Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного свч модуля

Авторы патента:


Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного свч модуля
Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного свч модуля
Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного свч модуля
Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного свч модуля
Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного свч модуля
H01L31/184 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с

Изобретение может быть использовано для создания мощных СВЧ фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного СВЧ модуля включает создание на полупроводниковой подложке GaAs n-типа фоточувствительной области на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs и широкозонного окна из AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм, создание контактного слоя из GaAs р-типа, создание контактной площадки фронтального омического контакта на поверхности контактного слоя, создание сплошного тыльного омического контакта на тыльной поверхности подложки GaAs. На фоточувствительной области формируют антиотражающее покрытие, создают шины фронтального омического контакта шириной 4-8 мкм, формируют меза-структуру вне контактной площадки и фоточувствительной области на расстоянии 1-5 мкм от контактной площадки, создают дополнительный фронтальный контакт вне меза-структуры на фронтальной поверхности полупроводниковой подложки, проводят монтаж фотодетекторов на керамической плате из AlN, выполняют монтаж керамической платы на теплоотводящем основании модуля, выполняют монтаж оптических волокон и корпусирование СВЧ модуля. Изобретение обеспечивает возможность создания мощных СВЧ фотодетекторов с подводимым по оптоволокнам лазерным излучением, которые бы имели увеличенную рабочую мощность, сниженную величину коэффициента отражения излучения, увеличенное быстродействие, за счет снижения потерь на паразитных емкости и индуктивности, и соответственно высокий КПД преобразования излучения и быстродействие мощного оптоволоконного СВЧ модуля на их основе. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

 

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для создания мощных сверхвысокочастотных (СВЧ) фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм, для создания на их основе мощного оптоволоконного СВЧ модуля.

Известен способ изготовления фотодетектора на основе эпитаксиальных структур InGaAs/InP, чувствительного в ИК диапазоне (см. заявку US 20140264275 A1, МПК H01L 31/02, опубликована 18.09.2014). Фотодетектор включает: подложку, канал транзистора, исток транзистора и сток транзистора, расположенные на фронтальной поверхности структуры; исток и сток транзистора, расположенные на обратной стороне канала транзистора, барьер, расположенный на канале, и светочувствительный слой, расположенный на барьере. Светочувствительный слой необходим для поглощения света. При падении света на светочувствительный слой, сопротивление канала проводимости меняется при туннелировании носителей из светочувствительного слоя в канал.

Недостатком данного способа изготовления фотодетектора является использование материалов InGaAs/InP, с отсутствием чувствительности к излучению на длине волны 810-860 нм.

Известен способ изготовления фотодетектора на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к ИК-излучению (см. патент RU 2022411, МПК H01L 31/101, опубликован 30.10.1994). Данный фотодетектор на основе полупроводниковой структуры с квантовыми ямами включает подложку из полуизолирующего GaAs с буферным слоем GaAs, первый контактный слой n-GaAs, систему чередующихся слоев AlxGa1-xAs и GaAs, причем в один из материалов системы чередующихся слоев введена примесь кремния до уровня легирования 2*1018 см-3, и второй контактный слой n-GaAs, примесь кремния введена в слой AlxGai1-xAs в виде моноатомного слоя, расположенного на расстоянии, не большем Дебаевской длины экранирования от одной из границ раздела чередующихся слоев.

Недостатком известного фотодетектора является значительное затенение фоточувствительной поверхности фотодетектора и невысокое значение КПД преобразования излучения.

Известен способ изготовления фотодетектора на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs (см. патент RU 2547004, МПК H01L 31/18, опубликован 10.04.2015). Способ изготовления фотодетектора на основе GaAs включает последовательное выращивание методом жидкофазной эпитаксии на подложке n-GaAs буферного слоя n-GaAs, базового слоя n-GaAs, эмиттерного слоя p-GaAs и слоя p-AlGaAs с содержанием Al в твердой фазе от 30-40 ат. % в начале роста слоя и при содержании Al в твердой фазе 10-15 ат. % в приповерхностной области слоя, а также осаждение тыльного контакта и лицевого контакта. На лицевую поверхность подложки наносят антиотражающее покрытие. Способ позволяет с меньшими затратами совместить в одном слое функции широкозонного окна и контактного слоя.

Недостатком данного способа изготовления фотодетектора является отсутствие процесса создания шин фронтального омического контакта, что приводит к уменьшению КПД и мощности фотодетектора. Также недостатком является отсутствие фронтального контакта к подложке, что приводит к снижению быстродействия и КПД СВЧ модуля на основе этих фотодетекторов.

