Способ получения сегнетоэлектрических пленок ba1-xsrx tio3

Способ получения сегнетоэлектрической пленки Ba1-xSrxTiO3 относится к технологиям получения тонких пленок и может быть использован при получении сегнетоэлектрических пленок Ba1-xSrxTiO3 для сверхвысокочастотной техники. На первом этапе распыляют мишень состава Ba0,4Sr0,6TiO3 на сапфировую подложку с подслоем платины в атмосфере кислорода при давлении 2 Па и температуре подложки 700-900°С в течение времени, достаточного для создания сплошного сегнетоэлектрического слоя. На втором этапе процесс распыления прекращается на время, достаточное для отжига сплошного сегнетоэлектрического слоя, прочие технологические параметры не изменяются. Затем этапы повторяются несколько раз для получения необходимой толщины сегнетоэлектрической пленки. Техническим результатом является высокая диэлектрическая нелинейность сегнетоэлектрической пленки при низких диэлектрических потерях, что позволяет использовать полученные сегнетоэлектрические пленки в сверхвысокочастотной технике. 2 ил.

 

Изобретение относится к технологиям получения тонких пленок и может быть использовано для получения сегнетоэлектрических пленок Ва1-xSrxTiO3 для сверхвысокочастотной техники.

Известен способ (Патент № US 6346424) получения сегнетоэлектрических пленок Ва1-xSrxTiO3 с диэлектрической проницаемостью (~200), путем отжига готового сегнетоэлектрического слоя в несколько стадий. На первом этапе отжига происходит быстрая термическая обработка в инертной атмосфере при температуре выше температуры подложки во время осаждения, на втором этапе происходит длительная термическая обработка в атмосфере кислорода при температуре выше температуры осаждения, но ниже температуры первого этапа. Известный способ позволяет добиться снижения токов утечки за счет восстановления кислородных вакансий во время отжига, однако диэлектрическая проницаемость данной пленки недостаточна для применения в электрически управляемых приборах современной сверхвысокочастотной электроники.

Известен способ (Barbara Malic, Miso Vukadinovic, Iulian Boerasu, Mira Mandeljc, Elena Ion, Marija Kosec, Vladimir Sherman, Tomoaki Yamada, Nava Setter. Relation Between Processing, Microstructure and Electric Field-Dependent Dielectric Properties of Ba0.3Sr0.7TiO3 Thin Films on Alumina Substrates. Integrated Ferroelectrics, 93, 2007, 119-125) получения сегнетоэлектрической пленки Ва1-xSrxTiO3 золь-гель методом с высокой диэлектрической проницаемостью и низкими диэлектрическими потерями путем многоступенчатого осаждения с использованием промежуточного отжига. В процессе получения пленки происходит нанесение сегнетоэлектрического слоя на подложку и отжиг слоя в воздушной атмосфере при температуре больше 700°С. Процесс повторяется до получения необходимой толщины пленки. Известный способ позволяет добиться высокой диэлектрической проницаемости и некоторого улучшения диэлектрической нелинейности, тем не менее, не достаточной для применения в сверхвысокочастотной электронике, а также данным методом затруднительно получить пленки большой толщины с отсутствием примесей.

Наиболее близким по совокупности существенных признаков к предлагаемому, является способ (Заявка № WO 2007027535 (А2)) получения сегнетоэлектрических пленок Ва1-xSrxTiO3 на подложке SiC помощью импульсного осаждения из паровой фазы или с помощью процесса высокочастотного распыления мишени без нагрева подложки, с последующим этапом отжига при температуре выше 650°С. Получение сегнетоэлектрической пленки без нагрева подложки позволяет достигнуть высоких скоростей роста, необходимых в промышленных масштабах, но сильно ухудшает микроструктуру пленки, что снижает диэлектрическую нелинейность и увеличивает потери. Для улучшения микроструктуры пленки в способе используется отжиг при высокой температуре, тем не менее, достигаемые диэлектрические характеристики недостаточны для применения в сверхвысокочастотной технике.

Недостатком известного способа являются большие диэлектрические потери пленок на сверхвысоких частотах и необходимость использования подложки SiC, которая не удовлетворяет требованиям сверхвысокочастотной техники по добротности и допустимой рабочей мощности.

Задачей, решаемой изобретением, является разработка технологии получения сегнетоэлектрической пленки Ва1-xSrxTiO3 высокого структурного качества, с высокой диэлектрической проницаемостью и нелинейностью (зависимостью диэлектрической проницаемости от внешнего электрического поля) при низких диэлектрических потерях.

