Способ формирования фоторезистивной пленки из раствора на поверхности подложки

Изобретение может быть использовано для формирования фоторезистивных пленок, однородных по толщине и пригодных для проведения операций фотолитографии для формирования интегральных микросхем, МЭМС и СВЧ-структур на подложках, в том числе со сложным рельефом, где перепад высот существенно больше толщины формируемой пленки фоторезиста. Предложен способ получения пленки фоторезиста из раствора методом аэрозольного итерационного распыления в потоке газа, одновременно с формированием пленки фоторезиста происходит испарение растворителя из объема микрокапель, реализуемое за счет сочетания нагрева и формирования над поверхностью пленки потока газа, величина расхода которого находится в диапазоне от 3 до 4 порядков по отношению к величине расхода раствора, причем приготовление раствора фоторезистивного материала осуществляется путем добавления к исходному раствору фоторезиста растворителя, имеющего температуру кипения в диапазоне от 160°С до 175°С, представляющего собой один из растворителей или их смесь - 3-циклогексен-1-карбоксальдегид, гексагидробензальдегид, 3-метил-3-циклогексен-1-он. Изобретение обеспечивает снижение перераспределения основных компонентов фоторезистивного материала в формируемом слое фоторезиста, которые вносят вклад в увеличение неоднородности по толщине, увеличение шероховатости пленки в процессе испарения растворителей на подложках, содержащих сложный рельеф и разницу свойств материалов структурных элементов. 4 ил.

 

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для изготовления интегральных микросхем, МЭМС-структур, СВЧ-структур, путем воспроизводимого формирования пленки фоторезиста (ФР) на поверхности подложки, в том числе, со сложным рельефом, где перепад высот существенно больше толщины формируемой пленки ФР, методом аэрозольного итерационного распыления в потоке газа раствора ФР и проведения последующей операции фотолитографии на сформированной пленке.

В настоящее время используется несколько методов для нанесения фоторезистивных пленок из растворов, среди которых наиболее распространены такие методы как центрифугирование (спин-коатинг) и аэрозольное распыление (спрей-коатинг) [1]. Однако технология нанесения в обоих случаях сводится к нанесению материала с большим расходом. На практике, аэрозольное распыление подразумевает нанесение фоторезистивного материала при расходе раствора 1,5-10 мл/мин [2, 3], что не позволяет обеспечить получение равномерной по толщине пленки ФР на структурах со сложным рельефом, особенно содержащих канавки травления с вертикальными стенками. Наносимые аэрозольным способом составы растворов ФР (например, ФР марки AZ™ 4999 производства MicroChemicals) содержат всего лишь 4% основных компонент ФР в растворе при вязкости 0,52 сСт. При этом использование для аэрозольного распыления растворов ФР применяемых при центрифугировании (марки ФР Microposit™ серий S1800™ и SPR™ производства компании Dow, серий AZ™ 1500 и других, производства MicroChemicals), которые существенно дешевле растворов ФР для аэрозольного распыления, приводит к неоднородности нанесения пленки ФР, что связано с большей вязкостью раствора, а также с большим содержанием основных компонентов ФР 39.5% (в описании характеристик ФР AZTM 4999 производства MicroChemicals, http://www.microchemicals.com/micro/az_4999.pdf - разница толщины на краю и на горизонтальной поверхности 4,2 мкм против 10 мкм). Нанесение пленки ФР толщиной свыше 10 мкм также может приводить к изменению геометрических размеров подложки при задубливании фоторезистивного слоя и изменению температурного коэффициента расширения подложки и сформированной пленки ФР. Следует учитывать тот факт, что формирование пленки ФР за одну итерацию нанесения приводит к перераспределению основных компонент материала ФР и формирует неоднородность по толщине пленки на краях рельефа, что также может способствовать отсутствию воспроизводимого покрытия узких канавок ФР и стенок ямок травления. Все это существенно затрудняет выполнение целого ряда технологических процессов микроэлектроники или делает невозможным формировании МЭМС-структур, где перепад высот на поверхности подложки может достигать более 400 мкм при необходимых толщинах ФР порядка 2-10 мкм.

