Квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника

Использование: для изготовления микромощных источников электроэнергии и квантового электромагнитного излучения фотонов с различными длинами волн. Сущность изобретения заключается в том, что квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника на основе контактного энерговзаимодействия радиоактивных материалов - изотопов, излучающих электроны с энергиями до 220 килоэлектронвольт и более, с кристаллами кремния с межатомными ковалентными связями содержит высоколегированную монокристаллическую подложку n+-типа проводимости, последовательно выполненные на ней высокоомный слой n-типа проводимости и субмикронный по толщине высоколегированный слой р+-типа проводимости, образующие приповерхностный плоский или рельефный р-n переход с встроенной областью пространственного заряда в границах физического р-n перехода, находящегося без воздействия внешне приложенного электрического поля, а также омические контакты к высоколегированным областям обоих типов проводимости, в том числе локально выполненные к облучаемой поверхности кристалла, с целью резкого повышения эффективности генерации подвижных носителей заряда и фотонов квантового излучения в кристалле, а также повышения устойчивости и надежности р-n перехода к радиационному воздействию излучаемых электронов, полупроводниковый кристалл выполняется из атомно-ионно-связанного с прямым типом межзонного перехода арсенида галлия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии и легированного амфотерными примесными атомами кремния или германия, или теми и другими одновременно, содержащий внутрирасположенный физический р-n переход с встроенной i-областью пространственного заряда, ширина которой не менее длины свободного пробега электронов, излучаемых изотопом в кристалл арсенида галлия, переходные n- и р- области физического р-n перехода с выращенными на них субмикронными или нанометровыми высоколегированными, соответственно однотипными n+- и р+-типа, областями арсенида галлия, при этом приконтактный изотопный материал выполняется как к любой стороне кристалла с р-n переходом, так и одновременно к обеим сторонам кристалла с р-n переходом. Технический результат - обеспечение возможности повышения эффективности генерации подвижных носителей заряда и фотонов квантового излучения в кристалле, а также повышения устойчивости и надежности р-n перехода к радиационному воздействию излучаемых электронов. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.

 

Изобретение относится к атомной и полупроводниковой технике, в частности к изготовлению микромощных источников электроэнергии и квантового, электромагнитного излучения фотонов с различными длинами волн от инфракрасного до рентгеновского диапазона с использованием взаимодействия излучаемых изотопами высокоэнергетичных электронов с полупроводниковой кристаллической решеткой.

Предлагаемое изобретение базируется на преобразовании высокой энергии излучаемых изотопов электронов в зонную энергию проводимости заряженных частиц и энергию квантового излучения (фотонов) в кристаллической решетке полупроводника.

Развитие микроробототехники, микроэлектромеханики (МЭМС), микросистемотехники, микросенсорики и др. требует создания сверхкомпактных миниатюрных микромощных источников электропитания и электромагнитной генерации в широком диапазоне длин волн с длительным (в несколько лет) сроком службы в широком диапазоне механического, акустического, радиационного и температурного воздействия.

Наиболее полно поставленным требованиям отвечают атомные батареи электропитания на основе бета-вольтаического эффекта, т.е. взаимодействия излучаемых изотопом электронов с энергией атомов кристаллической решетки полупроводника.

Элементарная ячейка квантово-радиоизотопного источника электромагнитной энергии представляет собой полупроводниковый кристалл, содержащий р-n переход и контактирующий с ним изотопный материал, являющийся радиоактивным источником излучения высокоэнергетичных быстрых электронов (бета-частиц), которые взаимодействуют с энергией ядра и оболочных электронов атомов полупроводника. В результате данного энергетического взаимодействия в кристаллической решетке полупроводника генерируются электронно-дырочные пары и энергия излучения в виде квантов (фотонов) с различной длиной волны в зависимости от энергии преобразования быстрых радиоактивных электронов (от 5,0 до 250 кэВ) в энергию проводящих заряженных частиц - электронов и дырок, имеющих на три - четыре порядка меньшую энергию и энергию фотонного излучения в результате данного преобразования энергии радиоактивных элементов.

