Тонкопленочный транзистор

Авторы патента:


Тонкопленочный транзистор
Тонкопленочный транзистор
Тонкопленочный транзистор
Тонкопленочный транзистор
Тонкопленочный транзистор
H01L29/78696 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

Владельцы патента RU 2672979:

ШЭНЬЧЖЭНЬ ЧАЙНА СТАР ОПТОЭЛЕКТРОНИКС ТЕКНОЛОДЖИ КО., ЛТД. (CN)

Тонкопленочный транзистор (100) содержит затвор (10), исток (30) и сток (50). Исток и сток расположены параллельно над затвором. Исток содержит первый край (32). Сток содержит второй край (52). Первый край расположен напротив второго края. Канал (70) образован между первым краем и вторым краем. Первый край и второй край являются нелинейными. Размер канала в направлениях протяжения первого края и второго края представляет собой ширину канала, и в направлении ширины канала канал постепенно уменьшается и сужается от середины к двум концам таким образом, чтобы обеспечить соответствие оптической энергии, принимаемой на двух концах канала, оптической энергии, принимаемой в середине канала во время процесса экспонирования. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил.

 

ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА РОДСТВЕННЫЕ ЗАЯВКИ

[0001] Настоящая заявка заявляет приоритет патентной заявки Китая № 201410558127.5, поданной 20 октября 2014 г. и озаглавленной «Thin Film Transistor», описание которой включено в данный документ в качестве ссылки во всей полноте.

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ

[0002] Настоящее изобретение относится к тонкопленочному транзистору жидкокристаллического дисплея.

ОПИСАНИЕ ПРЕДШЕСТВУЮЩЕГО УРОВНЯ ТЕХНИКИ

[0003] В имеющемся в настоящее время широкоформатном жидкокристаллическом дисплее на тонкопленочных транзисторах (TFT-LCD) исток и сток тонкопленочного транзистора расположены параллельно и выровнены друг относительно друга. Тонкопленочный транзистор содержит затвор (не показан), исток 20 и сток 40. Как показано на фиг. 1, исток 20 и сток 40 расположены параллельно над затвором, а края истока 20 и стока 40, которые расположены напротив друг друга, параллельны. Другими словами, прямой канал 60 образован между истоком 20 и стоком 40. Канал 60 между истоком 20 и стоком 40 представляет собой полупроницаемую пленочную структуру. Зоны истока 20 и стока 40 совершенно не пропускают свет, в то время как канал 60 частично пропускает свет. Канал 60 имеет ширину W канала и длину L канала. Испускание света производится на двух противоположных сторонах канала. Так как области приема света на двух концах канала больше, чем в середине, то после экспонирования фоторезист на двух концах удаляется, чтобы сформировать изогнутую конфигурацию, как показано на фиг. 2. При этом условии ширина W канала 60 уменьшается, что влияет на скорость перемещения зарядов тонкопленочного транзистора. В худшем случае канал 60 может быть пробит, то есть ширина W канала становится равной нулю. Это вызывает размыкание контура, что приводит к полному разрушению тонкопленочного транзистора.

КРАТКОЕ ИЗЛОЖЕНИЕ СУЩНОСТИ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0004] Технической задачей, решаемой благодаря настоящему изобретению, является создание тонкопленочного транзистора, который улучшает ситуацию с уменьшением ширины канала во время процесса экспонирования таким образом, чтобы обеспечить скорость перемещения зарядов тонкопленочного транзистора и улучшить его качество.

[0005] Для достижения вышеуказанной цели в варианте осуществления настоящего изобретения предлагается следующее техническое решение:

[0006] В настоящем изобретении предлагается тонкопленочный транзистор, который содержит затвор, исток и сток. Исток и сток расположены параллельно над затвором. Исток содержит первый край. Сток содержит второй край. Первый край расположен напротив второго края. Канал образован между первым краем и вторым краем. Как первый край, так и второй край являются нелинейными. Размер канала в направлениях протяжения первого края и второго края представляет собой ширину канала, и в направлении ширины канала канал постепенно уменьшается и сужается от середины к двум концам.

