Свч аттенюатор

Изобретение относится к радиоэлектронике и измерительной технике и может быть использовано для заданного ослабления СВЧ сигнала большой мощности в широкой полосе рабочих частот. СВЧ аттенюатор содержит N последовательно включенных друг за другом каскадов, выполненных на планарных пленочных резисторах, общая площадь которых обеспечивает рассеивание заданной мощности входного высокочастотного сигнала, а значения коэффициентов передачи каждого каскада обеспечивают равномерное распределение рассеиваемой мощности в них. Все каскады выполнены в виде Т-образной структуры и расположены на общей диэлектрической подложке, при этом во всех Т-образных структурах площадь каждого пленочного резистора пропорциональна рассеиваемой на нем мощности и ширина крайних пленочных резисторов больше ширины среднего пленочного резистора, а крайние пленочные резисторы смежных Т-образных структур объединены в один общий пленочный резистор, площадь и сопротивление которого равны сумме площадей и сумме сопротивлений соответственно объединенных пленочных резисторов. Технический результат в предлагаемом СВЧ аттенюаторе заключается в упрощении конструкции за счет того, что все пленочные резисторы расположены на одной диэлектрической подложке и не применяются согласующие элементы, а также сохранении высокого уровня мощности входного высокочастотного сигнала за счет выбора площади каждого пленочного резистора пропорционально рассеиваемой на нем мощности. 5 ил., 3 табл.

 

Изобретение относится к радиоэлектронике и измерительной технике и может быть использовано для заданного ослабления высокочастотного сигнала большой мощности в широкой полосе рабочих частот.

Известен СВЧ аттенюатор, содержащий три сосредоточенных резистора, включенных по Т-образной структуре (см. книгу Ред Э. Справочное пособие по высокочастотной схем технике: Схемы, блоки, 50-омная техника: Пер. с нем. - М.: 1990. 256 с., ил., стр. 229).

Для Т-образной структуры включения сосредоточенных резисторов их величины определяются соотношениями:

где R1, R3 - значение сопротивления сосредоточенных крайних резисторов Т-образной структуры, подключенных соответственно ко входу и выходу аттенюатора;

R2 - значение сопротивления среднего сосредоточенного резистора Т-образной схемы аттенюатора;

R - сопротивление согласованной нагрузки для аттенюатора;

Ku - коэффициент передачи аттенюатора по напряжению;

- коэффициент затухания (вносимого ослабления) по напряжению.

Рассматриваемый СВЧ аттенюатор обеспечивает заданные значения вносимого ослабления и имеет достаточно хорошее качество согласования в диапазоне частот до 300 МГц. Основным недостатком данного СВЧ аттенюатора является ухудшение согласования в области частот выше 500 МГц за счет влияния паразитных реактивных параметров сосредоточенных резисторов, а именно собственной индуктивности и собственной емкости. Ухудшение согласования проявляется тем сильнее, чем больше допустимая мощность входного высокочастотного сигнала и больше вносимое ослабление. Это обусловлено применением мощных сосредоточенных резисторов, у которых паразитные реактивные параметры имеют значительную величину.

Известен также СВЧ аттенюатор (см. патент РФ №2477910, Н01Р 1/22, опубл. 20.03.2013), содержащий N включенных последовательно друг за другом согласованных звеньев на одинаковых подложках, установленных с одинаковым шагом на теплопроводящем основании, при этом каждое последующее звено имеет большее затухание, чем предыдущее, причем коэффициент передачи по мощности каждого звена задается выражением:

где М - порядковый номер звена;

N - количество звеньев аттенюатора.

За счет использования каскадного включения согласованных звеньев в данном аттенюаторе повышается надежность и уровень входной мощности СВЧ сигнала. Однако, как указывают авторы изобретения, значение коэффициента передачи по мощности последнего звена при выполнении равенства M=N стремится к нулю. То есть при любом количестве звеньев для последнего звена имеет место равенство KPN=0. Это приводит к тому, что в данном аттенюаторе отсутствуют калиброванный выход с заданным коэффициентом затухания. Это существенно ограничивает функциональные возможности описываемого аттенюатора.

