Установка для зондовых измерений

 

ОПИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

274232 (Со!оз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВНДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидстельства №

Заявлено 26.I II.1969. (¹ 1315237/26-25) Кл. 21g, 11/02 с присоединением заявки ¹

МПК Н Olt 5/02

УДК 621.385.002.54 (088.8) Приоритет

Опубликовано 24.Ч1.1970. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 23.IX.1970

Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров

СССР

1"- -т- Влт!.>1

А. С. КаРачун, Н. И. Жинь, В. Ф. Масленков, И. И 5 детд

В. И. Виноградов и В. И. Богданов Нтн0.

Авторы изобретения

1 технн-:, ;„-- .;... !, !

Заявитель

ЬН6.!!И тЕ1 А

УСТАНОВКА ДЛЯ ЗОНДОВЫХ ИЗМЕРЕНИЙ

Предмет изо бр етени я

Описываемое изобретение относится к технологическому оборудованию электронной промышленности, а именно — к оборудованию для зондового контроля и измерений интегральных схем, диодов и транзисторов на неразрезанной пластине.

Известны установки для зондовых измерений, содержащие механизм шаговых перемещений, манипулятор, предметный столик, кронштейн с головками (зондовыми и маркировочными) и оптическую систему.

К недостаткам установок относятся большой угол отвода кронштейна с головками при установке и съеме измеряемых пластин, ведущий к усложнению конструкции и увеличению габаритов; необходимость применения микроскопа с большим фокусным расстоянием; затрудненность регулировки головок, а также ограниченность их количества.

С целью увеличения количества зондовых и маркировочных головок, облегчения и ускорения установки и ориентации пластин и уменьшения габаритов установки, а также применения микроскопа с малым фокусным расстоянием устройство крепления головок выполнено в виде двух разводных полуколец, одним концом шарнирно соединенных со стойкой, а другим упирающихся в жесткий неподвижный упор.

На черте>ке изображена схема устройства.

На основании 1 установлены стойка 2, в которой размещена электрическая часть, микроскоп 8, механизм шаговых перемещений манипулятор 5, предметный столик б и полукольца 7 и 9, на которых закреплены зондовые 9 и маркировочные 10 головки. Полукольца одним концом шарнирно без люфта соединены со стойкой 2, а другим упираются в жесткий неподвижный упор 11 и прижимают"

10 ся к нему пружиной 12.

Установка работает следующим образом, Для загрузки контрслируемой пластины полукольца 7 и 8 с зондовыми 9 и маркировочными 10 головками разводят на угол а, пол15 постыл освобождая предметный столик б.

Пластину кладут на столик и закрепляют вакуумом. Манипулятором 5 ее ориентируют по сетке микроскопа 8. После этого полукольца с головками сводят и прижимают пружиной

20 !2 к упору 11, после чего проводят замеры пластины.

По окончании замеров полукольца разводят и фиксируют пружиной 12, выключают вакуум и снимают пластину с предметного столика.

Установка для зондовых измерений полупроводниковых приборов, состоящая из меха30 низма шаговых перемещений, манипулятора, 274232

Составитель В. М. Гришин

Техред Т. П. Курилко Корректор М. П. Роман1ова

Редактор Б. Федотов

Заказ 2567/17 Тираж 480 Подписное

ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, _#_-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 оптической системы, предметного столика и устройства крепления зондовых и маркировочных головок, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности и точности измерений, устройство крепления зондовых и маркировочных головок выполнено в виде двух разводных, фиксируемых по жесткому упору, полуколеп.

Установка для зондовых измерений Установка для зондовых измерений 

 

Похожие патенты:

Тиристор // 252482

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх