Способ получения силиката висмута bi12sio20 методом кристаллизации в тигле



Способ получения силиката висмута bi12sio20 методом кристаллизации в тигле
Способ получения силиката висмута bi12sio20 методом кристаллизации в тигле
C01P2006/80 - Неорганическая химия (обработка порошков неорганических соединений для производства керамики C04B 35/00; бродильные или ферментативные способы синтеза элементов или неорганических соединений, кроме диоксида углерода, C12P 3/00; получение соединений металлов из смесей, например из руд, в качестве промежуточных соединений в металлургическом процессе при получении свободных металлов C21B,C22B; производство неметаллических элементов или неорганических соединений электролитическими способами или электрофорезом C25B)

Владельцы патента RU 2665626:

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" (RU)

Изобретение относится к области химии и может быть использовано в области пьезо- и оптоэлектроники. Способ получения силиката висмута Bi12SiO20 методом кристаллизации в тигле включает предварительное механическое смешивание исходных порошков оксида висмута Bi2O3 и оксида кремния SiO2, нагревание полученной смеси в платиновом тигле до 985±10°С - 1250±10°С с получением расплава с выдержкой не менее 15 минут, охлаждение расплава в тигле до 900±10°С - 953±10°С с изотермической выдержкой в данном интервале температур не менее 15 минут и далее на воздухе со скоростью охлаждения 3-200°С/мин. Получают однофазный Bi12SiO20 в виде зерен, имеющих дендритную форму. Данный материал обладает высокой скоростью отклика и высокой чувствительностью. 4 ил.

 

Способ относится к области химии и может быть использован в области пьезо- и оптоэлектроники.

Известен способ получения фазы Bi12SiO20 [Senlin Fu, Hiroyuki Ozoe. Solidification characteristics of metastable δ-Bi12SiO20 and stable γ-Bi12SiO20. // J. Phys. D: Appl. Phys. 29 (1996) 2032-2043]. В нем оксид висмута Bi2O3 (чистота 99,99%, моноклинная структура) и оксид кремния SiO2 (чистота 99,99%, гексагональная структура) тщательно перемешивали в стехиометрическом соотношении 6:1, а затем смешивали с, примерно, 5 мас.% деионизированной воды при комнатной температуре. После чего, полученную массу прессовали в цилиндрический стержень диаметром 6,5 мм и длиной 68 мм. Далее стержень сушили в течение одного дня при температуре 500°C в течении 8 часов. После этого, полученный материал плавился и, в зависимости от того, какую из модификаций хотели получить авторы (δ или γ), быстро охлаждался от температуры выше 950°C (δ-модификация), либо от температуры ниже 953,5°C, со скоростью вблизи температуры затвердевания менее 30°C/сек (γ-модификация).

Однако при использовании данного способа не достигается:

1) быстрое получение искомой фазы, т.к. указанный способ является не только более трудоемким, в виду большего количества операций для получения нужной фазы, но еще и более длительным по времени;

2) использование в аналоге дополнительного оборудования для прессования, усложняет и удорожает процесс получения соединения Bi12SiO20.

Авторами работы [Senlin Fu, Hiroyuki Ozoe. Reaction Pathways in the Synthesis of Photorefractive g-Bi12MO20 (M=Si, Ge, or Ti). // J. Am. Ceram. Soc., 80 [10] 2501-509 (1997)] предлагается еще один способ синтеза. В нем оксид висмута Bi2O3 (чистота 99,99%, моноклинная структура) и оксид кремния SiO2 (чистота 99,99%, гексагональная структура) тщательно перемешивали в стехиометрическом соотношении 6:1, а затем смешивали с, примерно, 5 мас.% деионизированной воды при комнатной температуре. После чего, полученную массу прессовали в цилиндрический стержень диаметром 6,5 мм и длиной 68 мм. Далее стержень сушили в течение одного дня при комнатной температуре и спекали при температуре 865,5°C (время реакции не указано).

Однако, при использовании данного способа не достигается:

1) быстрое получение искомой фазы, т.к. указанный способ является не только более трудоемким, в виду большего количества операций для получения нужной фазы, но еще и более длительным по времени;

2) использование в аналоге дополнительного оборудования для прессования, усложняет и удорожает процесс получения соединения Bi12SiO20.