Таким образом, общей проблемой формирования пленки ФР для процесса фотолитографии является отсутствие воспроизводимой технологии формирования однородных по толщине тонких (до 0,5-1,5 мкм и менее) пленок ФР на поверхностях со сложным рельефом. При этом наиболее приемлемым процессом формирования таких слоев является аэрозольное нанесение раствора ФР, требующее формирования особых составов растворов ФР для оптимального процесса нанесения, существенно отличных от композиций, используемых для нанесения слоев ФР способом центрифугирования подложки. Для ФР наносимых аэрозольным способом характерно наличие в составе раствора ФР лишь от 22% [2] до менее 4% (ФР AZ 4999) основных компонент ФР, к которым относятся эпоксидные и/или новолачные и/или феноло- и/или крезоло-формальдегидные или иные смолы, а также сам крезол, выполняющие функцию пленкообразования, и светочувствительной компонент, в качестве которого для позитивного ФР используются вещества, содержащие диазо группу, а для негативных ФР - различные фоточувствительные соединения, способные вызывать сшивку между молекулами, входящими в состав ФР, - например трифенил сульфоний гексафторантимонат, используемый для ФР SU-8.

Проблема использования стандартных растворителей для аэрозольного нанесения требует использования при формировании раствора ФР растворителей с более высокой температурой кипения, чем стандартный растворитель ФР метоксипропилацетат (propylene glycol methyl ether acetate или PGMEA) или метилэтилкетон (methyl ethyl ketone или MEK), температура кипения которых составляет 145,8°С и 79,6°С [4]. Для формирования однородной фоторезистивной пленки, имеющей отличие по толщине слоя в различных точках менее 20% и шероховатость не более 100-150 нм, особенно на поверхности подложки имеющей рельеф, перепад высот которого существенно превышает толщину формируемой пленки, необходимо обеспечить высокую скорость испарения растворителя из объема формируемой пленки при высыхании.

Отличительные особенности и преимущества предлагаемого изобретения наиболее наглядно могут быть представлены и обоснованы при сравнении с известными изобретениями в рассматриваемой области.

Известно изобретение US 4996080 - Process for coating a photoresist composition onto a substrate, В нем предлагается использование в качестве процесса нанесения аэрозольное нанесение при ультразвуковом распылении раствора ФР с использованием потока от 10 мл/мин до 20 мл/мин. Нанесение раствора происходит непрерывно в течение 2-6 секунд при высоком содержании основных компонентов ФР - до 20%, что в совокупности с методом сушки и формирования слоя ФР путем последующего центрифугирования не позволяет достичь высокой однородности толщины слоя ФР на подложке со сложным рельефом. В отличие от указанного патента в настоящем изобретении предлагается использование как существенно меньшего потока - от 0,05 мл/мин до 0,15 мл/мин, так и одновременной сушки наносимого раствора в виде микро-капель на подложке посредством нагрева и потока газа, а также итерационностью нанесения, что в совокупности позволяет обеспечить лучшую однородность и меньшую возможную толщину пленок ФР в том числе на подложках со сложным рельефом.

Известно изобретение ЕР 1770440 - Pattern forming method and resist composition used therefor, где предлагается использование смеси растворителей, как минимум из дух групп, однако температуры кипения предлагаемых растворителей отличаются несущественно от растворителей стандартно применяемых для подготовки раствора ФР. При этом использование для нанесения метода центрифугирования (то есть нанесения слоя сплошного и его утонения при увеличении скорости вращения) не позволяет решать задачи равномерного формирования пленок на подложках со сложным рельефом в принципе. В отличие от указанного патента в настоящем изобретении предлагается использование более высокой концентрации вводимых растворителей с температурой кипения от 160°С до 175°С, что в совокупности с принципиально иным способом нанесения - посредством сушки отдельных микро-капель, позволит воспроизводимо формировать однородную пленку ФР на подложках со сложным рельефом.

Касательно состава композиции раствора ФР, предлагаемого в настоящем изобретении существуют близкие изобретения, имеющие однако существенные отличия.

Известно изобретение US 5066561 - Method for producing and using a positive photoresist with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate, в котором применяется растворитель PGMEA, температура кипения которого составляет 145°С, в том числе с высокой долей его в растворе - до 90%, однако не предлагается использование его в совокупности с другим растворителем, имеющим высокую температуру кипения. Предлагается использование нанесения без одновременного нагрева и потока газа, что не позволяет решить поставленную задачу при применении данного состава раствора ФР, так же как и при использовании совокупности растворителей МЕK и PGMEA, предлагаемых уже при использовании аэрозольного нанесения в изобретении WO 2005040924 - Photoresist coating process for microlithography.

