Резистивная паста


H01C7/00 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

Владельцы патента RU 2669000:

Акционерное общество Внешнеэкономическое объединение "АСТРАТЕХ" (RU)

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для производства чип резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати. Резистивная паста, содержащая токопроводящую фазу на основе серебра и палладия, неорганическое связующее и органическую связку. При этом паста дополнительно содержит оксид рутения, оксид свинца, оксид бора, оксид алюминия, оксид кремния, оксид цинка, оксид меди, оксид марганца и оксид тантала, подобранные в определенном количественном соотношении. Изобретение позволяет расширить диапазон удельного поверхностного сопротивления и снизить температурный коэффициент сопротивления.

 

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для производства чип резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати.

Общеизвестно, что резистивные пасты являются многокомпонентными композициями, содержащими резистивную фазу (оксиды или другие соединения металлов), неорганическое связующее (стекло) и временную технологическую добавку, обеспечивающую необходимый комплекс реологических свойств. Распространенными резистивными пастами для толстопленочных резисторов являются система Ag-Pd.

Поэтому с целью расширения диапазона удельного поверхностного сопротивления и снижения температурного коэффициента сопротивления ведутся работы по подбору различных составов резистивных паст.

Так в авторском свидетельстве № 841068 от 23.06.1981 предлагается резистивная паста содержащая: окись серебра, металлический палладий, стеклофрита, гексатанталат металла и органическое связующее выбранные в определенном количестве.

В авторском свидетельстве № 894802 от 30.12.1981 предлагается резистивная паста содержащая: порошок палладия, порошок платины, двуокись кремния, окись алюминия, окись бора, окись бария, окись кальция и органическое связующее выбранные в определенном количестве.

В авторском свидетельстве № 1103294 от 15.07.1984 предлагается резистивная паста содержащая: оксид серебра, металлический палладий, стеклофрита, кислый или средний ортофосфат иттербия, и органическое связующее выбранные в определенном количестве.

В целях расширения диапазона удельного поверхностного сопротивления и снижения температурного коэффициента сопротивления нами экспериментально был подобран новый оптимальный состав резистивной пасты.

Технический результат - расширение диапазона удельного поверхностного сопротивления и снижение температурного коэффициента сопротивления.

Технический результат достигается за счет того, что резистивная паста содержит токопроводящую фазу на основе серебра и палладия, неорганическое связующее и органическую связку. При этом паста дополнительно содержит оксид рутения, оксид свинца, оксид бора, оксид алюминия, оксид кремния, оксид цинка, оксид меди, оксид марганца и оксид тантала, при следующем количественном соотношении исходных компонентов, мас. %:

Серебро (0,1%-40%)

Палладий (0,1%-20%)

Оксид рутения (0,1%-25%)

Оксид свинца (0,1%-35%)

Триоксид бора (0,1%-5%)

Оксид алюминия (0,1%-5%)

Диоксид кремния (0,1%-25%)

Оксид цинка (0,1%-3%)

Оксид меди (0,1%-1%)

Оксид марганца (0,1%-2%)

Оксид тантала (0,1%-2%)

Терпинеол (0,1%-30%)

Дибутил декандиоат (0,1%-10%).

Соответственно массовый % всех вышеуказанных веществ должен быть не более 100%.

Полученная паста - это вещество суспензионной консистенции (вроде очень плотной мази), которая нами была опробована и показала отличные результаты при производстве чип резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати (паста наносится мазком в трафарет, и далее отправляется в специальную печку на некоторое время, после чего затвердевает).

Предлагаемая паста оценивалась в технологическом процессе изготовления прецизионных (точных) чип-резисторов:

1) нанесение на шлифованную (тыльную) поверхность изоляционной подложки методом трафаретной печати слоя предлагаемой пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на тыльной стороне подложки;

2) напыление на полированную (лицевую) сторону изоляционной подложки методом вакуумной (тонкопленочной) технологии резистивного слоя;

3) формирование методом фотолитографии и ионного травления топологии резистивного слоя на подложке;

4) нанесение методом трафаретной печати на лицевой стороне подложки поверх резистивного слоя низкотемпературной серебряной пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на лицевой стороне;

5) подгонку методом лазерной подгонки величины сопротивления резисторов в номинал;

6) нанесение методом трафаретной печати на резистивный слой с последующим вжиганием слоя низкотемпературной защитной пасты, образуя защитный слой;

7) скрайбирование и ломку пластины изоляционной подложки на полосы;

8) напыление методом вакуумной (тонкопленочной) технологии из сплава никеля с хромом на торцы, соединяя тем самым между собой электродные контакты лицевой и тыльной сторон подложки;

9) ломку рядов пластины на чипы;

10) нанесение гальваническим методом поверх электродных контактов - торцевого, на лицевой и на тыльной сторонах - слоя никеля;

11) нанесение поверх слоя никеля гальваническим методом слоя припоя в виде сплава олова со свинцом.

Нами было проведено много экспериментов по применению различных резистивных паст в вышеуказанной технологии, однако одни из лучших результатов показала предлагаемая в данной заявке резистивная паста.

