Устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя

Изобретение относится к устройству для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя и может найти применение в электронной технике. Маска в устройстве расположена с лицевой стороны подложки. В корпусе выполнены посадочные гнезда с возможностью фиксирования положения подложки. Маска и корпус выполнены в виде цельной металлической рамки с отверстиями под посадочные гнезда, имеющими конфигурацию фотопреобразователя. Размеры отверстий превышают размеры фотопреобразователя на величину от 0,1 до 0,2 мм. Контактные площадки фотопреобразователя расположены на плоских выступах маски, имеющих толщину от 0,1 до 0,5 мм и расположенных по периметру отверстий под посадочные гнезда. Напыляемые поверхности маски и корпуса расположены в одной плоскости. С тыльной стороны фотопреобразователя в посадочных гнездах располагают металлизированные кремниевые подложки, с помощью которых контактные площадки прижимают к маске посредством пластинчатых пружин, закрепленных на рамке. Поверхность плоских выступов покрыта слоем термически и химически стойкого полимерного материала с напыленным на него и на поверхность цельной металлической рамки слоем металлизации. Технический результат заключается в увеличении выхода годных фотопреобразователей. 5 ил., 1 пр.

 

Изобретение относится к электронной технике, в частности к инструментам для изготовления просветляющего покрытия фотопреобразователя.

Известна маска для напыления пленочных элементов на подложку (патент РФ №2003735, опубл. 30.11.1993 г.), имеющая отверстия заданного размера, выполненные в соответствии с конфигурацией пленочных элементов, при этом на расстоянии 5÷100 мкм от плоскости пластины, прилегающей к поверхности подложки, отверстия имеют размер, превышающий заданный размер отверстий на 50÷2000 мкм.

Недостаток маски данной конструкции применительно к напылению просветляющего покрытия фотопреобразователя с трехкаскадной структурой Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, заключается в сложности обеспечения равномерного прижатия диэлектрической маски к контактным площадкам, находящимся на краю фотопреобразователя из-за перекосов маски.

Признак данной конструкции, общий с предлагаемым устройством для напыления просветляющего покрытия, - применение маски с отверстиями заданного размера определенной конфигурации.

Известно устройство для формирования топологического рисунка в тонкой пленке (патент РФ №2063473, опубл. 10.07.1996 г.), наносимой в вакууме на подложку, содержащее металлическую маску из ферромагнитного материала, размещенную на лицевой стороне подложки, и магнит, расположенный с противоположной по отношению к маске стороны подложки, удерживающий и прижимающий маску к подложке. Для защиты тыльной стороны подложки от механических повреждений между плоскостью магнита и подложкой введена прокладка из диамагнитного материала, например дюраль-алюминия, толщиной 1,5 мм.

Недостатки данного устройства, применительно к напылению просветляющего покрытия фотопреобразователя, заключаются в том, что совмещение маски с контактами фотопреобразователя выполняется вручную, что непроизводительно; в процессе напыления из-за вибраций возможно смещение маски и «подпыл» контактов, что недопустимо; ферромагнитные маски, изготавливаемые, например, из листа сплава НК-29 (ковар) толщиной 0,15 мм, деформируются в процессе использования и подлежат периодической замене, что неэффективно.

Признак, общий с предлагаемым устройством для напыления просветляющего покрытия, - применение маски, расположенной на лицевой стороне подложки.

Известно устройство для напыления в вакууме тонких слоев многослойных изделий (патент РФ №2432417, опубл. 27.10.2011 г.), принятое за прототип, в котором используется маска из ферромагнитного материала, расположенная с лицевой стороны подложки, и магнит с плоской верхней поверхностью, расположенный с противоположной к маске стороны подложки. Кроме того, вышеуказанное устройство содержит корпус с плоской верхней поверхностью и плоским гнездом для подложки, глубина которого выполнена такой, чтобы нижняя поверхность маски, верхняя поверхность подложки и верхняя плоская поверхность корпуса были расположены в одной плоскости, а дно плоского гнезда образовано плоской верхней поверхностью встроенного в корпус вышеуказанного магнита; при этом на боковых поверхностях плоского гнезда по периметру выполнены упоры и расположенные с противоположных сторон относительно упоров прижимные винты, фиксирующие положение подложки в гнезде; корпус на плоской верхней поверхности имеет выступы, фиксирующие положение маски, снабженной посадочными отверстиями под вышеупомянутые выступы.

