Способ управления трением в парах трения

Изобретение относится к управлению трением в парах трения и может найти широкое применение в различных отраслях, таких как станкостроение, транспортное машиностроение, приборостроение и других. Способ регулирования трения в элементах пары трения включает предварительное нанесение на элементы пары трения покрытия из дихалькогенида переходного металла, причем на один элемент наносят дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а на другой - дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа. Легирующие примеси используют в концентрации от 1 до 10 атомов примеси на 107 молекул дихалькогенида переходного металла, затем на элементы пары трения подают постоянный ток с регулируемой разностью потенциалов. Положительный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а отрицательный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа, при этом напряжение изменяют от 0 до напряжения пробоя сформированного элементами пары трения р - n-перехода. Обеспечивается повышение эффективности управления трением в парах трения. 9 з.п. ф-лы, 1 пр.

 

Изобретение относится к управлению трением в парах трения и может найти широкое применение в различных отраслях техники, таких как станкостроение, транспортное машиностроение, приборостроение и других.

Из существующего уровня техники известны способы управления трением в парах трения, например способ управления трением в паре трения подшипника скольжения, заключающийся в том, что, исключая смазочные материалы, скольжение осуществляют между отдаленными слоями воздуха путем организации сжатых магнитных полей размещенных постоянных магнитов, при этом магниты устанавливают одноименными полюсами напротив на расстоянии воздушного зазора 0,1l÷0,6l, где 1 - расстояние начала нулевого реагирования постоянных магнитов, одновременно обеспечивая фиксированное расположение подвижной части подшипника скольжения за счет наличия сил магнитного отталкивания (RU 2311571 С2, опубл. 27.11.2007).

К недостаткам известного способа следует отнести его нетехнологичность, дороговизну и крайне высокую сложность реализации.

Наиболее близким к заявленному - прототипом - является способ регулирования трения в парах трения, заключающийся в выравнивании коэффициентов трения во вращающихся опорах, обеспечивая тем самым повышение эффективности и устойчивости компенсации сил трения вращения (RU 2242806 С2, опубл. 20.12.204).

В отличие от аналога способ-прототип относительно легко реализуем, однако обладает весьма нестабильным регулированием, обусловленным необходимостью опосредованного выравнивания коэффициентов трения во вращающихся опорах, основываясь на измеряемых параметрах положения оси, при этом во главу угла поставлено выравнивание коэффициентов трения, а не их прямое регулирование в широком диапазоне.

Означенное обстоятельство свидетельствует о том, что эффективность такого управления крайне низка.

Задача изобретения - обеспечение монотонного изменения коэффициента трения в широком диапазоне вплоть до очень низких значений в элементах пары трения при монотонном изменении разности потенциалов между ними при одновременном увеличении диапазона изменения коэффициента трения.

Технический результат - повышение эффективности управления трением в парах трения.

Поставленная задача решается, а заявленный технический результат достигается тем, что в способе регулирования трения в элементах пары трения предварительно на элементы пары трения наносят покрытие из дихалькогенида переходного металла, причем на один элемент наносят дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а на другой - дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа, при этом легирующие примеси используют в концентрации от 1 до 10 атомов примеси на 107 молекул дихалькогенида переходного металла, затем на элементы пары трения подают постоянный ток с регулируемой разностью потенциалов, причем положительный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а отрицательный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа, при этом напряжение изменяют от 0 до напряжения пробоя сформированного элементами пары трения р-n-перехода, в качестве примеси, обеспечивающей полупроводник n-типа, рекомендовано использовать элементы 5-й группы Периодической системы химических элементов Д.И. Менделеева, в качестве примеси, обеспечивающей полупроводник p-типа, рекомендовано использовать элементы 3-й группы Периодической системы химических элементов Д.И. Менделеева, в качестве дихалькогенида переходного металла оптимально использовать MoSe2 или MoS2 или WS2 или WSe2, при этом максимальный эффект наблюдается, когда для обоих элементов пары трения используют одинаковый дихалькогенид переходного металла, при этом оптимально в качестве примеси, обеспечивающей полупроводник n-типа, использовать фосфор, а в качестве примеси, обеспечивающей полупроводник р-типа, использовать бор.

