Частотный фильтр свч сигнала на магнитостатических волнах

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах, и может быть использовано в качестве частотного фильтра. Сущность изобретения заключается в том, что частотный фильтр СВЧ сигнала на магнитостатических волнах содержит магнитный элемент, представляющий собой магнонный кристалл, имеющий форму протяженного прямоугольника с заостренными по продольной оси торцами и периодическими геометрическими неоднородностями в форме треугольных элементов, период треугольных элементов выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см-1 до 300 см-1, пьезоэлектрический элемент, имеющий длину меньше длины магнитного элемента, наружный электрод пьезоэлектрического элемента, выполненный сплошным, а электрод, прилегающий к поверхности магнитного элемента, имеет форму встречно-штыревого преобразователя с периодом Т, выбранным из условия Т=2Р, где Р - период треугольных элементов. Технический результат – создание частотного фильтра СВЧ сигнала с управлением частотным диапазоном фильтра и шириной полосы частот, уменьшение размеров до микроразмерной области и упрощение конструкции. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.

 

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах и может быть использовано в качестве частотного фильтра.

Функциональные элементы на магнитостатических волнах, в которых происходят процессы переноса магнитного момента или спина электрона вместо переноса заряда, открывают новые возможности для применения спиновых волн при построении элементной базы приборов обработки, передачи и хранения информации [Никитов С.А., и др. Магноника - новое направление спинтроники и спинволновой электроники//УФН, Т. 185, №10, с. 1099-1128 (2015)].

Известен невзаимный перестраиваемый полосовой фильтр (WO 2014052913 А1, Northeastern University, 03.04.2014), включающий в себя преобразователь, содержащий параллельно соединенные проводящие линии и ферритовый слой, так что параллельные края ферритового слоя наклонены под ненулевым углом Θ относительно параллельных сопряженных микрополосковых линий микрополоскового преобразователя. Благодаря такой конструкции отраженная от боковых граней ферритовой пленки поверхностная волна преобразуется обратно в объемную, не образуя стоячую волну, и, следовательно, не попадает в выходной сигнал. Таким образом, осуществляется невзаимная фильтрация спиновых волн, что позволяет подавить побочные моды, образующиеся из-за пространственного резонанса во взаимных фильтрах, но вносит значительные потери, что и является недостатком данного устройства.

Известен СВЧ фильтр, содержащий электромагнит, в зазоре которого расположен ферритовый резонатор на диэлектрической подложке с нанесенными на поверхность подложки входной и выходной микрополосковыми линиями (RU 2393594 С1, СГУ, Саратов, 27.06.2010). Недостатком данного устройства является относительно широкополосный режим работы и управление только центральной частотой амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) при изменении внешнего поля подмагничивания, которое необходимо для функционирования устройства.

Известен частотный фильтр на основе магнонного кристалла, используемый для управления частотой спиновых волн (WO 2009145579 А2, Magnonic crystal spin wave device capable of controlling spin wave frequency, Seoul National University Industry Foundation, 03.12.2009). Устройство состоит из волновода на основе тонкой магнитной пленки. Волновод имеет три секции, одна из которых представляет собой периодическую структуру - магнонный кристалл, образованный путем периодического изменения ширины либо толщины ферромагнитной пленки. Недостатком данного устройства является отсутствие возможности управления свойствами спектра спиновых волн путем изменения управляющих параметров.

Известен СВЧ-фильтр (RU 167504 U1, СГУ, Саратов, 10.01.2017). Он содержит слой железоиттриевого граната (ЖИГ) на подложке из галлий-гадолиниевого граната и сегнетоэлектрический слой, расположенный со стороны, противоположной подложке. Согласно решению отношение ширины слоя ЖИГ к его толщине не превышает 350, а поперечные размеры и диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрического слоя выбираются такими, чтобы в рабочем диапазоне частот в сегнетоэлектрическом слое распространялись только младшие поперечные моды ТЕ-волны. Управление как шириной полосы пропускания, так и ее центральной частотой осуществляется вариацией величин внешнего магнитного и электрического полей, а также фазовыми и групповыми скоростями отдельных мод волн. Недостаток данного устройства - отсутствие возможности контроля полосы непропускания и частотной области. Кроме того, изменение полярности приложенного напряжения не позволяет измененить направление смещения полосы непропускания и частотной области.