В следующих работах [I.F. Vasconcelos, М.А. Pimenta, A.S.B. Sombra. Optical properties of Bi12SiO20 (BSO) and Bi12TiO20 (BTO) obtained by mechanical alloying. // Journal of materials science 36 (2001) 587-592] и [I.F. Vasconcelos, R.S. De Figueiredo, A.S.B. Sombra. Bismuth silicon oxide (Bi12SiO20-BSO) and bismuth titanium oxide (Bi12TiO20-BTO) obtained by mechanical alloying. // Journal of materials science 18 (1999) 1871-1874] авторы предложили способ механического перемешивания, для получения чистого соединения Bi12SiO20. Для этого оксид висмута Bi2O3 и оксид кремния SiO2 в пропорции 6:1 измельчали в планетарной мельнице. Измельчение проводили в герметичных сосудах из нержавеющей стали шариками со скоростью вращения 350 об/мин. Чтобы избежать чрезмерного нагрева, смешивание проводили тридцатиминутными стадиями с 10-минутными паузами между ними. Длительность смешивания составляло 7 часов.

Однако при использовании данного способа не достигается:

1) быстрое получение искомой фазы, т.к. указанный способ является более трудоемким, в виду большего количества времени, затрачиваемого на синтез;

2) использование при синтезе размалывающих приспособлений, существенно повышает риск загрязнения готового продукта не только мелющими компонентами (шарики), и материалом сосуда, в котором происходит само перетирание.

Еще один способ синтеза Bi12SiO20 был предложен в работе [Junque Lu, Xiufeng Wang, Hongtao Jiang. Synthesis of Pure Bi12SiO20 Powder by Molten Salt Method. // Applied Mechanics and Materials Vols. 182-183 (2012) pp. 52-56]. В качестве сырья использовались Bi2O3, SiO2, KCl и K2CO3 аналитической чистоты. Соотношение Bi2O3/SiO2 варьировалось от 6:1 до 1:5. KCl и K2CO3 (в качестве флюса), в эвтектическом молярном соотношении 0,624-0,376, использовали в качестве реакционного потока (точка плавления - 631°C). Полученную суспензию измельчали в шаровой мельнице в течение 5 часов с этанолом. После перемешивания суспензию сушили в течение ночи при 80°C для удаления этанола. После полученные смеси нагревали в тигле из оксида алюминия до температуры 635-700°C со скоростью нагрева 5°C/мин с последующим воздушным охлаждением. Время реакции варьировалось от 30 до 100 минут. Полученные солевые смеси промывали теплой деионизированной водой до тех пор, пока аликвота не освободилась от солевых анионов, как было проверено раствором AgNO3, а затем была высушена при 80°C в течение ночи.

Однако при использовании данного способа не достигается:

1) быстрое получение искомой фазы, т.к. указанный способ является более трудоемким, в виду большего количества времени, затрачиваемого на синтез;

2) использование при синтезе размалывающих приспособлений, существенно повышает риск загрязнения готового продукта не только мелющими компонентами (шарики), и материалом сосуда, в котором происходит само перетирание.

3) использование же при синтезе дополнительных компонентов реакции (флюс и др.), повышает риск их остатка в готовом материале, что негативным образом может сказаться на его чистоте и свойствах;

4) частое перемещение синтезируемого материала создают дополнительный риск загрязнения конечного продукта.

5) использование специального оборудования (автоматическая мельница) не только усложняет, но еще и удорожает производство;

6) использование алундовых тиглей недопустимо, так как Bi2O3 чрезвычайно химически активное соединение в жидком состоянии и очень быстро взаимодействует практически со всеми известными материалами, кроме чистой платины. Использование тиглей из Al2O3 может привести не только к большому загрязнению получаемого материала оксидом алюминия, но и к порче оборудования, если масса оксида висмута будет большой и тигель растворится насквозь;

Авторы работы [H.S. Horowitz, A.J. Jacobson, J.M. Newsam, J.T. Lewandowski, M.E. Leonowicz. Solution synthesis and characterization of sillenite phases Bi24M2040 (M=Si, Ge, V, As, P). // Solid State lonics 32/33 (1989) 678-690] предложили способ синтеза искомого соединения из низкотемпературного водного раствора. Для этого в качестве исходных реагентов брали: Bi(NO3)3⋅H O, Na2O⋅xSiO2 (soln). Их водный раствор добавляли к щелочной реакции (щелочная реакционная среда: LiOH, NaOH, KOH или CSOH) перед добавлением раствора кислоты, который содержал остальную часть реагентов. После добавления реагентов в щелочную реакционную среду, рН этой суспензии доводили до определенного значения (не указано). Реакционную среду затем нагревали до нужной температуры (не указано) и перемешивали в течение определенного времени (от нескольких минут до одной недели). Твердые продукты выделяли вакуумной фильтрацией и после нескольких промывок горячей водой давали высохнуть при 100°C на воздухе в течение приблизительно 12 часов.

