Композиция химического механического полирования для полирования поверхности сапфира и способы ее применения



Композиция химического механического полирования для полирования поверхности сапфира и способы ее применения
Композиция химического механического полирования для полирования поверхности сапфира и способы ее применения
Композиция химического механического полирования для полирования поверхности сапфира и способы ее применения
Композиция химического механического полирования для полирования поверхности сапфира и способы ее применения
Композиция химического механического полирования для полирования поверхности сапфира и способы ее применения
H01L21/02013 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]
B24B1/00 - Станки, устройства или способы для шлифования или полирования (шлифование зубчатых колес B23F, винтовой резьбы B23G 1/36, путем электроэрозионной обработки B23H; путем пескоструйной обработки B24C, инструменты для шлифования, полирования и заточки B24D; полирующие составы C09G 1/00; абразивные материалы C09K 3/14; электролитическое травление или полирование C25F 3/00, устройства для шлифования уложенных рельсовых путей E01B 31/17); правка шлифующих поверхностей или придание им требуемого вида; подача шлифовальных, полировальных или притирочных материалов

Владельцы патента RU 2661219:

РОМ ЭНД ХААС ЭЛЕКТРОНИК МАТИРИАЛЗ СиЭмПи ХОЛДИНГЗ, ИНК. (US)
НИТТА ХААС ИНКОРПОРЕЙТЕД (JP)

Изобретение относится к композиции химического механического полирования для обработки наружной сапфировой поверхности и способу полирования сапфировой подложки. Предлагается способ полирования наружной сапфировой подложки с использованием полирующей суспензии, содержащей в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности и где коллоидный диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм. Полирующая суспензия может дополнительно содержать пестицид, или неионный пеногаситель, или pH-регулятор. Изобретение обеспечивает высокую скорость выравнивания поверхности сапфировых пластин (подложек), в результате чего удаляются поверхностные дефекты, царапины, испорченные слои. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 табл.

 

Настоящее изобретение относится к композиции химического механического полирования для полирования наружной сапфировой поверхности и к способу полирования сапфировой подложки. Более конкретно, настоящее изобретение относится к способу полирования сапфировой подложки с использованием химической механической полирующей суспензии, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива имеет отрицательный заряд поверхности; и где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм; и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм; пестицид; необязательно, неионный пеногаситель и, необязательно, регулятор pH.

Единственная кристаллическая форма оксида алюминия (сапфира) обладает исключительными оптическими, механическими и химическими свойствами. Как следствие сапфир нашел широкое применение в различных электронных и оптических устройствах.

Сапфир имеет ромбоэдральную кристаллическую структуру и высокую анизотропию. Показываемые свойства зависят от кристаллографической ориентации. Соответственно, сапфировые тонкие пластины, используемые в обработке полупроводников, обычно режут вдоль конкретной кристаллографической оси в зависимости от конечного применения. Например, сапфировые подложки С-плоскости режут вдоль плоскости нулевого градуса. Сапфировые подложки С-плоскости имеют особую применимость в способах, содержащих рост III-V и II-VI соединений (например, GaN для получения голубых светодиодов и лазерных диодов).

Благодаря тому, что последующая обработка (например, металлизация) требует, чтобы сапфировые тонкие пластины имели ровную поверхность, сапфировые тонкие пластины необходимо выравнивать. Выравнивание используется для удаления нежелательной поверхностной топографии и поверхностных дефектов, таких как грубые поверхности, агломерированные материалы, разрушение кристаллической решетки, царапины и испорченные слои и материалы.

Химическое механическое выравнивание, или химическое механическое полирование ((ХМП)(СМР)) является общеизвестной технологией, используемой для выравнивания подложек, таких как полупроводниковые тонкие пластины. В традиционном ХМП тонкая пластина устанавливается на узел держателя и располагается в контакте с полирующей подушкой в ХМП-устройстве. Узел держателя обеспечивает регулируемое давление на тонкую пластину и прижимает ее к полирующей подушке. Подушка перемещается (например, вращается) относительно тонкой пластины внешней движущей силой. Одновременно с этим полирующая композиция («суспензия») или другой полирующий раствор обеспечивается между тонкой пластиной и полирующей подушкой. Таким образом, поверхность тонкой пластины полируется и выравнивается химическим и механическим действием поверхности подушки и суспензии.