Изобретение основано на известном явлении снижения коэффициента трения дихалькогенидов переходных металлов при облучении их поверхности каким-либо ионизирующим излучением, обычно в вакууме. Еще с 1970-х годов известно, что облучение поверхности дихалькогенидов переходных металлов ионизирующим излучением приводило к необнаружимо малому в условиях эксперимента коэффициенту трения (Духовской Е.А., Пономарёв А.Н., Силин А.А., Тальрозе В.Л. Явление аномально низкого трения при электронной бомбардировке трущейся поверхности дисульфида молибдена/ Письма в ЖЭТФ. - 1974 (20), вып. 4, с. 268-272). Однако физический механизм этого явления до последнего времени оставался невыясненным. Работы авторов предлагаемого изобретения (С.Н. Григорьев, О.В. Лановой, А.М. Мандель, О.Б. Ошурко, Г.И. Соломахо / O механизме эффекта радиационного снижения трения в покрытиях из халькогенидов переходных металлов // Трение и износ. – 2013, т. 34, №3, с. 315-321; Веселко С.В., Кулиш С.М., Мандель A.M., Ошурко В.Б., Соломахо Г.И., Шарц А.А. / Динамическая электроупругая теория сухого трения // Труды научно-технической конференции «Трибология - машиностроению». М., «ИМАШ РАН», 19-21 ноября 2014, с. 219-221) позволяют понять этот механизм и предложить концептуально новый способ управления трением в парах трения.

В работах авторов для объяснения эффекта снижения трения под действием ионизирующего излучения было показано, что существует чисто «зарядовый» механизм, приводящий к уменьшению трения до аномально низких значений. Согласно этому механизму в диэлектриках и широкозонных полупроводниковых материалах в общем случае возникает следующая картина. Электроны с энергией ~2 кэВ проникают в вещество на глубину порядка 50-90 нм. При этом за счет ударной ионизации возникают многочисленные вторичные электроны с меньшей энергией и другой длиной пробега. В тонком поверхностном слое (порядка длины свободного пробега электрона) вторичные электроны всегда покидают поверхность, оставляя этот слой положительно заряженным. Сами же первичные электроны при торможении остаются захваченным в объеме образца на относительно больших глубинах (до 1000 нм). Часть вторичных электронов рассеивается в глубине образца, оставляя области с положительным зарядом, а часть рекомбинирует, снижая положительный заряд. Картину при этом осложняют токи утечки, диффузионные токи и т.п. В любом случае, в итоге возникает тонкий поверхностный заряженный слой, причем тонкий поверхностный слой - толщиной, равной длине свободного пробега электрона - как правило, все-таки заряжается положительно. Концентрация такого заряда, измеренная в практически аналогичных условиях в разных диэлектриках в работе (Semenov А.P. On the Possibility of Improving Antifriction Properties of MoS2 Coatings by Alloying // Journal of Friction and Wear. - 2012 (33), no. 2, 160-165), составляла ~1019 элементарных зарядов/см3. Это вызывает между отдельными слоями силы отталкивания значительной величины. Даже в рамках макроскопического закона Амонтона-Кулона это эквивалентно снижению нормальной нагрузки и уменьшению силы трения. В работах проведены оценки этой силы, оказавшейся в согласии с экспериментальными данными. Установлены следующие факты, подтверждающие описанный механизм: (1) кривая эволюции коэффициента трения в дисульфиде молибдена во времени при включении и выключении внешнего ионизирующего облучения оказывается идентична известной кривой эволюции объемного заряда, созданного таким облучением в диэлектрике или широкозонном полупроводнике; (2) проведены оценки, показавшие, что концентрация зарядов, создаваемая в таких условиях в поверхностном слое покрытия, более чем достаточна для полной компенсации ван-дер-ваальсовых сил притяжения между отдельными слоями; и, кроме того, (3) известны сильные механические эффекты ионизирующего излучения (в частности, кулоновский взрыв). В результате очевидно, что самым простым и «естественным» механизмом практически полного исчезновения трения в покрытиях из полупроводниковых дихалькогенидных материалов во внешнем ионизирующем излучении является все-таки кулоновское отталкивание поверхностных слоев. Очевидно, что подобный зарядовый механизм снижения трения является достаточно общим и не зависящим ни от способа создания поверхностного заряда, ни от знака заряда поверхностных слоев.