В данном способе отсутствует большинство подробных и точных описаний технологии синтеза, однако, даже на основании тех данных, что все-таки указаны в этой работе, можно сделать выводы о том, что при использовании данного способа не достигается:

1) быстрое получение искомой фазы, т.к. указанный способ является не только более трудоемким, в виду большего количества операций для получения нужной фазы, но еще и более длительным по времени;

2) использование в аналоге дополнительного оборудования, усложняет и удорожает процесс получения соединения Bi12SiO20;

3) использование же при синтезе дополнительных компонентов реакции, повышает риск их остатка в готовом материале, что негативным образом может сказаться на его чистоте и свойствах;

Известны еще две работы, в которых упоминается твердофазный синтез. Однако данные работы несут больше научный характер, занимающийся изучением процессов, происходящих в материале при твердофазных и др. реакциях, а не прикладной, и либо не предлагают конкретного способа синтеза вообще, либо он является хуже предложенного нами, как и в случае с остальными аналогами:

1. G.S. Suleimenova, V.М. Skorikov. Studies on the process of Bi12MO20 (M=Ti, Ge, Si) formation from oxides. // Journal of Thermal Analysis, Vol. 38 (1992) 835-841.

2. Sam Chehab, Pierre Conflant, Michel Drache, Jean-Claude Boivin, George McDonald. Solid-state reaction pathways of Sillenite-phase formation studied by high-temperature X-ray diffractometry and differential thermal analysis. // Materials Research Bulletin 38 (2003) 875-897.

Общий вывод по аналогам: указанные аналоги в большинстве своем требуют большого количества технологических операций с использованием дополнительных реагентов и оборудования, а также весьма длительны по времени. Это влечет за собой большие затраты, сильно усложняет и удорожает получение искомой фазы Bi12SiO20, а также существенно повышает риск загрязнения получаемого материала.

Наиболее близким к заявляемому способу, по нашему мнению, является прототип, описание которого приведено в работе [Matjaz Valant, Danilo Suvorov. Processing and Dielectric Properties of Sillenite Compounds Bi12MO20-δ (M=Si, Ge, Ti, Pb, Mn, B1/2P1/2). // J. Am. Ceram. Soc., 84 [12] 2900-2904 (2001)]. В нем исходные смеси высушенных оксидов гомогенизировали и выдерживали при 650-800°C в течение 20-50 часов с промежуточной стадией измельчения, для образования однофазного соединения.

Однако, при использовании данного способа не достигается:

1) быстрое получение искомой фазы, в виду большего количества операций синтеза (включая дополнительное/-ые промежуточное перетирание), а также их огромной длительности по времени;

Задачей изобретения является получение силиката висмута Bi12SiO20 методом кристаллизации в тигле.

Достигается это тем, что в способе получения силиката висмута Bi12SiO20 методом кристаллизации в тигле, включающем предварительное механическое смешивание исходных порошков оксида висмута Bi2O3 и оксида кремния SiO2, нагревание полученной смеси в платиновом тигле до заданной температуры, которое осуществляют до 985°C±10°C - 1250°C±10°C, с получением расплава с выдержкой не менее 15 минут, затем расплав в тигле охлаждают до 900°C±10°C - 953±10 с изотермической выдержкой в данном интервале температур не менее 15 минут и далее охлаждают на воздухе со скоростью охлаждения 3-200°C/мин.

По отношению к заявляемому способу указанный прототип имеет следующие отличительные признаки и недостатки:

1) большая длительность времени синтеза существенно удорожает производство готового продукта в виду огромных временных затрат;

2) промежуточная (а скорее всего, промежуточные, т.к. при твердофазном синтезе для более быстрого взаимодействия исходных реагентов и подвода непрореагировавших веществ друг к другу требуется не одно перемешивание) стадия перетирания также усложняет процесс синтеза и удлиняет его по времени.

