Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относитья к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. Технология способа состоит в следующем: исходным материалом служили подложки GaAs. Скрытый р+-слой формировали с помощью внедрения ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере водорода Н2. Для уменьшения паразитного сопротивления p-n-переходов ионное внедрение Be выполняли через двухслойную Mo-Au маску, закрывающую участки для формирования контактных площадок истока и стока. Затем наращивали активный n-слой и формировали на нем области стока, истока и канала полупроводникового прибора по стандартной технологии. Скрытый р+-слой выполняет функции затвора. Изобретение обеспечивает снижение токов утечки, повышение технологичности и процента выхода годных. 1 табл.

 

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент США №5362677, МКИ H01L 21/338]. Перед нанесением электрода затвора в активных слоях формируется сужающаяся к низу канавка со ступенчатыми стенками, при этом электрод затвора наносится на дно канавки через нависающие края образованной таким образом маски.

В таких полупроводниковых приборах из-за низкой технологичности процессов формирования электрода затвора образуется большое количество дефектов, которые ухудшают параметры приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент США №5296398, МКИ H01L 21/338] с пониженным сопротивлением истока. Структура с WSi - затвором на легированной канальной области покрывается слоем SiON, который травлением удаляется со стороны истока. Проводится ионная имплантация с образованием глубокой области стока и мелкой стоковой области с относительно меньшим уровнем легирования и отдельным от электрода затвора участком канала.

Недостатками способа являются: повышенные значения токов утечек; низкая технологичность, высокая дефектность.

Задача изобретения: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.

Задача решается путем создания под областями стока, истока и канала скрытого р+-слоя внедрением ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере водорода Н2.

Технология способа состоит в следующем: исходным материалом служили подложки GaAs. Скрытый р+-слой формировали с помощью внедрения ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере водорода H2. Для уменьшения паразитного сопротивления p-n-переходов ионное внедрение Be выполняли через двухслойную Mo-Au маску, закрывающую участки для формирования контактных площадок истока и стока. Затем наращивали активный n-слой и формировали на нем области стока, истока и канала полупроводникового прибора по стандартной технологии. Скрытый р+-слой выполняет функции затвора.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных приборов, изготовленных в оптимальных режимах, увеличился на 22,7%.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном диапазоне температур соответствовала требованиям.

Технический результат: снижение тока утечки, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем создания под областями стока, истока и канала скрытого р+-слоя внедрением ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере водорода Н2, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающего подложку, процессы ионного легирования, термический отжиг, формирование активных областей истока, стока и канала, отличающийся тем, что затвор выполняют путем создания скрытого p+-слоя внедрением ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°C в течение 20 мин в атмосфере водорода H2.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления диэлектрической изоляции с низкими токами утечек.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярных транзисторов с высоким коэффициентом усиления.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления легированных областей с пониженной дефектностью.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу изготовления электрически изолированных резисторов микросхем на арсениде галлия с высокой термостабильностью.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным контактным сопротивлением.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковой структуры кремний на диэлектрике с низкой плотностью дефектов.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства электронных приборов на карбиде кремния (SiC), например, МДП транзисторов с улучшенными рабочими характеристиками.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с повышенной стабильностью параметров.

Изобретение относитья к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. Технология способа состоит в следующем: исходным материалом служили подложки GaAs. Скрытый р+-слой формировали с помощью внедрения ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см-2, вторая стадия с энергией 350 кэВ, дозой 3*1015 см-2 и с последующим отжигом при температуре 800°С в течение 20 мин в атмосфере водорода Н2. Для уменьшения паразитного сопротивления p-n-переходов ионное внедрение Be выполняли через двухслойную Mo-Au маску, закрывающую участки для формирования контактных площадок истока и стока. Затем наращивали активный n-слой и формировали на нем области стока, истока и канала полупроводникового прибора по стандартной технологии. Скрытый р+-слой выполняет функции затвора. Изобретение обеспечивает снижение токов утечки, повышение технологичности и процента выхода годных. 1 табл.

Наверх