Кроме того, известен СВЧ аттенюатор (см. патент РФ №2519506, Н03Н 7/24, опубл. 10.06.2014), содержащий N включенных последовательно друг за другом согласованных звеньев на одинаковых подложках, установленных с одинаковым шагом на теплопроводящем основании, в котором каждое последующее звено при одинаковых потерях мощности в них имеет большее затухание, чем предыдущее, при этом между звеньями введены клеммы, предназначенные для подключения измерительных приборов.

Наличие одной или нескольких клемм для подключения различных измерительных приборов расширяет функциональные возможности СВЧ аттенюатора, однако эти клеммы вносят дополнительное межкаскадное рассогласование между звеньями. Кроме того, с данными клеммами типовые измерительные приборы также не согласованы.

Наиболее близким техническим решением, взятым в качестве прототипа, является СВЧ аттенюатор (см. статью Богомолов П.Г., Методы расширения полосы рабочих частот пленочных СВЧ аттенюаторов. ж-л «Успехи современной радиоэлектроники», 2015 г., №10, стр. 145-148), который содержит N симметричных П-образных структур на пленочных резисторах, включенных каскадно через идентичные катушки индуктивности, а параллельно входу и выходу СВЧ аттенюатора подключены конденсаторы, которые соединены соответственно с первой и последней симметричной П-образной структурой через такие же катушки индуктивности, при этом емкость конденсаторов равна входной паразитной емкости симметричных П-образных структур, а коэффициент передачи по мощности каждой симметричной П-образной структуры и величина индуктивности катушек индуктивности соответственно равны:

где K(n) - коэффициент передачи по мощности симметричной П-образной структуры;

n=1…N - текущий номер включенной каскадно симметричной П-образной структуры;

Kp - коэффициент передачи по мощности СВЧ аттенюатора;

α1 - значение первого элемента нормированного фильтра нижних частот третьего порядка;

α2 - значение второго элемента нормированного фильтра нижних частот третьего порядка;

R - сопротивление согласованной нагрузки для СВЧ аттенюатора;

С - емкость конденсаторов, подключенных параллельно входу и выходу СВЧ аттенюатора.

За счет использования N каскадов в виде П-образных структур на пленочных резисторах, выполненных на отдельных диэлектрических подложках, прототип обеспечивает широкую полосу рабочих частот при большом уровне мощности входного высокочастотного сигнала, что обусловлено одинаковой мощностью рассеивания высокочастотного сигнала в каждом каскаде при указанных выше значениях коэффициентов передачи по мощности K(n).

Основным недостатком прототипа является сложность конструкции, обусловленная использованием N диэлектрических подложек, установленных на общий радиатор, и большое число катушек индуктивности, компенсирующих влияние паразитных емкостей пленочных резисторов. Кроме того, для мощных пленочных резисторов с большой площадью поверхности, у которых паразитная емкость имеет значительную величину, требуются компенсирующие катушки индуктивности большой величины, что существенно усложняет конструкцию СВЧ аттенюатора.

Задачей (техническим результатом) предлагаемого изобретения является упрощение конструкции при сохранении допустимого уровня мощности входного высокочастотного сигнала.

Поставленная задача достигается тем, что в СВЧ аттенюаторе, содержащем N последовательно включенных друг за другом каскадов, выполненных на пленочных резисторах, общая площадь которых обеспечивает рассеивание заданной входной мощности, а значения коэффициентов передачи по мощности каждого каскада K(n) равны:

где K(n) - коэффициент передачи по мощности каскада,

n=1…N - текущий номер каскада,

Kp - коэффициент передачи по мощности СВЧ аттенюатора,

что обеспечивает равномерное распределение рассеиваемой мощности по каскадам, которые выполнены в виде Т-образной структуры и расположены на общей диэлектрической подложке, при этом во всех Т-образных структурах площадь каждого пленочного резистора пропорциональна рассеиваемой на нем мощности и ширина крайних пленочных резисторов больше ширины среднего пленочного резистора, а крайние пленочные резисторы смежных Т-образных структур объединены в один общий пленочный резистор, площадь и сопротивление которого равны сумме площадей и сумме сопротивлений соответственно объединенных пленочных резисторов.