Тогда как свойства сапфира обеспечивают множественные преимущества конечных применений, твердость сапфира и его стойкость к химическому воздействию делает сложным эффективное полирование и выравнивание.

Одна полирующая композиция для полирования поверхностей сапфира рассматривается в опубликованной заявке на патент США №20090104851 (Cherian et al.). Последние рассматривают композицию химического механического полирования для полирования сапфира, которая (композиция) содержит смесь первого типа абразивных частиц и второго типа абразивных частиц, диспергированную в водной среде, где первый тип абразивных частиц является тверже полируемой поверхности, а второй тип абразивных частиц имеет твердость, которая является мягче полируемой поверхности.

Другая полирующая композиция для полирования поверхностей сапфира рассматривается в опубликованной заявке на патент США №20060196849 (Moeggenborg et al.). Последние рассматривают композицию и способ полирования сапфировых поверхностей, включающий: полирование сапфировой поверхности, такой как С-плоскость или R-плоскость сапфировой тонкой пластины, полирующей суспензией, содержащей абразивное количество неорганического абразивного материала, такого как коллоидный диоксид кремния, суспендированный в водной среде, содержащей соединение соли, растворенное в ней, где водная среда имеет основный pH и содержит соединение соли в количестве, достаточном для улучшения скорости удаления сапфира по сравнению со скоростью, достигаемой в таких же условиях полирования с использованием такого же неорганического абразива при отсутствии соединения соли.

Тем не менее, сохраняется постоянная потребность в композициях химического механического полирования и способах, предназначенных для обеспечения желаемого баланса свойств полирования, чтобы соответствовать необходимым изменениям разработки, включая высокие скорости удаления сапфира (т.е. ≥14000 Å/ч).

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH>8-12, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: диоксид кремния в качестве абразива, где диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности; и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм; необязательно, пестицид; необязательно, неионный пеногаситель; и, необязательно, рН-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥14000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH>8-12, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: 10-40% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности; и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм; необязательно, пестицид; необязательно, неионный пеногаситель; и, необязательно, pH-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥14000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH>8-12, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности; и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 185 нм; необязательно, пестицид; необязательно, неионный пеногаситель; и, необязательно, pH-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥14000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH>8-12, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-25 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 90-110 нм; где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния; пестицид; 0,2-1,5% масс. неионного пеногасителя, где неионный пеногаситель представляет собой кремнийсодержащий пеногаситель; и, необязательно, pH-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥15000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pY 9-10, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-21 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм; где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния; где химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05% масс. неионного пеногасителя, где неионный пеногаситель представляет собой кремнийсодержащий пеногаситель; пестицид; и, необязательно, pH-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH 9-10, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 14-16 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм; где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния; где химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05% масс. неионного пеногасителя, где неионный пеногаситель представляет собой кремнийсодержащий пеногаситель; пестицид; и, необязательно, pH-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH 9-10, где химическая механическая полирующая суспензия состоит из коллоидного диоксида кремния в качестве абразива; неионного пеногасителя; пестицида; и необязательно pH-регулятора, где химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-21 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм; где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния; где химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05% масс. неионного пеногасителя, где неионный пеногаситель представляет собой кремнийсодержащий пеногаситель; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH 9-10, где химическая механическая полирующая суспензия состоит из коллоидного диоксида кремния в качестве абразива; неионного пеногасителя; пестицида; и необязательно pH-регулятора, где химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 14-16 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм; где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния; где химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05% масс. неионного пеногасителя, где неионный пеногаситель представляет собой кремнийсодержащий пеногаситель; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает химическую механическую полирующую суспензию для полирования наружной сапфировой поверхности, которая (суспензия) содержит в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности; и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм; неионный полидиметилсилоксансодержащий пеногаситель; необязательно, пестицид; и, необязательно, pH-регулятор.

