Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке заключается в создании на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев металлизации на основе серебра, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окном под меза-травление, вытравливание мезы с одновременным удалением эпитаксиальных наростов на тыльной стороне германиевой подложки, напыление слоев тыльной металлизации на основе серебра, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, напыление просветляющего покрытия, содержащего слои TiO2 и Al2O3, электронно-лучевым методом, разделение эпитаксиальной структуры, выпрямление фотопреобразователя посредством охлаждения в парах азота. Окно под меза-травление располагают с трех сторон диодной площадки. После отжига контактов выпрямляют металлизированную подложку в парах азота, выполняют разделение эпитаксиальной структуры лазерной резкой по металлизированному тылу. После вскрытия оптического окна напыляют просветляющее покрытие TiO2/TiO2*/Al2O3/Al2O3*, в котором слои TiO2 и Al2O3 толщиной 5÷30 нм и 60÷70 нм соответственно, формируют без применения, а слои TiO2* и Al2O3* толщиной 15÷40 нм и 5÷10 нм соответственно, с применением ионно-плазменного ассистирования. Стравливают дефекты торцевой поверхности фотопреобразователя химико-динамическим травлением в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды. Технический результат заключается в повышении электрических параметров, механической прочности и выхода годных фотопреобразователей. 2 табл., 5 ил.

 

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно, к способам изготовления фотопреобразователей на германиевой подложке.

Известен способ лазерного разделения полупроводниковых структур на чипы с использованием струи воды (см. статью П. Банта «Лазерная резка методом Lazer MicroJet», журнал «Электроника НТБ», вып. №6, 2010 г.), в котором лазерный луч через фокусирующую линзу направляется в камеру с подаваемой в нее водой под давлением (~ 300 бар) и через насадку с отверстием малого диаметра (до 20 мкм), находясь в струе воды, попадает на обрабатываемую поверхность, при этом из-за внутреннего отражения светового потока от границы воды и воздуха диаметр луча остается постоянным на значительном расстоянии (до 10 см). При резке кремниевых пластин лучом лазера, проходящим через струю воды, получены следующие преимущества: отсутствие механических повреждений, сколов, трещин, термических неоднородностей благодаря тому, что струя воды охлаждает место реза; отсутствие загрязнений, которые вымываются с поверхности реза струей воды. Способ лазерной резки в струе воды применим для широкого спектра обрабатываемых материалов Si, GaAs, GaN, InP, SiC, Al2O3 и их толщин (см. статью В.В. Ступак, И.Я. Шестаков «Охлаждение при лазерной резке полупроводниковых пластин», журнал «Актуальные проблемы авиации и космонавтики», Технические науки, вып. №7, том 1, стр. 179-180, 2011 г.)

Недостаток способа, применительно к изготовлению фотопреобразователей на германиевой подложке, заключается в снижении механической прочности и электрических параметров фотопреобразователя в связи с тем, что необходимо выполнять резку по металлизированному тылу, при этом образующийся конгломерат продуктов оплавления водой не удаляется, в результате возникают механические напряжения в эпитаксиальной структуре. Валик продуктов реза на тыльной стороне препятствует планарному расположению фотопреобразователя при сварке с внешними выводами.

Признак, общий с предлагаемым способом изготовления фотопреобразователя на германиевой подложке: разделение полупроводниковой структуры лазерной резкой.

Известен способ изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе трехкаскадной структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке (патент РФ №2354009, опубл. 27.04.2009 г.), в котором формируют омические контакты на основе золота на тыльной и фронтальной поверхностях структуры; вжигают контакты; утолщают омические контакты путем электрохимического осаждения через маску фоторезиста последовательно слоев золота, никеля и золота; разделяют структуры на чипы; пассивируют боковую поверхность чипов диэлектриком; удаляют часть фронтального контактного слоя структуры методом химического травления и наносят антиотражающее покрытие на фронтальную поверхность структуры.

