Способ изготовления ограничителей напряжения

Изобретение относится к области конструирования и производства мощных кремниевых ограничителей напряжения (защитных диодов), преимущественно с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В, предназначенных для защиты электронных компонентов - интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА) от воздействия мощных импульсных электрических перенапряжений различного рода. Изобретение обеспечивает создание способа изготовления низковольтных ограничителей напряжения на основе одиночных кремниевых p-n-структур с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В с p-n-переходами, залегающими на достаточной для силовых приборов глубине - более 10 мкм. Способ изготовления ограничителей напряжения с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В, содержащих базовые кристаллы кремния с созданными в них p-n-переходами, состоящими из p-слоев, легированных примесью p-типа проводимости, и n-слоев, легированных примесью n-типа проводимости, диэлектрической защиты p-n-переходов и металлических омических контактов, металлических теплоотводов, металлических выводов и герметичных корпусов, по которому согласно изобретению базовые кристаллы выполнены из кремния, легированного примесью p-типа проводимости - бором с концентрацией от 2⋅1020 см-3 до 4⋅1017 см-3, соответствующей удельному сопротивлению кремния от 0.001 Ом⋅см до 0.1 Ом⋅см, а p-n-переходы в базовых кремниевых кристаллах формируют длительной высококонцентрационной диффузией примеси n-типа проводимости - мышьяком из бесконечного источника в эвакуированной кварцевой ампуле при температуре ~1150°С в течение времени от 8 до 48 часов. 1 ил., 2 табл.

 

Область техники, к которой относится изобретение

Изобретение относится к области конструирования и производства мощных кремниевых ограничителей напряжения (защитных диодов), преимущественно с напряжениями пробоя от 3 до 15 В, предназначенных для защиты электронных компонентов - интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА) от воздействия мощных импульсных электрических перенапряжений различного рода, - коммутационного характера, действия электростатического разряда или наведенных в электрических сетях вследствие грозовых разрядов, или, например, электромагнитных воздействий ядерного взрыва.

Уровень техники

Кремниевые ограничители напряжения - силовые защитные полупроводниковые приборы (ППП), способные выдерживать неоднократное воздействие мощных импульсов тока (напряжения) без деградации собственных электрических характеристик, что характеризуется, в первую очередь, возрастанием обратного тока (ток утечки) p-n-перехода, лежащего в основе таких приборов. Устойчивость ППП к воздействию таких импульсов тем больше, чем глубже залегание p-n-перехода в кремниевом кристалле. Для силовых приборов достаточной глубиной залегания p-n-переходов следует считать глубину не менее 10 мкм [1]. Относительно высоковольтные p-n-переходы силовых ППП с напряжением пробоя свыше 10…15 Вольт изготавливаются либо длительной высокотемпературной диффузией фосфора или бора в кремний, соответственно n- или p-типа проводимости, или способом толстослойной эпитаксии, что позволяет получать p-n-структуры с практически любой требуемой глубиной залегания p-n-перехода. Для низковольтных p-n-переходов с напряжением пробоя менее 10 В получение таких p-n-структур в кремнии - достаточно серьезная технологическая проблема в связи с тем, что низковольтные p-n-переходы необходимо формировать в сильно легированном кремнии с концентрацией базовой примеси на уровне 1018…1020 см-3. Причем необходимо использовать легирующую (компенсирующую) примесь с соответствующей высокой предельной растворимостью и, в соответствии с присущим ей коэффициентом диффузии, выбирать специальные режимы (температура, время) диффузии, обеспечивающие требуемые характеристики силового p-n-перехода, в частности глубину его залегания. Фосфор и бор отличаются недостаточной для требуемого уровня предельной растворимостью в кремнии. Техника толстослойной эпитаксии в России также не обеспечивает получение качественных p-n-структур с напряжением пробоя ниже ~15 Вольт.

Задача настоящего изобретения - создание способа изготовления низковольтных ограничителей напряжения на основе кремниевых p-n-структур (кристаллов) с напряжениями пробоя от 3 до 15 В с p-n-переходами, залегающими на достаточной для силовых ППП глубине, т.е. на глубине не менее 10 мкм.

