Материал на основе ingaas на подложках inp для фотопроводящих антенн



Материал на основе ingaas на подложках inp для фотопроводящих антенн
Материал на основе ingaas на подложках inp для фотопроводящих антенн
H01L33/30 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Владельцы патента RU 2657306:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) (RU)

Использование: для создания материала фотопроводящих антенн. Сущность изобретения заключается в том, что материал содержит пленку LT-InGaAs, эпитаксиально выращенную при пониженной температуре на подложке InP, отличающийся тем, что используется подложка InP с кристаллографической ориентацией (n11)A, где n=1, 2, 3…; пленка LT-InGaAs легируется примесями с амфотерными свойствами (например, кремнием); выбирается соотношение потоков мышьяка и элементов III группы (галлия и индия) такое, чтобы выращенная пленка LT-InGaAs имела дырочный тип проводимости. Технический результат: обеспечение возможности упрощения технологического процесса и управления диапазоном генерации и приема излучения. 2 ил.

 

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ

Изобретение относится к полупроводниковым материалам группы А3В5 со свойством фотопроводимости и со сверхмалым временем жизни фотовозбужденных носителей заряда (порядка 1 пс), полученным методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Такие материалы могут быть использованы при изготовлении передающих и приемных фотопроводящих антенн для терагерцевого диапазона частот (от 300 ГГц до 4 ТГц).

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

Принцип действия фотопроводящих антенн для генерации сверхкоротких, субпикосекундных импульсов электромагнитного излучения терагерцевого диапазона частот состоит в следующем. Под действием фемтосекундного оптического лазерного возбуждения в материале фотопроводящей антенны рождаются неравновесные носители заряда (электроны и дырки). В области между двумя электродами антенны, к которым приложено напряжение, неравновесные носители заряда создают электрический ток, быстро затухающий во времени из-за рекомбинации электронов и дырок и, вследствие этого, возбуждающий электромагнитные волны терагерцевой частоты. Требования к материалам фотопроводящих антенн следующие: 1) фотовозбужденные носители должны обладать сверхмалым временем жизни (менее 1 пс) для быстрого затухания тока; 2) подвижность носителей заряд должна быть высокой (свыше 1000 см2/(В⋅с)) для обеспечения большой амплитуды тока; 3) в темноте материал должен обладать высоким удельным сопротивлением (от 105 до 107 Ом⋅см) для достижения большого напряжения пробоя и для уменьшения темновых токов и шумов; 4) материал должен обладать хорошим структурным и оптическим совершенством для снижения эффекта рассеяния света при создании интегрированных оптических устройств. Наиболее перспективными материалами для этих приложений являются прямозонные полупроводники группы А3В5, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) при пониженных температурах роста для придания им полуизолирующих свойств, снижения времени жизни неравновесных носителей заряда при сохранении высокого кристаллического совершенства материала [A. Krotkus // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2010. - V. 43. - P. 273001].

Одним из широко используемых и разработанных материалов для фотопроводящих антенн ТГц диапазона частот являются эпитаксиальные пленки LT-GaAs (low temperature GaAs), выращенные в низкотемпературном режиме при температуре 200-300°C. LT-GaAs обладает ультракоротким временем жизни фотовозбужденных носителей заряда, большим темновым удельным сопротивлением и относительно высокой подвижностью электронов [Е.А.Р. Prieto, S.A.B. Vizcara, A.S. Somintac et al. // Journal of the Optical Society of America B. - 2014. - V. 31. - Is. 2. - P. 291]. Это обеспечивается формированием в LT-GaAs точечных дефектов типа Asoa (атомы мышьяка в узлах Ga кристаллической решетки GaAs) и Vca (вакансии Ga) [A. Krotkus, К. Bertulis, L. Dapkus et al. // Appl. Phys. Lett. - 1999. - V. 75 (21). - P. 3336-3338]. Как правило, пленки LT-GaAs в устройствах легируют акцепторными атомами Be, которые компенсируют донорные состояния дефектов в LT-GaAs, одновременно увеличивая сопротивление пленок и снижая время релаксации носителей заряда. Из-за высокой токсичности Be использование его при МЛЭ требует дополнительных мер безопасности. Кроме того, наличие в установке МЛЭ источника Be приводит к повышению фоновой примеси p-типа, что отрицательно сказывается на качестве других гетероструктур, выращиваемых в используемой установке эпитаксии.

