Способ изготовления резистора на кристаллической или поликристаллической подложке

Изобретение относится к радиоэлектронике, а точнее к тонкопленочной технологии. Сущность способа изготовления резистора на кристаллической или поликристаллической подложке заключается в том, что кристаллическую или поликристаллическую подложку шлифуют, располагают ее в импланторе, направляют сфокусированный поток ионов на подложку и рисуют им резистор. Техническим результатом изобретения является расширение арсенала способов изготовления резистора на кристаллической или поликристаллической подложке. 1 ил.

 

Изобретение относится к радиоэлектронике, а точнее - к тонкопленочной технологии.

Основными элементами тонкопленочных микросхем являются подложка и система пассивных элементов, включающая резисторы, конденсаторы, индуктивности, проводники и контактные площадки (http:// mi el.tusur.ru/files/method/TTMS.pdf). Известны методы создания тонкопленочных резисторов путем термического испарения в вакууме и ионно-плазменного распыления (там же).

Процесс напыления характеризуется большой неупорядоченностью, молекулы напыляемого вещества имеют в среднем примерно вдвое большую энергию вдоль подложки, чем поперек, поэтому случайно образовавшиеся островки напыленного материала имеют тенденцию расти быстрее, чем слой на голой подложке. Минимальная толщина резистивного слоя поэтому ограничена неравномерностью тонкого слоя, что приводит к увеличению длины резистора, что особенно плохо для высокоомных резисторов.

Высокая плотность тока в проводнике (в том числе в резистивном слое) приводит к электромиграции вещества проводника, что повышает плотность тока в зоне электромиграции и ускоряет процесс. Этот процесс особенно сильно ограничивает возможность миниатюризации в тонкопленочной технологии низкоомных резисторов, рассчитанных на большие токи.

Предлагается изготавливать резисторы на кристаллических или поликристаллических подложках методом ионной имплантации.

"Ионная имплантация (ионное внедрение, ионное легирование) - введение примесных атомов в твердое тело бомбардировкой его поверхности ускоренными ионами. При ионной бомбардировке мишени наряду с процессами распыления поверхности, ионно-ионной эмиссии, образования радиационных эффектов и др. происходит проникновение ионов в глубь мишени" (http://dic.academic.ru/dic.nsf/enc_physics/3387).

Атомы имплантируемого вещества во время этого процесса имеют очень высокую степень упорядоченности - кинетическая энергия у всех атомов практически одинакова (http://www.bsu.by/Cache/Page/339793.pdf).

Этот факт приводит к значительно большей равномерности резистивного слоя.

Кристаллические и поликристаллические изолирующие подложки имеют более высокие энергии связи по сравнению с металлами, поэтому за счет удержания атомов внедренного металла в структуре подложки такой резистор будет иметь пониженную скорость электромиграции и более высокую допустимую плотность тока.

Предлагаемый способ можно реализовать следующим образом (см. фиг. 1):

1. Кристаллическую или поликристаллическую подложку 1 стандартным образом шлифуют.

2. Располагают ее в импланторе.

3. Направляют сфокусированный поток ионов 3 от имплантора на подложку и рисуют им резистор 4 (фиг. 1).

Техническим результатом изобретения является расширение арсенала способов изготовления резистора на кристаллической или поликристаллической подложке.

Способ изготовления резистора на кристаллической или поликристаллической подложке, заключающийся в том, что кристаллическую или поликристаллическую подложку шлифуют, располагают ее в импланторе, направляют сфокусированный поток ионов на подложку и рисуют им резистор.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологическим процессам изготовления толстопленочных резисторов, и может быть использовано при корректировке сопротивления резистора до необходимого номинала или получения нестандартного значения сопротивления без разрушения резистивного слоя, а также при корректировке функциональной характеристики резистивной пленки.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в том числе мощных высокочастотных цепях.

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к средствам измерения, в конструкции которых применен тензорезистивный элемент на металлической подложке, изготовленный с использованием тонкопленочной технологии.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.

Изобретение относится к изготовлению прецизионных пленочных резисторов. Устройство содержит источник опорного напряжения (1), устройство сравнения (2), измеритель сопротивления (3), аналого-цифровой преобразователь (АЦП) (4), мультивибратор (5), регистр сдвига (6), первую группу элементов И (7-1…7-n), блока хранения данных (8), вторую группу элементов И (9-1…9-n), цифроаналоговый преобразователь (ЦАП) (10), генератор факельного разряда (11), рабочий электрод (12), подгоняемый резистор (13), подложкодержатель (14), элемент ИЛИ (15).
Изобретение относится к области тонкопленочной микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении резистивных микросборок, а также мощных резистивных ВЧ аттенюаторов, содержащих низкоомные и высокоомные резисторы.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в экспериментальной механике для точного измерения веса, вибраций, сил. .
Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано преимущественно при изготовлении непроволочных цилиндрических резисторов на операции лужения никелированных медных выводов.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству низкоомных чип-резисторов, которые могут быть использованы в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в частности для применения в качестве датчиков тока. Технический результат предложенного способа заключается в возможности изготовления чип-резисторов со значением ТКС, которое не превышает целевого значения при заданном значении сопротивления. Способ изготовления низкоомного чип-резистора включает резистивное формирование на концах резистивной пластины контактов и подгонку ее сопротивления, между контактами на резистивной пластине формируют покрытие из изолирующего материала, на контакты наносят гальваническое покрытие с образованием выводов чип-резистора, каждый из которых состоит из контакта с гальваническим покрытием и смежной с контактом части резистивной пластины, при формировании контактов проводят процедуру минимизации переходных сопротивлений между контактами и резистивной пластиной путем снятия окисных пленок с поверхности резистивной пластины, а контакты формируют такой конфигурации, при которой общее сопротивление выводов выбрано из математической зависимости. 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству низкоомных чип-резисторов, которые могут быть использованы в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в частности для применения в качестве датчиков тока. Технический результат предложенного устройства заключается в создании низкоомного чип-резистора со значением ТКС, которое не превышает целевого значения при заданном значении сопротивления. Технический результат достигается за счет того, что предложен низкоомный чип-резистор, включающий резистивную пластину с контактами на концах, с покрытием из изолирующего материала между контактами и гальваническим покрытием на контактах, при этом участок низкоомного чип-резистора, состоящий из контакта с гальваническим покрытием и смежной с контактом части резистивной пластины, образует вывод чип-резистора, а контакты имеют конфигурацию, при которой общее сопротивление выводов удовлетворяет математической зависимости. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к радиоэлектронике, а точнее к тонкопленочной технологии. Сущность способа изготовления резистора на кристаллической или поликристаллической подложке заключается в том, что кристаллическую или поликристаллическую подложку шлифуют, располагают ее в импланторе, направляют сфокусированный поток ионов на подложку и рисуют им резистор. Техническим результатом изобретения является расширение арсенала способов изготовления резистора на кристаллической или поликристаллической подложке. 1 ил.

Наверх