[0007] Первый край содержит первый сегмент, второй сегмент и третий сегмент, которые соединены последовательно. Первый сегмент и третий сегмент расположены симметрично на двух концах второго сегмента. Первый сегмент содержит соединительный конец, соединенный со вторым сегментом, и свободный конец, удаленный от второго сегмента. Первый сегмент постепенно приближается ко второму краю от соединительного конца к свободному концу.

[0008] Второй край и первый край имеют одинаковую форму.

[0009] Второй сегмент является линейным.

[00010] Как первый сегмент, так и третий сегмент являются линейными. Угол, заключенный между первым сегментом и вторым сегментом, и угол, заключенный между третьим сегментом и вторым сегментом, представляют собой тупые углы.

[00011] Как первый сегмент, так и третий сегмент имеют изогнутую форму, и между первым сегментом и вторым сегментом, и между третьим сегментом и вторым сегментом соответственно образованы плавные переходы.

[00012] Длина канала в середине канала равна 4,5 мкм, а длина канала на двух концах канала больше 2,5 мкм, но меньше 4,5 мкм.

[00013] В настоящем изобретении предлагается модификация на противоположных краях истока и стока, а именно придание нелинейности первому и второму краям с тем, чтобы в направлении ширины канала канал постепенно уменьшался и сужался от середины к двум концам. Во время процесса экспонирования конструкция канала, который сужается с двух сторон, позволяет обеспечить соответствие оптической энергии, принимаемой на двух концах канала тонкопленочного транзистора, с оптической энергией, принимаемой в середине, чтобы добиться соответствия показателей пропускания света в каждой части канала тонкопленочного транзистора и, таким образом, улучшить качество тонкопленочного транзистора.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ГРАФИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ

[00014] Для того чтобы нагляднее объяснить техническое решение настоящего изобретения, краткое описание чертежей, которые необходимы для осуществления, подается следующим образом. Очевидно, что чертежи, которые будут описаны ниже, показывают только некоторые варианты осуществления настоящего изобретения. Для специалистов средней квалификации в данной области техники, остальные графические материалы также легко могут быть понятны из прилагаемых графических материалов без творческих затрат и усилий.

[00015] На фиг. 1 представлено схематическое изображение, иллюстрирующее исток и сток тонкопленочного транзистора из известного уровня техники.

[00016] На фиг. 2 представлено схематическое изображение, иллюстрирующее тонкопленочный транзистор из известного уровня техники по фиг. 1 после экспонирования.

[00017] На фиг. 3 представлено схематическое изображение, иллюстрирующее тонкопленочный транзистор, предлагаемый в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

[00018] На фиг. 4 представлено другое схематическое изображение, иллюстрирующее тонкопленочный транзистор, предлагаемый в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.

ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫЕ ВАРИАНТЫ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

[00019] Для технического решения варианта осуществления настоящего изобретения будет приведено четкое и полное описание со ссылкой на прилагаемые графические материалы варианта осуществления настоящего изобретения.

[00020] Как показано на фиг. 3 и 4, в настоящем изобретении предлагается тонкопленочный транзистор 100, который содержит затвор 10, исток 30 и сток 50. Исток 30 и сток 50 расположены параллельно над затвором 10. В этом варианте осуществления затвор 10 расположен на подложке (не показано). Подложка представляет собой подложку из стекла, но альтернативно она может быть изготовлена из других материалов, и может быть гибкой подложкой или негибкой подложкой. Затвор 10 изготовлен из материала, который включает, например, молибден (Mo), или алюминий (Al) или материал из других металлов или соединений металлов, или многослойную комбинацию.

[00021] Исток 30 содержит первый край 32. Сток 50 содержит второй край 52. Первый край 32 расположен напротив второго края 52. Канал 70 образован между первым краем 32 и вторым краем 52. Как первый край 32, так и второй край 52 являются нелинейными. Размер канала 70 в направлениях протяжения первого края 32 и второго края 52 представляет собой ширину канала 70, которая является размером, обозначенным «W» на фиг. 3. В направлении ширины канала 70 канал 70 постепенно уменьшается и сужается от середины к двум концам.