Одним из основных недостатков фотопроводящих антенн на основе LT-GaAs является большая ширина запрещенной зоны (1.4 эВ). Это обстоятельство ограничивает выбор фемтосекундных лазерных источников, способных работать с такой антенной, в основном до Ti : сапфирового лазера (~800 нм). Поэтому в последнее время стала актуальной задача разработки таких фотопроводящих материалов, которые способны работать с более удобными и недорогими лазерами, используемых в линиях волоконной связи (1.3 и 1.55 мкм) и которые в то же время обладают всеми достоинствами LT-GaAs, указанными выше.

К таким материалам можно отнести LT-InGaAs, ширина запрещенной зоны которого может быть уменьшена до необходимой величины (0.7 эВ) путем увеличения содержания индия до ~50%. Из-за малой ширины запрещенной зоны нелегированные низкотемпературные пленки LT-InGaAs обладают большой собственной концентрацией электронов (~1017 см-2) и, следовательно, низким темновым сопротивлением, что усложняет их использование для фотопроводящих терагерцевых антенн. Поэтому одной из проблем в этой области является разработка технологических условий получения пленок LT-InGaAs, обеспечивающих высокое удельное сопротивление и быструю динамику фотовозбужденных носителей заряда.

Анализ современного состояния этой проблемы показывает, что разработки LT-InGaAs сосредоточены в следующих направлениях:

1) Облучение пленок InGaAs тяжелыми ионами, например, Br [J. Mangeney, N. Chimot, L. Meignien, N. Zerounian, P. Crozat, K. Blary et al. // Optic Express. 2007. V. 15. N. 14. P. 8943; J. Mangeney, F. Meng, D. Gacemi, E. Peytavit, J.F. Lampin, T. Akalin // Appl. Phys. Lett. - 2010. - V. 97. - P. 161109] или Fe [M. Suzuki, M. Tonouchi // Appl. Phys. Lett. - 2005 - V. 86. - P. 051104]. За счет использования ионов Br+ с энергией до 10 МэВ при дозе легирования до 1012 см-2 в пленках InGaAs создают высокую плотность точечных дефектов, которые, вместе с имплантированными примесями, придают пленкам InGaAs полуизолирующие свойства. К недостаткам этого метода относится чрезмерное повреждение кристаллической структуры InGaAs бомбардирующими атомами, а также необходимость дополнительных операций ионной имплантации и послеимплантационного высокотемпературного отжига для получения пленок с желаемыми свойствами.

2) Легирование пленок LT-InGaAs в процессе МЛЭ акцепторными атомами Fe [C.D. Wood, О. Hatem, J.E. Cunningham, E.H. Linfield et al. // Appl. Phys. Lett. - 2010. - V. 96. - P. 194104] или Be [N. Kim, S.P. Han et al. // Optic Express. -2011. - V. 19. - P. 15397]. Внедрение Fe или Be в InGaAs приводит к увеличению удельного сопротивления из-за создания центров рассеяния и компенсации собственных носителей, а также значительному уменьшению времени жизни носителей заряда за счет внесения глубоких акцепторных состояний в запрещенной зоне материала. Однако использование в установке МЛЭ молекулярного источника бериллия требует соблюдения дополнительных мер безопасности, так как бериллий является веществом 1 класса опасности [Предельно допустимые концентрации вредных веществ в воздухе рабочей зоны: гигиенические нормативы ГН 2.2.5.1313-03: утв. Главным государственным санитарным врачом РФ 27.04.2003: введ. в действие 30.04.2003. - М., 2003]. Кроме того, наличие источника бериллия в установке МЛЭ приводит к повышению фоновой примеси p-типа во всех гетероструктурах, в дальнейшем выращиваемых в такой установке.