Вышеприведенные работы позволили сформулировать предположение, что кулоновское взаимодействие в р-n-переходе элементов пары трения с подачей на них разнополярных потенциалов позволит управлять, по сути, коэффициентом трения путем изменения разности потенциалов, обеспечив снижение коэффициента трения на порядок и более. В самом деле, хорошо известно, что при подаче на р-n-переход «запирающей» разности потенциалов в области контакта возникают два слоя нескомпенсированного заряда - положительного в полупроводнике n-типа и отрицательного в полупроводнике р-типа. Тогда, если концентрация нескомпенсированного заряда в каждой такой области оказывается сравнима с концентрацией в эффекте отмеченной работы (Духовской Е.А., Пономарёв А.Н., Силин А.А., Тальрозе В.Л. Явление аномально низкого трения при электронной бомбардировке трущейся поверхности дисульфида молибдена/ Письма в ЖЭТФ. - 1974 (20), вып. 4, с. 268-272), то, очевидно, будут сформированы два новых интерфейса трения (один - в области нескомпенсированного положительного заряда, другой - отрицательного) с аномально низким трением в каждом интерфейсе по механизму, изложенному выше.

Это предположение нашло полное подтверждение в проведенных численных экспериментах метом молекулярной динамики. Так, показано, что нанесение на элементы пары трения покрытия из дихалькогенидов переходных металлов (причем на один элемент наносят дихалькогенид, легированный примесью, создающей полупроводник n-типа, на другой элемент наносят дихалькогенид, легированный примесью, создающей полупроводник р-типа) и управление коэффициентом трения путем изменения напряжения от 0 до напряжения пробоя, позволяет варьировать коэффициент трения μ от μ до величины, определяемой точностью численных расчетов, соответствующей 10-7 μ.

Дихалькогениды переходных металлов являются традиционными материалами для антифрикционных покрытий. С другой стороны, известно, что дихалькогениды переходных металлов являются широкозонными полупроводниками, близкими к чистым диэлектрикам. Тем самым, возможно легирование этих материалов для создания полупроводников n- и р- типа. Из практики создания р-n-переходов известно, что в качестве примеси, создающей полупроводник n-типа, возможно использование элементов 5-й группы Периодической системы химических элементов Д.И. Менделеева, а в качестве примеси, создающей полупроводник p-типа, возможно использование элементов 3-й группы Периодической системы химических элементов Д.И. Менделеева. При этом установлено, что в свете поставленной задачи наибольшей стабильностью обладают следующие дихалькогениды переходных металлов: MoSe2 (диселенид молибдена), MoS2 (дисульфид молибдена), WS2 (дисульфид вольфрама), WSe2 (диселенид вольфрама) в сочетании со следующими примесями: создающей полупроводник n-типа - Р (фосфор), создающей полупроводник p-типа - В (бор).

С точки зрения достижения наиболее широкого диапазона регулирования коэффициента трения μ оптимально концентрацию легирующих примесей устанавливать от 1 до 10 атомов примеси на 107 молекул дихалькогенида переходного металла. Установлено, что при количестве примесей менее 1 атома на 107 молекул дихалькогенида переходного металла резко снижается чувствительность коэффициента трения μ к подаваемому напряжению (уменьшается диапазон регулирования), а при превышении количества примесей свыше 10 атомов примеси на 107 молекул дихалькогенида переходного металла снижается напряжение пробоя (что также уменьшает диапазон регулирования).