Известен способ изготовления фотодетектора на основе InGaAs, работающего на длине волны 1,55 мкм с диапазоном перестройки 44 нм (C. Dhanavantri, H. Halbritter, O.P. Daga, J.P. Pachauh, F. Riemenschneider, P. Meissner, and B.R. Singh, Fabrication of PIN diodes for WDM tunable and wavelength selective receivers, in Proc. 7th Conference on Optoelectronics, Fiber Optics & Photonics (Photonics), Cochin, Indien, December 2004, p. 340). Фотодетектор включает мезу с чувствительной площадкой, сформированной на поверхности полупроводниковой гетероструктуры на основе А3В5, омические контакты. На первой стадии с фронтальной поверхности гетероструктуры вокруг чувствительной площадки мезы удалялись все слои до контактного n+-In0.53Ga0.47As слоя. На второй стадии ступенчатого травления с одной стороны от мезы удалялись все слои до подложки InP. Омические контакты р+ и n+ выполнены фронтальными. С противоположных сторон мезы на фронтальной поверхности сформированы две контактные площадки: n+-Ti/Pt/Au - на контактном n+-In0.53Ga-As слое, p+-Pd/AuGe/Au - на поверхности подложки InP. Омический контакт p+-Pd/AuGe/Au, усиленный электролитическим золотом толщиной 2,5 мкм, выполнен в мостиковой конфигурации. Один конец мостика в виде кольца с диаметром, близким к диаметру мезы, лежит на чувствительной площадке. Другой конец мостика соединен с контактной р+ площадкой на поверхности подложки InP.

Недостатком данного способа изготовления фотодетектора является использование материалов InGaAs/InP, с отсутствием чувствительности к излучению на длине волны 810-860 нм. Также недостатком фотодетектора является низкая надежность. Надежность конструкции фотодетектора снижается при механических напряжениях, возникающих из-за изгиба мостикового фронтального контакта.

Известен способ изготовления оптоволоконного модуля (см. патент RU 2610447, МПК H04B 10/80, опубликован 13.02.2017). Способ включает создание модуля, содержащего один или более волоконно-оптических функциональных блоков телекоммуникационной сети связи, имеющих возможность оптического подключения, посредством оптического волокна, к центральному узлу сети связи, для приема телекоммуникационных сигналов, предназначенных для одного или более абонентов, по оптическому волокну, от центрального узла сети связи. Модуль дополнительно содержит приемопередающее устройство, имеющее возможность формировать первые оптические сигналы, используя электрическую энергию, и имеющее возможность принимать ответные оптические сигналы от центрального узла сети связи, имеющее возможность оптического подключения к оптическому волокну таким образом, что первые оптические сигналы могут быть переданы по оптическому волокну на центральный узел сети связи, и таким образом, что ответные оптические сигналы могут быть переданы по оптическому волокну от центрального узла сети связи на приемопередающее устройство.

Недостатком известного способа изготовления оптоволоконного модуля является отсутствие возможности работы СВЧ фото детекторов в данной конструкции модуля с мощными оптическими сигналами, что соответственно приводит к снижению быстродействия модуля при работе с мощными импульсными сигналами.

Известен способ изготовления фотодетектора на основе полупроводниковых соединений А3В5, чувствительного в диапазоне 900-2400 нм (см. патент RU 2469438, МПК H01L 31/0224, опубликован 10.12.2012), принятый за прототип. Способ включает создание фоточувствительной области на основе полупроводниковых соединений А3В5 на подложке GaSb, формирование двух мез на гетероструктуре, создание тыльного и фронтального омических контактов к гетероструктуре, тыльный контакт выполнен сплошным и нанесен на подложку, а фронтальный выполнен в виде соединяющего мезы мостика, электрически изолированного от одной из мез слоем анодного окисла с нанесенным на этот слой по меньшей мере одним слоем диэлектрика. Техническим результатом при использовании - предлагаемого изобретения является увеличение эффективности фотодиода за счет одновременного увеличения быстродействия и обнаружительной способности прибора.

Недостатком данного способа изготовления фотодетектора является использование материалов InGaAsSb/GaSb (рабочий диапазон длин волн 900-2400 нм), с отсутствием чувствительности к излучению на длине волны 810-860 нм. Также недостатком является отсутствие фронтального контакта к подложке, что приводит к снижению быстродействия прибора, к возникновению дополнительных потерь на паразитных индуктивности и емкости, а также к снижению КПД фотодетекторов и быстродействия мощного оптоволоконного СВЧ модуля на основе этих фотодетекторов.