3) Внедрение в процессе МЛЭ в эпитаксиальные пленки LT-InGaAs периодически расположенных наноразмерных островков ErAs толщиной 0,2-2 монослоя (структуры ErAs : InGaAs). Островки ErAs, расположенные периодически в слоях LT-InGaAs, выступают в роли ловушек электронов, приводя к повышению темнового сопротивления материала и снижению времени жизни фотовозбужденных носителей [D.C. Driscoll, М. Hanson, С. Kadow, А.С. Gossard // Appl. Phys. Lett. - 2001. - V. 78. N. 12. - P. 1703; A. Schawagmann, Z.Y. Shao et al. // Appl. Phys. Lett. - 2010. - V. 96. - P. 141108; F. Ospald, D. Maryenko, K. von Klitzing et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 131117]. К недостаткам данного метода относится требование наличия в установке МЛЭ довольно редкого молекулярного источника Er.

Общими чертами перечисленных материалов являются: 1) высокая плотность точечных дефектов, обеспечиваемая низкотемпературным ростом или ионной имплантацией, и 2) наличие акцепторных примесей Be, Fe, Br, обеспечивающих компенсацию электрически активных точечных дефектов. Глубокие уровни в запрещенной зоне InGaAs обеспечивают сверхмалое время жизни (менее 1 пс) фотовозбужденных электронов в InGaAs за счет быстрого захвата фотовозбужденных электронов и дырок. Но для осуществления захвата электрона эти уровни должны быть незаполненными, что обеспечивается за счет введения в InGaAs акцепторных атомов. Наиболее близким по технической сущности и принятым за прототип является материал, описанный в [A. Takazato, М. Kamakura, Т. Matsui et al. // Appl. Phys. Lett. - 2007. - V. 90. - P. 101119]. В этой работе описываются пленки LT-InGaAs толщиной от 1 до 2 мкм, выращенные методом МЛЭ при температурах от 180 до 280°C на подложке InP с кристаллографической ориентацией (100), используемые для получения фотопроводящих антенн. Пленка LT-InGaAs была легирована атомами бериллия с концентрацией 7⋅1017 см-3 и более. Недостатком этого материала является необходимость использования молекулярного источника бериллия в установке МЛЭ.

РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Основная особенность предлагаемого в настоящем изобретении материала заключается в следующем. При использовании для легирования AIII-BV полупроводников примесей, обладающих амфотерными свойствами, то есть способных проявлять либо донорные, либо акцепторные свойства в зависимости от занимаемого узла кристаллической решетки, возможно получение пленок как с n-, так и с p-типом проводимости при МЛЭ росте на подложках с полярной ориентацией (n11)A, где n - натуральное число, как это экспериментально подтверждено для случая роста GaAs на подложках GaAs с ориентацией (111) A [G.B. Galiev, V. Kaminskii, D. Milovzorov, L. Velihovskii, V.G. Mokerov // Semicond. Sci. Technol. - 2002. - V. 17. N. 2. - P. 120-123; L. Pavesi, F. Pizza, M. Henini, I. Harrison // Semicond. Sci. Technol. - 1993. - V. 8. - P. 167]. Для полупроводников AIII-BV такой примесью является кремний Si. Тип проводимости эпитаксиальной пленки будет зависеть от того, какие узлы кристаллической решетки - узлы элементов III (Ga, In) или V (As) группы занимают атомы Si. Управление осаждением атомов легирующей примеси на те или иные узлы кристаллической решетки производится с помощью изменения соотношения потоков молекул мышьяка и элементов III группы (Ga+In), а также концентрации легирующей примеси. Таким образом, эпитаксиальный рост на подложках с ориентацией (n11)A позволяет контролируемо получать пленки с n- и p-типом проводимости, а также компенсированные слои.

Задачей предлагаемого изобретения является получение материала для фотопроводящих антенн, который мог бы заменить пленки LT-InGaAs: 1) имплантированные ионами Br или Fe, 2) легированные Fe или Be во время эпитаксиального роста, 3) с периодическими слоями ErAs внутри InGaAs. Предлагаемый материал обладает сравнимыми значениями времени жизни фотовозбужденных носителей заряда и удельного темнового сопротивления. Техническим результатом настоящего изобретения является упрощение технологического процесса эпитаксиального выращивания LT-InGaAs для фотопроводящих антенн, а также обеспечение возможности технологического управления диапазоном генерации и приема ТГц электромагнитного излучения. Упрощение технологии МЛЭ заключается в отсутствии необходимости использования: 1) источника токсичного бериллия в установке МЛЭ, 2) дополнительного молекулярного источника Er, 3) дополнительных операций ионного легирования и последующего отжига.