Наиболее близким к заявляемому является устройство на магнитостатических волнах (US 7528688 (В2), UNIV OAKLAND, USA, 05.05.2009 - прототип). Представляет слоистую структуру на подложке из галлий-гадолиниевого граната, на которой расположена пленка из ЖИГ, которая нагружена пьезоэлектрическим слоем. Данный тип структуры может быть использован в качестве микроволновых резонаторов, полосовых фильтров и линий задержки. Недостатком данных устройств являются большие толщины пленок ЖИГ и вследствие этого необходимость приложения больших величин внешнего магнитного поля и получения широких полос пропускания порядка 500 МГц.

Проблема, на решение которой направлено изобретение, состоит в усовершенствовании конструкции спин-волнового фильтра, управляемого как магнитным, так и электрическим полем.

Патентуемый частотный фильтр СВЧ сигнала на магнитостатических волнах содержит подложку, размещенные на подложке магнитный элемент, выполненный из пленки железоиттриевого граната, пьезоэлектрический элемент с металлическими электродами, образованный на поверхности магнитного элемента, входной и выходной преобразователи магнитостатических волн.

Отличие состоит в том, что магнитный элемент, представляющий собой магнонный кристалл, имеет форму протяженного прямоугольника с заостренными по продольной оси торцами и периодическими геометрическими неоднородностями в форме треугольных элементов, размещенных на противолежащих сторонах прямоугольника. Период треугольных элементов выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см-1 до 300 см-1, в котором затухание магнитостатической волны минимальное.

Пьезоэлектрический элемент имеет длину, меньшую длины магнитного элемента, а входной и выходной преобразователи магнитостатических волн размещены на свободной поверхности магнитного элемента со стороны заостренных торцов, при этом наружный электрод пьезоэлектрического элемента выполнен сплошным, а электрод, прилегающий к поверхности магнитного элемента, имеет форму встречно-штыревого преобразователя с периодом Т, выбранным из условия Т = 2Р, где Р -период треугольных элементов.

Фильтр может характеризоваться тем, что глубина треугольных элементов П2 определяется из условия h.2=w0/5, w0 - ширина магнонного кристалла, а также тем, что треугольные элементы имеют период Р =250 мкм, а глубину - h2 =200 мкм.

Фильтр может характеризоваться и тем, что подложка выполнена из неферромагнитного галлий-гадолиниевого граната, а кроме того, тем, что входной и выходной преобразователи магнитостатических волн представляют собой микрополосковые элементы.

Фильтр может характеризоваться также тем, что пьезоэлектрический элемент выполнен из поляризированной по толщине пластины керамики цирконата-титаната свинца, при этом металлические электроды выполнены из никеля.

Технический результат - создание частотного фильтра СВЧ сигнала с управлением частотным диапазоном фильтра и шириной полосы частот посредством воздействия статическим электрическим и магнитным полями при уменьшении размеров до микроразмерной области и упрощении конструкции.

Изобретение поясняется чертежами, где:

фиг. 1 представлена конструкция устройства;

фиг. 2 - конструкция, вид сверху;

фиг. 3 - то же, что на фиг.2, неоднородности, укрупнено;

фиг. 4 - результат исследования распространения волны в фильтре;

фиг. 5 - частотные зависимости коэффициента передачи S21 при различных значениях приложенного внешнего электрического поля. Позициями на чертежах обозначены:

1 - подложка из пленки галлий гадолиниевого граната (ГГГ);

2 - входная микрополосковая антенна;

3, 4 -металлические электроды встречно-штыревого преобразователя;

5 - наружный электрод пьезоэлектрического элемента;

6 - пьезоэлектрический элемент;

7 - магнонный кристалл - магнитный элемент, выполненный из пленки ЖИГ; 71 - треугольные элементы на противолежащих сторонах элемента 7;

8 - выходная микрополосковая антенна.

