Случайная фазовая пластина



Случайная фазовая пластина
Случайная фазовая пластина
Случайная фазовая пластина
Случайная фазовая пластина
Случайная фазовая пластина
Случайная фазовая пластина
Случайная фазовая пластина
Случайная фазовая пластина
Случайная фазовая пластина
Случайная фазовая пластина
Случайная фазовая пластина
Случайная фазовая пластина
Случайная фазовая пластина
G02F1/00 - Устройства или приспособления для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, исходящего от независимого источника, например для переключения, стробирования или модуляции; нелинейная оптика (термометры с использованием изменения цвета или прозрачности G01K 11/12; с использованием изменения параметров флуоресценцией G01K 11/32; световоды G02B 6/00; оптические устройства или приспособления с использованием подвижных или деформируемых элементов для управления светом от независимого источника G02B 26/00; управление светом вообще G05D 25/00; системы визуальной сигнализации G08B 5/00; устройства для индикации меняющейся информации путем выбора или комбинации отдельных элементов G09F 9/00; схемы и устройства управления для приборов

Владельцы патента RU 2682971:

федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) (RU)

Изобретение относится к области оптотехники и может быть использовано для создания одинаковых условий высокоточной обработки различных материалов, основанной на применении пучков лазерного излучения. Техническим результатом изобретения является расширение области применения случайной фазовой пластины для выравнивания распределения интенсивности в сечении лазерных пучков со степенью когерентности, незначительно меньшей степени когерентности одномодовых Гауссовых пучков с качеством пучка М2≤1.1, которым соответствует качество пучка, отвечающее значениям М2≥2.0. Результат изобретения достигается тем, что глубина травления 50% элементарных ячеек в подложке, выполненной на кристаллическом материале, поверхности которой ориентированы параллельно оптической оси этого материала, определяется из соотношения , где λ - длина волны излучения применения пластины, n0 и ne - показатели преломления кристаллического материала для обыкновенного и необыкновенного лучей соответственно, отклонение по глубине травления элементарных ячеек не должно превышать 5% от значения h. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

 

Изобретение относится к области оптотехники и может быть использовано для создания одинаковых условий высокоточной обработки различных материалов, основанной на применении пучков лазерного излучения.

Известны случайные фазовые пластины (СФП) с многоуровневой структурой, выполненные на плавленом кварце - оптически прозрачном материале в диапазоне длин волн 0.3÷2.2 мкм, обладающем высокой лучевой прочностью (Рымкевич B.C., Заколдаев Р.А., Сергеев М.М., Костюк Г.К. Использование лазерно-индуцированной микроплазмы для изготовления многоуровневых фазовых пластин // Известия высших учебных заведений. Приборостроение. - 2017. - Т. 60. - №5. - С. 431-439). Поверхность многоуровневой СФП, типичный размер которой составляет 10×10 мм, разделена на элементарные ячейки в форме квадрата с размером не менее 0.2 мм и не более 0.4 мм, каждая из которых расположена случайным образом на поверхности пластины. При этом глубина травления равного количества элементарных ячеек в СФП соответствует одному из дискретных значений: где λ - длина волны излучения применения СФП, n - показатель преломления материала СФП. Дискретные значения изменения глубины травления элементарных ячеек от 0 до обеспечивают сдвиг фазы проходящего через них излучения от 0 до π. При этом для элементарных ячеек, не подвергнутых травлению, сдвиг фазы равен 0, а для элементарных ячеек, вытравленных на глубину, соответствующую одному из дискретных значений h1, h2, h3 или h4, сдвиг фазы соответственно равен π/4, π/2, 3π/4 и π. Различие в глубинах травления равного количества элементарных ячеек в СФП обеспечивает переналожение в фокальной плоскости коллективной линзы, размещаемой за СФП, пяти различных интерференционных картин, возникающих вследствие разделения падающего на СФП пучка лазерного излучения элементарными ячейками на элементарные пучки, сдвиг фаз в которых отвечает либо «нулевому» значению, либо одному из значений, задаваемых дискретными глубинами травления h1÷h4 элементарных ячеек. Увеличение количества интерференционных картин, возникающих от переналожения элементарных пучков, отвечающих либо «нулевому» сдвигу фазы, либо одному из значений сдвигов фаз, задаваемых глубиной травления элементарных ячеек, в фокальной плоскости коллективной линзы, способствует сглаживанию модуляции интенсивности в фокальном пятне, то есть выравниванию распределения интенсивности. Работоспособность СФП, то есть проверку ее способности создавать равномерное распределение интенсивности в пределах фокального пятна коллективной линзы, устанавливаемой за СФП, принято проверять экспериментально путем тестирования. При этом качество создаваемого распределения интенсивности, то есть качество работы СФП, принято оценивать по отклонению профиля распределения интенсивности, создаваемого СФП, от равномерного в пределах фокального пятна в процентах. Тестирование работы СФП осуществляется в два этапа. Сначала регистрируется исходное распределение интенсивности лазерного пучка, затем в схему вводится СФП, и регистрация осуществляется вновь. Тестирование многоуровневой СФП с четырьмя уровнями глубины травления элементарных ячеек h1÷h4 в СФП-аналоге в схеме с одномодовым Гауссовым пучком He-Ne лазера с λ=0.633 мкм, характеризующимся наивысшей степенью когерентностью γ(τ)=1 и соответственно качеством пучка М2≤1.1, показало, что относительное отклонение профиля распределения интенсивности в пределах фокального пятна составляет ~50%. Результаты тестирования СФП-аналога с лазерными пучками, степень когерентности которых незначительно ниже степени когерентности одномодового Гауссова пучка, равной единице, и которым соответствует качество пучка М2, незначительно большее по величине, чем качество одномодового Гауссова пучка М2≤1.1 не приводится, но судя по результатам тестирования многоуровневой СФП с одновомодовым Гауссовым пучком ее применение не обеспечит отклонения профиля распределения интенсивности в единицы процентов в пределах фокального пятна, необходимого для обеспечения качества, требуемого в микро- и нанообработке для лазерных пучков с высокой степенью когерентности.