Раскрытие сущности изобретения

Имеются значительные технологические проблемы получения мощных низковольтных ограничителей напряжения - защитных диодов. В основном это касается ограничителей напряжения с напряжением пробоя ниже ~15 В и особенно - ниже ~6 В. Достаточно привести пример значений основных электрических параметров серий выпускаемых в мире ограничителей напряжения, представленных в Data Sheets практически всех зарубежных фирм - производителей мощных (более 0,5 кВт) ограничителей напряжения (transient voltage suppressors) [2, 3]. Все эти серии начинаются с номинала с напряжением пробоя 6.8 В и в основе конструкции таких ограничителей напряжения лежит один кремниевый кристалл (кремниевая p-n-структура). Работа таких однокристальных ограничителей напряжения основана на эффекте обратимого электрического пробоя обратно смещенных p-n-переходов. Соответственно, p-n-структуры в конструкциях таких ограничителей напряжения в рабочем положении ориентированы в обратном направлении вольт-амперной характеристики (ВАХ) относительно импульса электрической перегрузки, защитой от которого они служат.

Проблемы получения низковольтных, с напряжением пробоя от 3 до 15 В, однокристальных ограничителей напряжения обусловлены в основном тем, что p-n-переход в кристалле силовых полупроводниковых приборов, каковыми являются ограничители напряжения и которые по своему предназначению должны многократно ограничивать напряжение перегрузки и рассеивать (отводить) мощности импульсных воздействий значительной величины, в частности, порядка от 0,5 до 5,0 кВт, что характерно для наиболее распространенных типов ограничителей напряжения, должен быть расположен на как можно большей глубине, минимум - на глубине (Xj) порядка 10 мкм [1]. В случае низковольтных ограничителей - в сильно легированном кремнии, т.е. с концентрацией базовой примеси (Nx) на уровне и выше 1⋅1018 см-3. Создать p-n-переход, т.е. перекомпенсировать базовую легирующую примесь такой величины и до такой глубины общепринятыми способами и с применением типичных легирующих примесей - фосфора или бора практически невозможно.

Известна фирма, презентующая производство 1,5 кВт-ных ограничителей напряжения с Unpo6 ниже 6,8 В, а именно ограничителей напряжения с Uпроб 6,2 В, предназначенных для защиты РЭА с напряжением питания 5 В [4]. Примечательно, что эти ограничители представлены вне типового ряда серий ограничителей, начинающихся с номинала 6,8 В, что, очевидно, свидетельствует о неких особенностях технологии их производства. Информация об этих технологиях в свободном доступе отсутствует. Известно только, что это - также однокристальные приборы, в основе конструкции которых - кремниевые p-n-структуры, работающие на эффекте обратимого электрического пробоя при воздействии импульсного перенапряжения на обратно смещенный p-n-переход.

Для формирования сверхнизковольтных p-n-структур, т.е. с напряжением пробоя менее 6 В, предназначенных для защиты РЭА с напряжениями питания менее 5 В, например, 3 В, необходим кремний с концентрацией базовой примеси более 1019 см-3, что находится практически на пределе уровня легирования кремния. Для перекомпенсации базовой примеси такого уровня, т.е. для создания сверхнизковольтных p-n-переходов, требуется легирующая примесь противоположного типа проводимости, предельная растворимость которой в кремнии на один-два порядка выше концентрации базовой легирующей примеси, а условия формирования низковольтного p-n-перехода ограничителя напряжения диффузией должны обеспечивать предельно высокие концентрации компенсирующей примеси на глубине до и более 10 мкм. Анализ известных методов формирования p-n-структур: диффузия в газовой фазе, диффузия из стеклообразующих пленок, из твердых источников, выявляет определенные ограничения по удовлетворению требований к технологии получения низковольтных силовых p-n-структур по обеспечению предельно высокой поверхностной концентрации легирующей примеси и значительной глубины залегания p-n-переходов. Получение силовых p-n-структур с напряжением пробоя от 6 В и более и ограничителей напряжения на их основе является практически пределом возможностей этих технологий.

Отечественное производство эпитаксиальных p-n-структур обеспечивает получение силовых р-n-структур с воспроизводимым минимальным напряжением пробоя лишь порядка 15 В.