[00022] В настоящем изобретении предлагается модификация на противоположных краях истока 30 и стока 50 (то есть, первый край 32 и второй край 52) а именно, придание нелинейности первому краю 32 и второму краю 52 таким образом, что в направлении ширины канала 70 канал 70 постепенно уменьшается и сужается от середины к двум концам. Во время процесса экспонирования конструкция канала 70, который сужается с двух сторон, позволяет обеспечить соответствие оптической энергии, принимаемой на двух концах канала 70 тонкопленочного транзистора, с оптической энергией, принимаемой в середине, чтобы добиться соответствия показателей пропускания света в каждой части канала 70 тонкопленочного транзистора и, таким образом, улучшить качество тонкопленочного транзистора.

[00023] Как первый край 32, так и второй край 52 имеют нелинейную конструкцию. В конкретном варианте осуществления первый край 32 и второй край 52 могут быть выполнены в виде комбинации нескольких линейных сегментов, или первый край 32 и второй край 52 могут быть выполнены изогнутой формы, или первый край 32 и второй край 52 могут быть выполнены в виде комбинации линейных и криволинейных сегментов. Настоящее изобретение не накладывает ограничений на конкретные формы первого края 32 и второго края 52, если могут быть выполнены условия, при которых как первый край 32, так и второй край 52 являются нелинейными, а канал 70 постепенно уменьшается и сужается от середины к двум концам, чтобы достичь соответствия показателей пропускания света во всех частях канала 70 тонкопленочного транзистора и, таким образом, улучшить качество тонкопленочного транзистора.

[00024] В частности, как показано на фиг. 4, первый край 32 содержит первый сегмент 322, второй сегмент 324 и третий сегмент 326, которые соединены последовательно. Первый сегмент 322 и третий сегмент 326 расположены симметрично на двух концах второго сегмента 324. Первый сегмент 322 содержит соединительный конец, соединенный со вторым сегментом 324, и свободный конец, удаленный от второго сегмента 324. Первый сегмент 322 постепенно приближается ко второму краю 52 от соединительного конца к свободному концу. Другими словами, на участке свободного конца первый край 32 отстоит от второго края 52 на наименьшее расстояние.

[00025] В этом варианте осуществления второй край 52 и первый край 32 имеют одинаковую форму. Второй край 52 и первый край 32 расположены симметрично на двух сторонах канала 70.

[00026] В этом варианте осуществления второй сегмент 324 является линейным.

[00027] В варианте осуществления как первый сегмент 322, так и третий сегмент 326 являются линейными, причем как угол, заключенный между первым сегментом 322 и вторым сегментом 324, так и угол, заключенный между третьим сегментом 326 и вторым сегментом 324, являются тупыми углами.

[00028] В другом варианте осуществления как первый сегмент 322, так и третий сегмент 326 являются изогнутыми, и между первым сегментом 322 и вторым сегментом 324, и между третьим сегментом 326 и вторым сегментом 324 соответственно образованы плавные переходы.

[00029] В частности, длина канала 70 в средней части канала 70 равна 4,5 мкм, а длина канала 70 на двух концах канала 70 больше 2,5 мкм, но меньше 4,5 мкм.

[00030] Изложенное выше описание представляет предпочтительные варианты осуществления настоящего изобретения. Однако следует отметить, что специалистам в данной области техники будет понятно, что возможны различные усовершенствования и модификации без отступления от принципа настоящего изобретения, и такие усовершенствования и модификации рассматриваются в пределах объема защиты настоящего изобретения.

1. Тонкопленочный транзистор, содержащий затвор, исток и сток, причем исток и сток расположены параллельно над затвором, причем исток содержит первый край, сток содержит второй край, причем первый край расположен напротив второго края, при этом между первым краем и вторым краем образован канал, причем размер канала в направлениях протяжения первого края и второго края представляет собой ширину канала, при этом первый край и второй край расположены на расстоянии друг от друга в направлении длины канала, которое перпендикулярно направлению ширины канала, при этом канал проходит линейно в направлении ширины канала, при этом первый край и второй край соответственно расположены на противоположных сторонах канала и проходят между двумя противоположными концами канала и определяют отверстие между первым и вторым краями на каждом из двух концов канала, где указанные два отверстия расположены напротив друг друга и на расстоянии друг от друга в направлении ширины канала, при этом первый край и второй край являются нелинейными и канал постепенно уменьшается и сужается от середины к двум концам в направлении ширины канала таким образом, чтобы обеспечить соответствие оптической энергии, принимаемой на двух концах канала, оптической энергии, принимаемой в середине канала во время процесса экспонирования.