Задачей настоящего изобретения является разработка мощных СВЧ фотодетекторов с подводимым по оптоволокнам лазерным излучением, которые бы имели увеличенную рабочую мощность, сниженную величину коэффициента отражения излучения, увеличенное быстродействие, за счет снижения потерь на паразитных емкости и индуктивности, и соответственно высокий КПД преобразования излучения и быстродействие мощного оптоволоконного СВЧ модуля на их основе. Также задачей является увеличение эффективности преобразования оптической мощности фотодетекторов за счет коммутирования их в оптоволоконный модуль.

Поставленная задача достигается тем, что способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного СВЧ модуля включает создание на полупроводниковой подложке GaAs n-типа фоточувствительной области на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs и широкозонного окна из AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению в диапазоне длин волн 810-860 нм, создание контактного слоя из GaAs р-типа, формирование контактной площадки фронтального омического контакта на поверхности контактного слоя, создание сплошного тыльного омического контакта на тыльной поверхности подложки GaAs. Новым в способе является то, что на фоточувствительной области формируют антиотражающее покрытие, создают шины фронтального омического контакта шириной 4-8 мкм, формируют меза-структуру вне контактной площадки и фоточувствительной области на расстоянии 1-5 мкм от контактной площадки, создают дополнительный фронтальный контакт вне меза-структуры на фронтальной поверхности полупроводниковой подложки, проводят монтаж фотодетекторов на керамической плате из AlN, выполняют монтаж керамической платы на теплоотводящем основание модуля, выполняют монтаж оптоволокон и корпусирование СВЧ модуля.

Шины фронтального омического контакта могут быть выполнены путем электрохимического осаждения трехслойного покрытия, состоящего из нижнего слоя из серебра толщиной (2-5) мкм, промежуточного слоя из никеля толщиной (0,1-0,2) мкм и верхнего слоя из золота толщиной (0,1-0,2) мкм.

Антиотражающее покрытие формируют на фоточувствительной поверхности фотодетектора для увеличения степени поглощения падающего излучения.

Шины фронтального омического контакта на фоточувствительной области создают для увеличения рабочей мощности фотодетектора. Ширина шин 4-8 мкм обусловлена тем, что при ширине шин более 8 мкм происходит существенное затенение фоточувствительной области фотодетектора. Минимальная ширина шин 4 мкм обусловлена технологическими особенностями процессов изготовления фотодетектора. Толщина нижнего слоя серебра 2-5 мкм обусловлена тем, что при толщине менее 2 мкм происходит снижение проводимости омического контакта, толщина более 5 мкм технологически нецелесообразна и приводит к увеличению степени затенения фоточувствительной области ФД. Толщина среднего слоя никеля 0,1-0,2 мкм обусловлена тем, что при толщине менее 0,1 мкм снижается барьерная функция слоя, толщина более 0,2 мкм технологически нецелесообразна. Толщина верхнего слоя золота 0,1-0,2 мкм необходима для проведения последующего монтажа ФД, также за счет высокой стойкости слой золота выполняет защитную функцию.

Создание тыльного омического контакта проводят для последующего монтажа фотодетектора и обеспечения теплоотвода.

Создание меза-структуры вне контактной площадки и фоточувствительной области на расстоянии не более 5 мкм от контактной площадки осуществляют для снижения рабочей площади фотодетектора, соответственно для снижения емкости фотодетектора и увеличения быстродействия оптоволоконного СВЧ модуля на основе созданных фотодетекторов.

Создание дополнительного фронтального контакта вне меза-структуры на фронтальной поверхности полупроводниковой подложки осуществляют для увеличения быстродействия и КПД фотодетектора и оптоволоконного СВЧ модуля за счет снижения потерь на сопротивлении структуры, паразитных индуктивности и емкости, уменьшения межэлементного расстояния, уменьшения рабочей толщины полупроводниковой подложки GaAs, улучшения теплоотвода от рабочей области СВЧ ФД.

Последовательное соединение фотодетекторов в мощный оптоволоконный СВЧ модуль осуществляется для повышения выходной мощности СВЧ фотодетектора. Для этого необходимо обеспечить согласование мощности фотодетектора в точке оптимальной нагрузки в режиме генерации электрического импульса с сопротивлением внешней нагрузки. Коммутация СВЧ фотодетектора, работающего в импульсном режиме, с СВЧ излучателем осуществляется микрополосковой линией, при этом модуль фотодетекторов должен быть согласован с сопротивлением внешней нагрузки. Оптимальным сопротивлением нагрузки является величина 50 Ом. При работе в оптимальном режиме, близком к максимальной мощности в точке оптимальной нагрузки, напряжение вырабатываемое одним фотодетектором составляет 0,95-1,05 В. Таким образом максимальная вырабатываемая мощность в таком режиме составляет порядка 0,02 Вт. Величина выходной пиковой мощности фотодетектора возрастает пропорционально квадрату напряжения и при последовательном соединении 16 фотодетекторов в оптоволоконный модуль, выходная мощность оптоволоконного СВЧ модуля превышает 5 Вт. Соответственно для увеличения выходной мощности фотодетектора проводят последовательное соединение ряда фотодетекторов на керамической плате.