Прогрессивный метод ионного легирования также не обеспечивает требования к низковольтным p-n-структурам силовых полупроводниковых приборов: получение достаточно высоких уровней легирования и достаточных глубин залегания p-n-переходов, - даже при предельно достижимых в настоящее время энергиях и дозах легирования

Наиболее близким по достигаемой цели, т.е. получения низковольтных, в том числе с напряжениями пробоя ниже 6,0 В, кремниевых ограничителей напряжения, который можно считать прототипом, является способ изготовления низковольтных ограничителей на основе принципа последовательного соединения определенного количества кремниевых p-n-структур, ориентированных, в рабочем положении, в прямом направлении вольт-амперной характеристики (ВАХ).

Производитель низковольтных ограничителей, использующий этот принцип, - фирма General Semiconductor Industries, Inc. [5]: серия 1,5 кВт-ных ограничителей напряжения типов от GHV-2 до GHV-16 (напряжения пробоя от 1.33 В до 10.7 В) с симметричной ВАХ. Многокристальная конструкция ограничителей этого рода представляет собой два, включенных навстречу друг другу "столба" из ряда соединенных последовательно кремниевых p-n-структур, ориентированных в прямом направлении ВАХ. Результирующее напряжение пробоя таких низковольтных ограничителей есть, таким образом, сумма падений прямых напряжений ряда p-n-переходов, смещенных в прямом направлении. Значение величины падения прямого напряжения каждого из таких p-n-переходов находится на уровне от 0,6 В до 0,7 В. Т.е., например, конструкция каждого из "столбов" ограничителя напряжения на основе прямосмещенных кремниевых p-n-структур с напряжением пробоя 3,3 В включает пять диодных кристаллов, конструкция с напряжением пробоя 6,7 В - десять кристаллов. Два встречно включенных "столба" - вдвое большее количество кристаллов.

Идентичный принцип используется отечественными производителями при конструировании сверхнизковольтных стабилитронов (стабисторов) с напряжениями стабилизации 0.7 В, 1.3 В, 1.9 В - стабисторы 2С107А, 2С113А, 2С119А [6].

Недостатки конструкции и технологии изготовления мощных низковольтных ограничителей напряжения на основе способа последовательной сборки кристаллов с прямосмещенными p-n-переходами (GHV-2÷GHV-16 Series [5]) - многокристальность конструкции, т.е. высокая себестоимость прибора и низкая его эксплуатационная надежность. Быстродействие таких ограничителей напряжения, характеризуемое временем включения 1⋅10-8 с, также значительно уступает быстродействию однокристальных ограничителей, время включения которых ~1⋅10-12 с, работающих на эффекте физического обратимого пробоя p-n-перехода, что, с точки зрения эффективности защиты электронного оборудования от импульсных электрических перегрузок, имеет весьма существенное значение.

Задача настоящего изобретения - создание способа изготовления низковольтных ограничителей напряжения на основе кремниевых p-n-структур (кристаллов) с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В с p-n-переходами, залегающими на достаточной для силовых приборов глубине - более 10 мкм.

Указанная задача решается тем, что предложен способ изготовления ограничителей напряжения с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В (фиг.), содержащих базовые кристаллы 1 легированного кремния с созданными в них p-n-переходами 2, состоящими из p-слоев 3, легированных примесью p-типа проводимости, и n - слоев 4, легированных примесью n-типа проводимости, диэлектрической защиты p-n-переходов 5 и металлических омических контактов 6, металлических теплоотводов 7, металлических выводов 8 и герметичных корпусов 9, по которому, базовые кристаллы 1 выполнены из кремния, легированного примесью p-типа проводимости - бором с концентрацией от 2⋅1020 см-3 до 4⋅1017 см-3, соответствующей удельному сопротивлению кремния от 0.001 Ом⋅см до 0.1 Ом⋅см, а р-n-переходы 2 в базовых кремниевых кристаллах 1 формируют длительной высококонцентрационной диффузией мышьяка из бесконечного источника в эвакуированной кварцевой ампуле при температуре ~1150°С в течение времени от 8 до 48 часов.