Задача, на решение которой направлено настоящее изобретение, заключается в снижении перераспределения основных компонент ФР материала в формируемом слое ФР, которые вносят вклад в увеличение неоднородности по толщине, увеличение шероховатости пленки в процессе испарения растворителей, на подложках, содержащих сложный рельеф и разницу свойств материалов структурных элементов.

Перенос основных компонент ФР из раствора с формированием пленик ФР на подложке обеспечивается композицией растворителей дополнительно вводимых в исходный раствор ФР и содержит как минимум один компонент, имеющий температуру кипения в диапазоне от 160°С до 175°С, представляющий собой один из растворителей или их смесь из следующего списка: 1) 3-циклогексен-1-карбоксальдегид, 2) гексагидробензальдегид, 3) 3-метил-3-циклогексен-1-он, структурные формулы которых представлены на Фиг. 1 в соответствующих позициях. Указанные растворители выбраны из анализа используемых растворителей или их близких по структуре молекул применяемых для снятия/удаления ФР с подложки, а также обеспечивающих функцию растворения смол, входящих в состав ФР. Однако в отличие от известных способов применения выбранные растворители предлагается использовать для приготовления композиции раствора ФР для нанесения однородных пленок ФР, в соотношении к основным компонентам ФР от не менее 6:1 до 8:1, что обусловлено повышенной скоростью испарения растворителей выбранных в предлагаемом методе.

Технический результат, достигаемый при реализации изобретения, заключается в способе подготовки раствора фоторезистивного материала, путем добавления к исходному раствору фоторезиста дополнительно вводимой части растворителя, для формирования методом аэрозольного итерационного распыления раствора однородной по толщине фоторезистивной пленки на поверхности подложки, содержащей, в том числе, элементы с перепадом высоты, превышающим толщину формируемой фоторезистивной пленки.

Для приготовления композиции ФР с высококипящим растворителем возможно использование как позитивного так и негативного ФР. Состав растворителей, дополнительно водимых в исходный раствор ФР обеспечивает однородное распределение по поверхности пластины с образованием целостной пленки. При этом нанесение раствора ФР осуществляется методом аэрозольного итерационного распыления в потоке газа, где непосредственное формирование пленки фоторезиста происходит из отдельных микрокапель, которые наносятся итерационно и одновременной с сушкой микрокапель и формируемой пленки, что обеспечивает итерационное формирование пленки ФР на поверхности подложки (на Фиг. 2 приведено оптическое изображение в области около 600×400 мкм, где представлен результат процесса аэрозольного итерационного нанесения раствора ФР в рамках одной итерации нанесения, формирующей отдельные микро-капли с средним размером менее 10 мкм, не образующих сплошного слоя). Сушка микрокапель осуществляется сочетанием термического нагрева подложки (за счет резистивного или инфракрасного нагрева подложки или любого иного нагрева) с одновременным формированием потока газа за счет распыления вблизи поверхности пластины, что увеличивает скорость испарения растворителя.

