Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением. Технология способа изготовления полупроводникового прибора состоит в следующем: для формирования контакта в исходную подложку арсенида галлия n-типа проводимости с ориентацией (100) проводят ионное внедрение теллура с энергией 50 кэВ, дозой 1*1016 см-2, с последующим лазерным отжигом при длительности импульса 125 нс с плотностью мощности лазерного излучения 200 мВт/см2. Затем напыляют пленку титана магнетронным напылением толщиной 100 нм, со скоростью нанесения 5 нм/с и пленку платины толщиной 150 нм, со скоростью нанесения 10 нм/с, при давлении 9*10-5 Па, температуре подложки 60°C, в атмосфере аргона, с последующим отжигом при температуре 800°C в атмосфере водорода, в течение 5 мин. Затем формируют электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает снижение значения контактного сопротивления, улучшение технологичности и параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.

 

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением.

Известен способ изготовления контакта полупроводникового прибора [Пат. 5309025 США, МКИ HO1L 23/29] на полупроводниковых кристаллах, путем создания на площадке матрицы из островков металлизации, например в виде прямоугольных площадок, в которых нижний барьерный слой образован из нитрида титана, а верхним проводящим слоем служит алюминий или вольфрам. Затем на всю площадь контакта напыляют 2-й проводящий слой алюминия. В таких полупроводниковых приборах из-за низкой технологичности процессов формирования барьерных слоев образуется большое количество дефектов, которые ухудшают параметры приборов.

Известен способ изготовления контактов полупроводникового прибора [Пат. 5285090 США, МКИ HO1L 29/812] формированием в кремниевой подложке системы глубоких узких регулярно расположенных канавок, заполняемых силицидом тантала, подложка покрывается слоями оксида/нитрида, в этих слоях вскрываются окна к двум разнесенным парам канавок, заполняются силицидом тантала, затем частично удаляется и канавки заполняются поликремнием. Слои оксида/нитрида удаляются, наносится слой оксида, вскрывается затворное окно, наносится слой кобальта, и быстрым термическим отжигом формируется приповерхностный слой силицида кобальта. В области стока/истока через окно в оксиде кремния проводиться имплантация фосфора, формируются контакты к областям стока/истока полевого транзистора.

Недостатками способа являются:

- повышенные значения контактного сопротивления;

- высокая дефектность;

- низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: снижение значения контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается созданием контакта путем легирования подложки теллуром с энергией 50 кэВ, дозой 1*1016 см-2 и лазерным отжигом при длительности импульса 125 нс, с плотностью мощности лазерного излучения 200 мВт/см2, с последующим формированием пленки титана магнетронным напылением толщиной 100 нм со скоростью нанесения 5 нм/с и пленки платины толщиной 150 нм, со скоростью нанесения 10 нм/с, при давлении 9*10-5 Па, температуре подложки 60°C, в атмосфере аргона и последующим отжигом при температуре 800°C в атмосфере водорода, в течение 5 мин.

Технология способа состоит в следующем: в исходную подложку арсенида галлия n-типа проводимости, с ориентацией (100) проводят ионное внедрение теллура с энергией 50 кэВ, дозой 1*1016 см-2, с последующим лазерным отжигом при длительности импульса 125 нс с плотностью мощности лазерного излучения 200 мВт/см2. Затем напыляли пленки титана магнетронным напылением толщиной 100 нм, со скоростью нанесения 5 нм/с и пленки платины толщиной 150 нм, со скоростью нанесения 10 нм/с, при давлении 9*10-5 Па, температуре подложки 60°C, в атмосфере аргона и последующим отжигом при температуре 800°C в атмосфере водорода, в течение 5 мин. Затем формировали электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов, на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 16,3%.

Технический результат: снижение значения контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем создания контактов легированием подложки теллуром с энергией 50 кэВ, дозой 1*1016 см-2 и лазерным отжигом при длительности импульса 125 нс, с плотностью мощности лазерного излучения 200 мВт/см2 и формированием пленки титана магнетронным напылением толщиной 100 нм со скоростью нанесения 5 нм/с и пленки платины 150 нм, со скоростью нанесения 10 нм/с, при давлении 9*10-5 Па и температуре подложки 60°C, в атмосфере аргона, с последующим отжигом при температуре 800°C в атмосфере водорода, в течение 5 мин, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей стока, истока, канала, подзатворного диэлектрика, имплантации и отжига, отличающийся тем, что контакт создают легированием подложки теллуром с энергией 50 кэВ, дозой 1*1016 см-2, лазерным отжигом при длительности импульса 125 нс с плотностью мощности лазерного излучения 200 мВт/см2 и последующим формированием пленки титана магнетронным напылением толщиной 100 нм, со скоростью нанесения 5 нм/с и пленки платины 150 нм, со скоростью нанесения 10 нм/с, при давлении 9*10-5 Па, температуре подложки 60°C, в атмосфере аргона и последующим отжигом при температуре 800°C в атмосфере водорода, в течение 5 мин.



 

Похожие патенты:

Изобретение предлагает способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния, включающий этап выращивания слоя аморфного кремния, этап первоначального выращивания слоя оксида кремния на слое аморфного кремния, затем формирование некоторого множества вогнутых поверхностей на слое оксида кремния, которые будут отражать лучи света, вертикально проецируемые на оксид кремния, и, последним, этап проецирования луча эксимерного лазера на слой аморфного кремния через слой оксида кремния, чтобы преобразовать слой аморфного кремния в тонкую пленку низкотемпературного поликристаллического кремния.