Использование для монтажа фотодетекторов керамической платы из AlN, выполняющей роль теплоотвода, обусловлено тем, что AlN является изолятором и обладает высокой теплопроводностью.

Заявляемое техническое решение поясняется чертежами, где: на фиг. 1 приведено схематическое изображение СВЧ фотодетектора, вид сверху;

на фиг. 2 изображена схема СВЧ фотодетектора, вид сбоку;

на фиг. 3 изображена схема мощного оптоволоконного СВЧ модуля;

на фиг. 1-3 указаны: 1 - фотодетектор, 2 - полупроводниковая подложка, 3 - фоточувствительная область, 4 - эпитаксиальная структура GaAs/AlxGa1-xAs, 5 - широкозонное окно из AlxGa1-xAs, 6 - контактный слой из GaAs р-типа, 7 - фронтальный омический контакт к р-типу GaAs, 8 - антиотражающее покрытие, 9 - контактная площадка фронтального омического контакта, 10 - шины фронтального омического контакта, 11 - тыльный омический контакт к n-типу GaAs, 12 - меза-структура, 13 -диэлектрическое покрытие, 14 - фронтальный омический контакт к подложке n-типа GaAs, 15 - тонкий слой из контактных материалов, 16 - нижний слой из серебра омического контакта, 17 - промежуточный слой из никеля омического контакта, 18 - слой из золота омического контакта, 19 - керамическая плата A1N фотодетекторного СВЧ модуля, 20 - золотая проволока, обеспечивающая последовательное соединение фотодетекторов в СВЧ модуль, 21 - теплоотводящее основание СВЧ модуля, 22 - оптоволокна в СВЧ модуле, 23 - корпус СВЧ модуля;

на фиг. 4 приведена зависимость КПД фотодетектора от мощности лазерного излучения для ФД с диаметром фоточувствительной области 500 мкм при импульсном (24) и постоянном (25) лазерном излучении (ЛИ);

на фиг. 5 приведена зависимость КПД фотодетектора от мощности лазерного излучения для ФД с диаметром фоточувствительной области 500 мкм при различных вариантах контактирования для измерения вольт-амперных характеристик: 26 - "р" фронтальный омический контакт (7), "n" - тыльный омический контакт (11); 27 - "р" фронтальный омический контакт (7), "n" - фронтальный омический контакт к подложке GaAs (14).

Диаметр фоточувствительной поверхности фотодетектора, изображенного на фиг. 1, составляет 500 мкм. На фоточувствительной поверхности расположено девять шин 10 фронтального омического контакта 7 шириной 5 мкм с шагом 50 мкм. Коэффициент затенения фоточувствительной поверхности фотодетектора контактными шинами составляет 9%.

Заявляемый способ изготовления мощного СВЧ фотодетектора 1 проводят в несколько стадий. На полупроводниковой подложке GaAs n-типа 2 создают фоточувствительную область 3 (см. фиг 1-2) на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs 4 и широкозонного окна 5 из AlxGa1-xAs, создают контактный слой 6 из GaAs p-типа. Проводят локальное травление контактного слоя 6 в местах свободных от фронтального омического контакта 7. Далее формируют антиотражающее покрытие 8 на фоточувствительной области 3. Создают фронтальный омический контакт 7, состоящий из контактной площадки 9 и шин фронтального омического контакта 10 на поверхности контактного слоя 6. Затем создают сплошной тыльный омический контакт 11 на тыльной поверхности подложки 2.

Далее осуществляют формирование меза-структуры 12 вне контактной площадки 9 и фоточувствительной области 3 на расстоянии не более 5 мкм от контактной площадки 9 методом жидкостного химического травления. Проводят пассивацию боковой поверхности меза-структуры путем осаждения слоя диэлектрического покрытия 13.

Затем создают дополнительный фронтальный контакт 14 вне меза-структуры 12 на фронтальной поверхности полупроводниковой подложки 2.