Краткое описание чертежей

На чертеже изображена схема конструкции однокристального ограничителя напряжения:

1 - базовый кристалл; 2 - p-n-переход; 3 - p-слой; 4 - n-слой; 5 диэлектрическая защита; 6 - металлический омический контакт; 7 - металлический теплоотвод; 8 - металлический вывод; 9 - герметичный корпус.

Осуществление изобретения

Пример.

На основе кремниевых пластин p-типа проводимости с удельными сопротивлениями (Rv) в диапазоне от 0.001 Ом⋅см до 0.07 Ом⋅см (концентрации базовой примеси (Nx) - бора соответственно в диапазоне от 1⋅1020 см-3 до 2⋅1016 см-3 в режимах диффузии при температуре 1150°С в течение времени 8, 24, 48 ч изготовлены образцы ограничителей напряжения с напряжениями пробоя от 3.3 В до 15 В и глубинами залегания (Xj) от 9 до 16 мкм (таблица 1).

Проведены сравнительные исследования образцов ограничителей напряжения с напряжением пробоя 5.4 В, изготовленных по предлагаемому способу, и образцов ограничителей напряжения GHV-6 фирмы General Semiconductor Industries, Inc. [5] с аналогичным напряжением пробоя (5.4 В).

В таблице 2 приведены экспериментальные значения основных функциональных параметров исследованных ограничителей напряжения - напряжения пробоя (Uпроб), напряжения ограничения (Uогр.и), коэффициента ограничения (Когр.и=Uогр.и/Uпроб), предельно допустимого импульсного тока (Iогр.и.max), свидетельствующие превосходство низковольтных ограничителей напряжения, изготовленных по предлагаемому способу по сравнению с зарубежными аналогами. Параметры Uогр.и, Когр.и характеризуют величину остаточного перенапряжения, т.е. эффективность защиты электронных компонентов от импульсных электрических перегрузок [7].

Литература

1. Лаев С.А. Исследование лавинного пробоя кремниевых p-n- и p-n-p-структур в широком диапазоне напряжений и токов и разработка мощных ограничителей напряжения и стабилитронов. - Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Всесоюзный электротехнический институт им. В.И. Ленина. - Москва 1973, 148 с.

2. Data Sheet. 1500 Watt Unidirectional and Bidirectional Transient Voltage Suppressors. M1.5KE6.8A ÷ M1.5KE400CA Series, Microsemi Corporation, - Rev. E 11/15/2013, p. 1-7.

3. Data Sheet. 1500 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors 1.5SMC6.8AT3 ÷ 1.5SMC91AT3 Series, ON Semiconductor, Rev.7, 2007, p. 1-8.

4. Data Sheet. 1500 Watt Low Voltage Transient Voltage Suppressors 1N5907, 1N5908, Microsemi Corporation, Rev. A, 2003, p. 1-3.

5. Data Sheet. Biderectional Surge Suppressors GHV-2 ÷ GHV-16 Series, General Semiconductor Industries, Inc. 2003, p. 1-3.

6. Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник. - М.: Энергоиздат, 1982. - 744 с.

7. Кадуков Андрей "TVS-диоды - полупроводниковые приборы для ограничения опасных перенапряжений в электронных цепяхʺ//Компоненты и Технологии, №10, 2001, с. 32-36.

Способ изготовления ограничителей напряжения, содержащих кристаллы кремния с созданными в них p-n-переходами, состоящими из p-слоев, легированных примесью p-типа проводимости, и n-слоев, легированных примесью n-типа проводимости, диэлектрической защиты p-n-переходов и металлических омических контактов, металлических теплоотводов, металлических выводов и герметичных корпусов, отличающийся тем, что согласно изобретению с целью изготовления ограничителей напряжения с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В с p-n-переходами, залегающими на достаточной для силовых приборов глубине - более 10 мкм, базовые кристаллы выполнены из кремния, легированного примесью p-типа проводимости - бором с концентрацией от 2⋅1020 см-3 до 4⋅1017 см-3, соответствующей удельному сопротивлению кремния от 0.001 Ом⋅см до 0.1 Ом⋅см, а p-n-переходы в базовых кремниевых кристаллах формируют длительной высококонцентрационной диффузией примеси n-типа проводимости - мышьяком из бесконечного источника в эвакуированной кварцевой ампуле при температуре ~1150°C в течение времени от 8 до 48 часов.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к быстродействующим диодам. Диод содержит полупроводниковый слой, имеющий первую сторону и противоположную первой стороне вторую сторону, полупроводниковый слой имеет толщину между первой стороной и второй стороной, при этом толщина полупроводникового слоя сравнима со средней длиной свободного пробега носителей заряда, эмитированного в полупроводниковый слой.