На фиг. 1 представлена схема предлагаемого СВЧ аттенюатора. На фиг. 2 приведена схема электрическая принципиальная Т-образной структуры одного из каскадов СВЧ аттенюатора. На фиг. 3 изображен график частотной зависимости коэффициента стоячей волны (КСВ) однокаскадного СВЧ аттенюатора и его 3D модель. На фиг. 4 фиг. 5 изображены графики частотной зависимости КСВ соответственно двухкаскадного и трехкаскадного СВЧ аттенюаторов и их 3D модели.

Предлагаемый СВЧ аттенюатор содержит N Т-образных структур 1, 2 и N, расположенных на одной диэлектрической подложке. Первая Т-образная структура 1 состоит из пленочных резисторов 3, 4. Пленочный резистор 5 является общим для первой и второй Т-образных структур и равен сумме последнего сопротивления первой Т-образной структуры 1 и первого сопротивления второй Т-образной структуры 2. Вторая Т-образная структура 2 состоит из пленочных резисторов 5, 6 и 7. Резисторы 5 и 7 являются общими для соседних Т-образных структур. Последняя N Т-образная структура состоит из одного общего с предыдущей Т-образной структурой пленочного резистора 8 и двух пленочных резисторов 9 и 10.

Предлагаемый СВЧ аттенюатор работает следующим образом. Значения коэффициентов передачи по мощности K(n) каскадно включенных Т-образных структур, так же как и в прототипе, обеспечивают равномерное распределение по каскадам рассеиваемой мощности высокочастотного сигнала (см. статью Богомолов П.Г. Методы расширения полосы рабочих частот пленочных СВЧ аттенюаторов. ж-л «Успехи современной радиоэлектроники», 2015 г., №10, стр. 145-148). Далее, исходя из значений коэффициентов передачи по мощности, определяемых соотношением (3), и заданной величины входного сопротивления (типовое значение равно 50 Ом) с учетом выражений (1) и (2), записываем выражения для значений сопротивлений каждого пленочного резистора для всех N симметричных Т-образных структур:

где R1(n), R2(n), R3(n) - значение пленочных резисторов n-й Т-образной структуры, показанной на фиг. 3;

R - входное сопротивление Т-образной структуры;

- коэффициент затухания по напряжению n-й Т-образной структуры.

Далее, по значениям коэффициентов затухания для n-й Т-образной структуры определяем мощности, выделяемые на каждом пленочном резисторе:

где PR1(n), PR2(n), PR3(n), - мощность, выделяемая на пленочных резисторах n-й Т-образной структуры;

Р - входная мощность, подводимая на n-ю Т-образную структуру.

В качестве примера определим параметры СВЧ аттенюатора, выполненного на Т-образных структурах с общим коэффициентом передачи по мощности Кp=0,1 (вносимое ослабление 10 дБ). Число каскадов N будем изменять от одного до трех. Мощность входного высокочастотного сигнала примем равной 100 Вт. Далее по соотношению (3) рассчитываем значения коэффициентов передачи соответствующих каскадов K(n) для значения Kp=0,1. Результаты расчета для данных параметров предлагаемого СВЧ аттенюатора приведены в таблице 1.

Значения сопротивлений каждого пленочного резистора во всех N Т-образных структурах, рассчитанные по соотношениям (4) и (5), представлены в таблице 2.