Наиболее близкой к заявляемому устройству является двухуровневая СФП (Kato Y., Mima K., Miyanaga N., Arinaga S., Kitagawa Y., Nakatsuka M., Yamanaka C. Random phasing of high-power lasers for uniform target acceleration and plasma-instability suppression // Physical Review Letters. - 1984. - T. 53. - №11. - C. 1057-1064), принятая в качестве прототипа. Ее поверхность разделена на элементарные ячейки в форме квадратов, прямоугольников или шестиугольников, 50% элементарных ячеек которой вытравлены на глубину где λ - длина волны лазерного излучения, проходящего через СФП, обеспечивающую выравнивание интенсивности в сечении лазерного пучка, n - показатель преломления материала СФП для данной длины волны. При этом в качестве материала для изготовления подобной СФП используется плавленый кварц, являющийся оптически прозрачным в диапазоне длин волн 0.3÷2.2 мкм и обладающий высокой лучевой прочностью. Размер СФП определяется сечением пучка, распределение интенсивности в котором подлежит выравниванию. Наиболее часто используемые размеры подобной СФП варьируются от 10×10 мм до 30×30 мм в зависимости от конкретного технологического лазера, а размер элементарных ячеек варьируется от 0.2 мкм до 0.4 мкм. Данная конструкция СФП использовалась неоднократно (Kato Y., Mima K., Miyanaga N., Arinaga S., Kitagawa Y., Nakatsuka M., Yamanaka C. Random phasing of high-power lasers for uniform target acceleration and plasma-instability suppression // Physical Review Letters. - 1984. - T. 53. - №11. - C. 1057-1064; Dixit S., Thomas I., Woods В., Morgan A., Henesian M., Wegner P., Powell H. Random phase plates for beam smoothing on the Nova laser // Applied optics. - 1993. - T. 32. - №14. - C. 2543-2554; Lewis C., Weaver I., Doyle L., Martin G., Morrow Т., Pepler D., Danson C., Ross I. Use of a random phase plate as a KrF laser beam homogenizer for thin film deposition applications // Review of Scientific Instruments. - 1999. - T. 70. - №4. - C. 2116-2121) и показала хорошие результаты с пучками, характеризующимися низкой степенью когерентности γ(τ)≤0.3 и соответственно низким качеством пучка М2≥40. Принцип работы данной СФП основан на многолучевой интерференции элементарных пучков, дифрагировавших на каждой элементарной ячейке СФП. Случайное расположение элементарных ячеек, вытравленных на глубину h, обеспечивает разрушение симметричности и периодичности в интерференционной картине, уровень случайной модуляции интенсивности в которой из-за низкой степени когерентности относительно невысок. Повышение степени когерентности лазерного пучка до значений γ(τ)≥0.5, распределение интенсивности в сечении которого подлежит выравниванию, приводит к более яркому проявлению интерференционных эффектов, то есть к увеличению уровня модуляции интенсивности в пределах фокального пятна. Недостатком прототипа является невозможность его применения для выравнивания распределения интенсивности лазерных пучков со степенью когерентности, незначительно меньшей степени когерентности одномодовых Гауссовых пучков, которым соответствует качество пучка, отвечающее значению М2≥2.0.