Разделение эпитаксиальной структуры на чипы выполняют путем травления через маску фоторезиста со стороны фронтальной поверхности на глубину 15÷20 мкм в два этапа: на первом - осуществляют химическое меза-травление до германиевой подложки; на втором - выполняют травление германиевой подложки электрохимическим методом.

Недостаток способа заключается в усложнении технологии в случае формирования металлизации фотопреобразователя на основе серебра, за счет нанесения фоторезистивной защиты на тыльную сторону пластины, в связи тем, что при химическом разделении эпитаксиальной структуры на чипы происходит стравливание тыльных контактов. Электрохимическое травление, выполняемое поочередно для каждой пластины, непроизводительно в условиях массового производства.

Признаки, общие с предлагаемым способом изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке, следующие: формирование лицевых и тыльного контактов фотопреобразователя на эпитаксиальной структуре, выращенной на германиевой подложке; отжиг контактов; вскрытие оптического окна травлением; напыление просветляющего покрытия; вытравливание мезы; разделение эпитаксиальной структуры на чипы.

Известен каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием (патент РФ №2436191, опубл. 10.12.2011 г.) на основе трехкаскадной эпитаксиальной структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, с трехслойным просветляющим покрытием, включающим последовательно нанесенные слои SiO2 толщиной 70÷80 нм, Si3N4 толщиной 20÷25 нм и TiOx, где х=1,8÷2,2 толщиной 20÷30 нм.

Изготовление фотопреобразователя, согласно данному способу, включает операции: создание лицевого контакта (на основе золото-германия, никеля, золота) и тыльного контакта (на основе серебра, марганца, никеля, золота); отжиг контактов; утолщение контактов электрохимическим осаждением последовательно золота, никеля, золота; вскрытие оптического окна травлением контактного слоя GaAs в местах, свободных от омического контакта; нанесение трехслойного просветляющего покрытия SiO2/Si3N4/TiOx через маску фоторезиста методом магнетронного распыления; разделение эпитаксиальной структуры на чипы.

Недостаток фотопреобразователя заключается в том, что используемый для изготовления просветляющего покрытия SiO2/Si3N4/TiOx слой Si3N4 невозможно нанести широко применяемым методом электронно-лучевого напыления.

Признаки вышеуказанного способа, общие с предлагаемым способом изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке, следующие: создание лицевой и тыльной металлизации; вскрытие оптического окна травлением; нанесение просветляющего покрытия; разделение эпитаксиальной структуры на чипы.

Известен способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом (патент РФ №2515420, опубл. 10.05.2014 г.), принятый за прототип, в котором создают на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры GaInP/Ga(In)As/Ge фоторезистивную маску с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и встроенного диода; вытравливают диодную площадку; напыляют слои металлизации на основе серебра; удаляют фоторезист; создают фоторезистивную маску под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода; вытравливают мезу с одновременным удалением эпитаксиальных наростов на тыльной стороне германиевой подложки; наносят защитный слой фоторезиста; стравливают германиевую подложку; удаляют фоторезист; напыляют слои тыльной металлизации на основе серебра; отжигают контакты; вскрывают оптическое окно травлением; напыляют просветляющее покрытие, содержащее слои TiO2 и Al2O3, методом электронно-лучевого напыления; выполняют дисковую резку эпитаксиальной структуры; выпрямляют фотопреобразователь посредством охлаждения в парах азота.

Недостатками способа-прототипа являются: недостаточно высокие электрические параметры фотопреобразователя связи с тем, что при дисковой резке интенсивный водный поток раскрошенного электропроводного материала подложки в меза-канавке загрязняет и механически повреждает тонкую структуру эпитаксиальных слоев, выходящих на торцевую поверхность мезы, в результате возникают микрошунты; снижение механической прочности и выхода годных фотопреобразователей, в связи с тем, что дисковым резом создаются микросколы и выбоины подложки, кроме того, при разделении структуры путем многократных перегибов тыльной металлизации возможно выщербление края (см. фиг. 1) и возникновение микротрещин. Шунтирующее воздействие на р/n переходы, выходящие на поверхность меза-канавки, оказывает ионно-плазменное ассистирование в процессе электроннолучевого напыления просветляющего покрытия TiO2/Al2O3. В отсутствие ионно-плазменного ассистирования ухудшаются оптические свойства просветляющих слоев.