Изготовление двух фронтальных 7 и 14 и сплошного тыльного 11 омических контактов осуществляют путем напыления тонких слоев контактных материалов 15, толщиной 0,2-0,4 мкм, вжигания при температуре 360-370°C в течение 10-60 сек. и электрохимического осаждения толстого слоя серебра 16 толщиной 2-5 мкм, промежуточного слоя никеля 17 толщиной 0,1-0,2 мкм и верхнего слоя золота 18 толщиной 0,1-0,2 мкм.

Затем проводят монтаж фотодетекторов 1 на керамическую плату A1N 19 (см. фиг. 3), фотодетекторы в оптоволоконном СВЧ модуле соединены последовательно золотой проволокой 20 при помощи ультразвуковой сварки. Далее проводят монтаж платы 19 на теплоотводящем основании СВЧ модуля 21. Далее выполняют монтаж оптоволокон 22 непосредственно над фоточувствительными областями фотодетекторов и проводят корпусирование СВЧ модуля 23.

Пример 1.

Были получены мощные СВЧ фотодетекторы в несколько стадий. На полупроводниковой подложке n-GaAs создана фоточувствительная область на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs и широкозонного окна из AlxGa1-xAs. На поверхности широкозонного окна сформирован контактный слой из GaAs p-типа. Проведено локальное травление контактного слоя в местах свободных от фронтального омического контакта. Проведено формирование антиотражающего покрытия на поверхности фоточувствительной области путем осаждения слоя Ta2O5. Создан фронтальный омический контакт p-типа, состоящий из контактной площадки и шин фронтального омического контакта на поверхности контактного слоя GaAs путем напыления слоев Ag(Mn)/Ni/Au толщиной 0,2 мкм. Затем создан сплошной тыльный омический контакт на тыльной поверхности подложки GaAs путем напыления слоев Au(Ge)/Ni/Au толщиной 0,2 мкм. Проведено вжигание омических контактов при температуре 360°C в течение 10 с. Выполнено электрохимическое осаждение толстого слоя серебра толщиной 2 мкм, промежуточного слоя никеля толщиной 0,1 мкм и верхнего слоя золота толщиной 0,1 мкм на поверхность напыленных слоев контактных материалов фронтального и тыльного омических контактов.

Далее осуществлено формирование меза-структуры вне контактной площадки и фоточувствительной области на расстоянии 5 мкм от контактной площадки методом жидкостного химического травления в травителе на основе бихромата калия и бромоводорода. Проведена пассивация боковой поверхности меза-структуры путем осаждения слоя диэлектрического покрытия Si3N4.

Затем создан дополнительный фронтальный контакт n-типа вне меза-структуры на фронтальной поверхности полупроводниковой подложки GaAs путем напыления слоев Au(Ge)/Ni/Au толщиной 0,2. Проведено вжигание омических контактов при температуре 360°C в течение 10 с. Выполнено электрохимическое осаждение толстого слоя серебра толщиной 2 мкм, промежуточного слоя никеля толщиной 0,1 мкм и верхнего слоя золота толщиной 0,1 мкм на поверхность напыленных слоев контактных материалов фронтального омического контакта к подложке n-типа GaAs.

Затем проведен монтаж фотодетекторов на керамическую плату AlN, фотодетекторы в оптоволоконном СВЧ модуле соединены последовательно золотой проволокой при помощи ультразвуковой сварки. Проведен монтаж платы на теплоотводящее основание СВЧ модуля. Далее выполнен монтаж оптоволокон непосредственно над фоточувствительными областями фотодетекторов и проведено корпусирование СВЧ модуля.

Пример 2.

Были получены фотодетекторы способом, приведенным в примере 1 со следующими отличительными признаками. Антиотражающее покрытие на поверхности фоточувствительной области выполнено путем осаждения двуслойного покрытия TiOx/SiO2. Фронтальный омический контакт p-типа, выполнен путем напыления слоев Cr/Au толщиной 0,3 мкм. Затем создан сплошной тыльный омический контакт на тыльной поверхности подложки GaAs путем напыления слоев Au(Ge)/Ni/Ag толщиной 0,4 мкм. Вжигание омических контактов проведено при температуре 370°C в течение 30 с. Выполнено электрохимическое осаждение толстого слоя серебра толщиной 3 мкм, промежуточного слоя никеля толщиной 0,15 мкм и верхнего слоя золота толщиной 0,15 мкм на поверхность напыленных слоев контактных материалов фронтального и тыльного омических контактов.

Осуществлено формирование меза-структуры вне контактной площадки и фоточувствительной области на расстоянии 4 мкм от контактной площадки методом жидкостного химического травления в травителе на основе бихромата калия и бромоводорода.