Технической задачей, решаемой настоящим изобретением, является расширение области применения СФП для выравнивания распределения интенсивности в сечении лазерных пучков со степенью когерентности, незначительно меньшей степени когерентности одномодовых Гауссовых пучков, которым соответствует качество пучка, отвечающее значениям М2≥2.0.

Сущность изобретения заключается в том, что СФП содержит подложку, выполненную из кристаллического материала, поверхности которой ориентированы параллельно оптической оси этого материала, а поверхность подложки разделена на одинаковые по форме элементарные ячейки в виде многоугольников, при этом 50% элементарных ячеек вытравлены на глубину, определяемую из соотношения где λ - длина волны излучения применения пластины, n0 и nе - показатели преломления кристаллического материала для обыкновенного и необыкновенного лучей соответственно, отклонение по глубине травления элементарных ячеек не должно превышать 5% от значения h. В качестве кристаллического материала используется исландский шпат, значение двулучепреломления которого Δn=n0-nе в области применения пластины - области прозрачности исландского шпата 0.24÷1.80 мкм располагается в диапазоне 0.24÷0.16.

Решение технической задачи достигается тем, что глубина травления элементарных ячеек в подложке, выполненной на кристаллическом материале, поверхности которой ориентированы параллельно оптической оси этого материала, определяется из соотношения где λ - длина волны излучения применения пластины, n0 и nе - показатели преломления кристаллического материала для обыкновенного и необыкновенного лучей соответственно, отклонение по глубине травления элементарных ячеек не должно превышать 5% от значения h, а в качестве кристаллического материала использован исландский шпат, значение двулучепреломления которого Δn=n0-nе в области применения пластины - области прозрачности исландского шпата (0.24÷1.80 мкм) располагается в диапазоне 0.24÷0.16. Глубина травления, определяемая из соотношения, обеспечивает поворот вектора поляризации падающего на элементарные ячейки СФП линейно-поляризованного излучения на 90°, тем самым, создавая условия, при которых интерференция элементарных пучков от элементарных ячеек, неподвергнутных травлению, сохраняющих направление вектора поляризации падающего на них линейно-поляризованного излучения, и от элементарных ячеек, вытравленных на заданную глубину, обеспечивающую поворот вектора поляризации падающего на эти ячейки СФП линейно-поляризованного излучения на 90°, невозможна. Невозможность интерференции ортогонально линейно-поляризованных пучков была установлена еще в классических работах об интерференции двух линейно-поляризованных пучков (Ландсберг Г.С. Оптика: Учебное пособие. - М.: ФИЗМАТ ЛИТ, - 2006 - 848 с.; Борн М., Вольф Э. Основы оптики. - М.: Наука, 1973. - 856 с.). Невозможность многолучевой интерференции ортогонально линейно-поляризованных элементарных пучков, создаваемых в конструкции заявляемой СФП, 50% случайно выбранных элементарных ячеек, которой вытравлены на глубину, обеспечивающую поворот вектора поляризации падающего на эти ячейки линейно-поляризованного излучения на 90°, до сих пор не была экспериментально установлена. Указанное в формуле изобретения ограничение на глубину травления было найдено для кристаллической пластины из исландского шпата, вырезанной параллельно оптической оси кристалла из условия поворота вектора поляризации падающего на нее линейно-поляризованного излучения на 90°. Отклонение по глубине травления, приводящее к незначительному выравниванию профиля распределения интенсивности в пределах фокального пятна, было определено экспериментальным путем.

