Способ отсечки медленной части плазменногосгустка

 

77125

ОП ИС

ИЗОБР

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ

Зависимое от авт, сви

Заявлено 03.V I 1.1968

21д, 21 01 с присоединением зая

Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров

СССР

ПК Н 05h 1/00

К 533.07(088.8) Приоритет

Опубликовано 28.IX.1

Дата опубликования

Авторы изобретения

В. С. Войценя, И. H. Онищенко и Б. Г. Сафронов

Заявитель

СПОСОБ ОТСЕЧКИ МЕДЛЕННОЙ ЧАСТИ ПЛАЗМЕННОГО

СГУСТКА

Данный способ предназначается для подготовки плазменных сгустков перед инжекцпсй их в магнитную ловушку термоядерного реактора.

Известны способы отсечки медленной части плазменного сгустка с использованием импульсного поперечного магнитного поля плп резко искривленного продольного поля и диафрагм. При применении первого варианта отсутствие продольного поля приводит к большим потерям быстрой части сгустка. Во втором случае возникают трудности, связанные с коммутацией больших импульсных токов, создающих импульсные магнитные поля, так как их напряженность должна примерно в

10 раз превышать напряженность постоянного ведущего магнитного поля.

Цель настоящего изобретения — подготовка пзотрошюго IIQ скоростям быстрого плазменного сгустка без существенных потерь массы при движении перед магнитной ловушкой.

Она достигается комбинированным воздействием на сгусток диафрагм, а также продольного и импульсного поперечного мапштпых полей, причем направление последнего противоположно по разные стороны диафрагмы. Наличие ведущего поля значительно уменьшает потери быстрой части сгустка. Напряженность поперечного поля составляет лишь часть от напряженности основного ведущего поля.

Электрические цепи, создающие взаимно ортогональпые поля, не влияют одна на другую.

Сущность способа заключается в следующем.

Плазменньш сгусток движется вдоль вакуумной камеры, соосно с которой расположены катушки, создающие однородное ведущее магнитное поле. На достаточно большом расстоянии от источника плазмы. обеспечиваю10 щем разделение в пространстве быстрой и медленной частей сгустка, располагают одну из диафрагм, по обе стороны которой помещают две катушки, создающие импульсные поперечные магнитные поля. Перед дпафраг15 мой поперечное поле направлено в одну сторону, а после нее — в другую. Отношение величины поперечного мапштного поля к продольному должно несколько превышать отношение диаметра диафрагм к длине х частка, па котором поперечное поле направлено в одну сторону. Быстрая часть сгустка успевает пройти систему отсечки до включения импульсного поперечного мапштного поля и пнжектпруется пз стабилизирующего продольного поля в магнитную ловушку. Медленная часть сгустка к моменту включения поперечного магнитного поля оказывается в зоне его максимальной напря>кенностп перед диафрагмой и уходит вдоль искривленных линий суммарного поля из прпосевой области к

277125

Предмет изобретения

Корректор С. М. Сигал

Редактор Б. Б. Федо1ов

Заказ 2882/10 Тираж 480 Подписное

Ц11ИИПИ Комитета ло делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 стенкам за коллимирующее отверстие диафрагмы. Образующийся при этом газ откачпвается через патрубки.

Способ отсечки медленной части плазменного сгустка с использованием продольного и импульсного поперечного магнитных полей, а также коллимирующих диафрагм в области наложения поперечного магшгтного поля, отличаюи ийся тем, что, с целью уменьшения потерь быстрой части плазменного сгустка, на предварительно созданное продольное маг5 нитное поле на расстоянии от источника плазмы, обеспечивающем разделение в пространстве быстрой и медленной частей плазменного сгустка, накладывают импульсное поперечное магнитное поле, направление которого проти10 воположпо по разные стороны диафрагмы.

Способ отсечки медленной части плазменногосгустка Способ отсечки медленной части плазменногосгустка 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к плазменной технике, а более конкретно к устройствам для ускорения заряженных частиц, и может быть использовано, в первую очередь, для обработки высокоэнергетическими плазменными потоками металлических поверхностей с целью повышения таких их характеристик как чистота поверхности, микротвердость, износостойкость, коррозионная стойкость, жаростойкость, усталостная прочность и др

Изобретение относится к системам тепловой защиты из огнеупорного композитного материала, которые охлаждаются потоком жидкости, и более точно касается конструкции тепловой защиты для отражателя камеры удерживания плазмы в установке термоядерного синтеза, охлаждающего элемента, который использован в конструкции тепловой защиты, и способа изготовления такого охлаждающего элемента

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для получения электрической энергии путем преобразования тепловой энергии плазмы в электрическую

Изобретение относится к области технологии очистки и обезвреживания отходящих газов, газовых выбросов различных производств и процессов, а также плазмохимического синтеза химически активных соединений с использованием электрических методов, в частности к устройству газоразрядных камер, в которых производят процесс детоксикации и очистки
Наверх