Устройство (см. фиг. 1-3) содержит подложку 1 из пленки галлий-гадолиниевого граната (ГГГ) с размерами ШхДхТ=1300×4000×500(мкм). На поверхности подложки 1 сформирован магнонный кристалл 7 на основе пленки железо-иттриевого граната (ЖИГ) толщиной 7,7 мкм и намагниченностью насыщения М0=139Гс. На пленке расположены входная 2 и выходная 8 микрополосковые антенны шириной 30 мкм, обеспечивающие возбуждение и прием магнитостатических волн. Входная антенна 2 расположена на одном конце магнонного кристалла 7, а выходная антенна 8 расположена на втором конце магнонного кристалла 7. На поверхности магнонного кристалла 7, между входной 2 и выходной 8 антеннами расположен пьезоэлектрический элемент 6 в виде пленки цирконата титаната свинца (ЦТС) с размерами (ШхДхТ) 500 мкм × 3000 мкм × 400 мкм. На верхней части пьезоэлектрического элемента 6 образован сплошной металлический электрод 5 из хрома, обеспечивающий заземление.

На нижней части пьезоэлектрического элемента 6, на поверхности магнонного кристалла 7 расположены металлические электроды 3 и 4 из никеля, которые с помощью лазерной резки выполнены в виде встречно-штыревой системы для подачи разных по знаку значений напряжения (см. фиг. 2, 3). Ширина магнонного кристалла w0 - 1000 мкм, длина 6 мм. Внешнее магнитное поле H0 направлено касательно вдоль оси х (см. фиг. 1). Магнонный кристалл 7 может быть образован лазерным скрайбированием или другим известным методом из пленки ЖИГ шириной W0 путем выполнения периодических неоднородностей в форме треугольных элементов 71 на противолежащих сторонах элемента 7. Период Р треугольных элементов 71 выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см-1 до 300 см-1, в котором затухание магнитостатической волны минимальное.

Принцип работы данного фильтра заключается в том, что входной микроволновый СВЧ сигнал, частота которого должна лежать в диапазоне, определяемом величиной внешнего постоянного магнитного поля, подается на входную микрополосковую антенну 2. Далее микроволновый сигнал преобразуется в поверхностную магнитостатическую волну (ПМСВ), распространяющуюся вдоль длины магнонного кристалла 7. Периодическая решетка треугольных элементов 71 на макете фильтра имеет период Р =250 мкм и глубину h2 =200 мкм (см. фиг. 2 и 3) и обеспечивает эффективное создание запрещенной зоны Брэгга.

Электрическая перестройка частоты возможна благодаря магнитоэлектрическому (МЭ) взаимодействию в структуре, которое заключается в следующем. Электрическое поле вызывает деформацию пьезоэлектрического элемента 6 вследствие обратного пьезоэффекта. Деформация передается магнонному кристаллу 7, который механически связан с пьезоэлектрическим элементом 6. Вследствие указанного пьезомагнитного эффекта изменяется внутреннее магнитное поле в магнонном кристалле 7, приводящее к изменению дисперсионной характеристики волнового процесса в структуре. Это позволяет реализовать двойное управление свойствами волны и соответственно, характеристиками устройства. Управление осуществляется путем воздействия на характеристики магнонного кристалла 7 и элемента 6 при изменении приложенных к ним соответственно внешнего магнитного и электрического полей. Как показано на фиг.2, электроды 3 и 4 образуют встречно-штыревую систему преобразователя, и период Т этой системы связан с периодом треугольных элементов 71 боковой поверхности 7 магнонного кристалла Р, как Т =2Р. При этом каждый электрод встречно-штыревой системы имеет ширину W =250 мкм, совпадающую с основанием треугольного элемента 71 и глубину h1 =800 мкм (см. фиг. 3). Вследствие этого обеспечивается более эффективное управление спиновыми волнами, распространяющимися в предложенном устройстве. Ввиду конечной ширины W0 магнонного кристалла 7 при распространении ПМСВ реализуется многомодовый режим распространения.

На фиг. 4 представлены результаты экспериментального исследования распространения волны в фильтре. Методом Мандельштам-Бриллюэновского рассеяния света (МБРС) проведено исследование особенностей распространения поверхностной магнитостатической волны (ПМСВ) в изготовленном макете на частоте входного сигнала 2,519 ГГц (а) и 2,55 ГГц (б). Представлена карта распределения интенсивности I магнитостатической волны. Основная роль в формировании пространственной картины распределения интенсивности играет межмодовое взаимодействие волн и их рассеяние на границах магнонного кристалла. Эти механизмы приводят к быстрому пространственному затуханию ПМСВ и образованию широкой запрещенной зоны. При увеличении частоты наблюдается перераспределение интенсивности ПМСВ от края магнонного кристалла до его продольной оси. Эффективность рассеяния ПМСВ на периодических неоднородностях магнонного кристалла 7 уменьшается, и при распространении волны профиль поперечного распределения интенсивности I (x,z) приближается к распределению в виде sin2(πz/w0), где W0 - ширина магнонного кристалла 7, для основной моды. В этом случае образуется брэгговская запрещенная зона.