Признаки прототипа, общие с предлагаемым способом изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке, следующие: 1) создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и встроенного диода; 2) вытравливание диодной площадки; 3) напыление слоев лицевой металлизации на основе серебра; 4) удаление фоторезиста; 5) создание фоторезистивной маски с окном под меза-травление; 6) вытравливание мезы с одновременным удалением эпитаксиальных наростов на тыльной стороне германиевой подложки; 7) напыление слоев тыльной металлизации на основе серебра; 8) отжиг контактов; 9) вскрытие оптического окна травлением; 10) напыление просветляющего покрытия, содержащего слои TiO2 и Al2O3, электронно-лучевым методом; 11) разделение эпитаксиальной структуры; 12) выпрямление фотопреобразователя посредством охлаждения в парах азота.

Технический результат, достигаемый в предлагаемом способе изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке, заключается в повышении электрических параметров, механической прочности и выхода годных фотопреобразователей за счет обеспечения чистоты и целостности эпитаксиальных слоев, выходящих на торцевую поверхность чипа, при лазерной резке и последующем разделении эпитаксиальной структуры по металлизированному тылу; стравливания нарушенных при лазерной резке слоев тыльной стороны германиевой подложки; минимизации негативного влияния ионно-плазменной обработки на р/n переходы, выходящие на торцевую поверхность фотопреобразователя.

Отличительные признаки предлагаемого способа изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке, обуславливающие его соответствие критерию «новизна», следующие: окно под меза-травление располагают с трех сторон диодной площадки; после отжига контактов выпрямляют металлизированную подложку посредством охлаждения в парах азота; выполняют лазерную резку и разделение эпитаксиальной структуры по металлизированному тылу; после вскрытия оптического окна напыляют электронно-лучевым методом просветляющее покрытие TiO2/TiO2*/Al2O3/Al2O3*, в котором слои TiO2 и Al2O3 толщиной 5÷30 нм и 60÷70 нм соответственно формируют без применения, а слои TiO2* и Al2O3* толщиной 15÷40 нм и 5÷10 нм соответственно с применением ионно-плазменного ассистирования, стравливают дефекты торцевой поверхности фотопреобразователя химико-динамическим травлением в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды.

Конкретный пример реализации предлагаемого способа изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке иллюстрирован рисунками на фиг. 1÷6 таблицами 1, 2.

На фиг. 1 представлен вид краевого дефекта от дискового реза по лицевой стороне германиевой подложки; на фиг. 2а, б представлен вид торцевой поверхности чипа: а) - после лазерного реза и разделения эпитаксиальной структуры; б) - после вскрытия оптического окна травлением; на фиг. 3 представлен вид устройства для напыления просветляющего покрытия; на фиг. 4 представлен вид торцевой поверхности фотопреобразователя после стравливания дефектов от лазерного реза; на фиг. 5 представлено спектральное отражение просветляющего покрытия TiO2/TiO2*/Al2O3/Al2O3* с толщинами слоев 20/22/67/5 нм соответственно: а) - до; б - после травления торцев фотопреобразователя; в таблице 1 представлены параметры изготовленных фотопреобразователей; в таблице 2 представлены результаты измерений механической прочности изготовленных фотопреобразователей.

Для реализации предлагаемого способа изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке используют трехкаскадные эпитаксиальные структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенные на германиевой подложке диаметром 100 мм, толщиной 145÷165 мкм, на которых создают фоторезистивную маску с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и диода. Вытравливают диодные площадки капельным смачиванием. Формируют методом электронно-лучевого напыления с последующим «взрывом» фоторезистивного слоя в диметилформамиде лицевые контакты на основе серебра Cr/Au-Ge/Ag/Au.

