Способ получения ферромагнитного композита alsb-mnsb

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к созданию новых композиционных материалов, состоящих из полупроводника антимонида алюминия и ферромагнетика антимонида марганца, которые могут найти применение для создания магниточувствительных диодных структур, магнитных переключателей и сенсоров магнитных полей на основе ферромагнитного композита. Предложен способ получения ферромагнитного композита AlSb-MnSb, заключающийся в том, что поочередно наносят тонкие пленки марганца, сурьмы и алюминия в их стехиометрических соотношениях на диэлектрическую подложку, при этом пленку сурьмы наносят между марганцем и алюминием, далее полученную гетероструктуру подвергают термической обработке в бескислородной среде при температуре от 400 до 450°С в течение 2-4 часов до образования пленки двухфазного композита MnSb-AlSb. Нанесение тонких пленок металлов на подложку осуществляют методом вакуумно-термического напыления. В качестве диэлектрической подложки используют кремний или сапфир. Термическую обработку полученной гетероструктуры осуществляют в вакууме или в инертной среде. Предлагаемый способ позволяет получать композит на основе антимонида алюминия с антимонидом марганца, пригодный для создания ферромагнитного материала с высокими значениями температуры Кюри и со свойствами широкозонного полупроводника. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

 

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к созданию новых композиционных материалов, состоящих из полупроводника антимонида алюминия и ферромагнетика антимонида марганца, которые могут найти применение для создания магниточувствительных диодных структур, магнитных переключателей и сенсоров магнитных полей на основе ферромагнитного композита.

Известны способы получения ферромагнитных композитов на основе полупроводника и ферромагнетика путем непосредственного сплавления указанных соединений в стехиометрическом составе с дальнейшим напылением на подложку или путем совместного напыления полупроводника и ферромагнетика и последующей термической обработки при температуре выше температуры плавления композита. Получают как объемные композиты [I.V. Fedorchenko, L. Kilanski, I. Zakharchuk, P. Geydt, E. Lahderanta, P.N. Vasiliev, N.P. Simonenko, A.N. Aronov, W. Dobrowolski, S.F. Marenkin, Composites based on self-assembled MnAs ferromagnet nanoclusters embedded in ZnSnAs2 semiconductor // Journal of Alloys and Compounds, V. 650, (2015), pp. 277-284], так и пленочные гетероструктуры [Making ferromagnetic heterostructures Si/Zn(1-X)MnXSiAs2 and Ge/Zn(1-X)MnXGeAs2 / I.V. Fedorchenko, A. Rumiantsev, T. Kuprijanova, L. Kilanski, R.A. Szymczak, W. Dobrowolski, L.I. Koroleva // Solid State Phenomena, 2011, Vols. 168-169, 2011, pp. 313-316. - ISSN: 1662-9779].

К недостаткам указанных методик относится то, что получение композита AlSb-MnSb указанными способами невозможно в принципе, поскольку температура термического разложения антимонида марганца значительно ниже, чем температура плавления получаемого композита, т.е. антимонид марганца перитектически разлагается раньше, чем плавится композит, а значит, способы, основанные на плавлении не пригодны.

Наиболее близкой по технической сущности являются известные тонкие пленки разбавленного магнитного полупроводника In1-XMnxSb, где х = 0,0025 и 0,0135 [Diluted magnetic semiconductor (In,Mn)Sb: Transport and Magnetic properties, V.M. Ivanov, O.N. Pashkova, V.P. Sanygin, P.M. Sheverdyaeva, V.N. Prudnikov, N.S. Perov, A.G. Padalko // Journal of Magnetism and Magnetic Materials 310 (2007) 2132-2134] (прототип), которые получают из раствора расплава исходного стехиометрического состава.

Недостатком прототипа является узкая ширина запрещенной зоны InSb 0,13эВ [Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties,Volume 41A1b of the series - Group III Condensed Matter pp 1-5], что приводит к вырождению полупроводниковой матрицы при добавлении антимонида марганца, что в принципе не позволяет получить туннельное магнитное сопротивление на таких магнитных структурах.