По соотношениям (6)-(8) определены мощности, рассеиваемые на соответствующих пленочных резисторах, и найдена требуемая площадь резистивной пленки, исходя из условия, что при использовании принудительного воздушного обдува 1 мм2 поверхности резистивной пленки, нанесенной на диэлектрическую подложку из бериллиевой керамики (окись бериллия ВеО является качественным диэлектриком СВЧ и обладает теплопроводностью, как у металлов), рассеивает до 2 Вт мощности высокочастотного сигнала. Результаты расчета указанных выше параметров представлены в таблице 3.

В соответствии с полученными значениями площади пленочных резисторов, приведенными в таблице 3, с помощью компьютерного электродинамического моделирования были определены частотные зависимости коэффициента стоячей волны (КСВ) предлагаемого СВЧ аттенюатора для различного числа каскадов. Из анализа полученных зависимостей КСВ от частоты по соответствующим 3D моделям, показанным на фиг. 3, 4 и 5, следует, что предложенный СВЧ аттенюатор, содержащий большее число каскадов, обеспечивает более широкую полосу рабочих частот. Таким образом, имеется тенденция расширения полосы рабочих частот при увеличении числа каскадов. Это обусловлено тем, что чем больше пленочных резисторов содержит СВЧ аттенюатор, тем меньшая мощность высокочастотного сигнала рассеивается на каждом из них, тем меньше будет их площадь и соответственно меньше паразитная емкость. Кроме того, большое количество пленочных резисторов, являющихся диссипативными элементами, увеличивает их «развязывающее» влияние на качество согласования по входу. Для обеспечения в области высоких частот электрической симметрии и упрощения топологии нанесения пленочных резисторов средние пленочные резисторы 4, 6 и 9 каждой Т-образной структуры могут быть выполнены в виде двух параллельно включенных пленочных резисторов, выходящих на противоположные стороны диэлектрической подложки, как показано на 3D моделях, представленных на фиг. 3, 4 и 5.

В предложенном СВЧ аттенюаторе за счет расположения всех пленочных резисторов на одной диэлектрической подложке и отсутствия согласующих катушек индуктивности существенно упрощается конструкция аттенюатора. Кроме того, выбор площади пленочных резисторов пропорционально рассеиваемой на нем мощности обеспечивает постоянство температуры на всех пленочных резисторах, что упрощает конструкцию теплоотвода. Постоянство температуры всех пленочных резисторов в предлагаемом СВЧ аттенюаторе подтверждается законом Ньютона-Рихмана, согласно которому рассеиваемая мощность пропорциональна площади пленочного резистора и разности его температуры и температуры окружающей среды. Упрощение конструкции достигнуто также за счет выбора ширины крайних пленочных резисторов больше, чем ширина средних резисторов во всех Т-образных структурах. За счет использования N каскадов при неизменной общей площади поверхности всех пленочных резисторов сохраняется допустимый уровень мощности входного высокочастотного сигнала.

СВЧ аттенюатор, содержащий N последовательно включенных друг за другом каскадов, выполненных на пленочных резисторах, общая площадь которых обеспечивает рассеивание заданной входной мощности, а значения коэффициентов передачи по мощности каждого каскада K(n) равны:

,

где K(n) - коэффициент передачи по мощности каскада,

n=1…N - текущий номер каскада,

Kp - коэффициент передачи по мощности СВЧ аттенюатора,

что обеспечивает равномерное распределение рассеиваемой мощности по каскадам, отличающийся тем, что все каскады выполнены в виде Т-образной структуры и расположены на общей диэлектрической подложке, при этом во всех Т-образных структурах площадь каждого пленочного резистора пропорциональна рассеиваемой на нем мощности и ширина крайних пленочных резисторов больше ширины среднего пленочного резистора, а крайние пленочные резисторы смежных Т-образных структур объединены в один общий пленочный резистор, площадь и сопротивление которого равны сумме площадей и сумме сопротивлений соответственно объединенных пленочных резисторов.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике высоких и сверхвысоких частот и предназначено для создания частотно-селективных устройств. Полосковый резонатор содержит две диэлектрические подложки, подвешенные между экранами корпуса, на обе поверхности которых нанесены полосковые металлические проводники, электромагнитно связанные между собой.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор.