На фиг. 5 представлены частотные зависимости коэффициента передачи S21 при различных значениях приложенного внешнего электрического поля Е: кривая 9 - в случае Е<0; кривая 10 - в случае Е =0; кривая 11 - в случае Е>0.

С помощью векторного анализатора цепей была получена амплитудно-частотная характеристика патентуемого фильтра. Коэффициент передачи S21 в частотной области запрещенной зоны показан кривой 10. Частотный сдвиг запрещенной зоны может быть как положительным, если прикладываемое поле Е>0 (кривая 11), так и отрицательным -если прикладываемое поле Е<0 (кривая 9). Таким образом, имеет место двойное управление в предложенном фильтре.

Таким образом, приведенные результаты обосновывают достижение технического результата. За счет конечной ширины образованного магнонного кристалла, частотный фильтр на магнитостатических волнах на основе слоистой структуры работает в многомодовом режиме. Это позволяет расширить функциональные возможности телекоммуникационных систем с большой плотностью информационного сигнала и использовать как частотный фильтр с двойным управлением как функциональный элемент магнонной сети.

1. Частотный фильтр СВЧ сигнала на магнитостатических волнах, содержащий подложку, размещенные на подложке магнитный элемент, выполненный из пленки железоиттриевого граната, пьезоэлектрический элемент с металлическими электродами, образованный на поверхности магнитного элемента, входной и выходной преобразователи магнитостатических волн,

отличающийся тем, что

магнитный элемент, представляющий собой магнонный кристалл, имеет форму протяженного прямоугольника с заостренными по продольной оси торцами и периодическими геометрическими неоднородностями в форме треугольных элементов, размещенных на противолежащих сторонах прямоугольника, причем период треугольных элементов выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см-1 до 300 см-1;

пьезоэлектрический элемент имеет длину, меньшую длины магнитного элемента, а входной и выходной преобразователи магнитостатических волн размещены на свободной поверхности магнитного элемента со стороны заостренных торцов,

при этом наружный электрод пьезоэлектрического элемента выполнен сплошным, а электрод, прилегающий к поверхности магнитного элемента, имеет форму встречно-штыревого преобразователя с периодом Т, выбранным из условия Т=2Р, где Р - период треугольных элементов.

2. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что глубина треугольных элементов h2 определяется из условия h2=w0/5, где w0 - ширина магнонного кристалла.

3. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что треугольные элементы имеют период Р=250 мкм, а глубину h2=200 мкм.

4. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что подложка выполнена из неферромагнитного галлий-гадолиниевого граната.

5. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что входной и выходной преобразователи магнитостатических волн представляют собой микрополосковые элементы.

6. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что пьезоэлектрический элемент выполнен из поляризированной по толщине пластины керамики цирконата-титаната свинца, при этом металлические электроды выполнены из никеля.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к радиосвязи. Технический результат изобретения заключается в одновременном обеспечении заданных значений модулей и фаз передаточной функции в двух состояниях управляемого элемента в ограниченной двумя заданными частотами полосе частот.

Использование: для волноводов со штырьевыми стенками, реализованных в печатных платах. Сущность изобретения заключается в том, что оптически управляемый переключатель содержит печатную плату, содержащую верхний и нижний проводящие слои и слой диэлектрика между ними, стенки волновода, образованные двумя рядами переходных металлизированных отверстий, электрически соединенных с верхним и нижним проводящими слоями печатной платы, причем соседние отверстия в ряду расположены друг от друга на расстоянии менее одной десятой доли длины волны для электромагнитной волны, которая подается в переключатель, причем расстояние между рядами составляет более половины рабочей длины волны, распространяющейся в волноводе с учетом диэлектрического заполнения, первый и второй порты волновода для ввода и вывода электромагнитной энергии, расположенные на концах волновода между его стенками, шунтирующее металлизированное отверстие, электрически соединенное с нижним слоем печатной платы и отделенное от верхнего слоя печатной платы диэлектрическим зазором, фотопроводящий полупроводниковый элемент, расположенный на верхнем слое печатной платы и электрически соединенный с шунтирующим отверстием и с верхним слоем печатной платы, причем фотопроводящий элемент имеет по меньшей мере два состояния: состояние диэлектрика с малой собственной электрической проводимостью (выключенное состояние) при отсутствии управляющего светового потока и состояние проводника с относительно высокой электрической проводимостью (включенное состояние) при наличии управляющего светового потока.