Резистивная паста, содержащая токопроводящую фазу на основе серебра и палладия, неорганическое связующее и органическую связку, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит оксид рутения, оксид свинца, оксид бора, оксид алюминия, оксид кремния, оксид цинка, оксид меди, оксид марганца и оксид тантала, при следующем количественном соотношении исходных компонентов, мас.%:

Серебро (0,1%-40%)

Палладий (0,1%-20%)

Оксид рутения (0,1%-25%)

Оксид свинца (0,1%-35%)

Триоксид бора (0,1%-5%)

Оксид алюминия (0,1%-5%)

Диоксид кремния (0,1%-25%)

Оксид цинка (0,1%-3%)

Оксид меди (0,1%-1%)

Оксид марганца (0,1%-2%)

Оксид тантала (0,1%-2%)

Терпинеол (0,1%-30%)

Дибутил декандиоат (0,1%-10%).



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для производства чип резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати.

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных резисторов. Способ формирования резистивной пленки - реактивное магнетронное распыление.

Изобретение относится к радио- и микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение промежутков времени от 20 до 70 минут при 10-150°С.

Изобретение относится к радио- и микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение промежутков времени от 25 до 110 минут при 10-150°С.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к композиционному резистивному углеродному материалу, может найти применение для приготовления высокоэлектропроводных, обеспечивающих надежный электрический контакт паст и клеев, а также при изготовлении промышленных и бытовых нагревателей.

Изобретение относится к материалу варистора для разрядника, служащего для защиты от перенапряжения, с целевой напряженностью переключающего поля в диапазоне от 250 до 400 В/мм.

Изобретение относится к области электротехнического, радиотехнического и электроэнергетического назначения. Композиционный резистивный материал содержит корунд, связующее на основе силикатного стекла, углеродсодержащую фазу, отличается тем, что корунд взят с размером частиц не более 50 мкм, а связующее дополнительно содержит каолиновую глину при следующем соотношении компонентов, мас.%: Сухая смесь: Корунд - 69,5-80,0; Каолиновая глина - 15,5-19,8; Углеродсодержащая фаза - 0,2-15; Натриевое стекло - 8-10 в пересчете на сухую смесь.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в технологии получения терморезистивных материалов для приборов, предназначенных для термостатирования объектов при фиксированных значениях температуры, например терморезисторов, нагревательных элементов и регуляторов температуры.

Изобретение относится к радио- и микроэлектронике, а именно к резистивному материалу, содержащему халькогениды серебра, мышьяка и германия. При этом материал дополнительно содержит селенид меди согласно эмпирической формуле: (Ag2Se)x·(Cu2Se)(1-x)·(As2Se3)·(GeSe)2, где 0,6≤х≤0,95.

Изобретение относится к разряднику для защиты от перенапряжений. Разрядник содержит защищенный от прикосновения корпус (10), расположенный в корпусе активный элемент (20), имеющий выполненный в виде батареи (21) варисторов столбик варисторных элементов и расположенный снаружи корпуса и соединенный электрически с батареей (21) варисторов электрический ввод для присоединения защищаемой от перенапряжений, защищенной при прикосновении высоковольтной установки.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для производства чип резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати.

Изобретение относится к способу изготовления пасты для толстопленочного резистора. Порошки молибдена, тантала, магния и кремния смешивают, прессуют в штабик и помещают в герметичный реактор.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству низкоомных чип-резисторов, которые могут быть использованы в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в частности для применения в качестве датчиков тока.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству низкоомных чип-резисторов, которые могут быть использованы в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в частности для применения в качестве датчиков тока.

Изобретение относится к радиоэлектронике, а точнее к тонкопленочной технологии. Сущность способа изготовления резистора на кристаллической или поликристаллической подложке заключается в том, что кристаллическую или поликристаллическую подложку шлифуют, располагают ее в импланторе, направляют сфокусированный поток ионов на подложку и рисуют им резистор.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологическим процессам изготовления толстопленочных резисторов, и может быть использовано при корректировке сопротивления резистора до необходимого номинала или получения нестандартного значения сопротивления без разрушения резистивного слоя, а также при корректировке функциональной характеристики резистивной пленки.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в том числе мощных высокочастотных цепях.

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к средствам измерения, в конструкции которых применен тензорезистивный элемент на металлической подложке, изготовленный с использованием тонкопленочной технологии.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для производства чип резисторов (SMD-резисторов), а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для производства чип резисторов, а также для производства толстоплёночных резисторов методом трафаретной печати. Резистивная паста, содержащая токопроводящую фазу на основе серебра и палладия, неорганическое связующее и органическую связку. При этом паста дополнительно содержит оксид рутения, оксид свинца, оксид бора, оксид алюминия, оксид кремния, оксид цинка, оксид меди, оксид марганца и оксид тантала, подобранные в определенном количественном соотношении. Изобретение позволяет расширить диапазон удельного поверхностного сопротивления и снизить температурный коэффициент сопротивления.

Наверх