Затем создан дополнительный фронтальный контакт n-типа вне меза-структуры на фронтальной поверхности полупроводниковой подложки GaAs путем напыления слоев Au(Ge)/Ni/Ag толщиной 0,4. Проведено вжигание омических контактов при температуре 370°C в течение 10 с. Выполнено электрохимическое осаждение толстого слоя серебра толщиной 4 мкм, промежуточного слоя никеля толщиной 0,2 мкм и верхнего слоя золота толщиной 0,1 мкм на поверхность напыленных слоев контактных материалов фронтального омического контакта к подложке n-типа GaAs.

Пример 3.

Были получены фотодетекторы способом, приведенным в примере 1 со следующими отличительными признаками. Антиотражающее покрытие на поверхности фоточувствительной области выполнено путем осаждения двуслойного покрытия TiOx/SiO2. Фронтальный омический контакт p-типа, выполнен путем напыления слоев Ag(Mn)/Ni/Au толщиной 0,4 мкм. Затем создан сплошной тыльный омический контакт на тыльной поверхности подложки GaAs путем напыления слоев Au(Ge)/Pt/Au толщиной 0,3 мкм. Вжигание омических контактов проведено при температуре 370°C в течение 60 с. Выполнено электрохимическое осаждение толстого слоя серебра толщиной 5 мкм, промежуточного слоя никеля толщиной 0,2 мкм и верхнего слоя золота толщиной 0,2 мкм на поверхность напыленных слоев контактных материалов фронтального и тыльного омических контактов.

Осуществлено формирование меза-структуры вне контактной площадки и фоточувствительной области на расстоянии 1 мкм от контактной площадки методом жидкостного химического травления в травителе на основе бихромата калия и бромоводорода.

Затем создан дополнительный фронтальный контакт n-типа вне меза-структуры на фронтальной поверхности полупроводниковой подложки GaAs путем напыления слоев Au(Ge)/Pt/Au толщиной 0,3 мкм. Проведено вжигание омических контактов при температуре 370°C в течение 60 с. Выполнено электрохимическое осаждение толстого слоя серебра толщиной 5 мкм, промежуточного слоя никеля толщиной 0,2 мкм и верхнего слоя золота толщиной 0,2 мкм на поверхность напыленных слоев контактных материалов фронтального омического контакта к подложке n-типа GaAs.

Пример 4.

Были получены фотодетекторы способом, приведенным в примере 1 со следующими отличительными признаками. Антиотражающее покрытие на поверхности фоточувствительной области выполнено путем осаждения двуслойного покрытия TiOx/SiO2. Фронтальный омический контакт p-типа, выполнен путем напыления слоев Ag(Mn)/Ni/Au толщиной 0,3 мкм. Затем создан сплошной тыльный омический контакт на тыльной поверхности подложки GaAs путем напыления слоев Au(Ge)/Ni/Au толщиной 0,4 мкм. Вжигание омических контактов проведено при температуре 360°C в течение 60 с. Выполнено электрохимическое осаждение толстого слоя серебра толщиной 4 мкм, промежуточного слоя никеля толщиной 0,1 мкм и верхнего слоя золота толщиной 0,2 мкм на поверхность напыленных слоев контактных материалов фронтального и тыльного омических контактов.

Осуществлено формирование меза-структуры вне контактной площадки и фоточувствительной области на расстоянии 3 мкм от контактной площадки методом жидкостного химического травления в травителе на основе бихромата калия и бромоводорода.

Затем создан дополнительный фронтальный контакт n-типа вне меза-структуры на фронтальной поверхности полупроводниковой подложки GaAs путем напыления слоев Au(Ge)/Ni/Au толщиной 0,4. Проведено вжигание омических контактов при температуре 360°C в течение 60 с. Выполнено электрохимическое осаждение толстого слоя серебра толщиной 4 мкм, промежуточного слоя никеля толщиной 0,1 мкм и верхнего слоя золота толщиной 0,2 мкм на поверхность напыленных слоев контактных материалов фронтального омического контакта к подложке n-типа GaAs.

Результатом процесса изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного СВЧ модуля стало снижение отражения падающего излучения от фоточувствительной поверхности фотодетектора до 1-2% за счет создания антиотражающего покрытия, увеличение быстродействия фотодетектора, за счет снижения потерь на паразитных емкости и индуктивности в СВЧ модуле, увеличение рабочей мощности фотодетектора, увеличение КПД на 1-2% за счет создания фронтального контакта к подложке GaAs. Достигнуто повышение выходной мощности СВЧ фотодетектора при комбинировании их в оптоволоконный СВЧ модуль. При последовательном соединении 16 СВЧ фотодетекторов величина выходной мощности превышает 5 Вт на длине волны 810 нм подводимого по оптоволокнам лазерного излучения.

1. Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного СВЧ модуля, включающий создание на полупроводниковой подложке GaAs n-типа фоточувствительной области на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs и широкозонного окна из AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм, создание контактного слоя из GaAs р-типа, создание контактной площадки фронтального омического контакта на поверхности контактного слоя, создание сплошного тыльного омического контакта на тыльной поверхности подложки GaAs, отличающийся тем, что на фоточувствительной области формируют антиотражающее покрытие, создают шины фронтального омического контакта шириной 4-8 мкм, формируют меза-структуру вне контактной площадки и фоточувствительной области на расстоянии 1-5 мкм от контактной площадки, создают дополнительный фронтальный контакт вне меза-структуры на фронтальной поверхности полупроводниковой подложки, проводят монтаж фотодетекторов на керамической плате из AlN, выполняют монтаж керамической платы на теплоотводящем основании модуля, выполняют монтаж оптических волокон и корпусирование СВЧ модуля.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что шины фронтального омического контакта могут быть выполнены путем электрохимического осаждения трехслойного покрытия, состоящего из нижнего слоя из серебра толщиной (2-5) мкм, промежуточного слоя из никеля толщиной (0,1-0,2) мкм и верхнего слоя из золота толщиной (0,1-0,2) мкм.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологиям формирования базовых слоев тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе CdTe. Способ изготовления в квазизамкнутом объеме базовых слоев гибких фотоэлектрических преобразователей на основе CdTe, в котором расстояние от зоны испарения теллурида кадмия до зоны его конденсации соизмеримо с диаметром реактора.

Изобретение относится к кремниевым полупроводниковым технологиям, в частности к кремниевым фотовольтаическим преобразователям, изготовленным по гетероструктурной технологии.

Изобретение относится к технике преобразования световой энергии в электрическую. Оптопара содержит источник света, фотопреобразователь, корпус.

Изобретение относится к устройствам для преобразования электромагнитной энергии в электрическую энергию Устройство преобразователя мощности лазерного излучения «ПМЛИ» для приема падающего электромагнитного излучения на длине волны примерно 1550 нм, содержащее подложку, содержащую InP; и активную область, содержащую n-легированный слой и p-легированный слой, причем эти n-легированный и p-легированный слои образованы из InyGa1-yAsxP1-x, согласованного по параметрам решетки с подложкой и выполненного с возможностью поглощать фотоны электромагнитного излучения с соответствующей длиной волны примерно 1550 нм, где x=0,948, 0,957, 0,965, 0,968, 0,972 или 0,976, а y=0,557, 0,553, 0,549, 0,547, 0,545 или 0,544 соответственно.
Изобретение относится к технике преобразования световой энергии в электрическую. Оптопара содержит источник света, фотопреобразователь и корпус.

Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, которые преобразуют солнечное излучение в электроэнергию, и может быть использовано в полупроводниковой промышленности для создания систем генерации электрической энергии.

Изобретение относится к способам определения ширины запрещенной зоны темновой и фотопроводимости органических полупроводников на основе гетероатомных соединений.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых структур с p-n-переходом и может быть использовано для изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечной энергии.

Согласно изобретению предложен способ изготовления солнечного элемента с тонким слоем из кремния. Способ включает нанесение ТСО-слоя (3) на стеклянную подложку (1), нанесение на ТСО-слой (3) по меньшей мере одного слоя (4; 5) кремния, причем перед нанесением ТСО-слоя (3) стеклянную подложку (1) подвергают облучению электронным излучением, при этом образуется рассеивающий свет слой (2) стеклянной подложки (1), на которую наносится ТСО-слой (3).

Изобретение относится к мобильному устройству для детектирования света, испускаемого из источника света. Техническим результатом является обеспечение возможности функционировать мобильному устройству как устройство дистанционного управления «указания и управления».

Изобретение относится к технологиям формирования базовых слоев тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе CdTe. Способ изготовления в квазизамкнутом объеме базовых слоев гибких фотоэлектрических преобразователей на основе CdTe, в котором расстояние от зоны испарения теллурида кадмия до зоны его конденсации соизмеримо с диаметром реактора.

Изобретение относится к технологиям формирования базовых слоев тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе CdTe. Способ изготовления в квазизамкнутом объеме базовых слоев гибких фотоэлектрических преобразователей на основе CdTe, в котором расстояние от зоны испарения теллурида кадмия до зоны его конденсации соизмеримо с диаметром реактора.

