Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя



Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя
Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя
Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя
H01L31/1848 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с

Владельцы патента RU 2681660:

Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн") (RU)

Изобретение относится к солнечной энергетитке, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя включает создание фоторезистивной маски с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge с p++и n++ слоями туннельного перехода верхнего каскада, вытравливание капельным смачиванием в диодном окне маски полупроводниковых слоев верхнего каскада до n++ слоя туннельного перехода в травителях на основе соляной кислоты, при этом в процессе вытравливания после возникновения газовых пузырьков по периметру диодного окна в маске их удаляют гидродинамически путем дистанционного нанесения капель травителя в область диодного окна, а после промывки и высушивания обрабатывают контактную площадку диода в травителе состава: соляная кислота концентрированная в количественном соотношении от 30 до 70% общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 5-45% концентрации. Технический результат, достигаемый в предлагаемом способе вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя, заключается в повышении адгезии лицевой металлизации диода и снижении величины прямого напряжения на встроенном диоде. 1 табл., 2 ил.

 

Изобретение относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления трехкаскадных фотопреобразователей со встроенным диодом.

Известен каскадный фотопреобразователь и способ его изготовления (см. Патент РФ №2382439, опубл. 20.02.2010 г.), принятый за аналог, в котором трехкаскадная полупроводниковая структура GaInP/Ga(In)As/Ge используется для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей космического и наземного применения. Верхний каскад полупроводниковой структуры состоит из n+-Ga(In)As - контактного слоя, n-AlInP слоя широкозонного оптического окна, n+-GaInP - эмиттерного слоя, p-GaInP - базового слоя, p-AlInP - слоя тыльного потенциального барьера. Далее расположены p++-AlGaAs, n++-GaInP или n++-GaAs - слои верхнего туннельного перехода к среднему каскаду.

Недостаток данного аналога применительно к изготовлению фотопреобразователя со встроенным диодом следующий: при изготовлении диода без удаления полупроводниковых слоев верхнего каскада величина прямого напряжения на диоде составляет более 3В, что приводит к значительному тепловыделению с возможными деградацией параметров и электрическим пробоем.

Общий признак вышеуказанного аналога с предлагаемым способом капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя следующий: использование трехкаскадной полупроводниковой структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке.

Известен способ изготовления солнечного фотоэлемента с интегральным защитным диодом (см. Patent DE №102004023856 В4, опубл. 12.05.2004 г.), принятый на аналог, в котором на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на p-Ge подложке дополнительно наращивают эпитаксиальные слои Ga1-xInxAs (0,01≤х≤0,03) n и p-типа проводимости для создания р/n перехода интегрального диода, затем р++- AlGaAs и n++-Ga(In)As (или n++-GaInP) слои туннельного перехода к n+- Ga(In)As контактному слою. Вытравливают меза-изолирующую канавку до Ge- подложки. Удаляют дополнительно выращенные эпитаксиальные слои до n-Ga(In)As - слоя в рабочей области фотопреобразователя. Создают лицевые контакты к фотопреобразователю и диоду, а также шунтирующее соединение базового n-Ga(In)As слоя диода с р-Ge подложкой.

Недостаток данного аналога заключается в необходимости формирования дополнительных эпитаксиальных слоев и создания пристеночной металлизации для шунтирования n-Ga(In)As базы интегрального диода и p-Ge подложки.

Признаки аналога, общие с предлагаемым способом, следующие: использование трехкаскадной эпитаксиальной структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке.

Известен способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом (см. Патент РФ №2515420, опубл. 16.08.2012 г. ), принятый за аналог, в котором на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, создают фоторезистивную маску с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода, вытравливают капельным смачиванием в диодном окне маски полупроводниковые слои верхнего GaInP - каскада, в том числе n+-Ga(In)As - контактный слой и n-AlInP - слой широкозонного оптического окна в водном растворе ортофосфорной кислоты с перекисью водорода, a n+-GaInP-эмиттерный и p-GaInP базовый слои в концентрированной соляной кислоте до стопорного эпитаксиального слоя.

Недостаток вышеуказанного способа заключается в том, что применительно к трехкаскадной полупроводниковой структуре с p-AlGaInP слоем потенциального барьера, р++-AlGaAs и n++-GaInP - слоями туннельного перехода верхнего каскада концентрированная соляная кислота стравливает полупроводниковые слои за короткий промежуток времени, что затрудняет воспроизводимую остановку травления на n++-GaInP слое туннельного перехода, используемом в качестве контактной площадки. В случае перетравливания полупроводниковой структуры недопустимо возрастают обратные токи диода Iобр.>2,5mA/4В. При недотравливании полупроводниковой структуры неприемлемо увеличивается прямое напряжение Uпр.>1,8B/620mA.