Технический результат достигается за счет того, что для эпитаксиальной пленки LT-InGaAs, выращиваемой на подложке InP с кристаллографической ориентацией (n11)A, где n=1, 2, 3… существует возможность, подобрав соотношение потоков мышьяка (As) и элементов III группы (Ga и In), добиться того, чтобы большая часть фоновых (ненамеренных) или легирующих примесей (например, атомов кремния) управляемо являлась акцепторами. Такое поведение атомов примесей, осаждаемых на поверхность InGaAs на подложках InP с ориентацией (n11)А, связано с сильным проявлением свойства амфотерности атомов кремния на подложках соединений А3В5 с ориентацией (111)А: они могут занимать как узлы элементов III группы (In, Ga), так и узлы элементов V группы (As) в кристаллической решетке InGaAs. Доля примесных атомов, занимающих узлы мышьяка, определяется соотношением потоков мышьяка и элементов III группы (Ga, In) в процессе эпитаксиального роста и влияет на проводимость эпитаксиальной пленки InGaAs. В результате акцепторные уровни атомов кремния компенсируют состояния точечных дефектов низкотемпературного InGaAs, которые будут функционировать как эффективные ловушки фотовозбужденных электронов. Это приводит к тому, что время жизни фотовозбужденных носителей заряда и темновое удельное сопротивление пленки LT-InGaAs окажутся сравнимыми с аналогичными параметрами пленки LT-InGaAs, эпитаксиально выращенной на подложке InP (100) и легированной атомами бериллия. Таким образом, внедрение в пленку LT-InGaAs вышеуказанных акцепторных примесей заменяется легированием амфотерной примесью (например, кремнием) при использовании подложек InP с кристаллографической ориентацией (n11)A и при выборе оптимального соотношения потоков мышьяка и галлия.

Путем изменения концентрации атомов кремния и потока мыщьяка можно регулировать концентрацию ионизированных дефектов в LT-InGaAs и тем самым регулировать время жизни фотовозбужденных носителей заряда.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

На фиг. 1 представлены результаты измерения зависимости напряженности Е электромагнитного поля, генерируемого слоями LT-InGaAs, выращенными на подложках InP с ориентацией (100), от времени после возбуждения LT-InGaAs импульсом накачки эрбиевого лазера. Измерения выполнены методом терагерцевой спектроскопии временного разрешения.

На фиг. 2 представлены результаты измерения зависимости напряженности Е электромагнитного поля, генерируемого слоями LT-InGaAs, выращенными на подложках InP с ориентацией (411)А, от времени после возбуждения LT-InGaAs импульсом накачки эрбиевого лазера.

ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Изобретение заключается в том, что методами эпитаксии выращивается пленка LT-InGaAs толщиной от 0,1 до 5 мкм при температуре роста от 200 до 350°C. При этом:

1) пленка LT-InGaAs выращивается на подложке InP с кристаллографической ориентацией (n11)A, где n - натуральное число;

2) пленка LT-InGaAs легируется атомами кремния с концентрацией от 1017 см-3 и выше;

3) выбирается соотношение потоков мышьяка и галлия такое, чтобы выращенная пленка LT-InGaAs имела дырочный тип проводимости или была непроводящей (компенсированный тип проводимости).

Пленка LT-InGaAs может быть выращена методами МЛЭ или газовой эпитаксии из металлоорганических соединений.

Для подтверждения возможности получения заявленного технического результата были получены пленки LT-InGaAs методом МЛЭ. Для сравнения эпитаксиальный рост проводился одновременно на двух подложках InP: (100) и (411)А. Соотношение потоков элементов V и III групп составляло 29, температура роста LT-InGaAs слоев составляла 200°C. После роста образцы подвергались отжигу в камере роста установки МЛЭ в потоке молекул As4 при температуре 500°C в течение 1 часа. Толщины выращенных пленок составили 1 мкм.