Подробное описание изобретения

Заявителем разработана уникальная композиция химического механического полирования и способ полирования сапфира, имеющего наружную сапфировую поверхность, с использованием химической механической полирующей суспензии, которая показывает синергическую скорость удаления сапфира. В частности, Заявителем разработан способ химического механического полирования подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность, с использованием химической механической полирующей суспензии, содержащей коллоидный диоксид кремния в качестве абразива и, необязательно, неионный пеногаситель, где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива имеет многомодальное распределение частиц по размеру, где многомодальное распределение частиц по размеру содержит комбинацию частиц, образующих первый вариант с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и второй вариант со вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм, где комбинация частиц, образующих первый вариант, с частицами, образующими второй вариант, показывает первую скорость удаления сапфира синергически, и где комбинация необязательного неионного пеногасителя с коллоидным диоксидом кремния в качестве абразива, имеющего многомодальное распределение частиц по размеру, показывает вторую скорость удаления сапфира синергически, где химическая механическая полирующая суспензия показывает улучшенную скорость удаления сапфира (т.е. ≥14000 Å/ч) в условиях полирования, как описано здесь в примерах.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения содержит (состоит из) в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива имеет отрицательный заряд поверхности при диспергировании отдельно в деионизированной воде, и где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива показывает многомодальное распределение частиц по размеру (предпочтительно, бимодальное распределение частиц по размеру) с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм); пестицид (предпочтительно, где пестицидом является пероксид водорода); необязательно, неионный пеногаситель (предпочтительно, 0,1-2,0% масс., более предпочтительно, 0,2-1,5% масс., наиболее предпочтительно, 0,45-1,05% масс.) (предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный силиконсодержащий пеногаситель, более предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный полидиметилсилоксансодержащий пеногаситель); и, необязательно, pH-регулятор.

Предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, используемый в химической механической полирующей суспензии для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения, показывает отрицательный заряд поверхности при диспергировании отдельно в деионизированной воде перед объединением с другими компонентами химической механической полирующей суспензии.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения содержит 5-45% масс. (предпочтительно, 10-30% масс., более предпочтительно, 15-25% масс., наиболее предпочтительно, 18-22% масс.) коллоидного диоксида кремния в качестве абразива. Предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива показывает многомодальное распределение частиц по размеру (предпочтительно, бимодальное распределение частиц по размеру) с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм). Более предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 2-25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 75-200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм). Более предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 2-25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 75-200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм), где химическая механическая полирующая суспензия содержит 1-25% масс. (предпочтительно, 1-15% масс., более предпочтительно, 1-10% масс., наиболее предпочтительно, 3-5% масс.) первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения содержит 0,0001-1% масс. пестицида. Более предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,001-0,01% масс. (наиболее предпочтительно, 0,004-0,006% масс.) пестицида. Предпочтительно, где пестицидом является пероксид водорода.

Химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения содержит 0-5% масс. неионного пеногасителя. Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,1-2,0% масс. (более предпочтительно, 0,2-1,5% масс., наиболее предпочтительно, 0,45-1,05% масс.) неионного пеногасителя. Предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный кремнийсодержащий пеногаситель. Более предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный полидиметилсилоксансодержащий пеногаситель (например, силиконсодержащий пеногаситель HS-06 от Senka Corporation).

Предпочтительно, водой, содержащейся в химической механической полирующей суспензии для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения, является, по меньшей мере, одна из деионизированной воды и дистиллированной воды для ограничения случайных примесей.

Химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения обеспечивает действенность свыше pH>8-12. Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия обеспечивает действенность свыше pH 8,5-10,5. Кислоты, подходящие для использования для регулирования рН химической механической полирующей суспензии включают в себя, например, азотную кислоту, серную кислоту и хлористоводородную кислоту. Основания, подходящие для использования для регулирования рН химической механической полирующей суспензии включают в себя, например, гидроксид аммония и гидроксид калия.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения показывает скорость удаления сапфира в условиях полирования, как описано здесь в примерах, ≥14000 Å/ч (предпочтительно, ≥15000 Å/ч, более предпочтительно, ≥20000 Å/ч, наиболее предпочтительно, ≥21000 Å/ч).