Недостаток данного устройства для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя заключается в необходимости использования постоянных магнитов. Силовое поле сильных магнитов оказывает возмущающее влияние на заряженные частицы при плазменном ассистировании напыления, в результате просветляющее покрытие TiO2/Al2O3 неоднородно и имеет недостаточную адгезию. Слабые магниты не обеспечивают надежного прижатия маски к поверхности контактных площадок фотопреобразователя, что в условиях вибраций при вращении карусели с пластинами в установке приводит к смещению маски и недопустимому «подпылу» контактов.

При расположении контактных площадок фотопреобразователя по периферии подложки необходимо изготавливать несколько накладных масок различной конфигурации с посадочными отверстиями. Фотопреобразователь должен находиться в углублении корпуса, чтобы исключить перекос маски, в то же время толщина подложки фотопреобразователя может варьироваться от 160 мкм до 80 мкм, в результате возникает недопустимый зазор между контактными площадками и маской.

Признаки прототипа, общие с предлагаемым устройством, следующие: использование маски, расположенной с лицевой стороны подложки, и корпуса с посадочными гнездами, в которых фиксируется положение положки.

Технический результат, достигаемый в предложенном устройстве, заключается в увеличении выхода годных фотопреобразователей.

Достигается это тем, что в устройстве, содержащем маску, расположенную с лицевой стороны подложки, и корпус с посадочными гнездами, в которых фиксируется положение подложки, маска и корпус выполнены в виде цельной металлической рамки, снабженной отверстиями, имеющими конфигурацию фотопреобразователя, под посадочные гнезда, причем размеры отверстий превышают размеры фотопреобразователя на величину от 0,1 до 0,2 мм, кроме того, контактные площадки фотопреобразователя расположены на плоских выступах маски, имеющих толщину от 0,1 до 0,5 мм и расположенных по периметру отверстий под посадочные гнезда, при этом напыляемые поверхности маски и корпуса расположены в одной плоскости, кроме того, с тыльной стороны фотопреобразователя в посадочных гнездах расположены также металлизированные кремниевые подложки, с помощью которых контактные площадки прижаты к маске посредством пластинчатых пружин, закрепленных на рамке, а поверхность плоских выступов маски со стороны контактных площадок покрыта слоем термически и химически стойкого полимерного материала с напыленным на него и на поверхность цельной металлической рамки слоем металлизации.

Отличительные признаки предложенного устройства для напыления просветляющего покрытия, обеспечивающие его соответствие критерию «новизна», следующие: маска и корпус выполнены в виде цельной металлической рамки, снабженной отверстиями, имеющими конфигурацию фотопреобразователя, под посадочные гнезда, причем размеры отверстий превышают размеры фотопреобразователя на величину от 0,1 до 0,2 мм, кроме того, контактные площадки фотопреобразователя расположены на плоских выступах маски, имеющих толщину от 0,1 до 0,5 мм и расположенных по периметру отверстий под посадочные гнезда, при этом напыляемые поверхности маски и корпуса расположены в одной плоскости, кроме того, с тыльной стороны фотопреобразователя в посадочных гнездах расположены также металлизированные кремниевые подложки, с помощью которых контактные площадки прижаты к маске посредством пластинчатых пружин, закрепленных на рамке, а поверхность плоских выступов маски со стороны контактных площадок покрыта слоем термически и химически стойкого полимерного материала с напыленным на него и на поверхность цельной металлической рамки слоем металлизации.

Для обоснования соответствия предлагаемого устройства для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя критерию «изобретательский уровень» был проведен анализ известных решений по литературным источникам, в результате которого не обнаружено технических решений, содержащих совокупность известных и отличительных признаков предлагаемого устройства, дающих вышеуказанный технический результат. Поэтому, по мнению автора, предлагаемое устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя соответствует критерию «изобретательский уровень». Предложенное устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя обеспечивает однородное осаждение диэлектрических слоев в условиях плазменного ассистирования с нагревом без «подпыла» контактных площадок для подложек варьируемой толщины.