Между отличительными признаками и решаемой задачей существует следующая причинно-следственная связь:

1) использование более высоких температур нагрева в заявляемом способе, помогает в разы сократить время, требуемое на синтез и, соответственно, существенно снижает затраты на производство готового продукта;

2) при плавлении исходных реагентов промежуточные стадии длительного перетирания исходных реагентов между собой теряют смысл, что опять же способствует ускорению процесса синтеза.

Выбор граничных параметров температуры при термической обработке расплава (нагрев от 985°C±10°C и до 1250°C±10°C) обусловлен высокотемпературными областями расплава, каждая из которых имеет свое, особенное строение. Известно, что на фазовой диаграмме системы Bi2O3 - SiO2 область расплава может быть разделена на 3 температурные зоны А, В и С (фиг. 1) [Каргин В.П., Жереб В.П., Скориков В.М. Стабильное и метастабильное равновесия в системе Bi2O3 - SiO2 // Журнал неорганической химии. 1991. Т. 36. №10. С. 2611-2616]. Зона С обладает целым рядом неоспоримых преимуществ, благоприятных для предварительной термической обработки расплава: низкая вязкость, высокая подвижность атомов, тонкие особенности строения расплава. Все эти факторы обеспечивают максимально быстрое взаимодействие реагентов между собой и ускорение процессов термической обработки для подготовки расплава к последующим переходам в целом. Следует отметить, что предварительная термическая обработка в В-зоне возможна. Однако В-зона обладает куда более худшими характеристиками вязкости, подвижности атомов и благоприятного строения расплава, чем С-зона. Нагрев же свыше 1250°C±10°C также возможен, однако никаких особых преимуществ он не дает, а лишь ведет к дополнительным затратам энергии, поэтому признан нами не целесообразным.

Выбор граничных параметров выдержки при термической обработке расплава (не менее 15 минут), должен обеспечивать полное взаимное растворение исходных компонентов друг в друге, а также обеспечивать переход расплава в однородное и жидкотекучее состояние.

Выбор граничных параметров температуры начала охлаждения расплава (900°C±10°C - 953±10) также обусловлен высокотемпературными областями расплава, каждая из которых имеет свое, особенное строение [Каргин В.П. Жереб В.П., Скориков В.М. Стабильное и метастабильное равновесия в системе Bi2O3 - SiO2 // Журнал неорганической химии. 1991. Т. 36. №10. С. 2611-2616]. Нами было установлено, что при охлаждении из А зоны мы получаем чистое соединение с формулой Bi12SiO20. Охлаждение же из С и В зон, во всех случаях и при разных скоростях охлаждения не приводит к формированию Bi12SiO20.

Выбор граничных параметров выдержки при заданном интервале температур (не менее 15 минут), должен обеспечивать переход расплава в нужное состояние (строение, соответствующее А-зоне).

Выбор граничных параметров охлаждения (3-200°C/мин) обусловлен тем, что вторым ключевым фактором при получении фазы Bi12SiO20, является скорость охлаждения расплава. При охлаждении же из А-зоны (900°C±10°C - 953±10), для получения нужного соединения, требуется более низкая скорость охлаждения - 3-200°C/мин., например, охлаждение на спокойном воздухе. Объяснить данное явление можно тем, что в каждой температурной зоне (С, В или А) расплав имеет свое строение, а, следовательно, и условия формирования фаз в каждой из этих зон могут отличаться.

Способ иллюстрируется графически, где на Фиг. 1 - Температурные зоны 1 в области расплава на фазовой диаграмме стабильного равновесия 2 системы Bi2O3 - SiO2. На фиг. 1 изображена двойная диаграмма стабильного равновесия системы Bi2O3 - SiO2, содержащей температурные зоны расплавов.

На Фиг. 2 - Результаты микроструктурного анализа образца, состава 6:1 мол. % (система Bi2O3 - SiO2), полученного заявляемым способом, увеличение - 50 крат;

На Фиг. 3 - Результаты микроструктурного анализа образца, состава 6:1 мол. % (система Bi2O3 - SiO2), полученного заявляемым способом, увеличение - 200 крат;

На Фиг. 4 - Результаты рентгенофазового анализа образца состава 6:1 мол. % (система Bi2O3 - SiO2), полученного заявляемым способом.