Создают фоторезистивную маску ФП-9120-2 с окном под меза-травление, имеющем вид скобы с трех сторон диодной площадки, для последующей меза-изоляции диода от фотопреобразователя. Вытравливают меза-канавку, удаляя последовательно эпитаксиальные слои и слой германиевой подложки, при этом одновременно очищается тыльная сторона подложки от эпитаксиальных наростов. Удаляют фоторезист. Напыляют слои тыльной металлизации на основе серебра Cr/Au/Ag/Au толщиной ~ 5,5 мкм. Отжигают контакты при Т=335°С, t=10 сек. Выпрямляют посредством охлаждения в парах азота металлизированную подложку. Выпрямление необходимо в дальнейшем для планарного расположения чипов в устройстве для напыления просветляющего покрытия. Выполняют лазерную резку по металлизированному тылу подложки на глубину 70÷80 мкм (50÷60% от толщины подложки) с последующим разделением на чипы с габаритными размерами 40×80 мм, см. фиг. 2а. Используют лазерную установку ЭМ-250. Разделение на чипы осуществляется путем раскалывания эпитаксиальной структуры по надрезу в металлизированном тыле. Вскрывают оптическое окно стравливанием n+ - GaAs контактного слоя по маске лицевых контактов фотопреобразователя и диода в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды при количественном соотношении компонентов 1,2 масс. %, 10 масс. %, 88,8 масс. % соответственно за t=3 мин., при этом частично удаляется оплавленный лазерной резкой слой германиевой подложки, см. фиг. 2б. Укладывают чипы в устройство для напыления просветляющего покрытия, защищающее контактные площадки фотопреобразователя и диода, см. фиг. 3. Напыляют электронно-лучевым методом четырехслойное просветляющее покрытие TiO2/TiO2*/Al2O3/Al2O3* с толщинами слоев 20/22/67/5 нм соответственно, при этом слои TiO2 и Al2O3 формируют без применения, а слои TiO2* и Al2O3* с применением ионно-плазменного ассистирования (используется система ). Выполняют химико-динамическое травление чипов в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды при количественном соотношении компонентов 1,2 масс. %, 10 масс. %, 88,8 масс. % соответственно в течение 5 мин. В процессе травления ванночки с обрабатываемыми фотопреобразователями совершают круговое колебательное движение для увеличения скорости травления и обеспечения его однородности. При этом стравливаются дефекты на торцевой поверхности чипа, внесенные лазерной резкой, см. фиг. 4. Используемый травитель не оказывает воздействия на металлизацию фотопреобразователя. Верхний слой просветляющего покрытия Al2O3* толщиной ~ 5 нм, напыляемый с применением ионно-плазменного ассистирования, обеспечивает химическую устойчивость просветления в процессе травления торцев фотопреобразователя при неоднократном использовании раствора, в котором в связи с разложением перекиси водорода возрастает содержание гидроокиси тетраметиламмония, что в отсутствие защитного слоя Al2O3* может приводить к травлению менее химически стойкого слоя Al2O3. Кроме того, верхний слой Al2O3* снижает коэффициент спектрального отражения просветляющего покрытия в коротковолновой области 350÷400 нм, см. фиг. 5. Напыление слоя Al2O3* толщиной менее 5 нм нецелесообразно из-за неоднородности распределения в камере установки. Напыление слоя Al2O3* толщиной более 10 нм на химическую стойкость покрытия не влияет, но при этом возрастает коэффициент спектрального отражения в области 700÷770 нм. Нижний защитный слой TiO2 толщиной 5÷30 нм и слой Al2O3 толщиной 60÷70 нм напыляют без применения ионно-плазменного ассистирования, что позволяет минимизировать негативное влияние ионов плазмы на р/n переходы, выходящие на торцевую поверхность фотопреобразователя. При напылении слоя TiO2* толщиной менее 15 нм ухудшаются оптические свойства просветляющего покрытия. Толщины слоя TiO2* более 40 нм нецелесообразны, так как уменьшаемый соответственно слой TiO2 менее 5 нм не обеспечивает защиты поверхности фотопреобразователя от воздействия плазмы. При содержании в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода соответственно менее 1 и 10 масс. % значительно возрастают затраты времени на выполнение процесса обработки (более 7 мин), что непроизводительно. Использование для травления торцев раствора с содержанием гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода более 1,5 и 20 масс. % нежелательно из-за интенсивного разложения перекиси водорода, сопровождаемой капельным выбрызгиванием. Параметры изготовленных фотопреобразователей со средней величиной КПДmax=29,6% представлены в таб. 1, средняя величина механической прочности, измеренная методом центрально-симметричного изгиба составила 199,2 Н/мм2, см. таб. 2.

