 нм, равномерно распределенных по поверхности подложки и имеющих малый разбаланс поперечных размеров. 6 пр.
Наверх