Использование растворителей с температурой кипение в диапазоне от 160°С до 175°С обусловлено необходимостью увеличения времени испарения из объема микрокапель по сравнению и стандартной рецептурой раствора ФР при распылении. При этом удаление растворителя из объема микрокапель осуществляется сочетанием нагрева подложки и формирования над поверхностью пленки потока газа, величина расход которого находится в диапазоне от 3 до 4 порядков по отношению к величине расхода раствора, что обусловлено выбором оптимальной скорости формируемой пленки (удаления остаточного растворителя из объема микрокапель или пленки) на подложках с развитым рельефом. Введение растворителя в соотношении не менее 6:1 и не более 8:1 с учетом особенностей метода нанесения при малом потоке и созданных условиях высокой скорости испарения растворителя ввиду потока газа и применяемого нагрева является оправданным и позволяет в значительной степени осуществить испарение растворителя из объема микрокапель. Нижний предел выбранной концентрации обусловлен необходимостью наличия остаточного растворителя при высыхании микрокапель на поверхности для однородного распределения основных компонент ФР по поверхности подложки и в том числе в пределах площади микрокапли. Верхний предел обусловлен необходимостью выбора оптимального времени удаления существенной части растворителя из формируемых микрокапель при их высыхании, что необходимо для формирования однородной пленки на подложке, а также для сокращения времени сушки пленки. При этом испарение из объема слоя пленки ФР из объема микрокапель имеет существенную разницу. Испарение растворителя из объема микрокапель осуществляется быстрее ввиду меньшего объема раствора суммарно присутствующего в микро-каплях на единице площади в отсутствие их соприкосновения друг с другом (заполнение площади 10-70%), а также большей удельной площади испарения на единицу площади поверхности подложки при наличии капель вместо слоя. Это обеспечивает с одной стороны сокращение времени сушки слоя и возможность применения итерационного способа формирования слоя ФР с многократным сокращением времени сушки (вместо нескольких минут - несколько секунд) в течение одной итерации, оставляя общее время процесса нанесения нужной толщины слоя на приемлемом уровне, а с другой обеспечивает более высокую скорость ухода растворителя из объема формируемого таким образом постепенно ФР слоя в отличие от случая с высоким потоком материала.

Обеспечение высокой скорости ухода растворителя, реализуемой за счет сочетания нанесения с нагревом подложки и или самого слоя формируемого ФР например посредством резистивного нагрева и/или нагрева инфракрасным (ИК) излучением в процессе нанесения пленки или между итерациями нанесения микро-капель раствора на подложку, а также реализуемой за счет присутствия потока газа, используемого или непосредственно при аэрозольном принципе распыления или отдельно организованного потока газа. Принудительное воздействие потока газа на поверхностный слой формируемой пленки позволяет подавить влияние эффектов смачивания и растворения предшествующих слоев ФР и формировать однородные по толщине пленки ФР с низкой шероховатостью на поверхностях со сложным рельефом.

Описанный способ обеспечивает конформное покрытие поверхности, содержащей сложный рельеф с подавлением эффектов смачивания поверхности пластины, наиболее сильно проявляющихся на краях канавок травления или границах областей с существенным отличием угла смачивания материалов на подложке используемыми растворителями. Данный эффект достигается ввиду того, что каждая капля, размер которой при распылении может быть достигнут существенно менее 10 мкм, обеспечивает при испарении растворителя формирование тонкой пленки состоящей из основных компонент ФР без влияния на процесс соседних областей подложки.

Таким образом, вышеуказанный функционал обеспечивается предлагаемым составом композиции раствора ФР материала и способом формирования пленки ФР из указанной композиции.

На Фиг. 1 представлены структурные формулы молекул растворителей, имеющих температуру кипения в диапазоне от 160°С до 175°С. Представлены: 3-циклогексен-1-карбоксальдегид, гексагидробензальдегид, 3-метил-3-циклогексен-1-он.

На Фиг. 2 представлен результат одной итерации нанесения микрокапель фоторезиста аэрозольным распылением раствора, диаметр которых не превышает 10 мкм.

На Фиг. 3 представлен результат осуществления изобретения по примеру, в котором фоторезистивная пленка, толщина которой составляет 6 мкм, сформирована с добавлением растворителя 3-циклогексен-1-карбоксальдегида.

На Фиг. 4 представлен результат осуществления изобретения по примеру, а именно, результат измерения шероховатости сформированной фоторезистивной пленки с добавлением растворителя 3-циклогексен-1-карбоксальдегида:

а) - топография поверхности получена средствами атомно-силовой микроскопии;

б) - поперечное сечение рельефа по отмеченной линии 1.

Пример осуществления изобретения

Способ получения фоторезистивного слоя, где в качестве полярного растворителя с температурой кипения в диапазоне от 160°С до 175°С для приготовления раствора фоторезистивного материала используется 3-циклогексен-1-карбоксальдегид в объемном соотношении 7:1 по отношению к основным компонентам ФР, к которым относятся эпоксидные и/или новолачные и/или феноло- и/или крезоло-формальдегидные смолы, а также сам крезол, выполняющие функцию пленкообразования, и светочувствительной компонент, в качестве которого для позитивного ФР используются вещества, содержащие диазо-группу.

Смешивание основных компонентов ФР с растворителем осуществляется простым перемешиванием либо взбалтыванием в течение 1-3 минут.