Технической задачей является создание ферромагнитного композита, состоящего из фаз AlSb и MnSb.

Предлагаемое изобретение направлено на изыскание способа получения композита на основе антимонида алюминия с антимонидом марганца, пригодного для создания ферромагнитного материала с высокими значениями температуры Кюри на основе широкозонного полупроводника.

Высокотемпературный ферромагнетизм определяется наличием в структуре антимонида марганца, известного ферромагнетика, с температурой Кюри 587К [Electronic and Magnetic Properties of MnSb Compounds, R. Masrour, E.K. Hlil, M. Hamedoun, A. Benyoussef, O. Mounkachi, H.El Moussaoui // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 2015, V. 28, Issue 6, pp 1815-1819], а большая ширина запрещенной зоны определяется матрицей антимонида алюминия, полупроводника с шириной запрещенной зоны 1.61эВ [The 6.1 family (InAs, GaSb, AlSb) and its heterostructures: a selective review, H. Kroemer // Physica E 20 (2004) 196-203].

Технический результат достигается тем, что предложен способ получения ферромагнитного композита AlSb-MnSb, заключающийся в том, что поочередно наносят тонкие пленки марганца, сурьмы и алюминия в их стехиометрических соотношениях на диэлектрическую подложку, при этом пленку сурьмы наносят между марганцем и алюминием, далее полученную гетероструктуру подвергают термической обработке в бескислородной среде при температуре от 400 до 450°С в течение 2-4 часов до образования пленки двухфазного композита MnSb-AlSb.

Целесообразно, что нанесение тонких пленок металлов на подложку осуществляют методом вакуумно-термического напыления.

Целесообразно также, что в качестве диэлектрической подложки используют кремний или сапфир.

Указанный результат достигается также тем, что термическую обработку полученной гетероструктуры осуществляют в вакууме или в инертной среде.

Температура термической обработки определяется тем, что при температуре ниже 400°С реакция идет очень медленно, а ввиду мелкодисперсности нанесенных слоев и, как следствие, большой реакционной способности компонентов нагрев выше 450°С может приводить к образованию дополнительных фаз.

Время термической обработки определяется тем, что при термической обработке менее двух часов при заданных температурах реакция не успевает пройти до конца из-за медленной скорости диффузии, а при отжиге более четырех часов существенных изменений в композите не наблюдается.

Сущность изобретения состоит в том, что предложен уникальный способ получения композита из тонких пленок марганца, сурьмы и алюминия без достижения температуры плавления собственно композита, что позволяет избежать перитектического разложения антимонида марганца.

Сущность заявляемого изобретения поясняется следующими прилагаемыми иллюстрациями:

Фиг. 1. Микрофотография поверхности гетероструктуры из тонких пленок марганца, сурьмы и алюминия (по данным атомно-силовой микроскопии).

Фиг. 2. Микрофотография композита AlSb-MnSb после термической обработки гетероструктуры (по данным атомно-силовой микроскопии).

Заявляемый композит получали следующим образом:

С помощью метода вакуумно-термического напыления на подложку из кремния и сапфира последовательно наносили тонкие пленки сначала марганца, затем сурьмы и алюминия, соответствующие стехиометрическому составу композита. При этом порядок нанесения пленок является существенным условием, т.к. адгезия между пленками алюминия и марганца отсутствует (материал шелушится и отслаивается). Подложки с нанесенными пленками помещали в кварцевые ампулы, которые затем вакуумировали и подвергали термической обработке при температуре от 400 до 450°С от 2 до 4 часов.

По данным атомно-силовой микроскопии до термической обработки поверхность гетероструктуры из тонких пленок марганца, сурьмы и алюминия является гладкой, Фиг. 1, а после термообработки наблюдается образование субмикронных, 400-900 нм, кластеров композита MnSb-AlSb Фиг. 2.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет получать композит на основе антимонида алюминия с антимонидом марганца, пригодного для создания ферромагнитного материала с высокими значениями температуры Кюри и со свойствами широкозонного полупроводника.