Поставленная задача решается за счет того, что в предлагаемом способе получения сегнетоэлектрической пленки Ва1-xSrxTiO3 так же, как и в известном, распыляют мишень состава Ва1-xSrxTiO3, но в отличие от известного способа, в предлагаемом для осаждения используется сапфировая подложка с подслоем платины при температуре 700-900°С с периодическим прерыванием процесса распыления мишени через время, достаточное для создания сплошного сегнетоэлектрического слоя, на время, достаточное для отжига сплошного сегнетоэлектрического слоя. Общая длительность процесса осаждения определяется требуемой толщиной сегнетоэлектрического слоя.

Техническим результатом является высокая диэлектрическая нелинейность сегнетоэлектрической пленки при низких диэлектрических потерях на СВЧ, позволяющая использовать полученные сегнетоэлектрические пленки в сверхвысокочастотной технике.

Изобретение поясняется чертежами, где на фигуре 1 представлены дифрактограммы сегнетоэлектрической пленки Ва1-xSrxTiO3, полученной с периодическим прерыванием процесса распыления (а), и однослойной пленки, полученной в непрерывном процессе (б), на сапфире с подслоем платины. На фигуре 2 представлены зависимости нормированной емкости и диэлектрических потерь (tan δ) конденсаторных структур на основе пленки, полученной предлагаемым способом, и на основе однослойной пленки от управляющего напряжения, измеренные на частоте 1,5 ГГц.

Рассмотрим пример реализации предлагаемого способа. На первом этапе распыляют мишень состава Ва0,4Sr0,6TiO3 на сапфировую подложку с подслоем платины в атмосфере кислорода при давлении 2 Па и температуре подложки 750°С, создавая сплошной сегнетоэлектрический слой. Диапазон температур подложки ограничен 700°С с одной стороны, что объясняется наличием посторонних полититанатных фаз при меньшей температуре, и 900°С с другой, что объясняется нестехиометрическим переносом компонентов мишени на подложку при более высокой температуре. Длительность этапа распыления составляет 20 минут. На втором этапе процесс распыления мишени прерывается на 10 минут для отжига осажденного слоя сегнетоэлектрической пленки, прочие технологические параметры не изменяются. Затем этапы повторяются несколько раз, для получения необходимой толщины сегнетоэлектрической пленки.

Суть предлагаемого метода состоит в температурном воздействии на очень тонкие слои сегнетоэлектрической пленки непосредственно в процессе напыления, что обеспечивает высокую эффективность температурного воздействия на структуру пленки, по сравнению с традиционным отжигом после формирования всего сегнетоэлектрического слоя.

Из фигуры 1 видно, что пленка, полученная при использовании предлагаемого способа, проявляет преимущественно ориентированную структуру, тогда как однослойная пленка является поликристаллической. Для пленки, полученной предлагаемым способом, наличие рефлекса второго порядка (200) свидетельствует о (h00) преимущественной ориентации, а увеличение суммарной интенсивности пиков (100) и (200) говорит об улучшении ее кристаллического качества, что приводит к увеличению нелинейности и снижению диэлектрических потерь. Из фигуры 2 следует, что конденсаторная структура на основе сегнетоэлектрической пленки, полученной предлагаемым способом, имеет высокую диэлектрическую нелинейность, так как изменяет свою емкость в 5 раз под действием управляющего напряжения 40 В, при этом диэлектрические потери данного конденсатора не превышают 4% в всем интервале управляющих напряжений. Ранее не сообщалось о пятикратном изменении емкости конденсаторов на основе Ba1-xSrxTiO3 сегнетоэлектрических тонких пленок, сохраняющих при этом столь низкие потери на сверхвысоких частотах.

Использование данного метода позволяет получить сегнетоэлектрическую пленку высокого структурного качества без включения полититанатных фаз и с минимальным количеством дефектов за счет отжига тонких слоев пленки, и реализовать рекордную нелинейность конденсаторных структур на ее основе при низких диэлектрических потерях на сверхвысоких частотах.

Способ получения сегнетоэлектрических пленок Ba1-xSrxTiO3 путем распыления мишени состава Ba1-xSrxTiO3, отличающийся тем, что в качестве подложки используется подложка сапфира с подслоем платины, а процесс распыления проводится при температуре подложки 700-900°С с периодическим прерыванием распыления мишени через время, достаточное для создания сплошного сегнетоэлектрического слоя, на время, достаточное для отжига сплошного сегнетоэлектрического слоя.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSi2 кристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164, ) со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки.