Признаки указанного аналога, общие с признаками предлагаемого способа, следующие: создание фоторезистивной маски с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке; вытравливание капельным смачиванием в диодном окне маски полупроводниковых слоев верхнего каскада.

Известен способ вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя (см. Патент РФ №2577826, опубл. 20.03.2016 г.), принятый за прототип в котором на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке с р-AlGaInP-слоем потенциального барьера, p++-AlGaAs и n++-GaInP слоями туннельного перехода верхнего каскада, создают фоторезистивную маску с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода, удаляют в диодном окне маски полупроводниковые слои, причем вытравливают p-AlGaInP слой полностью или частично в смеси концентрированных соляной и фтористоводородной кислот в количественном соотношении объемных частей 5÷7 и 3÷5 соответственно, р++-AlGaAs-слой туннельного перехода удаляют в смеси концентрированных соляной и лимонной (50%) кислот в количественном соотношении объемных частей 6÷10 и 8÷12 соответственно. Напыляют лицевые контакты на основе серебра Cr/Ag/Au-Ge/Ag/Au. Вытравливают меза-изолирующую канавку. Напыляют тыльную металлизацию на основе серебра Cr/Au/Ag/Au. Вжигают контакты. Стравливают n+-Ga(In)As - контактный слой по маске лицевой металлизации. Наносят просветляющее покрытие TiO2/Al2O3.

Недостаток способа-прототипа заключается в том, что не обеспечивается полное удаление GaInP слоев верхнего каскада по периметру диодного окна из-за газовыделения и прикрепления пузырьков к стенкам фоторезистивной маски при травлении в соляной кислоте. В результате снижается адгезия лицевого контакта и увеличивается величина прямого

Признаки прототипа, общие с признаками предлагаемого способа, следующие: создание фоторезистивной маски с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке с р++ и n++ слоями туннельного перехода верхнего каскада вытравливание капельным смачиванием полупроводниковых слоев верхнего каскада до n++ - слоя туннельного перехода в травителях на основе соляной кислоты.

4

Технический результата, достигаемый в предлагаемом способе, заключается в повышении адгезии лицевого контакта, снижении величины и разброса прямого напряжения на встроенном диоде.

Достигается это тем, что в способе капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя, включающем создание фоторезистивной маски с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge с р++ и n++ слоями туннельного перехода верхнего каскада, вытравливание капельным смачиванием в диодном окне маски полупроводниковых слоев верхнего каскада до n++ - слоя туннельного перехода в травителях на основе соляной кислоты, при этом в процессе вытравливания после возникновения газовых пузырьков по периметру диодного окна в маске их удаляют гидродинамически путем дистанционного нанесения капель травителя в область диодного окна, а после промывки и высушивания обрабатывают контактную площадку диода в травителе составахоляная кислота концентрированная в количественном соотношении от 30 до 70% общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 5÷15% концентрации.

Отличительные признаки предлагаемого способа капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя, обеспечивающие его соответствие критерию «новизна», следующие: удаление газовых пузырьков, возникающих в процессе вытравливания по периметру диодного окна в маске гидродинамически путем дистанционного нанесения капель травителя в область диодного окна, а после промывки и высушивания выполнение обработки контактной площадки диода в травителе состава: соляная кислота концентрированная в количественном соотношении от 30 до 70% общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 5÷15% концентрации.

Для обоснования соответствия предлагаемого способа капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя критерию «изобретательский уровень» был проведен анализ известных технических решений по литературным источникам, в результате которого не обнаружено технических решений, содержащих совокупность известных и отличительных признаков предлагаемого способа, дающих вышеуказанный технический результат. Поэтому, по мнению автора, предлагаемый способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя соответствует критерию «изобретательский уровень».

Предложенный способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя обеспечивает полное удаление продуктов травления GaInP - слоев верхнего каскада по периметру диодного окна в травителях на основе соляной кислоты за счет гидродинамического удаления блокирующих травление газовых пузырьков и последующей доочистки поверхности n++- слоя в травителе состава: соляная кислота концентрированная в количественном соотношении от 30 до 70% общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 5÷15% концентрации.