Нанесение осуществляется способом аэрозольного итерационного распыления раствора ФР в потоке газа. Давление сжатого воздуха или иного газа в линии его подачи составляет от 0,03 МПа до 1,5 МПа. Распылительное сопло имеет диаметр не менее чем 0,01 мм, но не более 0,4 мм. Указанные параметры должны обеспечивать расход раствора ФР менее 0,15 мл/мин. При этом расстояние между распылительным соплом и поверхностью подложки должно составлять от не менее чем 3 мм до 300 мм.

Термообработка подложки в процессе каждого цикла нанесения не сплошной пленки, состоящей из отдельных микрокапель с наиболее вероятным диаметром менее 10 мкм, составляет до 85°С с использованием ИК излучения.

Способ позволяет формировать пленки толщиной от 0,8 мкм до 20 мкм с однородностью по толщине не хуже 20% (Фиг. 3 и Фиг. 4) наглядно демонстрирует отсутствие заметных неоднородностей, которые бы в случае их наличия при толщине пленки около 6 мкм были бы наблюдаемы в оптический микроскоп с указанным полем зрения).

Источники информации

1. Н.Н. Gatzen et al., Micro and Nano Fabrication // Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2015; DOI: 10.1007/978-3-662-44395-8_3.

2. Патент WO 1990011837 A1, 18.10.1990.

3. Pham N.P., Burghartz J.N., Sarro P.M. Spray coating of photoresist for pattern transfer on high topography surfaces //Journal of Micromechanics and Microengineering. 2005. V. 15. №.4. P. 691, doi: 10.1088/0960-1317/15/4/003.

4. Yu L. et al. Spray coating of photoresist for 3D microstructures with different geometries //Journal of Physics: Conference Series. IOP Publishing, 2006. V. 34. №.1. P. 937, doi: 10.1088/1742-6596/34/l/155.

Способ формирования фоторезистивной пленки из раствора на поверхности подложки, включающий нанесение фоторезистивного материала из раствора аэрозольным итерационным распылением в потоке газа на подложку в виде отдельных микрокапель, не образующих сплошного слоя в отдельной итерации, при этом подложка может содержать элементы с перепадом высоты, превышающим толщину формируемой фоторезистивной пленки, отличающийся тем, что одновременно с формированием пленки фоторезиста происходит испарение растворителя из объема микрокапель, реализуемое за счет сочетания нагрева и формирования над поверхностью пленки потока газа, величина расхода которого находится в диапазоне от 3 до 4 порядков по отношению к величине расхода раствора, причем к исходному раствору фоторезиста добавляют растворитель, который имеет температуру кипения в диапазоне от 160°С до 175°С и представляет собой один из растворителей или их смесь - 3-циклогексен-1-карбоксальдегид, гексагидробензальдегид, 3-метил-3-циклогексен-1-он, в объемном отношении от 6:1 до 8:1 к основным компонентам материала формируемой фоторезистивной пленки.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к взрывной фотолитографической технологии и может быть использовано, когда получение рабочего рисунка из активного материала (металла или полупроводника) методами избирательного химического или плазмохимического травления через фоторезистную маску затруднено или нецелесообразно в связи с повышенной химической стойкостью к травлению активного материала.

Изобретение относится к технологии изготовления приборов микро- и наноэлектроники. Предложен способ консервации твердотельной поверхности, включающий последовательно осуществляемые стадию предварительной подготовки поверхности к консервации и стадию нанесения консервирующего покрытия.

Изобретение относится к технологии обработки кремниевых монокристаллических пластин и может быть использовано для создания электронных структур на его основе. Способ электрической пассивации поверхности кремния тонкопленочным органическим покрытием из поликатионных молекул включает предварительную подготовку подложки для создания эффективного отрицательного электростатического заряда, приготовление водного раствора поликатионных молекул, адсорбцию поликатионных молекул на подложку в течение 10-15 минут, промывку в деионизованной воде и сушку подложки с осажденным слоем в потоке сухого воздуха, при этом в качестве подложки использован монокристаллический кремний со слоем туннельно прозрачного диоксида кремния, с шероховатостью, меньшей или сравнимой с толщиной создаваемого покрытия, предварительную подготовку кремниевой подложки проводят путем ее кипячения при 75°C в течение 10-15 минут в растворе NH4OH/H2O2/H2O в объемном соотношении 1/1/4, для приготовления водного раствора поликатионных молекул использован полиэтиленимин, а во время адсорбции поликатионных молекул на подложку осуществляют освещение подложки со стороны раствора светом с интенсивностью в диапазоне 800-1000 лк, достаточной для изменения плотности заряда поверхности полупроводниковой структуры за время адсорбции.