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников.

Изобретение относится к области СВЧ радиотехники, в частности к проходным дискретным полупроводниковым фазовращателям. Дискретный СВЧ фазовращатель проходного типа, согласованный с волновым сопротивлением ρ0 основной линии передачи, выполнен на основе соединения отрезков линий передачи и управляющих элементов, преимущественно диодов.

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к технике СВЧ и антенной технике. Устройство возбуждения волны Ε01 в круглом волноводе содержит делитель мощности с N выходами, N элементов связи с круглым волноводом, равномерно расположенных в поперечном сечении на цилиндрической поверхности волновода, которые соединены с N выходами делителя мощности, вход которого является входом устройства возбуждения.

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в спутниковой связи с поляризационным уплотнением сигналов как на земных станциях спутниковой связи, так и на спутниках связи.

Изобретение относится к электронной технике СВЧ, в частности к фазовращателям. Секция дискретного фазовращателя с цифровым управлением содержит входной направленный ответвитель со слабой связью, вход которого является входом устройства, выходной направленный ответвитель со слабой связью, выход которого является выходом устройства, ослабитель с цифровым управлением, выход которого соединен со связанным входом вторичной линии выходного направленного ответвителя, первый и второй отрезки передающих линий, третью и четвертую замкнутые на конце четвертьволновые связанные передающие линии.

Изобретение относится к радиотехнике, к частотной селекции и фильтрации радиосигналов, может быть использовано в радиолокации и в системах связи. Устройство содержит параллельно включенные полосно-пропускающие фильтры, согласованные с длительностью этой последовательности, установочные фазовращатели и сумматор.

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ и может быть использовано в радиопередающих устройствах спутниковых систем связи и спутниковых радионавигационных систем, а также в других устройствах СВЧ для выделения сигналов в двух поддиапазонах преимущественно дециметрового и сантиметрового диапазонов длин волн.

Изобретение относится к технике СВЧ, в частности к переключателям СВЧ мощности, и может быть использовано для переключения СВЧ сигналов между каналами приема (передачи) в СВЧ приемниках (передатчиках).

Использование: для создания схем дифференциальных аттенюаторов для работы в СВЧ диапазоне. Сущность изобретения заключается в том, что интегральный аттенюатор содержит генератор дифференциального сигнала, звенья, состоящие из параллельно включенных управляемых МОП транзисторов n- и p-типа, блок управления и нагрузку, кроме того, неинвертирующая пара звеньев, состоящих из МОП транзисторов n- и p-типа, соединена с генератором дифференциального сигнала и нагрузкой напрямую, а инвертирующая пара звеньев, состоящих из МОП транзисторов n- и p-типа соединена с генератором дифференциального сигнала и нагрузкой перекрестно; где регулировка сопротивлений МОП транзисторов, входящих в звенья, осуществляется блоком управления, при этом сопротивление одной пары звеньев МОП транзисторов возрастает, а другой падает. Технический результат: обеспечение возможности расширения функциональных возможностей аттенюаторов, выполненных по КМОП технологии, снижения потерь при прямом прохождении сигнала, увеличения динамического диапазона, расширения полосы рабочих частот, уменьшения фазовых искажений при переключении уровня аттенюации. 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к интегральной оптике. Способ пространственного разделения оптических мод ортогональных поляризаций в планарной волноводной структуре, заключающийся в том, что излучение лазера вводят в четырехслойную планарную направляющую структуру, состоящую из подложки, покровной среды, волноводного высокопреломляющего магнитооптического слоя, намагниченного до насыщения в плоскости границы раздела, в направлении, поперечном распространению света, волноводного нанокомпозитного слоя с расположенным на его поверхности решеточным элементом связи для ввода излучения. Настройка на заданную длину волны, заданные углы ввода и разделение волноводных мод ортогональных поляризаций осуществляется путём подбора отношений толщин диэлектрических нанослоёв двух типов в нанокомпозитном слое. Технический результат заключается в повышении эффективности поляризационного разделения света в планарных направляющих структурах интегральной оптики. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к СВЧ-радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный фильтр содержит диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое основание, а на вторую - полосковые проводники, электромагнитно связанные между собой. Узкие и широкие прямоугольные полосковые проводники соединены друг с другом в форме нерегулярного меандра, его крайние узкие проводники со стороны свободных концов заземлены на основание, причем входной и выходной порты фильтра подключены кондуктивно к крайним широким проводникам меандра через отрезки микрополосковых линий со скачком волнового сопротивления. Технические результаты – расширение полосы заграждения, повышение крутизны низкочастотного склона частотной характеристики, расширение рабочей полосы пропускания. 2 ил.