Предложенный способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке обеспечивает повышение электрических параметров (рабочего тока Ip, КПД) за счет сохранения чистоты и целостности эпитаксиальных слоев, выходящих на торцевую поверхность чипа. Разделение эпитаксиальной структуры выполняется путем раскалывания по лазерному надрезу металлизированной стороны подложки. Дефекты поверхности тыльной стороны германиевой подложки, вносимые при лазерной резке, стравливаются в водном растворе гидроокиси тетраметиламония и перекиси водорода, что обеспечивает необходимую механическую прочность фотопреобразователя. Раствор травителя инертен к металлизации на основе серебра, при этом нет необходимости в фоторезистивной защите поверхности чипа, что упрощает технологию. Четырехслойное просветляющее покрытие TiO2/TiO2*/Al2O3/Al2O3* с защитным слоем TiO2 толщиной 5÷30 нм и слоем Al2O3 толщиной 60÷70 нм, напыляемыми электронно-лучевым методом без применения ионно-плазменного ассистирования, позволяет минимизировать негативное влияние зарядов плазмы на р/n переходы, выходящие на торцевую поверхность чипа, без ухудшения оптических характеристик покрытия. Слой Al2O3* толщиной 5÷10 нм обеспечивает снижение коэффициента спектрального отражения в коротковолновой области и придает необходимую химическую стойкость просветляющему покрытию при травлении торцев фотопреобразователя. Напыление просветляющего покрытия с использованием немагнитной металлической маски, фиксируемой на контактных площадках чипа с помощью специального устройства, обеспечивает отсутствие подпыла в условиях вибрации при вращении карусели в установке напыления. Лазерная резка по металлизированному тылу эпитаксиальной структуры позволяет увеличить полезную фотоактивную площадь, так как нет необходимости в вытравливании мезы по периметру фотопреобразователя.

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке, включающий создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев металлизации на основе серебра, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окном под меза-травление, вытравливание мезы с одновременным удалением эпитаксиальных наростов на тыльной стороне германиевой подложки, напыление слоев тыльной металлизации на основе серебра, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, напыление просветляющего покрытия, содержащего слои TiO2 и Al2O3, электронно-лучевым методом, разделение эпитаксиальной структуры, выпрямление фотопреобразователя посредством охлаждения в парах азота, отличающийся тем, что окно под меза-травление располагают с трех сторон диодной площадки, кроме того, после отжига контактов выпрямляют металлизированную подложку в парах азота, выполняют разделение эпитаксиальной структуры лазерной резкой по металлизированному тылу, причем после вскрытия оптического окна напыляют просветляющее покрытие TiO2/TiO2*/Al2O3/Al2O3*, в котором слои TiO2 и Al2O3 толщиной 5÷30 нм и 60÷70 нм соответственно, формируют без применения, а слои TiO2* и Al2O3* толщиной 15÷40 нм и 5÷10 нм соответственно, с применением ионно-плазменного ассистирования, после чего стравливают дефекты торцевой поверхности фотопреобразователя химико-динамическим травлением в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды.



 

Похожие патенты:
Группа изобретений относится к области воздухоплавательной техники. Способ энергетического обеспечения летательного аппарата основан на использовании солнечных батарей, использующих рассеянный и отраженный от подстилающей поверхности свет для летательного аппарата тяжелее или легче воздуха, предназначенного для движения в тропосфере и/или стратосфере при помощи двигателей, приводимых в действие электрической энергией, включающий винтомоторные и турбореактивные двигатели.