Оптоэлектронное устройство (10) содержит первую подложку (12), имеющую первую поверхность (14) и вторую поверхность (16), оптоэлектронное покрытие (17), расположенное поверх второй поверхности (16) и содержащее подстилающий слой (18), расположенный поверх второй поверхности (16), первый проводящий слой (20), расположенный поверх подстилающего слоя (18), верхний слой (22), расположенный поверх первого проводящего слоя (20), полупроводниковый слой (24), расположенный поверх первого проводящего слоя (20), и второй проводящий слой (26), расположенный поверх полупроводникового слоя (24).
Изобретение относится к способам коммутации ячеек фотоэлектрических преобразователей, в частности к способу механического закрепления фотоэлементов и электрического их соединения в батарею.

Изобретение относится к области технологий получения преобразователей солнечной энергии в электрическую. Способ включает формирование слоя прозрачного проводящего электрода, слоя перовскита и слоя неорганического материала.

Изобретение относится к фотоэлектрическим преобразователям, в частности к технологии сборки солнечных модулей и коммутации ячеек фотоэлектрических преобразователей.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых структур с p-n-переходом и может быть использовано для изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечной энергии.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых структур с p-n-переходом и может быть использовано для изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) солнечной энергии.
Способ изготовления гетероструктуры InGaAsP/InP фотопреобразователя включает последовательное выращивание методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке InP в потоке очищенного водорода при пониженном давлении при температуре эпитаксии буферного слоя InP из триметилиндия и фосфина и слоя InxGa1-xAsyP1-y, где 0,59<х<0,80 и 0,55<у<0,92, из триметилиндия, триэтилгаллия, арсина и фосфина путем последовательного выращивания субслоев InxGa1-xAsyP1-y толщиной не более 100 нм.

Изобретение относится к области преобразователей энергии ионизирующих излучений изотопных источников в электрическую энергию Э.Д.С. Такие источники отличаются от конденсаторов и аккумуляторов много большей энергией, приходящейся на единицу объема, но малой выделяемой мощностью в единицу времени.

Изобретение относится к способу получения органо-неорганического светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой, который может быть использован при изготовлении перовскитных солнечных ячеек. Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой, имеющего структурную формулу АСВ3, в котором на подложку последовательно наносят слой реагента в виде олова, свинца или висмута, или их сплавов, оксидов и солей и слой реагента АВ. Затем подложку с нанесенными слоями помещают в жидкую или газообразную среду, содержащую реагент В2, на период, необходимый и достаточный для осуществления реакции реагента в виде олова, свинца или висмута, или их сплавов, оксидов и солей с реагентами в виде АВ и в виде В2 с получением вещества АСВ3, при этом в качестве компонента А используют CH3NH3+, или (NH2)2CH+, или С(NH2)3+, или Cs+, или их смесь, в качестве компонента В используют Сl-, или Br-, или I-, или их смесь, в качестве компонента С используют олово, свинец, висмут, или их сплавы. Обеспечивается получение светопоглощающих органо-неорганических материалов с перовскитоподобной структурой на подложках большой площади. 5 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл., 3 пр.

Изобретение может быть использовано для создания мощных СВЧ фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAsAlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного СВЧ модуля включает создание на полупроводниковой подложке GaAs n-типа фоточувствительной области на основе эпитаксиальных структур GaAsAlxGa1-xAs и широкозонного окна из AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм, создание контактного слоя из GaAs р-типа, создание контактной площадки фронтального омического контакта на поверхности контактного слоя, создание сплошного тыльного омического контакта на тыльной поверхности подложки GaAs. На фоточувствительной области формируют антиотражающее покрытие, создают шины фронтального омического контакта шириной 4-8 мкм, формируют меза-структуру вне контактной площадки и фоточувствительной области на расстоянии 1-5 мкм от контактной площадки, создают дополнительный фронтальный контакт вне меза-структуры на фронтальной поверхности полупроводниковой подложки, проводят монтаж фотодетекторов на керамической плате из AlN, выполняют монтаж керамической платы на теплоотводящем основании модуля, выполняют монтаж оптических волокон и корпусирование СВЧ модуля. Изобретение обеспечивает возможность создания мощных СВЧ фотодетекторов с подводимым по оптоволокнам лазерным излучением, которые бы имели увеличенную рабочую мощность, сниженную величину коэффициента отражения излучения, увеличенное быстродействие, за счет снижения потерь на паразитных емкости и индуктивности, и соответственно высокий КПД преобразования излучения и быстродействие мощного оптоволоконного СВЧ модуля на их основе. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Наверх