Группа изобретений относится к способам, предназначенным для изготовления полупроводниковых приборов на твердом теле с использованием светочувствительных составов, например фоторезистов, содержащих диазосоединения в качестве светочувствительных веществ, а именно к способам формирования фоторезистной маски позитивного типа, которые могут найти применение в области микроэлектроники для получения изделий при помощи технологических способов, включающих стадию фотолитографии.

Изобретение относится к оборудованию для электронной промышленности, а именно к оборудованию для нанесения фоторезиста на подложки методом центрифугирования. Технический результат - уменьшение времени изготовления и увеличение выхода годных изделий - достигается тем, что устройство для нанесения фоторезиста содержит защитный корпус с крышкой, держатель подложек, гайки, вал центрифуги.

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано при нанесении фоторезиста на полупроводниковые пластины, а также другие подложки в процессе выполнения операций фотолитографии.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам нанесения фоторезиста на кремниевую подложку для проведения технологических процессов фотолитографии.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при создании современных полупроводниковых приборов и структур для микро- и наноэлектроники, в частности, при разработке наноразмерных приборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si с целью обеспечения проводимости тонких (субмикронных) полупроводниковых слоев.
Изобретение относится к технологии тонкопленочных приборов. .

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, обеспечивающим модель диэлектрической проницаемости, используемой в качестве изоляционных материалов или конденсатора для схемных плат.

Изобретение относится к вариантам способа проявления светоотверждающейся заготовки печатной формы с целью формирования рельефной структуры, содержащей множество рельефных точек.

Изобретение относится к области обработки полимерных материалов и касается способа термического проявления фотоотверждаемой заготовки печатной формы для получения рельефной растровой структуры.

Изобретение относится к процессам формирования (синтеза) трехмерных объектов произвольной формы с использованием технологии интерференционной литографии. .
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к микроэлектронике интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки и резонаторы), которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах.

Изобретение относится к способу освещения, по меньшей мере, одной среды для быстрого прототипирования (СБП), в котором указанное освещение осуществляют, по меньшей мере, двумя одновременно индивидуально модулируемыми световыми пучками (ИМСП), проецируемыми на указанную среду для быстрого прототипирования (СБП), и в котором указанную среду для быстрого прототипирования освещают световыми пучками (ИМСП), имеющими, по меньшей мере, два различных содержания длин волн (СДВ1, СДВ2).
Изобретение относится к способам допроявления фоторезистов и может быть использовано в области микроэлектроники интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки, резонаторы).
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления.

Изобретение может быть использовано для формирования фоторезистивных пленок, однородных по толщине и пригодных для проведения операций фотолитографии для формирования интегральных микросхем, МЭМС и СВЧ-структур на подложках, в том числе со сложным рельефом, где перепад высот существенно больше толщины формируемой пленки фоторезиста. Предложен способ получения пленки фоторезиста из раствора методом аэрозольного итерационного распыления в потоке газа, одновременно с формированием пленки фоторезиста происходит испарение растворителя из объема микрокапель, реализуемое за счет сочетания нагрева и формирования над поверхностью пленки потока газа, величина расхода которого находится в диапазоне от 3 до 4 порядков по отношению к величине расхода раствора, причем приготовление раствора фоторезистивного материала осуществляется путем добавления к исходному раствору фоторезиста растворителя, имеющего температуру кипения в диапазоне от 160°С до 175°С, представляющего собой один из растворителей или их смесь - 3-циклогексен-1-карбоксальдегид, гексагидробензальдегид, 3-метил-3-циклогексен-1-он. Изобретение обеспечивает снижение перераспределения основных компонентов фоторезистивного материала в формируемом слое фоторезиста, которые вносят вклад в увеличение неоднородности по толщине, увеличение шероховатости пленки в процессе испарения растворителей на подложках, содержащих сложный рельеф и разницу свойств материалов структурных элементов. 4 ил.

Наверх