Сущность изобретения поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведено схематическое изображение СФП, на фиг. 2 представлена схема тестирования СФП, на фиг. 3 представлены результаты тестирования, на фиг. 4 - схема промышленного изготовления СФП.

Схематическое изображение СФП размером 10×10 мм, 50% элементарных ячеек которой размером 250×250 мкм вытравлены на глубину h~0.85 мкм, найденную из соотношения для длины волны третьей гармоники пикосекундного лазера «Ekspla PL 2143» (λ=355 нм), степень когерентности излучения которого незначительно меньше степени когерентности одномодового Гауссова пучка с качеством пучка М2≤1.1, а качество пучка М2~5.0 представлено на фиг. 1 (1 - вытравленные области, 2 - не вытравленные области). СФП была подвергнута тестированию по коррекции распределения интенсивности. Тестирование СФП осуществлялось в соответствии с общепринятой процедурой: сначала по отпечатку пакета импульсов на оксидной пленке ZnO толщиной 2 мкм фиксировалось распределение интенсивности в фокальном пятне системы, фокусирующей исходный пучок излучения третьей гармоники пикосекундного лазера «Ekspla PL 2143», далее по отпечатку пакета импульсов на той же пленке фиксировалось распределение интенсивности в фокальном пятне при размещении СФП перед фокусирующей системой.

Для регистрации отпечатков использовалась экспериментальная установка, представленная на фиг. 2 и содержащая источник излучения 3, зеркало 4, делительную пластину 5, ПЗС-камеру 6, тестируемую СФП 7, объектив с числовой апертурой NA=0.3 8, стекло с нанесенной оксидной пленкой ZnO 9, координатный стол 10, осуществляющий передвижение по осям х, у, z.

На фиг. 3 приведены микрофотографии зон обработки излучением пикосекундного лазера «Ekspla PL 2143» на оксидной пленке ZnO с увеличением 10х. Видно, что результаты обработки оксидной пленки с применением СФП (фиг. 3 «б») показывают более высокое качество обработки по сравнению с качеством обработки без применения СФП (фиг. 3 «а»). Микрофотография зоны обработки с применением СФП свидетельствует о том, что интерференционная картина (картина спеклов) практически подавлена. Также тестированию была подвергнута СФП (фиг. 3 «в»), глубина травления элементарных ячеек, которой отличалась от рассчитанной по выражению более, чем на 5% (h~0.92 мкм). Видно, что эффект снижения уровня модуляции интенсивности незначителен.

Для промышленного изготовления СФП можно воспользоваться серийно выпускаемой установкой «Минимаркер-2» (фиг. 4), содержащей в себе следующие ключевые элементы: волоконный иттербиевый лазер 11, гальванометрическое сканирующее устройство на базе приводов G325DT «GSI Lumonics» 12, объектив 13, неподвижный столик 14, углеродосодержащая пластина 15, пластина исландского шпата 16, персональный компьютер 17.

Устройство работает следующим образом. Лазерное излучение волоконного иттербиевого лазера 11 с длиной волны λ=1.064 мкм, мощностью Р=2 Вт, длительностью импульсов τ=50 не, частотой их следования v=70 кГц позиционировалось в плоскости обработки с помощью гальванометрического сканирующего устройства 12, обеспечивающего перемещение лазерного пучка по координатам х и у со скоростью сканирования U=1000 мм/с. С помощью объектива 13 с фокусным расстоянием ƒ=210 мм и полем обработки 100×100 мм, создающего перетяжку лазерного пучка размером d0=50 мкм, производилась фокусировка излучения в плоскости контакта пластины прессованного графита 15 и пластины исландского шпата 16, расположенных на неподвижном столике 14. Управление сканирующим устройством, параметрами лазерного излучения, а также положением перетяжки пучка осуществлялось с помощью специального программного обеспечения на компьютере 17. Очистка поверхности пластины исландского шпата от частиц графита, осевших на нее в процессе формирования элементарных ячеек, производилась на том же макете установки. Фиг. 4 «б» иллюстрирует расположение элементов устройства, задействованных в процессе очистки: дистиллированная вода 18, пластина исландского шпата 19, частицы графита 20, записанные ячейки 21. Нанесение на загрязненную поверхность исландского шпата 19 тонкого слоя дистиллированной воды 20 используется для уменьшения возможных повреждений материала пластины.