Первые квантово-радиоизотопные генераторы подвижных носителей заряда и фотонов были созданы в январе 1954 года с использованием изотопа стронций - 90 (90Sr) - [Rappaport P.I., Loferski J.J., Lindery E.G. A study program of possible uses new principle. Nucleonics. 1957. vol. 15, p. 99]. Но энергия испускаемых 90Sr электронов превышает 546 кэВ, что превосходит порог радиационного дефектообразования в германии в 1,56 раза, в арсениде галлия - в 2,2÷2,4 раза (в зависимости от способа эпитаксии), в 2,8 раза в кремнии и более чем в три раза в таких полупроводниковых кристаллах, содержащих легкие атомы, как SiC, GaN, BN, diamond и др., что приводит к деградации р-n переходов.

Позднее, в 1968 году, появились бета-преобразователи на основе контактной системы прометия-147 (147Pm) и кремниевых р-n переходов, однако, со временем возникла та же проблема постоянной деградации кристаллической структуры р-n перехода из-за превышения максимальной энергии радиоизотопных электронов 147Pm (≈ в 1,15 раза) порога радиационного дефектообразования в кремнии. Появившийся позднее бета-преобразователь энергии на основе системы кадмий - 113m и кремний (113mCd/Si) с максимальной энергией изотопов электрона 113mCd в 190 кэВ находится в пограничной зоне надежность/ненадежность р-n перехода кремния, из-за деградации под действием радиоизотопных электронов.

В связи с этим чаще всего применяются квантово-радиоизотопные генераторы электромагнитной энергии на основе системы никель-63 и кремния (63Ni/Si). Но изотоп Ni имеет недостаточно высокую энергию излучаемых электронов (максимальная энергия излучения - 66,7 кэВ, средняя энергия - 17,3 кэВ) с глубиной пробега в кристалле не более 12 мкм. Для повышения эффективности генерации электронно-дырочных пар в кремниевом р-n переходе, конечно, нужно увеличение объема генерации, что решается двумя способами - увеличение длины пробега электронов в кристаллической решетке (в области р-n перехода) с увеличением удельного сопротивления кремния, но превышение энергии свыше 180÷190 кэВ приведет к деградации р-n перехода либо к увеличению площади поверхности р-n перехода, что чаще всего и выполняется в конструкциях бета-источника электроэнергии на основе кремниевых р-n переходов, например, через создание множества упорядоченных квазитрехмерных пористых структур («колодцев») [Wei Sun, N.P. Kherani et. al. A Three-Dimensional Porous Silicon р-n Diode for Betavoltaics and Photovoltaics. Advanced Materials. 2005, 17, 1231-1233].

По результатам анализа известных конструкций бета-источников и с учетом радиационной стойкости полупроводниковых р-n структур в качестве прототипа конструкции бета-преобразователя энергии выбрана конструкция на основе кремниевого р-n перехода с текстурированной поверхностью, покрытой радиоактивным никелем-63 [А.А. Пустовалов, В.В. Гусев, В.В. Заддэ, Н.С. Петренко, А.В. Тихомиров, Л.А. Цветков. Бета-вольтаический источник тока на основе никеля-63. Журнал «Атомная энергия», т. 103, вып. 6, декабрь 2007, стр. 353-356].

Недостатком такого типа бета - полупроводниковых конструкций является сложность формирования физических р-n переходов с фоновыми уровнями неравновесных токов насыщения при околонулевых смещениях на р-n переходе с величинами в десятые и сотые доли наноампер при реальных рабочих температурах эксплуатации бета-источников, а также из-за вклада огромных разниц в температурных коэффициентах линейного расширения металла 63Ni и кремния, достигающих разницы в более чем 6 раз (>600%) и приводящих к высоким тензонапряжениям в области р-n перехода, что, естественно, снижает его устойчивость к деградации и надежность.