Подложки, подходящие для использования в способе настоящего изобретения, имеют наружную сапфировую поверхность. Предпочтительно, подложкой, имеющей наружную сапфировую поверхность, является сапфировая тонкая пластина. Предпочтительно, сапфировая тонкая пластина выбрана из сапфировых тонких пластин С-плоскости, сапфировых тонких пластин А-плоскости, сапфировых тонких пластин М-плоскости и сапфировых тонких пластин R-плоскости. Более предпочтительно, подложкой, имеющей наружную сапфировую поверхность, является сапфировая тонкая пластина С-плоскости.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения, содержит (состоит из) в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива имеет отрицательный заряд поверхности при диспергировании отдельно в деионизированной воде, и где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива показывает многомодальное распределение частиц по размеру (предпочтительно, бимодальное распределение частиц по размеру) с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм); пестицид (предпочтительно, где пестицидом является пероксид водорода); необязательно, неионный пеногаситель (предпочтительно, 0,1-2,0% масс., более предпочтительно, 0,2-1,5% масс., наиболее предпочтительно, 0,45-1,05% масс.) (предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный силиконсодержащий пеногаситель, более предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный полидиметилсилоксансодержащий пеногаситель); и, необязательно, pH-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки (предпочтительно, нетканой полирующей подушки, пропитанной полиуретаном); создание динамического контакта на границе раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки.

Предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, используемый в способе настоящего изобретения, показывает отрицательный заряд поверхности при диспергировании отдельно в деионизированной воде перед объединением с другими компонентами химической механической полирующей суспензии.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения, содержит 5-45% масс. (предпочтительно, 10-30% масс., более предпочтительно, 15-25% масс., наиболее предпочтительно, 18-22% масс.) коллоидного диоксида кремния в качестве абразива. Предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, используемый в способе настоящего изобретения, показывает многомодальное распределение частиц по размеру (предпочтительно, бимодальное распределение частиц по размеру) с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм). Более предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, используемый в способе настоящего изобретения, представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 2-25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 75-200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм). Наиболее предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, используемый в способе настоящего изобретения, представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 2-25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 75-200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм), где химическая механическая полирующая суспензия содержит 1-25% масс. (предпочтительно, 1-15% масс., более предпочтительно, 1-10% масс., наиболее предпочтительно, 3-5% масс.) первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения, содержит 0,0001-1% масс. пестицида. Более предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,001-0,01% масс. (наиболее предпочтительно, 0,004-0,006% масс.) пестицида. Предпочтительно, где пестицидом является пероксид водорода.

Химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения, содержит 0-5% масс. неионного пеногасителя. Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения, содержит 0,1-2,0% масс. (более предпочтительно, 0,2-1,5% масс., наиболее предпочтительно, 0,45-1,05% масс.) неионного пеногасителя. Предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный кремнийсодержащий пеногаситель. Более предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный полидиметилсилоксансодержащий пеногаситель (например, силиконсодержащий пеногаситель HS-06 от Senka Corporation).

Предпочтительно, водой, содержащейся в химической механической полирующей суспензии, используемой в способе химического механического полирования настоящего изобретения, является, по меньшей мере, одна из деионизированной воды и дистиллированной воды для ограничения случайных примесей.

Химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения обеспечивает действенность свыше pH>8-12. Предпочтительно, используемая химическая механическая полирующая суспензия обеспечивает действенность свыше pH 8,5-10,5. Кислоты, подходящие для использования для регулирования pH химической механической полирующей суспензии включают в себя, например, азотную кислоту, серную кислоту и хлористоводородную кислоту. Основания, подходящие для использования для регулирования pH химической механической полирующей суспензии включают в себя, например, гидроксид аммония и гидроксид калия.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения, показывает скорость удаления сапфира в условиях полирования, как описано здесь в примерах, ≥14000 Å/ч (предпочтительно, ≥15000 Å/ч, более предпочтительно, ≥20000 Å/ч, наиболее предпочтительно, ≥21000 Å/ч).