Изобретение относится к радиотехнике. СВЧ-мультиплексор содержит устройство общего вывода СВЧ-сигнала, суммирующий резонатор, параллельно расположенные полосно-пропускающие фильтры. Суммирующий резонатор представляет собой закороченный на концах отрезок передающей линии, а каждый из полосно-пропускающих фильтров выполнен в виде цепочки связанных резонаторов. Резонаторы каждой цепочки полосно-пропускающего фильтра расположены с образованием двух ярусов. Устройства раздельного ввода СВЧ-сигналов и устройство вывода СВЧ-сигнала выполнены в виде волноводов, отделенных от соответствующих входных резонаторов цепочек полосно-пропускающих фильтров и суммирующего резонатора, поперечной диафрагмой с щелями связи. Волновод каждого из устройств раздельного ввода СВЧ-сигналов снабжен резонансным элементом в виде стержня из диэлектрического материала, размещенным на поперечной диафрагме волновода, и регулировочными элементами перестройки частоты и связи, размещенными в стенке волновода. Резонансный элемент ориентирован вдоль направления распространения СВЧ-сигнала и выполнен с возможностью настройки на граничные частоты полосы пропускания мультиплексора. Технические результаты - уменьшение массы и габаритов, повышение уровня мощности выходного СВЧ-сигнала. 13 з. п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области антенной техники, в частности к селекторам радиоволн. Частотно-поляризационный селектор содержит первый ортомодовый преобразователь, представляющий собой крестовой разветвитель, в плечах которого установлены емкостные фильтры нижних частот. На выходе первого ортомодового преобразователя установлен поляризатор Q-диапазона, реализованный на круглом волноводе с пазом с двумя ортогональными выходами. Фильтры соединяются со вторым ортомодовым преобразователем посредством четырех п-образных волноводных секций равной длины, один выход второго ортомодового преобразователя короткозамкнут, ко второму выходу через трансформатор с круглого на квадратное сечение присоединен септум-поляризатор с двумя ортогональными выходами. В первом ортомодовом преобразователе, в узле четырехкратного разветвления, внесены множественные изменения сечения круглого волновода, а также резонансная диафрагма, введенная в область перехода на волновод меньшего диаметра. В плечах ортомодового преобразователя устанавливаются широкополосные емкостные фильтры нижних частот с переменной толщиной диафрагм. В Q-диапазоне частот поляризатор реализован на круглом волноводе с регулируемым пазом. Технический результат - возможность реализации широкополосного частотно-поляризационного селектора в высоких диапазонах частот и разнесенных между собой Ka- и Q-диапазонов частот более чем на октаву. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в технике СВЧ, в частности, в технике спутникового телевидения для приема волн с круговой поляризацией поля. Поляризатор состоит из отрезка круглого волновода и расположенной в нем фазосдвигающей секции, выполненной в виде решетки из плоских прямоугольных проводников, расположенных на тонкой прямоугольной диэлектрической пластине. При этом один плоский прямоугольный проводник выполнен в виде широкого прямоугольного проводника, расположенного симметрично в центральной части диэлектрической пластины, а на краях диэлектрической пластины расположены симметрично по меньшей мере по одному узкому прямоугольному проводнику. Причем волноводный поляризатор выполнен с возможностью совмещения емкостной проводимости узких прямоугольных проводников с эквивалентной емкостной проводимостью краев диэлектрической пластины. Технический результат заключается в обеспечении высокого уровня развязки по поляризации в рабочем диапазоне частот, приемлемого продольного габарита, простоты конструкции и технологичности. 3 ил.