2. Тонкопленочный транзистор по п. 1, отличающийся тем, что первый край содержит первый сегмент, второй сегмент и третий сегмент, которые соединены последовательно, причем первый сегмент и третий сегмент расположены симметрично на двух концах второго сегмента, при этом первый сегмент содержит соединительный конец, соединенный со вторым сегментом, и свободный конец, удаленный от второго сегмента, причем первый сегмент постепенно приближается ко второму краю от соединительного конца к свободному концу.

3. Тонкопленочный транзистор по п. 2, отличающийся тем, что второй край и первый край имеют одинаковую форму.

4. Тонкопленочный транзистор по п. 3, отличающийся тем, что второй сегмент является линейным.

5. Тонкопленочный транзистор по п. 3, отличающийся тем, что как первый сегмент, так и третий сегмент являются линейными, и угол, заключенный между первым сегментом и вторым сегментом, и угол, заключенный между третьим сегментом и вторым сегментом, представляют собой тупые углы.

6. Тонкопленочный транзистор по п. 3, отличающийся тем, что как первый сегмент, так и третий сегмент имеют изогнутую форму и между первым сегментом и вторым сегментом и между третьим сегментом и вторым сегментом соответственно образованы плавные переходы.

7. Тонкопленочный транзистор по п. 1, отличающийся тем, что длина канала в середине канала равна 4,5 мкм, а длина канала на двух концах канала больше 2,5 мкм и меньше 4,5 мкм.

8. Тонкопленочный транзистор, содержащий затвор, исток и сток, причем исток и сток расположены параллельно над затвором, при этом исток содержит первый край, причем сток содержит второй край, при этом первый край расположен напротив второго края, при этом между первым краем и вторым краем образован канал, причем размер канала в направлениях протяжения первого края и второго края представляет собой ширину канала, при этом первый край и второй край расположены на расстоянии друг от друга в направлении длины канала, которое перпендикулярно направлению ширины канала, при этом канал проходит линейно в направлении ширины канала, при этом первый край и второй край соответственно расположены на противоположных сторонах канала и проходят между двумя противоположными концами канала и определяют отверстие между первым и вторым краями на каждом из двух концов канала, где указанные два отверстия расположены напротив друг друга и на расстоянии друг от друга в направлении ширины канала, при этом первый край и второй край являются нелинейными и канал постепенно уменьшается и сужается от середины к двум концам таким образом, чтобы обеспечить соответствие оптической энергии, принимаемой на двух концах канала, оптической энергии, принимаемой в середине канала во время процесса экспонирования;

первый край содержит первый сегмент, второй сегмент и третий сегмент, которые соединены последовательно, причем первый сегмент и третий сегмент расположены симметрично на двух концах второго сегмента, при этом первый сегмент содержит соединительный конец, соединенный со вторым сегментом, и свободный конец, удаленный от второго сегмента, причем первый сегмент постепенно приближается ко второму краю от соединительного конца к свободному концу; и

длина канала в середине канала равна 4,5 мкм, а длина канала на двух концах канала больше 2,5 мкм, но меньше 4,5 мкм.

9. Тонкопленочный транзистор по п. 8, отличающийся тем, что второй край и первый край имеют одинаковую форму.

10. Тонкопленочный транзистор по п. 9, отличающийся тем, что второй сегмент является линейным.

11. Тонкопленочный транзистор по п. 9, отличающийся тем, что как первый сегмент, так и третий сегмент являются линейными и угол, заключенный между первым сегментом и вторым сегментом, и угол, заключенный между третьим сегментом и вторым сегментом, представляют собой тупые углы.

12. Тонкопленочный транзистор по п. 9, отличающийся тем, что как первый сегмент, так и третий сегмент имеют изогнутую форму и между первым сегментом и вторым сегментом и между третьим сегментом и вторым сегментом соответственно образованы плавные переходы.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области техники жидкокристаллических дисплеев, в частности к контролю конструкции с МДП-структурой (структурой металл - диэлектрик - полупроводник) в ТПТ (тонкопленочных транзисторах) и его системе.

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору (TFT), содержащему подложку (100) со слоем (101) электрода затвора, наложенным и структурированным на ней, и изолирующим слоем (102) затвора, наложенным на слой электрода затвора и подложку.