Изобретение относится к области получения износостойких покрытий и может быть использовано для расширения ассортимента деталей машин и инструмента. Способ получения износостойкого градиентного покрытия системы Ti-Al на стальной детали в вакууме включает осаждение интерметаллидного покрытия системы Ti-Al из плазмы вакуумно-дугового разряда в течение 180 мин при давлении 1,5*10-1 Па в среде инертного газа в виде аргона и токах дуговых испарителей в диапазоне 60-120 А и последующее азотирование в дуговом разряде посредством плазменного источника с накальным катодом в течение 60 мин при давлении 2*10-1 Па в среде реакционного газа в виде азота, токе накального катода 100А и токе дугового разряда плазменного источника 50А и температуре детали 550°С.

Изобретение относится к технике для нанесения покрытий на детали машин, а именно к вакуумной ионно-плазменной обработке поверхностей, и может быть использовано для нанесения функциональных покрытий на моноколеса турбомашин.

Изобретение относится к подложке и способу ее изготовления. Подложка содержит множеством слоев, по меньшей мере один из которых включает оксиды металлов и имеет непосредственно поверх себя слой металлического покрытия, которое содержит по меньшей мере 8 масс.

Изобретение относится к способу получения гетероструктуры Mg(Fe1-xGax)2O4/Si со стабильной межфазной границей пленка/подложка, где х=0,05÷0,25. Осуществляют нанесение на полупроводниковую подложку монокристаллического кремния пленки галлий-замещенного феррита магния Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0,05÷0,25.
Изобретение относится к способу защиты блиска газотурбинного двигателя из титановых сплавов от пылеабразивной эрозии. Осуществляют упрочняющую обработку микрошариками, полирование кромок лопаток блиска, ионно-плазменную модификацию материала поверхностного слоя лопаток блиска с последующим нанесением ионно-плазменного многослойного покрытия с заданным количеством пар слоев в виде слоя титана с металлом и слоя соединений титана с металлом и азотом.

Изобретение относится к стальному листу с защитным противокоррозионным покрытием и способу его изготовления и может быть использовано для производства деталей для автомобиля.

Изобретение относится к окрашенному оцинкованному стальному листу и способу его изготовления и может быть использовано для производства автомобильных и других деталей.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к оптоэлектронике, а именно к электропроводящим оптически прозрачным покрытиям на основе оксида индия и олова.

Изобретение относится к технологии нанесения покрытий на металлические поверхности с использованием концентрированных потоков энергии и может быть использовано в электротехнике.

Изобретение относится к нанесению антифрикционного слоя на металлические поверхности. Металлическую деталь устанавливают на магнитный диск диаметром 300 мм, который вращают со скоростью 50-52 об/ мин или на поворотный стол с диаметром 550 мм, которому сообщают возвратно-поступательное вращение на 180° со скоростью 1500 мм/мин. Электродуговым металлизатором на предварительно обработанную поверхность детали наносят первый слой бронза-никель с зернистостью до 200 мкм и толщиной слоя 0,2-0,3 мм при силе тока 220 А и давлении воздуха 40 бар проволокой с диаметром 2 мм при расстоянии от дуги до металлической поверхности 100-120 мм. Затем наносят второй слой бронза-никель с зернистостью 500-600 мкм и толщиной слоя 0,5-0,8 мм при силе тока 280 А, давлении 15 бар проволокой с диаметром 2,2 мм. Второй слой бронза-никель наносят при одновременной продувке инертным газом под давлением 10 бар, после чего наносят слой из антифрикционного материала на основе полиэфирэфиркетона толщиной 1,0-1,2 мм. Изобретение позволяет нанести на металлическую деталь слой трения, обеспечивающий детали более высокий предел перегрузок при переходных процессах, перекосах и вибрационных перегрузках. 2 н.п. ф-лы, 1 табл.

Способ получения сегнетоэлектрической пленки Ba1-xSrxTiO3 относится к технологиям получения тонких пленок и может быть использован при получении сегнетоэлектрических пленок Ba1-xSrxTiO3 для сверхвысокочастотной техники. На первом этапе распыляют мишень состава Ba0,4Sr0,6TiO3 на сапфировую подложку с подслоем платины в атмосфере кислорода при давлении 2 Па и температуре подложки 700-900°С в течение времени, достаточного для создания сплошного сегнетоэлектрического слоя. На втором этапе процесс распыления прекращается на время, достаточное для отжига сплошного сегнетоэлектрического слоя, прочие технологические параметры не изменяются. Затем этапы повторяются несколько раз для получения необходимой толщины сегнетоэлектрической пленки. Техническим результатом является высокая диэлектрическая нелинейность сегнетоэлектрической пленки при низких диэлектрических потерях, что позволяет использовать полученные сегнетоэлектрические пленки в сверхвысокочастотной технике. 2 ил.

Наверх