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к возбудителям волны TE01. Возбудитель волны ТЕ01 состоит из выходного круглого волновода со стенкой, образующей контактный фланец, который соединяется через плиту модового фильтра с фланцем блока преобразователя волны ТЕ10 в TE01, в котором выполнены: круглый волновод с подвижным закорачивающим поршнем, расположенный соосно выходному круглому волноводу, и входной прямоугольный волновод, расположенный по касательной к круглому волноводу блока преобразователя волны.

Изобретение относится к антенной технике. Фазовращатель содержит ответвитель, первую и вторую сети полного сопротивления.

Изобретение относится к области техники СВЧ и может быть использовано для изменения высоких уровней СВЧ-мощности электромагнитной волны моды Н10 в прямоугольном волноводе.

Изобретение относится к СВЧ-технике и может быть использовано в технике связи и в радиолокации. Полосно-заграждающий фильтр содержит полосковую линию передачи, два параллельных контура с сосредоточенными LC параметрами, соединенных последовательно, две включенные параллельно входу устройства емкости, имеющие с одной стороны контакта общую точку соединения с корпусом устройства.

Изобретение относится к области антенной техники. Поляризационный селектор состоит двух одинаковых соединенных последовательно секций, расположенных соосно, каждая из которых содержит круглый волновод, с присоединенным прямоугольным волноводом.

Изобретение относится к области радиотехники, а именно к средствам преобразования поляризации волноводных волн. Изобретение может быть использовано в антенных системах с полосой рабочих частот порядка 5%.

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к фильтрам низких частот. СВЧ-фильтр нижних частот содержит отрезки линии передачи, соединенные последовательно, в середине которых подключены разомкнутые шлейфы, к началу первого отрезка подключен вход фильтра, к концу последнего отрезка подключен выход фильтра, Кроме того, фильтр включает конденсаторы, соединяющие начало и конец каждого отрезка, емкость конденсаторов находится в пределах от 1/ωZ0 до 1.5/ω0Z0, где ω0 - круговая граничная частота, Z0 - сопротивление входа и выхода и волновое сопротивление отрезков линий.

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к нагрузкам для поглощения энергии электромагнитной волны высокой мощности моды H10. Нагрузка содержит отрезок прямоугольного волновода, поглощающую жидкость в металлическом сосуде, радиопрозрачную герметичную перегородку, отделяющую внутренний объем волновода от поглощающей жидкости.

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах, и может быть использовано в качестве частотно-избирательного делителя мощности с нелинейным эффектом. Делитель мощности СВЧ сигнала содержит единый входной порт, первый и второй выходные порты. Элементы электромагнитной связи выполнены в виде микроволноводной структуры для магнитостатических волн на подложке из галлий-гадолиниевого граната. Микроволноводная структура выполнена на основе пленки железо-иттриевого граната (ЖИГ) в форме двух удлиненных полосок равной ширины, размещенных параллельно друг другу с зазором, выбранным из условия обеспечения режима многомодовой связи магнитостатических волн. Концы одной полоски микроволноводной структуры имеют отводы, на которых образованы микрополосковые антенны для возбуждения и приема магнитостатических волн, связанные соответственно с единым входным портом и первым выходным портом. Свободный конец другой полоски размещен с торцевым зазором в направлении единого входного порта, а ее второй конец имеет отвод, на котором образована микрополосковая антенна для приема магнитостатических волн, связанная со вторым выходным портом. Изобретение направлено на расширение функциональных возможностей двухканального микроволнового делителя мощности СВЧ сигнала с управлением частотным диапазоном деления и шириной полосы частот делителя посредством изменения мощности подаваемого сигнала. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области СВЧ техники, точнее к техническим решениям соединителей разъемных фланцев волноводов СВЧ трактов, и позволяет упростить процесс крепления фланцев при многократном их соединении и разъединении и ускорить процесс крепления фланцев волноводных труб. Соединитель содержит шляпку 1 в виде диска и цилиндрическую часть 2 меньшего диаметра, размещенную в соосных отверстиях 3 и 4 сочлененных волноводных фланцев 5 и 6, вторую составляющую из шляпки 7 в виде диска и цилиндрической части 8 меньшего диаметра, отверстия 9 в диске 1 и отверстие 10 в диске 7, в которых закреплены одни из концов цилиндрической части 2 и второй цилиндрической части 8 соединителя и его второй части. На поверхности шляпок 1 и 7 установлены пружины 11 и 12, действующие в направлении оси цилиндрических частей 2 и 8 на волноводные фланцы 5 и 6. Для обеспечения стягивающего действия расстояние между плоскостью диска шляпки 1 и плоскостью поверхности фланца 5, а также между плоскостью диска шляпки 7 и плоскостью поверхности фланца 6 равны нулю. Технический результат заключается в упрощении процесса крепления фланцев при их многократном соединении и разъединении. 1 ил.