Для изготовления СФП на пластине исландского шпата использовался метод обработки лазерно-индуцированной микроплазмой (ЛИМП) (Kostyuk G., Zakoldaev R., Sergeev M., Veiko V. Laser-induced glass surface structuring by LIBBH technology // Optical and Quantum Electronics. - 2016. - T. 48. - №. 4. - C. 1-8), в котором в качестве поглощающей мишени используется пластина прессованного графита, коэффициент поглощения которой близок к 1.0 для диапазона длин волн 0.2÷2.5 мкм. При этом лазерное излучение, сфокусированное на поверхность мишени, контактирующей с пластиной обрабатываемого материала, прозрачной для проходящего сквозь нее излучения, приводит к резкому нагреванию графита до температуры испарения, в результате чего происходит образование плазменного факела, формирующего микрорельеф.

На основании выше изложенного можно заключить, что тестирование СФП, выполненной на подложке из исландского шпата, поверхности которой ориентированы параллельно его кристаллической оси, 50% элементарных ячеек которой вытравлены на определенную глубину h, задаваемую соотношением, приведенным в формуле изобретения, показало способность СФП создавать равномерный профиль распределения интенсивности с отклонением, не превышающим единицы процентов в пределах фокального пятна для лазерного пучка со степенью когерентности, незначительно меньшей степени когерентности одномодового Гауссова пучка с качеством пучка М2≤1.1, которая отвечает качеству пучка М2=5.0. Таким образом, область применения СФП расширена для коррекции распределения интенсивности в лазерных пучках со степенью когерентности, незначительно меньшей степени когерентности одномодового Гауссова пучка с качеством пучка М2≤1.1, качество пучка в которых отвечает значениям М2≥2.0. Также показано, что подобная пластина может быть изготовлена с применением лазерной технологии, основанной на использовании метода обработки материала лазерно-индуцированной микроплазмой. Экспериментальным путем установлено, что при превышении глубины травления h, определяемой из соотношения, приведенного в формуле изобретения, более, чем на 5%, уровень снижения модуляции интенсивности незначителен.

1. Случайная фазовая пластина, содержащая подложку из оптически прозрачного материала, поверхность которой разделена на одинаковые по форме элементарные ячейки в виде многоугольников, при этом 50% элементарных ячеек вытравлены на заданную глубину, отличающаяся тем, что подложка выполнена из кристаллического материала, поверхности которой ориентированы параллельно оптической оси этого материала, а глубина травления элементарных ячеек в подложке определяется из соотношения где λ - длина волны применения пластины, no и ne - показатели преломления для обыкновенного и необыкновенного лучей соответственно, отклонение в глубине травления элементарных ячеек не должно превышать 5% от значения h.

2. Случайная фазовая пластина по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве кристаллического материала использован исландский шпат, значение двулучепреломления которого Δn=no-ne в области прозрачности исландского шпата 0.24÷1.80 мкм располагается в диапазоне 0.24÷0.16.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии дисплеев, параллаксному барьеру, устройству отображения и соответствующему способу управления состоянием дисплея. Технический результат заключается в повышении надежности защиты конфиденциальности отображаемой информации.

Изобретение относится к волоконно-оптическим системам связи и обработки информации. В устройстве преобразователя поляризаций применяется волновод в форме эллипса, часть поверхности над которым покрыта диэлектрическим слоем с показателем преломления, равным показателю преломления подложки.

Изобретение относится к области получения кристалла трибората лития LiB3O5 (LBO), являющегося высокоэффективным нелинейно-оптическим материалом, применяющимся для пассивного преобразования частоты лазерного излучения.

Изобретение относится к сенсорным дисплеям. Технический результат заключается в увеличении частоты опроса сенсорных сигналов без оказания влияния на эффект отображения сенсорной панели.

Изобретение относится к блоку визуального отображения, создающему трехмерное объемное пространство. Технический результат заключается в повышении освещенности дисплеев, не ухудшая контрастность.

Изобретение относится к области технологий дисплеев. Технический результат заключается в снижении энергопотребления для подсветки.

Изобретение относится к способу изготовления изогнутого светофильтра, который под воздействием падающего света изменяет свое состояние от светопропускающего к затемняющему.