Сущность изобретения поясняется диаграммой, а также результатами рентгенофазового, макроструктурного и микроструктурного анализа.

Нами было установлено, что при нагреве исходных компонентов до температур диапазона 900°C±10°C - 953±10 (зона расплава «А»), выдержке в этой зоне не менее 10 минут и охлаждения со скоростью 3-200°C/мин. (например, на спокойном воздухе) - обеспечивается надежное получение силиката висмута с формулой Bi12SiO20.

Полученные данные подтверждаются микроструктурным анализом (фиг. 2-3), на котором ясно видно однофазное строение полученного материала в виде зерен, имеющих дендритную форму. Существование именно однофазной области с формулой Bi12SiO20 без каких либо посторонних примесей и других фаз подтверждает также рентгенофазовый анализ, приведенный на фиг. 4.

По результатам анализов, представленным в фиг. 2-4, можно сделать вывод о том, что решающую роль при синтезе фазы Bi12SiO20 играет режим термической обработки расплава, температура начала охлаждения и сама скорость охлаждения расплава.

Заявляемый способ получения силиката висмута Bi12SiO20 методом кристаллизации в тигле может быть реализован с помощью следующих материальных объектов:

1) печь - нагревательное устройство с рабочей камерой, обеспечивающее нагревание материала до заданной температуры в интервале до 1200°C;

2) платиновый тигель.

Пример конкретного выполнения:

1) в качестве исходных компонентов берем порошки оксида висмута (Bi2O3) и диоксида кремния (SiO2) в соотношении 6:1 мол.%;

2) исходные реагенты помещаем в платиновый тигель и перемешиваем платиновым шпателем или металлической ложкой;

3) нагреваем полученную смесь до 1160°C;

4) выдерживаем полученную смесь при данной температуре 15 минут;

5) охлаждаем получившийся расплав до 910°C;

6) выдерживаем расплав при данной температуре еще 15 минут;

7) охлаждаем получившуюся смесь на воздухе вместе с тиглем.

Как показали результаты опытной проверки, при использовании заявляемого способа обеспечивается достижение следующих результатов:

1) получен чистый силикат висмута с формулой Bi12SiO20, лишенный загрязнений и посторонних примесных фаз;

2) заявляемый способ требует намного меньше времени на синтез, чем все известные современные аналоги и прототип, приведенные выше, что существенно снижает не только временные, но также и экономические затраты;

3) Заявляемый способ позволяет получать Bi12SiO20 методом кристаллизации в тигле, что имеет огромное значение в первую очередь для экономии дорогостоящих тиглей, использующихся при синтезе и разрушающихся при извлечении готового материала;

4) Получаемый по заявляемому способу материал обладает высокой скоростью отклика и высокой чувствительностью; возможностью использования для голографии в реальном времени и обработки изображений, обладает высокими пьезоэлектрическими, электрооптическими, магнитооптическими, фотопроводящими и фотопреломляющими свойствами.

Способ получения силиката висмута Bi12SiO20 методом кристаллизации в тигле, включающий предварительное механическое смешивание исходных порошков оксида висмута Bi2O3 и оксида кремния SiO2, нагревание полученной смеси в платиновом тигле до заданной температуры, отличающийся тем, что нагрев в платиновом тигле осуществляют до 985±10°С - 1250±10°С с получением расплава с выдержкой не менее 15 минут, затем расплав в тигле охлаждают до 900±10°С - 953±10°С с изотермической выдержкой в данном интервале температур не менее 15 минут и далее охлаждают на воздухе со скоростью охлаждения 3-200°С/мин.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области химии и может быть использовано для катализаторов для получения необходимых в промышленности газов и в синтезе высокопрочной керамики.

Изобретение относится к области получения порошка кристаллического соединения Bi12SiO20 и может быть использовано в радиоэлектронике для создания электро- и магнито-оптических модуляторов лазерного излучения.
Изобретение относится к способам получения титаносиликатов, используемых в качестве сорбентов с ионообменными и восстановительными свойствами, и может найти применение для концентрирования и выделения благородных металлов.

Изобретение относится к электротехнической области и может быть использовано в аккумуляторных батареях транспортных и космических систем с улучшенными удельными характеристиками.