Задачей данного изобретения является резкое увеличение эффективности квантово-радиоизотопного источника генератора подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника, повышение удельной электрической мощности, расширение температурного диапазона эксплуатации и радиационной стойкости к электронному излучению.

Техническое решение данной задачи достигается тем, что в радиоизотопном источнике электромагнитной энергии, содержащем высокоэнергетичный изотопный слой, излучатель электронов, расположенный на текстурированной поверхности полупроводникового кристалла, содержащего р-n переход, где в качестве изотопного материала предлагается использовать атомы изотопов кадмия - 113m (113mCd) или еще более энергоплотного прометия - 147 (147Pm) с максимальным уровнем энергии излучаемых электронов соответственно в 190 и 220 кэВ, превышающем пороговую энергию дефектообразования в кремнии, карбиде кремния, нитриде галлия, алмазе и др., а в качестве полупроводника арсенид галлия, полученный жидкофазной эпитаксией, подавляющую часть объема которого занимает физический р-n переход, содержащий область пространственного заряда и соответствующее встроенное электрическое поле с вектором из р - зоны в n - зону.

В данной области пространственного заряда происходит преобразование энергии излучаемых электронов из изотопов 113mCd, 147Pm и др. в десятки тысяч раз меньшую энергию электронно-дырочных пар и квантовую энергию излучения вследствие трансформации энергии излучаемых электронов в десятки килоэлектронвольт до уровня энергии проводящих подвижных зарядов в арсениде галлия несколько выше чем 1,43 эВ.

Дополнительная эффективность генерации подвижных носителей заряда и квантового излучения (фотонов) достигается путем применения 2-стороннего облучения физического р-n перехода на основе жидкофазного арсенида галлия, а также применения примыкающих к нему изотипных переходов n+- n типа или р+- р типа, выполненных на основе гетерофазных переходов, например, GaAs - Ge, GaAs - ZnTeS, AlGaAs и др., a также барьерных переходов металл - полупроводник - Шоттки - барьеров и, в некоторых случаях, путем использования комбинаций солнечной радиации и электронной радиации.

Одним из дополнительных способов повышения эффективности генерации электронно-дырочной плазмы при облучении изотипными электронами является импульсное воздействие электрическим полем с уровнем, близким к критической электропрочности жидкофазного арсенида галлия, когда высокоэнергетичные электроны взаимодействуют не с атомно-орбитальными электронами или энергией ядра атома, а со свободными электронами, образующимися в результате лавинизации в объеме пространственного заряда физического р-n перехода под действием импульсного электрического поля с уровнем, превышающим условия порога лавинизации в объеме р-n перехода.

Сущность изобретения поясняется с помощью фигур 1, 2, 3, 4, 5, 6, где квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов состоит из атомно-ионно-связанного кристалла арсенида галлия, полученного методами жидкофазной эпитаксии, легированного примесными амфотерными атомами кремния или германия, или теми и другими, с прямым типом межзонного перехода, содержащего физический р-n переход 1 с встроенной i-областью пространственного заряда, ширина которой не менее длины свободного пробега электронов, излучаемых изотопом в кристалл арсенида галлия, переходные слаболегированные n--типа 2 и р--типа 3 области, субмикронные или нанометровые высоколегированные области р+-типа 4 и n+-типа 5, омические, в том числе локально выполненные контакты 6, а также выполненные в различном исполнении гетерофазные слои 7, 8, 9, в т.ч. с барьером Шоттки и изотопное вещество - 10.

В качестве примера рассмотрим принцип действия квантово-радиационного генератора подвижных носителей заряда и фотонов на основе взаимодействия высокоэнергетичных электронов, излучаемых изотопом 147Pm и p-i-n GaAs структурой, полученной методами жидкофазной эпитаксии. При попадании высокоэнергетичного электрона, излучаемого изотопом 147Pm в кристаллическую решетку полупроводника GaAs, содержащего р-n переход, наблюдается явление генерации электронно-дырочных пар в объеме пространственного заряда физического р-n перехода полупроводника, а также генерации квантов от рентгеновского излучения (X-rays) до фотонов низких энергий вплоть до инфракрасного диапазона с длиной волны ≈ 0,810 мкм, т.е. соответствующей ширине запрещенной зоны «прямоходного» полупроводника GaAs с энергией зоны ΔEq=1,43 эВ.