Изобретение относится к области экологически чистой энергии и, в частности, к многофункциональной солнечной энергетической системе, в которой используется солнечная энергия.

Неподвижный каскадный линзовый концентратор солнечного излучения с оптическим способом наведения светового потока содержит три плоские радиальные линзы Френеля.

Изобретение относится к устройствам автономного энергоснабжения маломощных потребителей. Устройство автономного энергоснабжения с модулем светового ограждения, содержащее, по меньшей мере, две солнечные панели из монокристаллических или поликристаллических фотогальванических модулей, ветрогенератор, по меньшей мере, одну аккумуляторную батарею, блок управления и контроля, состоящий из контроллера заряда аккумуляторной батареи с функцией отслеживания точки максимальной мощности и контроллера заряда аккумуляторной батареи широтно-импульсной модуляции и/или гибридного контроллера заряда аккумуляторной батареи, совмещающего функции контроллера заряда аккумуляторной батареи с функцией отслеживания точки максимальной мощности и контроллера заряда аккумуляторной батареи широтно-импульсной модуляции и позволяющего одновременно использовать ветрогенератор и фотогальванические модули, климатический модуль, исполнительный модуль светового ограждения, включающий модуль автоматики включения/отключения с возможностью подключения контроллера управления по GSM каналам и выносные сдвоенные заградительные огни.

Cистема, использующая энергию солнца для генерирования энергии, включает в себя фотоэлектрический модуль, преобразователь энергии и устройство управления. Преобразователь энергии сконфигурирован, чтобы управлять выходным напряжением фотоэлектрического модуля так, чтобы выходное напряжение соответствовало целевому выходному напряжению.

Солнечный генератор (10) содержит генератор (20) на основе термоэлектронной эмиссии, усиленной фотонами, имеющий катод (22) для приема солнечного излучения (70) и анод (24), который вместе с катодом генерирует первый ток (26) и сбросное тепло (28) из солнечного излучения (70); дополнительный источник тепла, создающий дополнительное тепло; термоэлектрический генератор (30), имеющий тепловую связь с анодом (24) и дополнительным источником тепла для преобразования сбросного тепла (28) от анода (24) и дополнительного тепла во второй ток (36); и схему, подключенную к генератору (20) на основе термоэлектронной эмиссии, усиленной фотонами, и к термоэлектрическому генератору (30) для объединения первого и второго токов (26, 36) в выходной ток (16).

Изобретение относится к гелиотехнике, в частности к солнечным установкам с системой ориентации солнечных концентраторов, и может быть использовано для нагрева различных теплоносителей, производства электроэнергии, в опреснительных и других установках, преобразующих солнечную энергию в тепловую.

Изобретение относится к автономным гелиосистемам для получения, накопления и использования электрической и тепловой энергии. Солнечный конвертер выполнен со снабженной выходными проводниками фотоэлектрической поверхностью, совмещенной с верхней крышкой теплового аккумулятора, корпус которого снабжен введенной в систему эластичной липучей, вакуумной или магнитной присоской, а также с лобовым и тыловым спойлерами, передней и задней торцевыми стенками теплового аккумулятора.

Неподвижный концентратор солнечного излучения реализует наведение светового потока на входной торец фокона за счет сужения светового потока в двух перпендикулярных плоскостях и содержит три фокусирующие плоские линейные линзы Френеля, в фокусе первой короткофокусной линейной линзы Френеляторая линза Френеля, за которой расположена третья линейная короткофокусная линза Френеля, в фокусе которой расположен фокон.

Изобретение относится к области возобновляемой энергетики, в частности к атмосферным энергетическим гелиоустановкам, содержащим наполненный гелием и удерживаемый с земли аэростат/баллон, на котором размещены солнечные панели.

Изобретение относится к технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно к конструкции фотоэлектрических преобразователей. Технический результат изобретения заключается в снижении поверхностного удельного сопротивления и уменьшении площади металлической контактной сетки (увеличение незатененной площади ФЭП не менее чем на 3%), что приводит к повышению КПД преобразования солнечной энергии в электрическую не менее чем на один абсолютный процент.