Фиксация положения подложки и контактных площадок фотопреобразователя относительно маски осуществляется за счет заданной величины превышения от 0,1 до 0,2 мм размеров отверстий, имеющих конфигурацию фотопреобразователя, под посадочные гнезда, над размерами фотопреобразователя, при этом дополнительного совмещения не требуется. Плоские выступы маски толщиной от 0,1 до 0,5 мм, расположенные по периметру отверстий под посадочные гнезда, закрывают область контактных площадок с минимальным затенением рабочей поверхности фотопреобразователя.

Равномерность прижатия маски к контактным площадкам гибких фотопреобразователей обеспечивается с помощью плоских кремниевых подложек, расположенных в посадочных гнездах с тыльной стороны фотопреобразователей, посредством пластинчатых пружин, закрепленных на рамке. Поверхность плоских выступов маски со стороны контактных площадок покрыта эластичным слоем термически и химически стойкого полимерного материала, предотвращающего механическое повреждение слоев металлизации Ag/Au. Термическая стойкость необходима для сохранения полимерным покрытием гладкой поверхности и эластичности в условиях нагрева и прижатия к контактным площадкам фотопреобразователя. Химическая стойкость полимерного покрытия необходима для использования при напылении кислородной плазмы и периодической очистки устройства стравливанием напыленных диэлектрических слоев.

Устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя иллюстрировано на чертеже (фиг. 1) и на фотографиях (фиг. 2-5).

Устройство для напыления просветляющего покрытия на лицевую сторону подложки фотопреобразователя с эпитаксиальными слоями 1 (фиг. 1) состоит из рамки 2, снабженной отверстиями 3 под посадочные гнезда 4, в которых расположена подложка фотопреобразователя 5, имеющая на лицевой стороне с эпитаксиальными слоями 1 контактные площадки 6, которые закрыты маской 7. Маска 7 снабжена плоскими выступами 8, расположенными по периметру отверстий 3, при этом напыляемые поверхности маски 7 и корпуса 9 расположены в одной плоскости. Подложка фотопреобразователя 5 имеет металлизированную тыльную сторону 10, на которой расположена металлизированная кремниевая подложка 11, которая, в свою очередь, прижата к тыльной стороне 10 подложки фотопреобразователя 5 пластинчатыми пружинами 12, закрепленными на рамке 2 винтами 13. Контактные площадки фотопреобразователя 6 расположены на слоях полимерного материала 14 и на напыленной на него металлизации 15. Кремниевые подложки 11 покрыты со всех сторон слоем металла 16.

На фиг. 2 изображен вид контактных площадок фотопреобразователя с лицевой стороны подложки; на фиг. 3 изображен вид рамки с отверстиями под посадочные гнезда и пластинчатыми пружинами; на фиг. 4 изображен вид рамки с кремниевыми подложками в посадочных гнездах; на фиг. 5 изображен вид устройства после напыления просветляющего покрытия на фотопреобразователи.

Пример конкретного использования предлагаемого устройства

Предлагаемое устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя используется в технологии изготовления трехкаскадных фотопреобразователей с эпитаксиальной структурой Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке диаметром ∅100 мм. Предварительно напыляют лицевые Cr/Ag/Au-Ge/Ag/Au контакты фотопреобразователей; далее выполняют меза-изоляцию химическим травлением; утоняют германиевую подложку химико-динамическим травлением до толщины 80÷90 мкм; затем напыляют тыльный Cr/Au/Ag/Au контакт фотопреобразователей; отжигают контакты; выравнивают пластины посредством охлаждения парами азота; разделяют пластины на чипы дисковой резкой; вскрывают оптическое окно фотопреобразователей стравливанием n+-Ga(In)As контактного слоя. Далее напыляют просветляющее покрытие TiO2/Al2O3.

Предлагаемое устройство для напыления просветляющего покрытия на лицевую сторону фотопреобразователя с эпитаксиальными слоями 1 выполнено в виде цельной металлической рамки 2 толщиной 2 мм из нержавеющей стали 12Х12Н10Т с отверстиями 3, имеющими конфигурацию фотопреобразователей, под посадочные гнезда 4.