Измерения генерации терагерцевого электромагнитного излучения в слоях LT-InGaAs после возбуждения фемтосекундным лазерным импульсом проводились методом терагерцовой спектроскопии с временным разрешением при накачке эрбиевым лазером. После межзонного поглощения излучения накачки фотовозбужденные электроны и дырки под действием встроенных в структуру электрических полей формируют переменный электрический ток. Характерный масштаб скорости изменения этого тока - время жизни неравновесных носителей в LT-InGaAs. Переменный ток приводил к генерации электромагнитного излучения. На фиг. 1 и 2 приведено сравнение измеренных временных зависимостей напряженности генерируемого LT-InGaAs электромагнитного поля для структур на различных подложках. ТГц сигналы излучения состоят из двух полос приблизительно одинаковой формы и амплитуды, отстоящих друг от друга по времени. Вторая полоса, наблюдаемая через ~10 пс после первой, связана с отражением лазерной накачки от задней стороны подложки InP толщиной 400 мкм и с последующей генерацией ТГц излучения в геометрии вперед. Из фиг. 2 видно, что образец, выращенный на подложке InP ориентации (411)А, генерирует ТГц излучение с амплитудой примерно в 2 раза больше, чем образец на подложке InP (100). По интенсивности излучения генерация на подложках InP (411)А примерно в 4 раза эффективнее, чем на подложках InP (100).

Материал для фотопроводящих антенн, содержащий пленку LT-InGaAs, эпитаксиально выращенную при пониженной температуре на подложке InP, отличающийся тем, что используется подложка InP с кристаллографической ориентацией (n11)A, где n=1, 2, 3…; пленка LT-InGaAs легируется примесями с амфотерными свойствами (например, кремнием); выбирается соотношение потоков мышьяка и элементов III группы (галлия и индия) такое, чтобы выращенная пленка LT-InGaAs имела дырочный тип проводимости.



 

Похожие патенты:

Данное изобретение описывает установочный слой (200) для установки по меньшей мере двух светоизлучающих полупроводниковых устройств. Установочный слой (200) содержит угловой выступ (205) и краевой выступ (210) для выравнивания установочного слоя (200) с охлаждающей структурой.

Использование: для изготовления микромощных источников электроэнергии и квантового электромагнитного излучения фотонов с различными длинами волн. Сущность изобретения заключается в том, что квантово-радиоизотопный генератор подвижных носителей заряда и фотонов в кристаллической решетке полупроводника на основе контактного энерговзаимодействия радиоактивных материалов - изотопов, излучающих электроны с энергиями до 220 килоэлектронвольт и более, с кристаллами кремния с межатомными ковалентными связями содержит высоколегированную монокристаллическую подложку n+-типа проводимости, последовательно выполненные на ней высокоомный слой n-типа проводимости и субмикронный по толщине высоколегированный слой р+-типа проводимости, образующие приповерхностный плоский или рельефный р-n переход с встроенной областью пространственного заряда в границах физического р-n перехода, находящегося без воздействия внешне приложенного электрического поля, а также омические контакты к высоколегированным областям обоих типов проводимости, в том числе локально выполненные к облучаемой поверхности кристалла, с целью резкого повышения эффективности генерации подвижных носителей заряда и фотонов квантового излучения в кристалле, а также повышения устойчивости и надежности р-n перехода к радиационному воздействию излучаемых электронов, полупроводниковый кристалл выполняется из атомно-ионно-связанного с прямым типом межзонного перехода арсенида галлия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии и легированного амфотерными примесными атомами кремния или германия, или теми и другими одновременно, содержащий внутрирасположенный физический р-n переход с встроенной i-областью пространственного заряда, ширина которой не менее длины свободного пробега электронов, излучаемых изотопом в кристалл арсенида галлия, переходные n- и р- области физического р-n перехода с выращенными на них субмикронными или нанометровыми высоколегированными, соответственно однотипными n+- и р+-типа, областями арсенида галлия, при этом приконтактный изотопный материал выполняется как к любой стороне кристалла с р-n переходом, так и одновременно к обеим сторонам кристалла с р-n переходом.