Таким образом, энергия высокоэнергетичного электрона с длиной волны от длины Де Бройля λ=1,22/Е1/2, где [λ] = нм, а [Е]=эВ, преобразуется в энергию подвижных носителей (электронов и дырок) уровня ≈ 1,43 эВ и выше и, в конечном счете, в энергию излучения, включая оптическое излучение (λ<0,75 мкм) или инфракрасное излучение (λ>0,81 мкм).

В целом различают два типа квантового излучения при пролете изотопных электронов в кристалле GaAs, которое связано с упругими и неупругими взаимодействиями изотопных электронов с орбитальными (атомно-оболочными) электронами и ядром атома: это энергия тормозного движения электрона в кулоновском поле ядра атома с длиной волны λ=1,24/Е, где [λ] = нм, а [Е]=кэВ, т.е. при энергии, допустим, Е=100 кэВ λ=0,0124 нм или = 0,124 Å (ангстрем), что соответствует энергии гамма-квантов рентгеновского излучения с частотой колебаний выше чем 1019 Гц (данный тип излучения строго анизотропен и направлен вдоль оси пролета высокоэнергетичного электрона) и энергии излучения при остальных механизмах рассеяния энергии, точнее, упругого, непругого рассеяния энергии на атомно-орбитальных электронах, когда образуется целый спектр излучаемых квантов (фотонов) в объеме пространственного заряда полупроводника с учетом излучения - 360°, т.е. 2π.

Во втором случае менее энергетичные кванты энергии излучения взаимодействуют с амофотерными примесями Si и атомами Ge, As, имеющими пороговые энергии ионизации соответственно около 0,7 эВ (Si) и около 8,0 эВ (Ga, As), а также с энергией оптических валентных уровней соединения GaAs, что приводит к генерации электронно-дырочных пар в объеме пространственного заряда i-слоя GaAs. Внутри - переходное поле физического р-n перехода соответственно разделяет генерируемые электроны и дырки и направляет их в соответственные n--n+ и р-+ области, где они далее аккумулируются на омических контактах.

В результате на полюсах физического р-n перехода образуется электрический потенциал или, как еще часто его называют, бета - ЭДС (бета - вольтаический эффект). Для усиления данного эффекта генерации неосновных носителей заряда, а также более эффективного квантового излучения фотонов необходимо обеспечить два условия - применение изотопов с большой энергией ≥250 кэВ и большим флюенсом излучения электронов, т.е. их количества на единицу площади р-n перехода. Этим условиям для арсенида галлия удовлетворяют изотопы 113mCd (190 кэВ) и 147Pm (220 кэВ).

Для исключения условий радиационного дефектообразования в i-GaAs слоях целесообразно приповерхностные слои физического р-n перехода выполнять из изотипных гетерофазных систем, таких как Ge - GaAs, ZnTeS, Ni - GaAs (барьер Шоттки) и др., что повысит устойчивость квантово-изотопного генератора и его надежность.

При подаче коротких импульсов высокого обратносмещенного напряжения при длительности импульса не менее длины пробега лавинных носителей в объеме пространственного заряда будет наблюдаться явление взаимодействия высокоэнергетичных электронов, излучаемых изотопом, и генерируемой электронно-дырочной плазмы лавинного процесса при критических электрических полях. В этом случае будет наблюдаться резкое усиление плотности и энергии лавинной электронно-дырочной плазмы, а также явление квантово-генерационного излучения, с подавляющей частью спектра в пограничном оптоинфракрасном диапазоне с энергиями, незначительно превышающими энергии запрещенной зоны арсенида галлия ΔEq=1,43 эВ.