Изобретение относится к области промышленной безопасности в системах контроля загазованности опасных производственных объектов. Сущность заявленного технического решения заключается в том, что легкосъемный переносной калибровочный модуль содержит разборный корпус с размещенными внутри линиями подачи питающего напряжения на сигнализатор горючих газов и миллиамперметром, установленным в цепи аналогового выхода с упомянутого сигнализатора, при этом наружная часть корпуса снабжена индикатором отображения показаний миллиамперметра и разъемами, один из которых выполнен с возможностью подключения к блоку датчика сигнализатора, а другой разъем выполнен с возможностью подключения к блоку сигнализации и питания сигнализатора.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для создания автоэмиссионных электронных приборов (с «холодной эмиссией электронов) для изготовления зондов и кантилеверов сканирующих зондовых микроскопов и оперативных запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации, поверхностно-развитых электродов электрохимических ячеек источников тока, а также для использования в технологиях изготовления кремниевых солнечных элементов нового поколения для повышения эффективности антиотражающей поверхности фотопреобразователей.

Использование: для создания РНЕМТ транзисторов. Сущность изобретения заключается в том, что наноразмерная структура с нанонитями из атомов олова, встроенными в кристалл GaAs включает монокристаллическую полуизолирующую вицинальную подложку GaAs (100) с углом разориентации 0.3°÷0.4° в направлении типа <011>, буферный нелегированный слой GaAs, дельта-легированный оловом слой и контактный легированный кремнием слой GaAs, дополнительно добавлен канальный слой InGaAs, спейсерный слой AlGaAs и барьерный слой AlGaAs, а двухмерный электронный газ, находящийся в канальном слое InGaAs, модулирован в виде квазиодномерных каналов.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения нитевидных нанокристаллов Si (ННК) включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → капельная жидкость → кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь на пластину Si наносят пленку Ti и анодируют длительностью от 5 до 90 мин в 1%-ном растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока поддерживают в интервале от 5 до 20 мА/см2, а наночастицы катализатора на анодированную поверхность Ti наносят осаждением металла, выбираемого из ряда Ni, Ag, Pd, из 0,1 М раствора, имеющего общую формулу Me(NO3)x, где Me - Ni, Ag, Pd; х=1-2, в течение 1-2 мин при воздействии на раствор ультразвуком мощностью 60 Вт.

Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп включает этапы, на которых в изолирующем слое на кремниевой подложке формируют канавку, в канавку наносят первый буферный слой на основе материала III-V групп на кремниевую подложку, на первый буферный слой наносят второй буферный слой на основе материала III-V групп, слой канала устройства на основе материала III-V групп наносят на второй буферный слой на основе материала III-V групп.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в ВЧ и СВЧ устройствах усиления и преобразования аналоговых сигналов, в структуре интегральных микросхем различного функционального назначения (например, избирательных усилителях, смесителях, генераторах и т.п.).

Изобретение относится к нанополупроводниковому приборостроению и может быть использовано в устройствах спиновой электроники (спинтроники) в качестве спинового фильтра.

Использование: для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Сущность изобретения заключается в том, что транзистор с металлической базой, содержащий эмиттер, базу из материала с металлической проводимостью и коллектор, при этом между эмиттером и базой сформирован барьер Шотки, эмиттер выполнен из полупроводникового материала с n+-типом проводимости, коллектор - из материала с n-типом проводимости, причем между базой и коллектором размещен тонкий буферный слой из материала с p-типом проводимости, при этом между базой и буферным слоем сформирован омический контакт, а между буферным слоем и коллектором - p-n-переход.

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору (TFT), содержащему подложку (100) со слоем (101) электрода затвора, наложенным и структурированным на ней, и изолирующим слоем (102) затвора, наложенным на слой электрода затвора и подложку.

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору (TFT), содержащему подложку (100) со слоем (101) электрода затвора, наложенным и структурированным на ней, и изолирующим слоем (102) затвора, наложенным на слой электрода затвора и подложку.

Изобретение относится к оксидному полупроводнику p-типа, композиции для получения оксидного полупроводника p-типа, способу получения оксидного полупроводника p-типа, полупроводниковому компоненту, отображающему элементу, устройству отображения изображений и системе отображения информации об изображении.