Так, при концентрации носителей заряда порядка 1022 атомов на 1 м3 (порядка 9 атомов примеси на 107 молекул дихалькогенида переходного металла) легко достигается сила кулоновского отталкивания порядка атмосферного давления (не ниже 105 Н/м2).

Во избежание сомнений, отметим, что при изменении полярности подаваемого на р-n-переход напряжения (по аналогии с прототипом), коэффициент трения с возрастанием напряжения будет расти.

Пример реализации заявленного способа

В качестве примера реализации заявленного способа были проведены численные эксперименты метом молекулярной динамики. В экспериментах использовалась трехмерная сетка молекул из 20 слоев по 30*30=900 молекул в каждом. Верхней половине молекул (10 слоев) задавалась одинаковая начальная скорость, определявшая эту часть вещества как движущийся слайдер по поверхности подложки. Связи между молекулами устанавливались равными известной энергии химической связи (~2 эВ); между последним слоем слайдера и первым слоем подложки - энергии Ван-дер Ваальсова взаимодействия (~0.1 эВ). Молекулам второго и третьего слоев в слайдере приписывался положительный заряд, равный по величине усредненному заряду слоя в экспериментах по радиационному снижению трения; аналогичный отрицательный заряд приписывался второму и третьему (от слоя контакта слайдер-подложка) слоям подложки. Как оказалось, в этом случае действительно формируются два интерфейса трения в области заряженных слоев и латеральная сила, действующая на верхнюю часть слайдера при его движении оказывается равной нулю в пределах ошибки эксперимента.

Изложенное позволяет сделать вывод о том, что поставленная задача - обеспечение изменения коэффициента трения в элементах пары трения в широком диапазоне вплоть до очень низких значений при монотонном изменении разности потенциалов между элементами пары трения - решена, а заявленный технический результат - повышение эффективности за счет управляемого снижения трения и износа в парах трения - достигнут.

При этом

объект, воплощающий заявленное техническое решение, при его осуществлении относится к управлению трением в парах трения и может найти широкое применение в различных отраслях, таких как станкостроение, транспортное машиностроение, приборостроение и других;

для заявленного объекта в том виде, как он охарактеризован в независимом пункте формулы изобретения, подтверждена возможность его осуществления;

объект, воплощающий заявленное техническое решение, при его осуществлении способен обеспечить достижение усматриваемого заявителем технического результата.

Следовательно, заявленный объект соответствует требованиям условий патентоспособности «новизна», «изобретательский уровень» и «промышленная применимость» по действующему законодательству.

1. Способ регулирования трения в элементах пары трения, характеризующийся тем, что предварительно на элементы пары трения наносят покрытие из дихалькогенида переходного металла, причем на один элемент наносят дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а на другой - дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа, при этом легирующие примеси используют в концентрации от 1 до 10 атомов примеси на 107 молекул дихалькогенида переходного металла, затем на элементы пары трения подают постоянный ток с регулируемой разностью потенциалов, причем положительный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а отрицательный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа, при этом напряжение изменяют от 0 до напряжения пробоя сформированного элементами пары трения р - n-перехода.

2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве примеси, обеспечивающей полупроводник n-типа, используют элементы 5-й группы Периодической системы химических элементов Д.И. Менделеева.

3. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве примеси, обеспечивающей полупроводник p-типа, используют элементы 3-й группы Периодической системы химических элементов Д.И. Менделеева.

4. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве дихалькогенида переходного металла используют MoSe2.

5. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве дихалькогенида переходного металла используют MoS2.

6. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве дихалькогенида переходного металла используют WS2.

7. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве дихалькогенида переходного металла используют WSe2.

8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для обоих элементов пары трения используют одинаковый дихалькогенид переходного металла.

9. Способ по п. 2, отличающийся тем, что в качестве примеси, обеспечивающей полупроводник n-типа, используют фосфор.

10. Способ по п. 3, отличающийся тем, что в качестве примеси, обеспечивающей полупроводник p-типа, используют бор.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к переключающимся схемам. Технический результат заключается в уменьшении нагрузки на схему формирователя сигналов управления затвором.