Размеры посадочных отверстий, составляющие 40,2×80,2 мм, превышают размеры подложки фотопреобразователя 5 на заданную величину, в данном примере 0,2 мм - допустимой погрешности позиционирования подложки 5 и контактных площадок 6 фотопреобразователя относительно маски 7. Расширение посадочных отверстий 3 менее чем на 0,1 мм нежелательно по причине возможного заклинивания подложки 5 фотопреобразователя в посадочном гнезде 4 из-за погрешности вырезания посадочных отверстий 3 на электроэрозионном станке. Расширение посадочных отверстий 3 более чем на 0,2 мм также нецелесообразно из-за необходимости увеличивать размеры маски 7 и соответственно ей область затенения вблизи контактной площадки 6 фотопреобразователя.

Фотопреобразователь укладывают в посадочные гнезда 4 устройства лицевой стороной 1 подложки 5 вниз, контактными площадками 6 на маску 7, снабженную плоскими выступами 8 толщиной 0,3 мм, расположенными по периметру посадочных отверстий 3 рамки 2. Контактные площадки 6 с размерами 1,05×7 мм и 1,9×1,9 мм (в количестве 4 штук и 2 штук соответственно) находятся на краю противолежащих сторон подложки 5, что обеспечивает плоскопараллельное расположение подложки 5 относительно маски 7 и минимальное затенение рабочей поверхности фотопреобразователя.

Напыляемые поверхности маски 7 и корпуса 9 рамки 2 расположены в одной плоскости. С тыльной металлизированной стороны 10 подложки 5 фотопреобразователей в посадочных гнездах 4 располагаются кремниевые подложки 11 толщиной ~500 мкм, покрытые со всех сторон слоем металла 16, с помощью которых контактные площадки 6 прижаты к плоским выступам 8 маски 7 посредством пластинчатых пружин 12, закрепленных винтами 13 на рамке 2. Для изготовления пружин 12 используют ленту из безоловянной бериллиевой бронзы ДРРНТ 0,30×80НД. Плоские металлизированные кремниевые подложки 11 необходимы для равномерного прижатия контактных площадок 6 гибкого фотопреобразователя к маске 7, кроме того, защищается тыльная сторона 10 фотопреобразователя от «подпыла» рассеянными потоками испаряемых материалов. Кремниевые подложки 11 обладают необходимой прочностью и сохраняют плоскостность при нагреве. Применение выступов 8 маски 7 толщиной менее 0,1 мм нежелательно из-за снижения механической прочности и возможной деформации под действием прилагаемой нагрузки. При толщинах выступов 8 маски 7 более 0,5 мм и напылении просветляющего покрытия TiO2/Al2O3 электронно-лучевым способом (расстояние до испарителя ~70 см) ширина полосы низкоэффективного просветления (полутени) составляет более 30 мкм, что нецелесообразно. Поверхность плоских выступов 8 маски 7 со стороны контактных площадок 6 фотопреобразователя, из-за дефектов фрезерной обработки, покрывают слоем (толщиной ~40 мкм) эластичного полимерного материала 14, например, Insulating Таре (Kapton, Evatec) для предотвращения образования вмятин и царапин, ухудшающих качество сварки слоев Ag/Au контактной металлизации площадок 6 с внешними выводами. Термически и химически стойкие свойства используемого полимерного материала 14 позволяют выполнять процесс напыления просветляющего покрытия при температуре 140°С с плазменным ассистированием.

Слой полимерного материала 14, а также поверхность цельной металлической рамки 2 со стороны посадочных гнезд 4 запыляют слоем металлизации 15, который в сочетании с металлизированной со всех сторон кремниевой подложкой 11 и пластинчатыми пружинами 12 образует цепь короткого замыкания лицевого 6 и тыльного 10 контактов, что необходимо для защиты фотопреобразователя от токов разряда через плазму в процессе электронно-лучевого напыления материалов просветляющего покрытия.

В качестве слоев металлизации 15 и 16 используют Cr/Ag/Au толщиной ~5 мкм. Снятие электрического заряда с фотопреобразователя осуществляется через металлическую рамку 2. Периодически устройство очищают от напыленных диэлектрических слоев травлением в водном растворе плавиковой кислоты HF÷H2O=1÷4.

При работе устройства для напыления просветляющего покрытия напыление просветляющий слоев TiO2/Al2O3 выполняют с использованием кислородной плазмы, что необходимо для улучшения оптических свойств покрытия.