Некоторые варианты настоящего изобретения теперь описываются подробно в последующих примерах.

Примеры

Рецептуры химической механической полирующей суспензии

Испытанные рецептуры химической механической полирующей суспензии ((ХМПС)(CMPS)) представлены в таблице 1. Химические механические полирующие суспензии С1-С26 являются сравнительными рецептурами, которые не входят в объем патентуемого изобретения.

Эксперименты по полированию

Химические механические полирующие суспензии (ХМПС), представленные в таблице 1, испытывают с использованием установки шлифовально-полировальный станок/шпиндельная головка Buehler EcoMet® 300/AutoMet® c 5 дюйм (127 мм) единственной головкой и 12 дюйм (305 мм) размером стола и полирующей подушкой SubaТМ 600 (поставщик - Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.), имеющей образец X-Y-канавки с шириной 2,5 мм, шагом 15,75 мм и глубиной 0,8 мм; под усилием вниз 34,3 кПа, со скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 м/мин, скоростью стола 120 об/мин и скоростью держателя 120 об/мин. Сапфировые тонкие пластины (4 дюйм (102 мм) С-плоскость) от Monocrystal сначала шлифуют алмазом с одной стороны до средней неровности поверхности 5 нм, а затем полируют в указанных условиях. Полирующую подушку поддерживают кондиционированной с использованием полиамидной щетки. Результаты скорости удаления сапфира с использованием ХМПС, идентифицированных в таблице 1 (С1-С26 и 1-12), представлены в таблице 2 (РС1-PC26 и Р1-Р12, соответственно). Данные по скорости удаления сапфира, представленные в таблице 2, определяют сравнением массы тонких пластин до и после полирования и преобразованием в скорость удаления поверхности. Полированные тонкие пластины подвергают обработке ультразвуком в деионизированной воде в течение 30 с и продувке сухим азотом перед взвешиванием.

1. Способ полирования сапфировой подложки, включающий:

обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность;

обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей рН>8-12, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов:

диоксид кремния в качестве абразива, где диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм;

обеспечение химической механической полирующей подушки;

создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и

распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой,

в котором по меньшей мере часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки, где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥14000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

2. Способ по п.1, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 5-40 мас.% коллоидного диоксида кремния в качестве абразива.

3. Способ по п.1, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 2-25 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 75-185 нм.

4. Способ по п.3, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25 мас.% первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния.

5. Способ по п.1, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30 мас.% коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-25 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 90-110 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25 мас.% первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,2-1,5 мас.% неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥15000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.

6. Способ по п.1, в котором химическая механическая полирующая суспензия имеет рН 9-10, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30 мас.% коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-21 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25 мас.% первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05 мас.% неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.

7. Способ по п.1, в котором химическая механическая полирующая суспензия имеет рН 9-10, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30 мас.% коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 14-16 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25 мас.% первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05 мас.% неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.

8. Способ по п.1, в котором химическая механическая полирующая суспензия имеет рН 9-10, в котором химическая механическая полирующая суспензия состоит из коллоидного диоксида кремния в качестве абразива; пестицида; неионного пеногасителя; и, необязательно, регулятора рН; в котором механическая полирующая суспензия содержит 10-30 мас.% коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-21 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25 мас.% первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05 мас.% неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.

9. Способ по п.1, в котором химическая механическая полирующая суспензия имеет рН 9-10, в котором химическая механическая полирующая суспензия состоит из коллоидного диоксида кремния в качестве абразива; пестицида; неионного пеногасителя; и, необязательно, регулятора рН, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30 мас.% коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 14-16 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25 мас.% первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05 мас.% неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.

10. Химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности, содержащая в качестве исходных компонентов:

коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности; и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм.

11. Способ по п.1, где химическая механическая полирующая суспензия дополнительно содержит пестицид, или неионный пеногаситель, или рН-регулятор, где

неионный пеногаситель представляет собой пеногаситель, содержащий полидиметилсилоксан;

пестицид представляет собой пероксид водорода; и

рН-регулятор представляет собой гидроксид натрия.

12. Химическая механическая полирующая суспензия по п.10, которая дополнительно содержит пестицид, или неионный пеногаситель, или рН-регулятор, где

неионный пеногаситель представляет собой пеногаситель, содержащий полидиметилсилоксан;

пестицид представляет собой пероксид водорода; и

рН-регулятор представляет собой гидроксид натрия.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к композиции для химико-механического полирования (СМР) и ее применению при полировании подложек полупроводниковой промышленности. Композиция содержит частицы оксида церия, белок, содержащий цистеин в качестве аминокислотной единицы, и водную среду.

Использование: для получения структур (деталей) аксиальной конфигурации. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает использование нескольких полупроводниковых подложек, на всех поверхностях которых создают электропроводящий слой, собирают подложки в виде пакета, а электрический разряд инициируют в режиме образования расплава, перед инициированием разряда в пакете формируют по крайней мере одно сквозное отверстие, обладающее заданной формой, геометрическими размерами и аксиальной симметрией и ось которого ориентирована строго параллельно профилирующему электроду, а последующее инициирование электрического разряда в режиме образования расплава осуществляют в условиях перемещения профилирующего электрода вокруг отверстия по заданной траектории, повторяющей его контур.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем. .

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии, и может использоваться для анализа микроструктуры керамики: выявления границ зерен, анализа распределения зерен по размерам.

Изобретение относится к разрезанию неметаллических, преимущественно полупроводниковых и диэлектрических, материалов на тонкие пластины, используемые в качестве подложек интегральных схем.

Травитель // 570936

Травитель // 568986

Настоящее изобретение относится к жидкому составу для получения содержащих оксид индия слоев. Состав получают путем растворения по меньшей мере одного соединения алкоксида индия, которое может быть получено при помощи реакции тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I, с вторичным амином формулы R'2NH, где R'=C1-C10-алкил в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 к тригалогениду индия в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=C1-C10-алкил, по меньшей мере в одном растворителе, выбранном из группы, состоящей из первичных, вторичных, третичных и ароматических спиртов.

Изобретение относится к производству радиоаппаратуры с использованием микросхем. Устройство для формовки и обрубки выводов микросхем содержит основание, на котором смонтирована часть привода, обеспечивающая перемещение по направляющей в вертикальном направлении пуансона, несущего элемент для изгибания выводов микросхемы и элемент для обрезки концов выводов микросхемы, а также закрепленную на основании матрицу, несущую гнездо для установки микросхемы с размещением ее выводов поперек направления перемещения пуансона, имеющее элемент, повторяющий контур изгиба выводов микросхемы, а также пружины для регулирования усилий, реализуемых на пуансоне для изгибания и обрезки выводов микросхемы.

Изобретение относится к области вакуумного напыления на заготовки печатных плат пленочных элементов и схем из различных материалов. Устройство для крепления заготовок плат содержит рамку 1 с технологическими окнами, установленные на рамке 1 по крайней мере две опорные площадки 3 для базирования заготовок плат 2 и механизм фиксации, выполненный в виде установленного в корпусе 6 крепежного элемента 4 с возможностью его жесткого соединения с соответствующей опорной площадкой 3 и подпружиненного относительно корпуса 6 посредством упругого элемента 5, при этом корпус 6 выполнен в виде втулки с прижимным выступом 7 для прижима заготовки платы 2, а втулка установлена с возможностью смещения прижимного выступа 7 относительно опорной площадки 3 и его линейного перемещения вверх-вниз при базировании на рамке 1 заготовки платы 2 в зависимости от ее толщины.