Изобретение относится к импульсной технике, в частности к импульсным лавинным полупроводниковым диодам, полученным легированием GaAs хромом или железом, и предназначено для использования в системах силовой импульсной электроники.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам. В полупроводниковом конструктивном элементе, имеющем полупроводниковое тело (21) с первой стороной (22), второй стороной (23) и краем (24), внутреннюю зону (27) с основным легированием первого типа проводимости, расположенную между первой стороной (22) и внутренней зоной (27) первую полупроводниковую зону (61) первого типа проводимости с концентрацией легирования, которая выше концентрации легирования внутренней зоны (27), расположенную между второй стороной (23) и внутренней зоной (27) вторую полупроводниковую зону (29) второго типа проводимости, с концентрацией легирования выше концентрации легирования внутренней зоны (27), по меньшей мере один первый краевой скос, который проходит под первым углом (30) к плоскости прохождения перехода от второй полупроводниковой зоны (29) к внутренней зоне (27) по меньшей мере вдоль края (24) второй полупроводниковой зоны (29) и внутренней зоны (27), второй краевой скос со вторым углом (71), величина которого меньше величины первого угла, который проходит вдоль края (24) первой полупроводниковой зоны (61) или скрытой полупроводниковой зоны (41), при этом по меньшей мере одна скрытая полупроводниковая зона (41) второго типа проводимости с концентрацией легирования, которая выше, чем во внутренней зоне (27), предусмотрена между первой полупроводниковой зоной (61) и внутренней зоной (27) и проходит по существу параллельно первой полупроводниковой зоне (61).

Изобретение относится к полупроводниковым электронным приборам. В полупроводниковом диоде на полупроводниковой GaAs подложке расположены катодный слой, обедненный слой, барьерный слой, обедненный узкозонный слой, анодный узкозоный слой, анодный слой.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В диоде с отрицательным дифференциальным сопротивлением согласно изобретению объединены два комплементарных полевых транзистора в единую вертикальную структуру с параллельно расположенными каналами, между которыми образуется электрический переход, при этом исток р-канала расположен напротив стока n-канала, а сток р-канала - напротив истока n-канала.

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов. Мультиэпитаксиальная структура кристалла двухинжекционного высоковольтного гипербыстровосстанавливающегося диода на основе соединений галлия и мышьяка содержит высоколегированную монокристаллическую подложку p+-типа проводимости, с разностной концентрацией акцепторной и донорной легирующих примесей не менее чем 3·1018 см-3 и толщиной не менее 200 мкм, выполненный на ней эпитаксиальный GaAs слой p-типа проводимости толщиной не менее 5,0 мкм и изменяющейся разностной концентрацией донорной и акцепторной легирующих примесей от концентрации в подложке до значений не более чем , p-n-переходный по типу проводимости эпитаксиальный GaAs i-слой толщиной 5÷100 мкм, содержащий область пространственного заряда и внутрирасположенную мультиэпитаксиальную металлургическую переходную зону, и эпитаксиальный GaAs слой на p-n переходном эпитаксиальном i-слое, выполненный n+-типа проводимости с разностной концентрацией акцепторной и донорной легирующих примесей в приповерхностном слое не менее чем 1·1017 см-3 и толщиной не менее 0,1 мкм.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности, к формированию самосовмещенных высоковольтных диодов. .

Изобретение относится к области дискретных полупроводниковых приборов, в частности к блокирующим диодам для солнечных батарей космических аппаратов. .

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в источниках питания полупроводниковых лазеров, мощных полупроводниковых светодиодов, диодов Ганна, системах сверхширокополосной локации.