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание рентабельного базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0…3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании.

Настоящее изобретение предлагает переключающий тонкопленочный транзистор (ТПТ), который включает затвор, сток, исток, полупроводниковый слой и четвертый электрод, причем сток соединяется с первым сигналом, затвор соединяется с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, исток выводит первый сигнал, когда ТПТ включается, четвертый электрод и затвор соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя, и четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с напряжениями разного уровня, причем первый сигнал является контрольным сигналом, и исток соединен с проверяемой линией сканирования или линией данных.

Настоящее изобретение относится к тонкопленочному транзистору из низкотемпературного поликристаллического кремния, который обладает определенными электрическими характеристиками и надежностью, и к способу изготовления такого тонкопленочного транзистора.

Предоставлен полевой транзистор, содержащий электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора, электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока, активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом затвора и активным слоем, при этом работа выхода электрода истока и электрода стока составляет 4,90 эВ или более, а концентрация электронов - носителей заряда оксидного полупроводника n-типа составляет 4,0×1017 см-3 или более.

Изобретение относится к структурам электронных схем. Ребра электронного устройства сформированы путем эпитаксиального выращивания первого слоя материала поверх поверхности подложки на дне щели, сформированной между боковыми стенками областей узкощелевой изоляции (STI).

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности к технологии изготовления силовых полевых транзисторов с вертикально расположенным затвором.

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов, с пониженными токами утечки.

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение токов утечек, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.

Изобретение относится к металлооксидным тонким пленкам, используемым при изготовлении полевого транзистора. Жидкость для нанесения покрытия с образованием металлооксидной тонкой пленки включает неорганическое соединение индия, по меньшей мере одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка, простой гликолевый эфир и диол, причем диол выбран из по меньшей мере одного из диэтиленгликоля, 1,2-пропандиола и 1,3-бутандиола.

Изобретение относится к технологии силовой электроники, а именно к технологии получения дискретных силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), работающих в режиме обогащения.

Изобретение относится к технологии силовой электроники, а именно к технологии получения дискретных силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), работающих в режиме обогащения.

Изобретение относится к технологии силовой электроники, а именно к технологии получения дискретных силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN), работающих в режиме обогащения.

Предоставлен полевой транзистор, содержащий электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора, электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока, активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом затвора и активным слоем, при этом работа выхода электрода истока и электрода стока составляет 4,90 эВ или более, а концентрация электронов - носителей заряда оксидного полупроводника n-типа составляет 4,0×1017 см-3 или более.

Изобретение относится к технологии формирования Т-образных металлических затворов транзисторов различного типа, предназначенных для работы в диапазонах СВЧ и выше, а также при создании монолитных интегральных схем.

Изобретение относится к способу формирования омических контактов к нитридным гетероструктурам по технологии вжигаемых омических контактов и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции.

Использование: для изготовления тонкопленочных СВЧ-резонаторов с Брэгговским отражателем. Сущность изобретения заключается в том, что способ сглаживания поверхности пленки алюминия на диэлектрической подложке включает напыление пленки на подложку методом магнетронного распыления алюминиевой мишени в вакууме и с использованием металла иттрия, совместно распыляют алюминий и иттрий, причем иттрий равномерно распределен по поверхности в области эрозии алюминиевой мишени при отношении суммарной площади пластинок иттрия (SY) к суммарной площади области эрозии алюминиевой мишени (SAl) равном 2,0-6,0%, т.е.

Изобретение относится к области технологии изготовления многоуровневой металлизации сверхбольших интегральных микросхем. В способе формирования системы многоуровневой металлизации для высокотемпературных интегральных микросхем, включающем операции нанесения диэлектрических и металлических слоев, фотолитографию и травление канавок в этих слоях, нанесение барьерного и зародышевого слоев, нанесение слоя металла и его ХМП, процесс формирования одного уровня металлической разводки включает следующую последовательность основных операций: на пластину кремния со сформированным транзисторным циклом наносится слой вольфрама для формирования горизонтальных проводников, проводится его ХМП и сквозное травления областей под заполнение проводящим барьерным слоем нитрида титана и диэлектриком, ХМП диэлектрика, нанесение барьерного слоя нитрида титана и слоя вольфрама для формирования вертикальных проводников, ХМП слоя вольфрама, сквозное травление областей под заполнение диэлектрическим барьерным слоем нитрида кремния и диэлектриком, ХМП диэлектрика с последующим покрытием полученной структуры проводящим барьерным слоем нитрида титана.

Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности полевых транзисторов СВЧ диапазона.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования силицидных слоев с низким сопротивлением.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в том числе солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ). Сущность способа состоит в следующем.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением. Технология способа изготовления полупроводникового прибора состоит в следующем: для формирования контакта в исходную подложку арсенида галлия n-типа проводимости с ориентацией проводят ионное внедрение теллура с энергией 50 кэВ, дозой 1*1016 см-2, с последующим лазерным отжигом при длительности импульса 125 нс с плотностью мощности лазерного излучения 200 мВтсм2. Затем напыляют пленку титана магнетронным напылением толщиной 100 нм, со скоростью нанесения 5 нмс и пленку платины толщиной 150 нм, со скоростью нанесения 10 нмс, при давлении 9*10-5 Па, температуре подложки 60°C, в атмосфере аргона, с последующим отжигом при температуре 800°C в атмосфере водорода, в течение 5 мин. Затем формируют электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает снижение значения контактного сопротивления, улучшение технологичности и параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.

Наверх