Изобретение относится к составу полупроводниковых материалов, используемых в адсорбционных сенсорах для обнаружения и количественной оценки концентрации низкомолекулярных органических соединений, преимущественно кетонов в выдыхаемом людьми воздухе, и к технологии изготовления таких полупроводниковых материалов.

Изобретение относится к керамическому производству, в частности к полупроводниковому материалу. .

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к порошковым материалам на основе окиси алюминия для плазменного напыления теплостоков полупроводниковых приборов, например электроизолирующих теплопроводных слоев на теплопередающих или теплоотводящих поверхностях полупроводниковых приборов.

Изобретение относится к методам нанесения маркировок прямого нанесения (МПН) непосредственно на маркируемый предмет. Способ защиты сформированной на поверхности изделия маркировки прямого нанесения (МПН) от внешнего воздействия при эксплуатации включает нанесение на МПН защитного покрытия в виде по меньшей мере одной защитной пленки на полимерной основе, при этом в качестве материала защитной пленки используют защитную композицию, содержащую смесь органических растворителей в количестве 50-55% общей массы защитной композиции, смесь акриловых полимеров в количестве 40-45% общей массы защитной композиции, коалесцент в количестве до 2,5% общей массы композиции в виде бутилгликольацетата, менее 0,3% общей массы композиции каждого из целлюлозного загустителя, пеногасителя, биоцида, не более 20% общей массы защитной композиции добавки, обладающей защитными свойствами, в виде красителя, флуоресцентного пигмента или наполнителя, рассеивающего свет в виде мелкодисперсных фракций мела, окиси титана или сульфата бария.

Изобретение относится к области машиностроения, в частности к формированию шероховатого защитного покрытия обсадных труб. Способ включает гидродинамическую, термическую и механическую очистку поверхности трубы, после чего на очищенную поверхность трубы наносят слой праймера и сушат его при комнатной температуре с последующим контролем толщины нанесенного слоя, а затем нагревают трубу до температуры нанесения полимерного защитного покрытия и путем распыления на слой праймера наносят полимерное защитное покрытия.

Изобретение относится к улучшенному составу суспензии, которая может использоваться для получения улучшенного теплового барьерного покрытия, а также к пористому теплобарьерному защитному от воздействия внешней среды покрытию, способу получения упомянутой водной суспензии и способу нанесения данной суспензии на подложку.

Изобретение относится к способам нанесения защитных покрытий, в частности коррозионностойких, антифрикционных и эрозионностойких покрытий, и может быть использовано для защиты изделий в химической, машиностроительной, авиационной, приборостроительной промышленности и других областях.
Изобретение относится к машиностроению, в частности к триботехнике, и может быть использовано при обработке рабочих поверхностей деталей машин. Способ подготовки состава-модификатора для металлических пар трения включает приготовление порошковой смеси из дисперсных частиц антигорита Mg6Si4O10(OH)8 и лизардита Mg3Si2O5(OH)4 и размешивание упомянутой порошковой смеси в масле, при этом в упомянутую порошковую смесь дополнительно вводят частицы хризотила Mg6Si4O10(OH)8 и альфа-нитрида бора при следующем соотношении компонентов, мас.
Изобретение относится к машиностроению, в частности к триботехнике, и может быть использовано при обработке рабочих поверхностей деталей машин, работающих в условиях повышенной нагрузки.

Изобретение относится к способу модификации железосодержащих поверхностей трения и может быть использовано для снижения механических потерь на трение, увеличения долговечности трущихся металлических поверхностей в двигателях внутреннего сгорания, агрегатов трансмиссий, ходовой части транспортных средств и может быть использовано для одновременного восстановления металлических трущихся поверхностей.

Изобретение относится к смазочным композициям, в частности к составам для обработки пар трения, и может быть использовано в машиностроении для обработки пар трения, а также при эксплуатации механизмов и машин для продления межремонтного ресурса или во время ремонтно-восстановительных работ.