Изобретение относится к полупроводниковым гетероструктурам для изготовления светоизлучающих диодов и фотоэлектрических преобразователей на основе твердых растворов GaPAsN на подложках кремния.
Изобретение относится к фотопроводящим полупроводниковым материалам. Предложен фотопроводящий материал с высокой интенсивностью генерации терагерцового (ТГц) излучения.

Изобретение относится к области светотехники. Узел 100, испускающий свет, содержит первый источник 112 света, второй источник 118 света, первый люминесцентный материал 106, второй люминесцентный материал 116 и окно 102 выхода света.

Изобретение может быть использовано для получения белого света в осветительных устройствах. Осветительное устройство (100) содержит первый твердотельный источник (10) света, выполненный с возможностью подачи УФ-излучения (11) с длиной волны 380-420 нм; второй твердотельный источник (20) света, выполненный с возможностью подачи синего света (21) с длиной волны 440-470 нм; преобразующий длину волны элемент (200), содержащий первый люминесцентный материал (210) и второй люминесцентный материал (220).

Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски, в котором у поверхности алмазного образца формируется собирающая излучение центров окраски оптическая система, состоящая из конуса с круглым основанием из оптического стекла, окружающего конус конического зеркала и собирающей линзы.

Изобретение относится к светодиодной эпитаксиальной пластине и способу ее получения. Предложена неполярная светодиодная эпитаксиальная пластина синего свечения на подложке из алюмината лантана (LAO), содержащая последовательно нанесенные на подложку из LAO слои: буферный слой, выполненный из GaN с неполярной гранью m; первый нелегированный слой, представляющий собой неполярный нелегированный слой из u-GaN; первый легированный слой, представляющий собой неполярную легированную пленку из GaN типа n; слой квантовой ямы, представляющий собой неполярный слой квантовой ямы из InGaN/GaN; электронный инверсионный слой, представляющий собой электронный инверсионный слой из AlGaN с неполярной гранью m; и второй легированный слой, представляющий собой неполярную легированную пленку из GaN p типа.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к светодиодным чипам, используемым в светодиодных осветительных системах. Светодиодный чип включает полупроводниковый светоизлучающий элемент, установленный на основании, содержащем пластину, изготовленную из диэлектрика, а также расположенное поверх указанных светоизлучающего элемента и пластины покрытие из полимерного компаунда, при этом на краевых участках верхней поверхности пластины из диэлектрика вблизи ее боковых сторон сформированы первая и вторая зоны металлизации, а светоизлучающий элемент имеет положительный и отрицательный металлические электрические выводы, один из которых соединен с первой зоной металлизации, а другой соединен со второй зоной металлизации.

Изобретение может быть использовано в осветительных устройствах, блоках фоновой подсветки и средствах отображения информации. Осветительное устройство 100 включает источник 10 света и люминесцирующий материал 20, преобразующий по меньшей мере часть излучения 11 от источника 10 в излучение 51.

Использование: для создания светоизлучающего устройства. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает в себя выращивание полупроводниковой структуры на подложке, которая включает в себя алюминийсодержащий слой в непосредственном контакте с подложкой и III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. Способ дополнительно включает в себя удаление подложки и прозрачный материал в непосредственном контакте с алюминийсодержащим слоем. Технический результат: обеспечение возможности создания светоизлучающего устройства с улучшенным извлечением света. 1 н. и 11 з.п. ф-лы, 8 ил.

Использование: для создания материала фотопроводящих антенн. Сущность изобретения заключается в том, что материал содержит пленку LT-InGaAs, эпитаксиально выращенную при пониженной температуре на подложке InP, отличающийся тем, что используется подложка InP с кристаллографической ориентацией A, где n1, 2, 3…; пленка LT-InGaAs легируется примесями с амфотерными свойствами ; выбирается соотношение потоков мышьяка и элементов III группы такое, чтобы выращенная пленка LT-InGaAs имела дырочный тип проводимости. Технический результат: обеспечение возможности упрощения технологического процесса и управления диапазоном генерации и приема излучения. 2 ил.

Наверх