Фиксация подложек 5 относительно маски 7 без дополнительного совмещения в посадочных гнездах 4 с заданной величиной расширения, равномерный прижим контактных площадок 6 к маске 7 за счет плоскостности жестких кремниевых подложек 11, отсутствие механических повреждений контактной металлизации 6 за счет слоя эластичного полимерного покрытия 14 на поверхности маски 7, отсутствие возмущающего поля постоянных магнитов при плазменном ассистировании напыления обеспечивают получение однородных слоев просветляющего покрытия с хорошей адгезией и отсутствие «подпылов» контактных площадок 6, в результате чего увеличен выход годных фотопреобразователей на ~1%.

В сравнении с методом «взрыва» просветляющего покрытия по фоторезистивной маске предлагаемое устройство снижает трудоемкость операции и применимо для изготовления фотопреобразователей на германиевой подложке толщиной менее 80 мкм.

Устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя, включающее маску и корпус с посадочными гнездами, выполненными с возможностью фиксирования положения подложки фотопреобразователя, отличающееся тем, что маска и упомянутый корпус выполнены в виде цельной металлической рамки с закрепленными на ней пластинчатыми пружинами, выполненными с возможностью прижатия к маске контактных площадок фотопреобразователя посредством металлизированных кремниевых подложек, при этом рамка выполнена с отверстиями под посадочные гнезда, имеющими конфигурацию фотопреобразователя, а маска выполнена с плоскими выступами толщиной от 0,1 до 0,5 мм, расположенными по периметру упомянутых отверстий под посадочные гнезда, и предназначенными для расположения на них контактных площадок фотопреобразователя, причем поверхность плоских выступов маски со стороны контактных площадок покрыта слоем термически и химически стойкого полимерного материала с напыленным на него и на поверхность цельной металлической рамки со стороны посадочных гнезд слоем металлизации.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к металлургии, в частности к способам химико-термической обработки деталей из легированных сталей, и может быть использовано в машиностроении для поверхностного упрочнения деталей машин, в том числе деталей, работающих в парах трения, режущего инструмента и штамповой оснастки.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к установке для напыления в вакууме топологического тонкоплёночного рисунка гибридной микросхемы на подложку.

Изобретение относится к способу напыления в вакууме топологического тонкопленочного рисунка гибридной микросхемы на подложку и может быть использовано в микроэлектронике.

Изобретение относится к турбомашинам и, в частности, к деталям упомянутых турбомашин, которые подвержены высоким температурам. Способ осаждения керамического слоя, образующего термобарьерное покрытие, на металлическую подложку (1), который включает осаждение указанного керамического слоя со столбчатой структурой, при этом указанное осаждение осуществляют через перфорированную отверстиями (11) решетку (10), расположенную параллельно поверхности подложки (1), так чтобы сформировать, по меньшей мере, два керамических столбика (5), отделенных друг от друга промежутком (6).

Изобретение относится к способу очистки вспомогательных поверхностей установок для нанесения покрытий, которые содержат камеру для нанесения покрытия. Перед нанесением покрытия наносят антиадгезионный слой на вспомогательные поверхности камеры для нанесения покрытия.
Изобретение относится к области нанесения на подложки металлических покрытий, а именно к нанесению электропроводящего слоя на полимерную или бумажную подложку при изготовлении антенн, работающих в диапазоне ультравысокой частоты.

Изобретение относится к способам маскировки охладительных отверстий компонента турбины, содержащего наружную поверхность, внутреннюю полость, имеющую отверстие наружу компонента, и охладительные отверстия, проходящие от внутренней полости к наружной поверхности.

Изобретение относится к области производства электронных компонентов и может быть использовано, в частности, в микроэлектронике для совмещения ферромагнитных свободных масок при формировании прецизионного топологического рисунка тонких пленок органики, металлов и диэлектриков, напыляемых на пластины в вакууме.

Изобретение относится к технологии нанесения легирующих материалов на поверхность металлических изделий и может быть использовано в машиностроении и металлургии для упрочнения рабочих поверхностей.