В результате значительно повысилась адгезия лицевой металлизации диода и величина прямого напряжения снизилась на ~ 0,1 В.

Способ иллюстрирован фиг. 1, 2 и таблицей 1. На фиг. 1 представлен вид капли травителя с газовыми пузырьками по периметру диодного окна в маске. На фиг. 2 представлен профиль поверхности контактной площадки диода: а) - с областями недотравов по периметру; б) - с доочисткой по периметру согласно предложенному способу. В таблице 1 представлены параметры изготовленных диодов.

Для конкретного примера реализации способа используют трехкаскадные полупроводниковые структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенные на германиевой подложке диаметром ∅ 100 мм с n+ Ga(In)As-контактным слоем, n+-AlInP - слоем широкозонного оптического окна, n+-GaInP - эмиттерным слоем, p-GaInP - базовым слоем, p-AlIGaP - слоем потенциального барьера, p++-AlGaAs и n++-GaInP - слоями туннельного перехода верхнего каскада. Создают фоторезистивную маску негативного фоторезиста Aznlof2070 с рисунком лицевых контактов фотопреобразователя и встроенного диода. Вытравливают капельным смачиванием контактные площадки диодов до n++-GaInP слоя туннельного перехода верхнего каскада, при этом после нанесения капли травителя на основе соляной кислоты, инициирующей травление, HCl÷HF=2÷1 или HCl концентрированной для структур 3G30, выдерживают паузу 5÷6 сек до возникновения газовых пузырьков, прикрепляющихся к фоторезистивной маске и блокирующих травление по периметру диодного окна. Процесс травления сопровождается быстрой сменой интерференционных цветов поверхности GalnP - слоев. Удаляют газовые пузырьки согласно предложенному способу, гидродинамически посредством нанесения в течение 7÷10 сек (2÷3 сек для структур 3G30) нескольких (3÷4) капель травителя в диодное окно с высоты 3÷5 см от поверхности полупроводниковой структуры, при этом освободившиеся от пузырьков участки поверхности вновь подвергаются травлению.

По достижении р++-AlGaAs - слоя туннельного перехода травление замедляется и диодная площадка приобретает однородный светло-голубой цвет. Затем селективно удаляют p++-AlGaAs - слой туннельного перехода нанесением в диодное окно капли смеси концентрированных соляной и лимонной (50%) кислот при количественном соотношении объемных частей 1-4. В диодном окне маски при этом наблюдается (за 5÷7 сек) переход без газовыделения от светло-голубого до устойчивого синего цвета поверхности, что соответствует вскрытию n++- GaInP туннельного слоя. Для структур 3G30 стравливание слоев n+, p-GaInP, p-AlGaInP и p++-AlGaAs в концентрированной HCl выполняется за один процесс.

На контактный n+-Ga(In)As слой рабочей поверхности фотопреобразователя указанные травители не воздействуют. Далее полупроводниковую структуру промывают деионизованной водой и высушивают.

Выполняют, согласно предложенному способу, обработку контактной площадки диода капельным смачиванием в травителе состава: соляная кислота концентрированная в количественном соотношении 50% от общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 7% концентрации. Продолжительность обработки 7÷10 сек. При этом происходит доочистка поверхности контактной площадки от продуктов травления GaInP-слоев. (см. фиг. 1, 2). Данный травитель наносится локально в диодное окно, так как оказывает воздействие на контактный Ga(In)As слой фотопреобразователя в связи с наличием сильного окисляющего компонента (K2Сr2O7). Контактная площадка диода после обработки в растворе HCl÷(7%) K2Cr2O7 приобретает насыщенный синий цветовой оттенок, что соответствует полному вскрытию и частичному травлению n++-GaInP слоя туннельного перехода. Полупроводниковую структуру промывают деионизованной водой и сушат.

Для составления травителя применяется соляная кислота концентрированная 35÷38%, марки «ОСЧ» по ГОСТ 14261-77.

Использование для травителя водного раствора бихромата калия K2Cr2O7 менее 5% концентрации при содержании HCL более 70% от общего объема нежелательно, так как происходит интенсивное неконтролируемое стравливание n++- GaInP слоя.

Увеличение концентрации K2Cr2O7 в водном растворе более 15% концентрации избыточно. При количественном соотношении HCL концентрированной менее 30% от общего объема ухудшается доочистка поверхности диодной площадки.