Разъемное соединение фланцев волноводов СВЧ трактов относится к области СВЧ техники. Заявленное соединение содержит одинаковые пластины 1 с соосными отверстиями 2 и направляющими, которые образованы штырем 3, укрепленным на одной из пластин 1 и соосными с ними отверстиями 4 в другой пластине 1, шайбы 5 из магнитотвердых материалов с остаточной намагниченностью, размещенные в отверстиях 2 в пластинах 1, укрепленные в них и установленные встречно друг к другу противоположными полюсными наконечниками N-S, отверстие 6 с резьбой в одной из пластин 1, смещенное относительно центра к краю пластины. При сближении пластин 1 вдоль направляющих 3 до вхождения направляющих 3 в соосные с ними отверстия 4, между шайбами 5 из магнитотвердых материалов с остаточной намагниченностью, размещенными в отверстиях 2 в пластинах 1 возникают магнитные силы притяжения, возрастающие по мере сближения пластин. Наибольшее усилие соответствует моменту соприкосновения плоскостей пластин. В таком состоянии взаимного положения пластин 1 шайбы 5 из магнитотвердых материалов с остаточной намагниченностью (постоянные магниты) удерживают присоединение волноводных фланцев. Технический результат заключается в упрощении процесса крепления фланцев волноводных труб. 1 ил.

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в широкополосных микроволновых устройствах в качестве оконечной согласованной нагрузки высокого уровня мощности. Микрополосковая нагрузка содержит диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположено металлизированное основание, а на другой стороне расположены входная микрополосковая линия передачи, конденсатор и поглощающие резистивные пленки с одинаковыми размерами и поверхностным сопротивлением, между которыми включены катушки индуктивности. При этом конец последней поглощающей резистивной пленки является концом микрополосковой нагрузки и соединен с металлизированным основанием, а между входной микрополосковой линией передачи и металлизированным основанием включен конденсатор. В предлагаемом устройстве значения индуктивности катушек индуктивности выбраны таким образом, что вместе с паразитными емкостями поглощающих резистивных пленок они образуют фильтры нижних частот с чебышевской аппроксимацией амплитудно-частотных характеристик, что обеспечивает высокое качество согласования во всей полосе рабочих частот, в том числе в области низких частот. Изобретение обеспечивает улучшение согласования в области низких частот при сохранении максимально допустимого уровня мощности входного высокочастотного сигнала. 3 ил.

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах, и может быть использовано в качестве частотного фильтра. Сущность изобретения заключается в том, что частотный фильтр СВЧ сигнала на магнитостатических волнах содержит магнитный элемент, представляющий собой магнонный кристалл, имеющий форму протяженного прямоугольника с заостренными по продольной оси торцами и периодическими геометрическими неоднородностями в форме треугольных элементов, период треугольных элементов выбран из условия образования брэгговской запрещенной зоны в диапазоне волновых чисел от 100 см-1 до 300 см-1, пьезоэлектрический элемент, имеющий длину меньше длины магнитного элемента, наружный электрод пьезоэлектрического элемента, выполненный сплошным, а электрод, прилегающий к поверхности магнитного элемента, имеет форму встречно-штыревого преобразователя с периодом Т, выбранным из условия Т2Р, где Р - период треугольных элементов. Технический результат – создание частотного фильтра СВЧ сигнала с управлением частотным диапазоном фильтра и шириной полосы частот, уменьшение размеров до микроразмерной области и упрощение конструкции. 5 з.п. ф-лы, 5 ил.

Наверх