Изобретение относится к технологии переработки кальций- и кремнийсодержащих техногенных отходов борного производства (борогипса) и может быть использовано при производстве игольчатого волластонита для применения в цветной металлургии, в шинной, асбоцементной и лакокрасочной промышленности, в производстве керамики.

Изобретение относится к технологии получения оксидного материала, имеющего структуру лангаситного типа, который является перспективным материалом для пьезоэлектрических устройств, используемым в области высоких температур.

Изобретение относится к материалам для ювелирной промышленности. Прозрачный, полупрозрачный или непрозрачный композиционный нанокристаллический материал на основе наноразмерных оксидных и силикатных кристаллических фаз содержит одну из кристаллических фаз: шпинель, кварцеподобные фазы, сапфирин, энстатит, петалитоподобную фазу, кордиерит, виллемит, циркон, рутил, титанат циркония, двуокись циркония с содержанием ионов переходных, редкоземельных элементов и благородных металлов от 0,001 до 4 мол.

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Пентоксид ванадия промышленной категории превращают в окситрихлорид ванадия низкотемпературным хлорированием в псевдоожиженном слое.

Изобретение относится к производству абразивных тугоплавких материалов, в частности к получению порошка - оксида алюминия (корунда), и может быть использовано в металлообрабатывающей, машиностроительной, химико-металлургической промышленности.

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Пентоксид ванадия промышленной категории превращают в окситрихлорид ванадия низкотемпературным хлорированием в псевдоожиженном слое.

Изобретение может быть использовано в производстве бумаги, пластмасс, краскок, адгезивов, пищевых продуктов, кормов, фармацевтических продуктов, бетона, цемента, косметики, в водоочистке и сельском хозяйстве.

Изобретение может быть использовано в производстве пластмассовых изделий, красок, покрытий. Предложен пигмент, характеризующийся химической формулой n B2O3 * m BiOX * o BixXyOz * p BiaSibOc, где X обозначает галоген, х=2-30, у=1-15, в случае у=1, z > 1, z=1-35, a=0-15, b=1-5, с=1-25, n=0-5, m=0-5, о=1-5, р=1-5.

Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSi2 кристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164, ) со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки.
Изобретение относится к области неорганической химии и касается способа получения наночастиц магнетита (Fe3O4), эпитаксиально выращенных на наночастицах золота, которые могут быть использованы в магнитно-резонансной томографии в качестве контрастного агента, в магнитной сепарации, магнитной гипертермии, адресной доставке лекарств при помощи внешнего магнитного поля.

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов многокомпонентных фторидов со структурой флюорита в системах MF2-CeF3, которые широко используются в оптике, фотонике, физике высоких энергий.

Изобретение относится к материалам для сцинтилляционной техники, к эффективным быстродействующим сцинтилляционным детекторам гамма- и альфа-излучений в приборах для экспресс-диагностики в медицине, промышленности, космической технике и ядерной физике.

Изобретение относится к технологии получения сложных оксидов и может быть использовано для создания многофункциональных устройств в микроэлектронике. Способ получения сложного оксида тулия и железа TmFe2O4±δ включает приготовление смеси из оксида железа(III) и оксида тулия(III) и ее обжиг.

Изобретение может быть использовано для получения наноструктурированных порошков феррита висмута BiFeO3, применяемых в микроэлектронике, спинтронике, устройствах для магнитной записи информации, в производстве фотокатализаторов, материалов для фотовольтаики.

Изобретение относится к области химии и может быть использовано в области пьезо- и оптоэлектроники. Способ получения силиката висмута Bi12SiO20 методом кристаллизации в тигле включает предварительное механическое смешивание исходных порошков оксида висмута Bi2O3 и оксида кремния SiO2, нагревание полученной смеси в платиновом тигле до 985±10°С - 1250±10°С с получением расплава с выдержкой не менее 15 минут, охлаждение расплава в тигле до 900±10°С - 953±10°С с изотермической выдержкой в данном интервале температур не менее 15 минут и далее на воздухе со скоростью охлаждения 3-200°Смин. Получают однофазный Bi12SiO20 в виде зерен, имеющих дендритную форму. Данный материал обладает высокой скоростью отклика и высокой чувствительностью. 4 ил.

Наверх