Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами

Изобретение относится к активным электронным компонентам. Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами, выполненное в виде каскада полупроводниковых транзисторов, при этом между собой транзисторы в каскадах связаны через оптоэлектронные пары. Изобретение позволит повысить чувствительность фотоприемных устройств с одновременным уменьшением весогабаритных параметров. 1 ил.

 

Изобретение относится к активным электронным компонентам.

Известен светотранзистор с высоким быстродействием [1], в котором оптопара реализована внутри транзистора между его p-n-переходами. Такой светотранзистор в каскаде передает электрический сигнал, а не оптический.

Цель изобретения — повышение чувствительности при регистрации фотонов.

Это достигается тем, что между собой транзисторы в каскадах связаны через оптоэлектронные пары.

На фиг. 1 изображено фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами.

Конструктивно фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами представляет собой многокаскадную структуру. Первый транзистор каскада представляет собой полупроводниковый прибор, в котором между эмиттером 1 и коллектором 5 находятся фотоприемный n-p-переход из полупроводника n-типа 2 и полупроводника p-типа 3 (эмиттер-база). Светоизлучающий p-n-переход состоит из полупроводника p-типа 3 и полупроводника n-типа 4 (база-коллектор). Аналогична конструкция других транзисторов в каскаде. Нагрузкой коллекторов транзисторов являются резисторы 6.

При попадании фотона на фоточувствительный n-p-переход первого транзистора в каскаде возникнет ток, который будет усилен и вызовет излучение большего числа фотонов на светоизлучающем p-n-переходе, причем, фотоны будут направлены на фоточувствительный n-p-переход следующего транзистора в каскаде. Таким образом, несколько фотонов на входе первого транзистора каскада, в конечном итоге, на последнем выходе каскада сформируют мощный оптический и электрический сигнал.

Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами способно регистрировать как отдельные фотоны, так и интегральную составляющую светового излучения в целом.

Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами изготавливается из фосфида индия (InP), фосфида галлия (GaP), нитрида галлия (GaN), карбида кремния (SiC) или других подобных материалов.

Использование устройства позволит повысить чувствительность фотоприемных устройств с одновременным уменьшением весогабаритных параметров.

Литература

1. Патент РФ №2507632. Светотранзистор с высоким быстродействием / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Нежведилов Т.Д., Юсуфов Ш.А.


Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами, выполненное в виде каскада полупроводниковых транзисторов, отличающееся тем, что между собой транзисторы в каскадах связаны через оптоэлектронные пары.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к средствам формирования изображений, в частности устройству захвата изображения и системе захвата изображения. Устройство захвата изображения согласно варианту осуществления включает в себя подложку, на которой расположено множество схем пикселей, полупроводниковый слой, расположенный на подложке, первый электрод, расположенный на полупроводниковом слое, и второй электрод, расположенный между полупроводниковым слоем и подложкой.

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для получения видимых изображений объектов, испускающих или рассеивающих инфракрасное (ИК) и субмиллиметровое (СМ) электромагнитные излучения (ЭМИ).

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах. .

Изобретение относится к быстродействующим фотодетекторам оптического диапазона волн и может найти применение при создании быстродействующих приемников излучения для оптических систем передачи информации.

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано, например, в системах вводе оптической информации в ЭВМ. .

Изобретение относится к автоматике и пычиа1ителышн тех1шке и может быть использовано, например, в устройствах ввода оптической информации . .

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в качестве элемента памяти, оптоэлектронного триггера и т.д. .

Изобретение относится к активным электронным компонентам. Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами, выполненное в виде каскада полупроводниковых транзисторов, при этом между собой транзисторы в каскадах связаны через оптоэлектронные пары. Изобретение позволит повысить чувствительность фотоприемных устройств с одновременным уменьшением весогабаритных параметров. 1 ил.

Наверх