Гидродинамический удар капли травителя с высоты 3÷5 см вызывает стряхивание и удаление газовых пузырьков со стенок фоторезистивной маски. При этом освобожденные от газовых пузырьков пристеночные (шириной до ~ 200 мкм) участки поверхности вновь подвергаются травлению. При меньшем расстоянии эффективность гидродинамического воздействия недостаточна. Прокапывание с высоты более ~ 5 см нецелесообразно в силу малоразмерности диодного окна (1×7 мм) в маске.

Далее напылением и последующим взрывом создают лицевые контакты Cr/Au-Ge/Ag/Au фотопреобразователя и диода. Вытравливают меза-изолирующую канавку. Напыляют тыльную металлизацию Cr/Au/Ag/Au. Отжигают контакты. Затем вскрывают слой оптического окна травлением n+-Ga(In)As контактного слоя по маске лицевой металлизации и напыляют просветляющее покрытие TiO2/Al2O3. Изготовленные диоды имеют улучшенную адгезию лицевых контактов, не отделяемых посредством механического воздействия, низкие обратные токи Iобр.<0,1mА/4 В и величину разброса прямого напряжения ΔUпр.=0,01B (1,58≤Uпр.≤1,59 В), см. таб. 1.

Предложенный способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя применим для четырехкаскадных полупроводниковых структур с p++-AlGaAs и n++- GaInP слоями туннельных переходов двух верхних каскадов.

Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя, включающий создание фоторезистивной маски с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInP/Ga(In)As/Ge с p++ и n++ слоями туннельного перехода верхнего каскада, вытравливание капельным смачиванием полупроводниковых слоев верхнего каскада до n++ слоя туннельного перехода в травителях на основе соляной кислоты, отличающийся тем, что в процессе вытравливания после возникновения газовых пузырьков по периметру диодного окна в маске их удаляют гидродинамически путем дистанционного нанесения капель травителя в область диодного окна, а после промывки и высушивания обрабатывают контактную площадку диода в травителе состава: соляная кислота концентрированная в количественном соотношении от 30 до 70% общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 5÷15% концентрации.



 

Похожие патенты:

Изобретение может быть использовано для создания СВЧ-фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании фоточувствительной области и контактной площадки для бондинга вне фоточувствительной области на полупроводниковой подложке, формировании на фоточувствительной области антиотражающего покрытия и шин фронтального омического контакта шириной 4-10 мкм.

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа изготовления многоэлементного двухспектрального матричного фотоприемника. Фотоприемник включает в себя корпус с входным окном, матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с тонким поглощающим слоем из однородного полупроводникового материала, соединенную индиевыми микроконтактами со схемой считывания, приклеенной на коммутационный растр, обеспечивающий соединение с внешней схемой питания и управления видеосигнала фотоприемника.

Изобретение относится к области разработки и изготовления фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs. Способ изготовления мощного импульсного фотодетектора, работающего в фотовольтаическом режиме (с нулевым напряжением смещения), на основе GaAs включает последовательное выращивание методом жидкофазной эпитаксии на n-GaAs подложке слоя n-AlxGa1-xAs при х=0,10-0,15, слоя i-GaAs, слоя р-GaAs и слоя p-AlxGa1-xAs при х=0,2-0,3 в начале роста и при х=0,09-0,16 в приповерхностной области слоя.

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для создания мощного СВЧ фотодетектора на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм.

Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано для снабжения потребителей электроэнергией и горячей водой. Комбинированная гелиоколлекторная установка содержит корпус с крышкой, прозрачное покрытие, теплоизолирующий слой, защитный кожух.

Изобретение может быть использовано для создания мощных СВЧ фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм.

Изобретение относится к технологиям формирования базовых слоев тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе CdTe. Способ изготовления в квазизамкнутом объеме базовых слоев гибких фотоэлектрических преобразователей на основе CdTe, в котором расстояние от зоны испарения теллурида кадмия до зоны его конденсации соизмеримо с диаметром реактора.

Изобретение относится к кремниевым полупроводниковым технологиям, в частности к кремниевым фотовольтаическим преобразователям, изготовленным по гетероструктурной технологии.

Изобретение относится к технике преобразования световой энергии в электрическую. Оптопара содержит источник света, фотопреобразователь, корпус.