Изобретение относится к области отображения информации, а именно к подложке цветного фильтра и устройству отображения с изогнутой поверхностью. Подложка цветного фильтра включает первую область затенения света, соответствующую линии сканирования и линии данных подложки матрицы, и вторую область затенения света, соответствующую центральной линии субпиксельной области подложки матрицы.

Водонепроницаемый модуль подсветки содержит светопроводящую пластину, отражающую пластину на нижней стороне светопроводящей пластины, оптическую пленку и панель дисплея, расположенную последовательно над светопроводящей пластиной, а также раму, выполненную на боковой части светопроводящей пластины и оптической пленки, причем на боковую часть панели дисплея, на область соединения, где панель дисплея соединена с рамой, и на соединительный зазор между рамой и отражающей пластиной наносят водонепроницаемый герметик.

В настоящем изобретении раскрыты способы и устройство для подготовки офтальмологической линзы с изменяемой оптической силой. Вставка с изменяемыми оптическими свойствами может иметь поверхности с различными радиусами кривизны.

Изобретение относится к силиконовым акриламидным сополимерам, применимым в медицинских устройствах. Предложен сополимер для использования в офтальмологических линзах, образованный из реакционноспособной смеси, содержащей радикально полимеризуемые компоненты и включающей (A) многофункциональный (мет)акриламидный мономер, имеющий, по меньшей мере, одну силоксановую связь и, по меньшей мере, две (мет)акриламидные группы внутри молекулы, (B) монофункциональный линейный силиконовый (мет)акриламидный мономер и (С) немсиликоновый гидрофильный мономер в качестве компонента сополимеризации.

Изобретение относится к полимерам или гидрогелям, содержащим сульфокислотные группы, и сформированным из них офтальмологическим устройствам. Предложен силиконсодержащий полимер, содержащий сульфокислотный компонент, образованный из реакционно-способных компонентов, содержащих, (i) по меньшей мере, один силиконовый компонент и, (ii) по меньшей мере, один компонент, содержащий сульфокислоту, причем компонент, содержащий сульфокислоту, состоит из соли, образованной неполимеризуемым гидрофильным основанием и полимеризуемой сульфокислотой.

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к способу получения поликристаллов четверных соединений ALnAgS3 (A=Sr, Eu; Ln=Dy, Но) моноклинной сингонии со структурой типа BaErAgS3, которые перспективны для применения в качестве люминофоров, полупроводников и неметаллических ферромагнетиков, оптических материалов.

Изобретение может быть использовано в космической технике, в строительной индустрии, а также в химической, пищевой, легкой промышленности для термостатирования устройств или технологических объектов.

Изобретение может быть использовано в космической технике, в строительной индустрии, а также в химической, пищевой, легкой отраслях промышленности для термостатирования устройств или технологических объектов.

Изобретение относится к легким в использовании силиконовым гидрогелевым контактным линзам, а именно к упаковочному раствору для контактных линз, который представляет собой водный раствор, содержащий по меньшей мере один буферный агент в количестве, достаточном для поддержания значения pH, равного от 6,0 до 8,5 и от 0,01 % до 2 мас.% растворимого в воде и термически сшивающегося гидрофильного полимерного материала; где растворимый в воде и термически сшивающийся гидрофильный полимерный материал содержит (i) от 20% до 95 мас.% первых полимерных цепей, образованных из функционализированного эпихлоргидрином полиамина или полиамидоамина,(ii) от 5% до 80 мас.% гидрофильных фрагментов или вторых полимерных цепей, образованных по меньшей мере из одного увеличивающего гидрофильность агента, содержащего по меньшей мере одну реакционно-способную функциональную группу, выбранную из группы, включающей аминогруппу, карбоксигруппу, тиогруппу и их комбинацию, и (iii) положительно заряженные азетидиниевые группы, которые являются частями первых полимерных цепей или боковых или концевых групп, ковалентно связанных с первыми полимерными цепями, где гидрофильные фрагменты или вторые полимерные цепи ковалентно связаны с первыми полимерными цепями с помощью одной или большего количества ковалентных связей, каждая из которых образована между одной азетидиниевой группой функционализированного эпихлоргидрином полиамина или полиамидоамина и одной аминогруппой, карбоксигруппой или тиогруппой увеличивающего гидрофильность агента.