P-i-n GaAs структура изготавливается методом жидкофазной эпитаксии, где эпитаксиальный слой GaAs кристаллизуется из жидких растворов атомов Ga и GaAs (молекула GaAs является источником мышьяка). В процессе жидкофазной эпитаксии кристаллический слой GaAs легируется амфотерными примесными атомами кремния из источника SiO2. Процесс эпитаксиального выращивания происходит в водородной атмосфере в кварцевом реакторе при температуре +750÷800°С. Вследствие того, что амфотерные атомы кремния одновременно замещают в решетке GaAs атомы Ga и As, образуя соответственно глубокие (≥0,7 эВ) донорные и акцепторные уровни, образуется высокоомный i-GaAs эпитаксиальный слой с разностной концентрацией донорной и акцепторной примесей меньше чем 1011см-3.

Физический р-n переход, содержащий область пространственного заряда, находится в пределах эпитаксиальной зоны с разностной концентрацией донорной и акцепторной примеси не более чем 1013/см-3, выше данного уровня концентраций образуются примыкающие к физическому р-n переходу соответствующие пир- области, которые методом механической обработки (шлифовка, полировка) или химико-динамического травления сводятся до размеров от нескольких микрометров до долей микрон. На поверхности n- и р-- областей методами MOCVD выращиваются n+ и р+- слои монокристалла GaAs или изотипные гетеропереходы n+-n- или р+- на основе гетеросистем, таких как: GaAs - Ge, GaAs - AlGaAs, GaAs - ZnTeS, а также методами вакуумного нанесения барьера Шоттки Ni-GaAs и др.

В качестве источников высокоэнергетичных электронов используются такие материалы, как 113mCd, 147Pm, полученные или реакторными способами (в реакторах на быстрых нейтронах), или на циклотронных ускорителях с энергиями электронов до нескольких сотен мегаэлектронвольт. В качестве источников фотонного воздействия оптическими и инфракрасными квантами используется солнечная радиация (солнечный свет).

Моделирование практических результатов эксперимента производилось с помощью облучения готовых p-i-n GaAs тестовых структур высокоэнергетичными электронами растрового электронного микроскопа, имеющего энергии излучения электронов до 80 кэВ и флюенс до 1012см-2.

Результаты эксперимента показали выделение энергии на p-i-n GaAs структурах до 5 мкВт/см2 сек (одностороннее облучение p-i-n GaAs структур, показанное на Фиг. 1). При воздействии высокоэнергетичными электронами на p-i-n GaAs структуру с помощью тепловизора наблюдалось свечение облучаемой поверхности в инфракрасном диапазоне, а при импульсном воздействии обратного напряжения, соответствующего условиям лавинизации носителей заряда в области пространственного заряда, наблюдалось смещение спектра свечения в сторону более коротких волн, т.е. ближе к оптическому свечению.

1. Квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника на основе контактного энерговзаимодействия радиоактивных материалов - изотопов, излучающих электроны с энергиями до 220 килоэлектронвольт и более, с кристаллами кремния с межатомными ковалентными связями, содержащего высоколегированную монокристаллическую подложку n+-типа проводимости, последовательно выполненные на ней высокоомный слой n-типа проводимости и субмикронный по толщине высоколегированный слой р+-типа проводимости, образующие приповерхностный плоский или рельефный р-n переход с встроенной областью пространственного заряда в границах физического р-n перехода, находящегося без воздействия внешне приложенного электрического поля, а также омические контакты к высоколегированным областям обоих типов проводимости, в том числе локально выполненные к облучаемой поверхности кристалла, отличающийся тем, что, с целью резкого повышения эффективности генерации подвижных носителей заряда и фотонов квантового излучения в кристалле, а также повышения устойчивости и надежности р-n перехода к радиационному воздействию излучаемых электронов, полупроводниковый кристалл выполняется из атомно-ионно-связанного с прямым типом межзонного перехода арсенида галлия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии и легированного амфотерными примесными атомами кремния или германия, или теми и другими одновременно, содержащий внутрирасположенный физический р-n переход с встроенной i-областью пространственного заряда, ширина которой не менее длины свободного пробега электронов, излучаемых изотопом в кристалл арсенида галлия, переходные n- и р- области физического р-n перехода с выращенными на них субмикронными или нанометровыми высоколегированными, соответственно однотипными n+- и р+-типа, областями арсенида галлия, при этом приконтактный изотопный материал выполняется как к любой стороне кристалла с р-n переходом, так и одновременно к обеим сторонам кристалла с р-n переходом.

2. Квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника по п. 1, отличающийся тем, что высоколегированные области р-n перехода могут быть выполнены из других радиационно стойких к воздействию электронного облучения полупроводниковых материалов, образующих с соответствующими областями арсенид-галлиевого р-n перехода гетерофазные области изотипного n+-n или р+-р - типа переходов.

3. Квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника по п. 1, отличающийся тем, что на поверхности n- и р- - областей арсенид-галлиевого р-n перехода могут быть выполнены контакты в виде барьера Шоттки с нанометровыми толщинами контактного металла.

4. Квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника по п. 1, отличающийся тем, что одна из сторон арсенид-галлиевого кристалла облучается изотопными электронами, а вторая сторона кристалла облучается квантами солнечного спектра свечения с длиной волны от 0,4 до 5,0 мкм.

5. Квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника по п. 1, отличающийся тем, что на р-n переход подается обратное импульсное напряжение, удовлетворяющее условиям лавинизации носителей заряда в области пространственного заряда с длительностью импульса не менее времени пробега лавинных носителей заряда в неравновесной i-области пространственного заряда.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковым гетероструктурам для изготовления светоизлучающих диодов и фотоэлектрических преобразователей на основе твердых растворов GaPAsN на подложках кремния.
Изобретение относится к фотопроводящим полупроводниковым материалам. Предложен фотопроводящий материал с высокой интенсивностью генерации терагерцового (ТГц) излучения.

Изобретение относится к области светотехники. Узел 100, испускающий свет, содержит первый источник 112 света, второй источник 118 света, первый люминесцентный материал 106, второй люминесцентный материал 116 и окно 102 выхода света.

Изобретение может быть использовано для получения белого света в осветительных устройствах. Осветительное устройство (100) содержит первый твердотельный источник (10) света, выполненный с возможностью подачи УФ-излучения (11) с длиной волны 380-420 нм; второй твердотельный источник (20) света, выполненный с возможностью подачи синего света (21) с длиной волны 440-470 нм; преобразующий длину волны элемент (200), содержащий первый люминесцентный материал (210) и второй люминесцентный материал (220).

Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски, в котором у поверхности алмазного образца формируется собирающая излучение центров окраски оптическая система, состоящая из конуса с круглым основанием из оптического стекла, окружающего конус конического зеркала и собирающей линзы.

Изобретение относится к светодиодной эпитаксиальной пластине и способу ее получения. Предложена неполярная светодиодная эпитаксиальная пластина синего свечения на подложке из алюмината лантана (LAO), содержащая последовательно нанесенные на подложку из LAO слои: буферный слой, выполненный из GaN с неполярной гранью m; первый нелегированный слой, представляющий собой неполярный нелегированный слой из u-GaN; первый легированный слой, представляющий собой неполярную легированную пленку из GaN типа n; слой квантовой ямы, представляющий собой неполярный слой квантовой ямы из InGaN/GaN; электронный инверсионный слой, представляющий собой электронный инверсионный слой из AlGaN с неполярной гранью m; и второй легированный слой, представляющий собой неполярную легированную пленку из GaN p типа.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к светодиодным чипам, используемым в светодиодных осветительных системах. Светодиодный чип включает полупроводниковый светоизлучающий элемент, установленный на основании, содержащем пластину, изготовленную из диэлектрика, а также расположенное поверх указанных светоизлучающего элемента и пластины покрытие из полимерного компаунда, при этом на краевых участках верхней поверхности пластины из диэлектрика вблизи ее боковых сторон сформированы первая и вторая зоны металлизации, а светоизлучающий элемент имеет положительный и отрицательный металлические электрические выводы, один из которых соединен с первой зоной металлизации, а другой соединен со второй зоной металлизации.