Изобретение относится к устройствам для преобразования электромагнитной энергии в электрическую энергию Устройство преобразователя мощности лазерного излучения «ПМЛИ» для приема падающего электромагнитного излучения на длине волны примерно 1550 нм, содержащее подложку, содержащую InP; и активную область, содержащую n-легированный слой и p-легированный слой, причем эти n-легированный и p-легированный слои образованы из InyGa1-yAsxP1-x, согласованного по параметрам решетки с подложкой и выполненного с возможностью поглощать фотоны электромагнитного излучения с соответствующей длиной волны примерно 1550 нм, где x=0,948, 0,957, 0,965, 0,968, 0,972 или 0,976, а y=0,557, 0,553, 0,549, 0,547, 0,545 или 0,544 соответственно.

Изобретение может быть использовано для создания СВЧ-фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании фоточувствительной области и контактной площадки для бондинга вне фоточувствительной области на полупроводниковой подложке, формировании на фоточувствительной области антиотражающего покрытия и шин фронтального омического контакта шириной 4-10 мкм.

Изобретение может быть использовано для создания СВЧ-фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании фоточувствительной области и контактной площадки для бондинга вне фоточувствительной области на полупроводниковой подложке, формировании на фоточувствительной области антиотражающего покрытия и шин фронтального омического контакта шириной 4-10 мкм.

Использование: для изготовления индиевых микроконтактов в матричных фотоприемниках. Сущность изобретения заключается в том, что способ улучшения адгезии индиевых микроконтактов с помощью ультразвуковой обработки на полупроводниковых пластинах с матрицами БИС считывания или фотодиодными матрицами включает формирование металлического подслоя под индий, формирование защитной фоторезистивной маски с окнами в местах микроконтактов, напыление слоя индия, изготовление индиевых микроконтактов одним из способов: удаление защитной маски со слоем индия вокруг микроконтактов (метод взрыва), формирование маски для травления на слое индия с последующим травлением слоя одним из известных способов (химическое травление, ионное травление) с последующим удалением слоев фоторезиста, при этом после формирования системы микроконтактов проводится обработка пластин в ультразвуковой ванне в течение нескольких минут.

Изобретение относится к области разработки и изготовления фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs. Способ изготовления мощного импульсного фотодетектора, работающего в фотовольтаическом режиме (с нулевым напряжением смещения), на основе GaAs включает последовательное выращивание методом жидкофазной эпитаксии на n-GaAs подложке слоя n-AlxGa1-xAs при х=0,10-0,15, слоя i-GaAs, слоя р-GaAs и слоя p-AlxGa1-xAs при х=0,2-0,3 в начале роста и при х=0,09-0,16 в приповерхностной области слоя.

Изобретение относится к области разработки и изготовления фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs. Способ изготовления мощного импульсного фотодетектора, работающего в фотовольтаическом режиме (с нулевым напряжением смещения), на основе GaAs включает последовательное выращивание методом жидкофазной эпитаксии на n-GaAs подложке слоя n-AlxGa1-xAs при х=0,10-0,15, слоя i-GaAs, слоя р-GaAs и слоя p-AlxGa1-xAs при х=0,2-0,3 в начале роста и при х=0,09-0,16 в приповерхностной области слоя.

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для создания мощного СВЧ фотодетектора на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм.

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для создания мощного СВЧ фотодетектора на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых двухспектральных гибридизированных сборок и может использоваться для создания матричных фотоприемников (МФП) различного назначения.

Изобретение относится к способу получения органо-неорганического светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой, который может быть использован при изготовлении перовскитных солнечных ячеек.

Изобретение может быть использовано для создания мощных СВЧ фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlxGa1-xAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм.

Изобретение относится к солнечной энергетитке, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInPGaAsGe, выращенных на германиевой подложке. Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя включает создание фоторезистивной маски с окнами лицевых контактов фотопреобразователя и диода на трехкаскадной полупроводниковой структуре GaInPGaAsGe с p++и n++ слоями туннельного перехода верхнего каскада, вытравливание капельным смачиванием в диодном окне маски полупроводниковых слоев верхнего каскада до n++ слоя туннельного перехода в травителях на основе соляной кислоты, при этом в процессе вытравливания после возникновения газовых пузырьков по периметру диодного окна в маске их удаляют гидродинамически путем дистанционного нанесения капель травителя в область диодного окна, а после промывки и высушивания обрабатывают контактную площадку диода в травителе состава: соляная кислота концентрированная в количественном соотношении от 30 до 70 общего объема, остальное - водный раствор бихромата калия 5-45 концентрации. Технический результат, достигаемый в предлагаемом способе вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя, заключается в повышении адгезии лицевой металлизации диода и снижении величины прямого напряжения на встроенном диоде. 1 табл., 2 ил.

Наверх