Изобретение относится к способам антикоррозионной обработки поверхности изделий из алюминия или алюминиевых сплавов. Поверхность изделия подвергают импульсному энергетическому воздействию излучением импульсного оптоволоконного иттербиевого лазера с длиной волны 1,065 мкм при удельной мощности излучения 4,539⋅1010…8,536⋅1010 Вт/см2, частоте следования импульсов 20…40 кГц и скорости сканирования поверхности лазерным излучением 250…700 мм/с.
Способ относится к формированию в изделии износостойкого приповерхностного слоя, содержащего соединения кобальта с водородом и кислородом в виде гидроксида кобальта Со(ОН)2 и гетерогенитов 3R - Со+3[O(ОН)] и 2Н-СоО(ОН), и заключается в том, что изделие из кобальтсодержащего материала нагревают во влажном воздухе при температуре от 100°С до менее 200°С в течение от 0,5 до 2,0 час.

Изобретение относится к технологии получения покрытий на металлах с помощью энергии взрывчатых веществ (ВВ) и может быть использовано при изготовлении деталей энергетических и химических установок, обладающих повышенной жаростойкостью. Составляют пакет под сварку взрывом с симметричным размещением между двумя алюминиевыми пластинами толщиной 1,5-2 мм пластины из триметалла - пластины из легированной стали с двух сторон плакированной низкоуглеродистой сталью. Толщину упомянутой пластины выбирают не менее 3 мм, толщину ее плакирующих слоев - в пределах 0,3-0,5 мм. С двух сторон пакета на поверхностях алюминиевых пластин располагают одинаковые заряды взрывчатого вещества и осуществляют его сварку взрывом с одновременным инициированием в зарядах процесса детонации. Скорость детонации в каждом заряде взрывчатого вещества равна 2000-2700 м/с, высоту зарядов взрывчатого вещества, а также сварочные зазоры между соединяемыми металлами выбирают из условия получения скорости соударения алюминиевых пластин с плакирующими слоями из низкоуглеродистой стали пластины из триметалла в пределах 370-490 м/с. Термическую обработку сваренной пятислойной заготовки для образования сплошных интерметаллидных диффузионных прослоек между алюминиевыми слоями и слоями из низкоуглеродистой стали проводят при температуре 660-665°С в течение 0,7-1 ч. Затем охлаждают с печью до температуры 640-650°С. Проводят выдержку при этой температуре 2-3 ч с последующим охлаждением на воздухе до самопроизвольного отделения алюминиевых слоев от слоев из низкоуглеродистой стали по интерметаллидным диффузионным прослойкам с образованием при этом на поверхностях слоев из низкоуглеродистой стали пластины из триметалла сплошного жаростойкого покрытия из интерметаллидов системы алюминий-железо. Обеспечивается одновременное получение интерметаллидных покрытий с двух сторон указанной триметаллической пластины, обладающих высокой жаростойкостью, имеющих малую амплитуду шероховатостей, с пониженной склонностью к образованию трещин при теплосменах без использования в технологической схеме дефицитного и дорогостоящего никеля, с сокращением количества операций сварки взрывом до одной. 2 ил., 1 табл., 4 пр.

Изобретение относится к управлению трением в парах трения и может найти широкое применение в различных отраслях, таких как станкостроение, транспортное машиностроение, приборостроение и других. Способ регулирования трения в элементах пары трения включает предварительное нанесение на элементы пары трения покрытия из дихалькогенида переходного металла, причем на один элемент наносят дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а на другой - дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа. Легирующие примеси используют в концентрации от 1 до 10 атомов примеси на 107 молекул дихалькогенида переходного металла, затем на элементы пары трения подают постоянный ток с регулируемой разностью потенциалов. Положительный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а отрицательный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа, при этом напряжение изменяют от 0 до напряжения пробоя сформированного элементами пары трения р - n-перехода. Обеспечивается повышение эффективности управления трением в парах трения. 9 з.п. ф-лы, 1 пр.

Наверх