Группа изобретений относится к медицине. Офтальмологическое устройство содержит: гидрогелевую линзу, содержащую оптическую зону и периферическую зону, которая расположена снаружи оптической зоны, два или более выступающих участка, включенных в периферическую зону гидрогелевой линзы; и вкладыш-субстрат, съемным образом закрепленный в оптической зоне гидрогелевой линзы.

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для изготовления светопоглощающих элементов оптических электронных приборов и оптических систем зеркал, телескопов космических аппаратов.

Изобретение относится к области получения кристаллов на основе твердых растворов бромида серебра (AgBr) и иодида одновалентного таллия (TlI). Кристаллы прозрачны от видимой до дальней инфракрасной (ИК) области спектра (0,5-67,0 мкм), пластичны, не обладают эффектом спайности, поэтому из них изготавливают методом горячего прессования оптические изделия (линзы, окна, пленки) и получают методом экструзии микроструктурированные световоды для среднего ИК-диапазона (2,0-25,0 мкм).

Изобретение относится к области визуализации изображений и касается устройства визуализации реального изображения на стекле, которым оборудованы кабина или фасад.

Изобретение может быть использовано в осветительных устройствах и средствах отображения информации. Осветительный элемент 100 содержит источник 10 излучения и люминесцентный материал 20, преобразующий, по меньшей мере, часть излучения 11 от источника 10 в излучение 51. Источник 10 излучения содержит светоизлучающий диод. Люминесцентный материал 20 содержит люминесцирующее вещество 40, имеющее формулу где М выбирают из группы, состоящей из Са, Sr и Ва; Z выбирают из группы, состоящей из Na, К и Rb; А выбирают из группы, состоящей из Li и Cu; В выбирают из группы, состоящей из Mg, Mn, Zn и Cd; С выбирают из группы, состоящей из В, Al и Ga; D выбирают из группы, состоящей из четырехвалентных Si, Ge, Ti и Hf; Е выбирают из группы, состоящей из пятивалентных Р, V, Nb и Та; ES выбирают из группы, состоящей из двухвалентных Eu, Sm и Yb; RE выбирают из группы, состоящей из трехвалентных Се, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er и Tm; 0≤x≤0,2; 0≤y≤0,2; 0<x+y≤0,4; 0≤z<1; x+y+z<1; 0≤n≤0,75; 0≤а≤2; 0≤b≤2; 0≤c≤4; 0≤d≤4; e=0; a+b=2; c+d+e=4; a+2b+3c+4d+5e+y-z=16-n. Частицы люминофора могут иметь покрытие из группы, состоящей из AlPO4, Al2O3 и SiO2. Люминесцентный материал 20 дополнительно может включать люминофоры, выбранные из Ba0,95Sr0,05Mg2Ga2N4:Eu, BaMg2Ga2N4:Eu, SrMg3SiN4:Eu, SrMg2Al2N4:Eu, SrMg2Ga2N4:Eu, BaMg3SiN4:Eu, CaLiAl3N4:Eu, SrLiAl3N4:Eu, CaLi0,5MgAl2,5N4:Eu и SrLi0,5MgAl2,5N4:Eu. Повышается эффективность осветительных устройств. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 9 ил., 3 табл., 8 пр.

Изобретение относится к области оптотехники и может быть использовано для создания одинаковых условий высокоточной обработки различных материалов, основанной на применении пучков лазерного излучения. Техническим результатом изобретения является расширение области применения случайной фазовой пластины для выравнивания распределения интенсивности в сечении лазерных пучков со степенью когерентности, незначительно меньшей степени когерентности одномодовых Гауссовых пучков с качеством пучка М2≤1.1, которым соответствует качество пучка, отвечающее значениям М2≥2.0. Результат изобретения достигается тем, что глубина травления 50 элементарных ячеек в подложке, выполненной на кристаллическом материале, поверхности которой ориентированы параллельно оптической оси этого материала, определяется из соотношения, где λ - длина волны излучения применения пластины, n0 и ne - показатели преломления кристаллического материала для обыкновенного и необыкновенного лучей соответственно, отклонение по глубине травления элементарных ячеек не должно превышать 5 от значения h. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Наверх