Изобретение относится к областям радиотехники и связи. Сущность заявленного устройства заключается в том, что высокочастотный векторный фазовращатель включает полифазный RC-фильтр, первый вход которого является входом фазовращателя, а второй вход заземлен, аналоговый квадратурный дифференциальный сумматор, состоящий из двух дифференциальных усилителей с переменным коэффициентом усиления в виде ячеек Гильберта и нагрузки, подключенной к шине питания, цифроаналоговый преобразователь, источник напряжений смещения, преобразователь дифференциального сигнала в небалансный, выход которого является выходом фазовращателя. Дополнительно фазовращатель содержит блок ослабления синфазной составляющей, включенный между аналоговым квадратурным дифференциальным сумматором и преобразователем дифференциального сигнала в небалансный и подключенный к источнику напряжений смещения. Технический результат от реализации заявленного изобретения направлен на разработку высокочастотного векторного фазовращателя с небалансным входом для уменьшения ошибки установки фазы и снижения массогабаритных характеристик устройства. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области радиотехники СВЧ и может быть использовано в фазированных антенных решетках для выравнивания фаз СВЧ трактов после их изготовления. Регулировочный фазовращатель СВЧ содержит одинаковые первый и второй отрезки линии передачи, одни концы которых соединены со входом и выходом, а другие соединены между собой третьим проводником. К середине третьего проводника подключен через перемычку разомкнутый шлейф. Между участками шлейфа включены дополнительные перемычки для ступенчатой регулировки фазы. При этом первый и второй отрезки расположены параллельно и соединены дополнительно через конденсатор, выводы которого подключены на одинаковых расстояниях от концов отрезков, с возможностью перемещения вдоль них при регулировке фазы. Емкость конденсатора постоянна и находится в пределах от 1/2ωZ0 до 1/ωZ0, где ω - круговая частота, Z0 - сопротивление входа и выхода, а также волновое сопротивление отрезков линий. Предлагаемый регулировочный фазовращатель при малых габаритах имеет малые погрешности перестройки фазы при широком диапазоне частот согласования. Изобретение обеспечивает уменьшение погрешности установки величины фазы и улучшение согласования в широком диапазоне частот при небольших габаритах. 2 ил.

Изобретение относится к радиоэлектронике и измерительной технике и может быть использовано для заданного ослабления СВЧ сигнала большой мощности в широкой полосе рабочих частот. СВЧ аттенюатор содержит N последовательно включенных друг за другом каскадов, выполненных на планарных пленочных резисторах, общая площадь которых обеспечивает рассеивание заданной мощности входного высокочастотного сигнала, а значения коэффициентов передачи каждого каскада обеспечивают равномерное распределение рассеиваемой мощности в них. Все каскады выполнены в виде Т-образной структуры и расположены на общей диэлектрической подложке, при этом во всех Т-образных структурах площадь каждого пленочного резистора пропорциональна рассеиваемой на нем мощности и ширина крайних пленочных резисторов больше ширины среднего пленочного резистора, а крайние пленочные резисторы смежных Т-образных структур объединены в один общий пленочный резистор, площадь и сопротивление которого равны сумме площадей и сумме сопротивлений соответственно объединенных пленочных резисторов. Технический результат в предлагаемом СВЧ аттенюаторе заключается в упрощении конструкции за счет того, что все пленочные резисторы расположены на одной диэлектрической подложке и не применяются согласующие элементы, а также сохранении высокого уровня мощности входного высокочастотного сигнала за счет выбора площади каждого пленочного резистора пропорционально рассеиваемой на нем мощности. 5 ил., 3 табл.

Наверх