1. Способ получения ферромагнитного композита AlSb-MnSb, заключающийся в том, что поочередно наносят тонкие пленки марганца, сурьмы и алюминия в их стехиометрических соотношениях на диэлектрическую подложку, при этом пленку сурьмы наносят между марганцем и алюминием, далее полученную гетероструктуру подвергают термической обработке в бескислородной среде при температуре от 400 до 450°С в течение 2-4 часов до образования пленки двухфазного композита MnSb-AlSb.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что нанесение тонких пленок металлов на подложку осуществляют методом вакуумно-термического напыления.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве диэлектрической подложки используют кремний или сапфир.

4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что термическую обработку полученной гетероструктуры осуществляют в вакууме или в инертной среде.



 

Похожие патенты:

Способ относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава остаточного оксидного слоя.
Изобретение относится к способу получения тонких пленок, в частности к получению аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти, и может быть использовано в качестве рабочего слоя в приборах записи информации.

Изобретение относится к способу получения эпитаксиальной пленки дисилицида европия на кремниевой подложке и может быть использовано для создания контактов истока/стока в технологии производства полевых МОП транзисторов с барьером Шоттки (SB-MOSFET), а также для создания устройств спинтроники в качестве контакта-инжектора/детектора спин-поляризованных носителей.
Изобретение относится к способу получения тонких аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти и может быть использовано в качестве рабочего слоя в устройстве энергонезависимой фазовой памяти для электронной техники.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC - широкозонного полупроводникового материала, используемого для создания на его основе интегральных микросхем.

Изобретение относится к сублимационному выращиванию эпитаксиальных массивов самоорганизованных монокристаллических наноостровков кремния на сапфировых подложках и может быть использовано в качестве нанотехнологического процесса, характеризующегося повышенной стабильностью формирования однородных по размерам наноостровков кремния с пониженной степью дефектности их структуры.

Изобретение относится к области технологий осаждения полупроводниковых наночастиц халькогенидов свинца на прозрачные диэлектрические поверхности и может быть использовано при получении новых устройств на основе наносистем для микро- и оптоэлектроники, солнечных батарей, светодиодных ламп и других областей полупроводниковой техники.

Изобретение относится к технологии эпитаксии кремний-германиевой гетероструктуры, основанной на сочетании сублимации кремния с поверхности источника кремния, разогретого электрическим током, и осаждения германия из германа в одной вакуумной камере, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов. Способ изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой карбида кремния на ее поверхности, осуществляется в газопроницаемой камере, размещенной в реакторе, в который подают смесь газов, включающую оксид углерода и кремнийсодержащий газ, при этом давление в реакторе 20-600 Па, температура 950-1400°C.

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к созданию новых композиционных материалов, состоящих из полупроводника антимонида алюминия и ферромагнетика антимонида марганца, которые могут найти применение для создания магниточувствительных диодных структур, магнитных переключателей и сенсоров магнитных полей на основе ферромагнитного композита. Предложен способ получения ферромагнитного композита AlSb-MnSb, заключающийся в том, что поочередно наносят тонкие пленки марганца, сурьмы и алюминия в их стехиометрических соотношениях на диэлектрическую подложку, при этом пленку сурьмы наносят между марганцем и алюминием, далее полученную гетероструктуру подвергают термической обработке в бескислородной среде при температуре от 400 до 450°С в течение 2-4 часов до образования пленки двухфазного композита MnSb-AlSb. Нанесение тонких пленок металлов на подложку осуществляют методом вакуумно-термического напыления. В качестве диэлектрической подложки используют кремний или сапфир. Термическую обработку полученной гетероструктуры осуществляют в вакууме или в инертной среде. Предлагаемый способ позволяет получать композит на основе антимонида алюминия с антимонидом марганца, пригодный для создания ферромагнитного материала с высокими значениями температуры Кюри и со свойствами широкозонного полупроводника. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Наверх