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Способ получения наноструктурированных порошков ферритов включает получение смеси соли азотной кислоты и по крайней мере одного оксидного соединения металла, ультразвуковую обработку, термообработку и фильтрацию.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для создания автоэмиссионных электронных приборов (с «холодной эмиссией электронов) для изготовления зондов и кантилеверов сканирующих зондовых микроскопов и оперативных запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации, поверхностно-развитых электродов электрохимических ячеек источников тока, а также для использования в технологиях изготовления кремниевых солнечных элементов нового поколения для повышения эффективности антиотражающей поверхности фотопреобразователей.

Изобретение может быть использовано для получения электродного материала литиевых источников тока. Способ получения композита триоксид ванадия/углерод V2O3/C включает растворение в воде карбоновой кислоты, добавление оксидного соединения ванадия, сушку и последующий отжиг.

Изобретение относится к области получения наноматериалов, а именно нанопорошков кремния, и может быть использовано в стоматологии и биомедицине для получения фотолюминесцентных меток.

Изобретение относится к полупроводниковой и сверхпроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении фотонных устройств, сверхъёмких аккумуляторов и суперконденсаторов, высокочувствительных химических сенсоров и разделительных мембран.

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой оптоэлектронике. Навеску порошка исходного фуллерена С60 загружают в кварцевую ампулу, внутренняя поверхность которой покрыта пироуглеродом для защиты исходного порошка от воздействия УФ излучения.

Изобретение относится к получению поликристаллических пленок сульфида и оксида кадмия на монокристаллическом кремнии с помощью техники пиролиза аэрозоля раствора на нагретой подложке при постоянной температуре в интервале 450-500°С.

Изобретение относится к нанотехнологии. Для получения углеродных нанотрубок используют аппарат, включающий блок 3 формирования рабочей смеси 2, содержащий средство получения наночастиц вещества, содержащего катализатор, реакционную камеру 1, снабженную входом для рабочей смеси 2 и выходом 4 для отходящих газов, средство охлаждения отходящих газов, а также фильтр 5 для отделения углеродных нанотрубок 6 от отходящих газов.

Изобретение может быть использовано при изготовлении электрохимических устройств, таких как твердооксидные топливные элементы, электролизеры. Для синтеза наноразмерного порошкообразного материала на основе скандата лантана смесь решеткообразующих компонентов и допанта нагревают в присутствии горючего органического соединения, легко окисляемого и не вносящего загрязнений в получаемый продукт, до прохождения реакции горения.

Изобретение относится к синтезу наноалмазов для использования в элементах оптической памяти для квантовых компьютеров высокой производительности. Способ включает подготовку углеродсодержащей смеси, ее размещение в камере высокого давления, инициирование в углеродсодержащей смеси интенсивной ударной волны, фильтрацию и сепарацию продуктов синтеза, при этом в качестве углеродсодержащей смеси выбирают смесь на основе предельных углеводородов гомологического ряда алканов с общей формулой CnH2n+2 с числом углеродных атомов 16 и выше, нагревают ее до температуры выше 300 K, пропускают через нее метан под давлением выше 0,1 МПа и формируют в углеродсодержащей смеси импульсный электрический разряд.

Изобретение относится к области производства изделий из композитных материалов и может быть использовано при изготовлении проводящих электрический ток композитных изделий. Описан способ изготовления электропроводящих изделий из волокнистого композитного материала, включающий намотку стекловолокна, смоченного смесью связующего на основе полиэфирных смол, отвердителя и наполнителя, и последующее отверждение, в котором в качестве наполнителя в смесь добавляют углеродные нанотрубки с количеством стенок не более одной, диаметром до 2,5 нм и длиной от 3 мкм до 100 мкм, в оболочке из глицидинового эфира жирных кислот в количестве от 0,01% до 0,04% от массы композитного изделия, причем на первом этапе перемешивания углеродные нанотрубки добавляют в полной дозе к 20% по массе дозы связующего и перемешивают от 60 до 90% общего времени перемешивания, после этого добавляют оставшуюся дозу связующего и перемешивают оставшееся время, а отвердитель добавляют после перемешивания всей дозы связующего с дозой углеродных нанотрубок, после стандартной операции намотки и формования изделия проводят отверждение при температуре от 18 до 20°C. Технический результат: получены изделия из композитных материалов с повышенной электропроводностью с высокой воспроизводимостью характеристик.
Наверх