Изобретение относится к электронным приборам, в частности к полупроводниковым приборам, и может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Способ изготовления диода с вискером "Меза-подложка" терагерцового диапазона включает нанесение на поверхность гетероэпитаксиальной структуры диэлектрической пленки, в которой по маске фоторезиста травлением до высоколегированного катодного слоя создается окно катодного контакта U-, или О-образной формы, формирование в нем металлизации низкоомного омического катодного контакта с последующим удалением резиста, отжигом и гальваническим утолщением, формирование с использованием тонких резистивных масок на поверхности активных слоев окна анодного контакта микронного или субмикронного диаметра между U-выступами катода, или в центре О-образного катода, удаление в окне анодного контакта слоя диэлектрика, проведение финишных обработок, формирование металлизации анодного контакта, удаление резиста, формирование резистивной маски или маски диэлектрика для травления мезы вокруг площадки с расположенными на ней анодом и катодом, травление мезы как минимум до полуизолирующего слоя подложки, формирование анодной и катодной контактных площадок на полуизолирующем слое у основания мезы, соединение анода со своей контактной площадкой металлическим воздушным мостом, место соединения которого с анодом представляет собой расширенный контакт, выступы поля которого опираются на слой диэлектрика, соединение катода со своей контактной площадкой осуществляется либо металлическим воздушным мостом, либо металлической шиной, лежащей на боковой поверхности мезы или на слое диэлектрика, утонение подложки и разделение на отдельные кристаллы.

Изобретение относится к быстродействующим диодам. Диод содержит полупроводниковый слой, имеющий первую сторону и противоположную первой стороне вторую сторону, полупроводниковый слой имеет толщину между первой стороной и второй стороной, при этом толщина полупроводникового слоя сравнима со средней длиной свободного пробега носителей заряда, эмитированного в полупроводниковый слой.

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к представляющему собой меза-структуру с барьером Шоттки полупроводниковому кремниевому диоду, который может быть использован в качестве выпрямительного диода или сверхвысокочастотного детектора, и способу его изготовления.

Изобретение позволяет значительно упростить способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью, в частности ограничительного элемента на основе p-i-n диодов.

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к технологии изготовления высоковольтных карбидокремниевых полупроводниковых приборов на основе p-n-перехода с использованием ионной имплантации.

Изобретение относится к области полупроводниковой промышленности, в частности к диодам Шоттки, и может быть использовано при создании микросхем радиочастотной идентификации в диапазоне частот сканирующего электромагнитного поля СВЧ-диапазона.

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых диодов с барьером Шоттки на основе синтетического алмаза, широко применяющихся в сильнотоковой высоковольтной и твердотельной высокочастотной электронике.

Изобретение относится к области изготовления дискретных полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к микроэлектронике. .

Изобретение относится к области конструирования и производства мощных кремниевых ограничителей напряжения, преимущественно с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В, предназначенных для защиты электронных компонентов - интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре от воздействия мощных импульсных электрических перенапряжений различного рода. Изобретение обеспечивает создание способа изготовления низковольтных ограничителей напряжения на основе одиночных кремниевых p-n-структур с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В с p-n-переходами, залегающими на достаточной для силовых приборов глубине - более 10 мкм. Способ изготовления ограничителей напряжения с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В, содержащих базовые кристаллы кремния с созданными в них p-n-переходами, состоящими из p-слоев, легированных примесью p-типа проводимости, и n-слоев, легированных примесью n-типа проводимости, диэлектрической защиты p-n-переходов и металлических омических контактов, металлических теплоотводов, металлических выводов и герметичных корпусов, по которому согласно изобретению базовые кристаллы выполнены из кремния, легированного примесью p-типа проводимости - бором с концентрацией от 2⋅1020 см-3 до 4⋅1017 см-3, соответствующей удельному сопротивлению кремния от 0.001 Ом⋅см до 0.1 Ом⋅см, а p-n-переходы в базовых кремниевых кристаллах формируют длительной высококонцентрационной диффузией примеси n-типа проводимости - мышьяком из бесконечного источника в эвакуированной кварцевой ампуле при температуре ~1150°С в течение времени от 8 до 48 часов. 1 ил., 2 табл.

Наверх