Изобретение предлагает способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния, включающий этап выращивания слоя аморфного кремния, этап первоначального выращивания слоя оксида кремния на слое аморфного кремния, затем формирование некоторого множества вогнутых поверхностей на слое оксида кремния, которые будут отражать лучи света, вертикально проецируемые на оксид кремния, и, последним, этап проецирования луча эксимерного лазера на слой аморфного кремния через слой оксида кремния, чтобы преобразовать слой аморфного кремния в тонкую пленку низкотемпературного поликристаллического кремния.

Настоящее изобретение предлагает переключающий тонкопленочный транзистор (ТПТ), который включает затвор, сток, исток, полупроводниковый слой и четвертый электрод, причем сток соединяется с первым сигналом, затвор соединяется с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, исток выводит первый сигнал, когда ТПТ включается, четвертый электрод и затвор соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя, и четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с напряжениями разного уровня, причем первый сигнал является контрольным сигналом, и исток соединен с проверяемой линией сканирования или линией данных.

Настоящее изобретение относится к тонкопленочному транзистору из низкотемпературного поликристаллического кремния, который обладает определенными электрическими характеристиками и надежностью, и к способу изготовления такого тонкопленочного транзистора.

Предоставлен полевой транзистор, содержащий электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора, электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока, активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом затвора и активным слоем, при этом работа выхода электрода истока и электрода стока составляет 4,90 эВ или более, а концентрация электронов - носителей заряда оксидного полупроводника n-типа составляет 4,0×1017 см-3 или более.

Изобретение относится к полевому транзистору и устройству отображения изображений. Полевой транзистор включает в себя основу, пассивирующий слой, изолирующий слой затвора, сформированный между ними, электрод истока и электрод стока, которые формируются находящимися в контакте с изолирующим слоем затвора, слой полупроводника, который сформирован между по меньшей мере электродом истока и электродом стока и находится в контакте с изолирующим слоем затвора, электродом истока и электродом стока, а также электрод затвора, который находится в контакте с изолирующим слоем затвора и обращен к слою полупроводника через изолирующий слой затвора, при этом пассивирующий слой содержит первый пассивирующий слой, который содержит первый композитный оксид металла, содержащий Si и щелочноземельный металл, а также второй пассивирующий слой, который формируется находящимся в контакте с первым пассивирующим слоем и содержит второй композитный оксид металла, содержащий щелочноземельный металл и редкоземельный элемент.

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, подложке матрицы и панели дисплея. Тонкопленочный транзистор ТПТ включает затвор, первый изолирующий слой, расположенный над затвором, второй изолирующий слой, расположенный над первым изолирующим слоем, полупроводниковый слой, исток и сток, расположенные между первым изолирующим слоем и вторым изолирующим слоем, слой омического контакта, расположенный между полупроводниковым слоем, истоком и стоком, причем слой омического контакта включает отверстие, проходящее через слой омического контакта посредством зазора между истоком и стоком, чтобы открыть полупроводниковый слой, и второй изолирующий слой соединяется с полупроводниковым слоем через это отверстие, и проводящий слой, расположенный над вторым изолирующим слоем.

Настоящее изобретение касается способа изготовления полупроводникового ламината, включающего в себя первый и второй слои оксида металла, а также слой диэлектрика, причем первый слой оксида металла располагается между вторым слоем оксида металла и слоем диэлектрика и имеет толщину равную или менее 20 нм.

Изобретение относится к твердотельной электронике сверхвысоких частот (СВЧ) и может быть использовано для генерации, а также для синхронизации, детектирования и усиления сверхвысоких электромагнитных колебаний.

Тонкопленочный транзистор содержит затвор, исток и сток. Исток и сток расположены параллельно над затвором. Исток содержит первый край. Сток содержит второй край. Первый край расположен напротив второго края. Канал образован между первым краем и вторым краем. Первый край и второй край являются нелинейными. Размер канала в направлениях протяжения первого края и второго края представляет собой ширину канала, и в направлении ширины канала канал постепенно уменьшается и сужается от середины к двум концам таким образом, чтобы обеспечить соответствие оптической энергии, принимаемой на двух концах канала, оптической энергии, принимаемой в середине канала во время процесса экспонирования. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил.

Наверх