Cистема, использующая энергию солнца для генерирования энергии, включает в себя фотоэлектрический модуль, преобразователь энергии и устройство управления. Преобразователь энергии сконфигурирован, чтобы управлять выходным напряжением фотоэлектрического модуля так, чтобы выходное напряжение соответствовало целевому выходному напряжению.

Изобретение относится к области технологии дискретных полупроводниковых приборов и может быть использовано при изготовлении бескорпусных диодов для солнечных батарей космических аппаратов.

Изобретение относится к инфракрасным сканирующим матричным фотоприемным устройствам (МФПУ) - устройствам большого формата, преобразующим входное оптическое изображение, формируемое объективом и сканером, в заданный спектральный диапазон, а затем в выходной электрический видеосигнал.

Изобретение может быть использовано для создания солнечных батарей космического применения. Солнечный фотопреобразователь на основе монокристаллического кремния с n+-р или р+-n переходом у фронтальной поверхности, изотипным р-р+ или n-n+ тыльным потенциальным барьером для неравновесных неосновных носителей тока, дифракционной решеткой на фронтальной поверхности с периодом, равным 1 мкм, содержит эмиттер, базу и токосъемные контакты, при этом тыльный потенциальный барьер для неравновесных неосновных носителей тока сформирован за областью генерации зарядов на расстоянии 15÷20 мкм от фронтальной поверхности фотопреобразователя.

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при изготовлении сенсибилизированного красителем солнечного элемента с пористой изоляционной подложкой, выполненной из керамических и органических волокон.

Изобретение относится к электротехнике. Полый цилиндр 1 состоит из двух половинок.

Изобретение относится к полупроводниковым гетероструктурам для изготовления светоизлучающих диодов и фотоэлектрических преобразователей на основе твердых растворов GaPAsN на подложках кремния.

Изобретение относится к области солнечной фотоэнергетики, в частности к созданию устройств для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую с использованием сенсибилизированных красителем металлооксидных солнечных элементов (МО СЭ).

Изобретение относится к системам автоматической очистки солнечных панелей. Устройство очистки солнечной панели, содержащее источник питания, соединенный с солнечной панелью, датчики контроля загрязнения и провода, расположенные на поверхности солнечной панели, отличающееся тем, что провода выполнены с возможностью колебания и переплетены друг с другом в виде решетки, установленной на поверхность солнечной панели, при этом в качестве источника питания используют источник переменного тока, а датчики контроля загрязнения выполнены в виде датчиков натяжения проводов, расположенных по всей внешней грани решетки из проводов.

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке заключается в создании на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание диодной площадки, напыление слоев металлизации на основе серебра, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окном под меза-травление, вытравливание мезы с одновременным удалением эпитаксиальных наростов на тыльной стороне германиевой подложки, напыление слоев тыльной металлизации на основе серебра, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, напыление просветляющего покрытия, содержащего слои TiO2 и Al2O3, электронно-лучевым методом, разделение эпитаксиальной структуры, выпрямление фотопреобразователя посредством охлаждения в парах азота. Окно под меза-травление располагают с трех сторон диодной площадки. После отжига контактов выпрямляют металлизированную подложку в парах азота, выполняют разделение эпитаксиальной структуры лазерной резкой по металлизированному тылу. После вскрытия оптического окна напыляют просветляющее покрытие TiO2TiO2*Al2O3Al2O3*, в котором слои TiO2 и Al2O3 толщиной 5÷30 нм и 60÷70 нм соответственно, формируют без применения, а слои TiO2* и Al2O3* толщиной 15÷40 нм и 5÷10 нм соответственно, с применением ионно-плазменного ассистирования. Стравливают дефекты торцевой поверхности фотопреобразователя химико-динамическим травлением в растворе гидроокиси тетраметиламмония, перекиси водорода и воды. Технический результат заключается в повышении электрических параметров, механической прочности и выхода годных фотопреобразователей. 2 табл., 5 ил.

Наверх