Изобретение может быть использовано в осветительных устройствах, блоках фоновой подсветки и средствах отображения информации. Осветительное устройство 100 включает источник 10 света и люминесцирующий материал 20, преобразующий по меньшей мере часть излучения 11 от источника 10 в излучение 51.

Изобретение относится к осветительному устройству, включающему источник света для генерирования излучения источника света и конвертер света. Конвертер включает матрицу из первого полимера.

Изобретение относится к области осветительной техники и касается осветительного блока. Осветительный блок включает в себя источник синего света, источник зеленого света и два источника красного света.

Данное изобретение описывает установочный слой (200) для установки по меньшей мере двух светоизлучающих полупроводниковых устройств. Установочный слой (200) содержит угловой выступ (205) и краевой выступ (210) для выравнивания установочного слоя (200) с охлаждающей структурой. Установочный слой (200) дополнительно содержит выравнивающие отверстия (215), определяющие установочные области (270) для установки светоизлучающих полупроводниковых устройств. Установочный слой (200) обеспечивает возможность, например, изготовления μ-канального охлаждающего устройства с установочными областями (270) посредством одного процесса непосредственного присоединения. Таким образом, могут быть уменьшены допуски. Данное изобретение дополнительно описывает охлаждающую структуру, подобную микроканальному охлаждающему устройству, содержащую установочный слой (200), и светоизлучающую структуру, содержащую охлаждающую структуру. Кроме того, описаны способы изготовления такого установочного слоя (200), охлаждающей структуры и светоизлучающей структуры. Изобретения обеспечивают возможность формирования простого в изготовлении установочного слоя для установки по меньшей мере двух светоизлучающих полупроводниковых устройств с высокой точностью позиционирования. 6 н. и 9 з.п. ф-лы, 10 ил.

Использование: для изготовления микромощных источников электроэнергии и квантового электромагнитного излучения фотонов с различными длинами волн. Сущность изобретения заключается в том, что квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника на основе контактного энерговзаимодействия радиоактивных материалов - изотопов, излучающих электроны с энергиями до 220 килоэлектронвольт и более, с кристаллами кремния с межатомными ковалентными связями содержит высоколегированную монокристаллическую подложку n+-типа проводимости, последовательно выполненные на ней высокоомный слой n-типа проводимости и субмикронный по толщине высоколегированный слой р+-типа проводимости, образующие приповерхностный плоский или рельефный р-n переход с встроенной областью пространственного заряда в границах физического р-n перехода, находящегося без воздействия внешне приложенного электрического поля, а также омические контакты к высоколегированным областям обоих типов проводимости, в том числе локально выполненные к облучаемой поверхности кристалла, с целью резкого повышения эффективности генерации подвижных носителей заряда и фотонов квантового излучения в кристалле, а также повышения устойчивости и надежности р-n перехода к радиационному воздействию излучаемых электронов, полупроводниковый кристалл выполняется из атомно-ионно-связанного с прямым типом межзонного перехода арсенида галлия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии и легированного амфотерными примесными атомами кремния или германия, или теми и другими одновременно, содержащий внутрирасположенный физический р-n переход с встроенной i-областью пространственного заряда, ширина которой не менее длины свободного пробега электронов, излучаемых изотопом в кристалл арсенида галлия, переходные n- и р- области физического р-n перехода с выращенными на них субмикронными или нанометровыми высоколегированными, соответственно однотипными n+- и р+-типа, областями арсенида галлия, при этом приконтактный изотопный материал выполняется как к любой стороне кристалла с р-n переходом, так и одновременно к обеим сторонам кристалла с р-n переходом. Технический результат - обеспечение возможности повышения эффективности генерации подвижных носителей заряда и фотонов квантового излучения в кристалле, а также повышения устойчивости и надежности р-n перехода к радиационному воздействию излучаемых электронов. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.

Наверх