Настоящее изобретение предусматривает способ получения шаблона для эпитаксиального выращивания. Способ содержит стадию поверхностной обработки, включающий диспергирование Ga-атомов на поверхности сапфировой подложки, и стадию эпитаксиального выращивания AlN-слоя на сапфировой подложке, где при распределении концентрации Ga в направлении глубины перпендикулярно поверхности сапфировой подложки во внутренней области AlN-слоя, исключая зону вблизи поверхности до глубины 100 нм от поверхности AlN-слоя, полученной вторичной ионно-массовой спектрометрией, положение в направлении глубины, где Ga - концентрация имеет максимальное значение, находится в области вблизи границы раздела, расположенной между границей раздела сапфировой подложки и положением, на 400 нм отстоящим от границы раздела к стороне AlN-слоя, и максимальное значение Ga-концентрации составляет 3×1017 атом/см3 или более и 2×1020 атом/см3 или менее.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для создания автоэмиссионных электронных приборов (с «холодной эмиссией электронов) для изготовления зондов и кантилеверов сканирующих зондовых микроскопов и оперативных запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации, поверхностно-развитых электродов электрохимических ячеек источников тока, а также для использования в технологиях изготовления кремниевых солнечных элементов нового поколения для повышения эффективности антиотражающей поверхности фотопреобразователей.

Изобретение относится к получению поликристаллических пленок сульфида и оксида кадмия на монокристаллическом кремнии с помощью техники пиролиза аэрозоля раствора на нагретой подложке при постоянной температуре в интервале 450-500°С.

Заявленные изобретения относятся к области фотолитографии и предназначены для выравнивания подложки высокопроизводительной установки совмещения фотошаблонов. Техническим результатом является улучшение процесса выравнивания подложки и, в частности, разработка новой технологии предотвращения проблем выравнивания путем надежной фиксации полностью выровненной подложки пластины.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения нитевидных нанокристаллов Si (ННК) включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → капельная жидкость → кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь на пластину Si наносят пленку Ti и анодируют длительностью от 5 до 90 мин в 1%-ном растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока поддерживают в интервале от 5 до 20 мА/см2, а наночастицы катализатора на анодированную поверхность Ti наносят осаждением металла, выбираемого из ряда Ni, Ag, Pd, из 0,1 М раствора, имеющего общую формулу Me(NO3)x, где Me - Ni, Ag, Pd; х=1-2, в течение 1-2 мин при воздействии на раствор ультразвуком мощностью 60 Вт.

Настоящее изобретение относится к области технологий отображения жидкокристаллическими устройствами и, в частности, к способу изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликремния, включающему: выращивание буферного слоя и затем слоя аморфного кремния на подложке; нагрев слоя аморфного кремния до температуры выше комнатной и выполнение предварительной очистки поверхности слоя аморфного кремния; использование отжига эксимерным лазером (ELA) для облучения слоя аморфного кремния, предварительно очищенного на предыдущем этапе, чтобы преобразовать аморфный кремний в поликремний.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью.

Изобретение относится к оптике. Кристаллическое тело, образованное из монокристалла типа граната, имеет пару пропускающих свет поверхностей, которые противостоят друг другу и пропускают свет, и по меньшей мере одну боковую поверхность, которая соединяет пару пропускающих свет поверхностей, при этом отношение В/А плотности А (количества на 1 см2) дислокаций в пропускающих свет поверхностях и плотности В (количества на 1 см2) дислокаций в боковой поверхности удовлетворяет следующей общей формуле: 1≤(В/А)≤3600.

Изобретение относится к композиции химического механического полирования для обработки наружной сапфировой поверхности и способу полирования сапфировой подложки. Предлагается способ полирования наружной сапфировой подложки с использованием полирующей суспензии, содержащей в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности и где коллоидный диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм. Полирующая суспензия может дополнительно содержать пестицид, или неионный пеногаситель, или pH-регулятор. Изобретение обеспечивает высокую скорость выравнивания поверхности сапфировых пластин, в результате чего удаляются поверхностные дефекты, царапины, испорченные слои. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 табл.

Наверх