Схема управления аттенюатора свч на полупроводниковых диодах

 

по.Tci- н " -:,;l.

1 ч:, -ь- т.;.

ОПИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

278800

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства чос

Заявлено 14.IV.1969 (№ 1325712/26-29) с присоединением заявки Хо

Приоритет

Опубликовано 21.VIII.1970. Бюллетень М 26

Дата опубликования описания 13.Х1,1970

Кл. 21а, 73

Комитет по делам изобретениИ и открытий при Совете Министров

СССР

:1ПК Н 01р 1/22

УДК 621.372.852.3 (088.8) .. .втор изобпетения

М. М. Кантор

Заявитель

СХЕМА УПРАВЛЕНИЯ АТТЕНЮАТОРА СВЧ

НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ

Изобретение относится к технике СВЧ, в частности к аттенюаторам на полупроводниковых диодах.

Известны схемы управления аттенюаторов

СВЧ на полупроводниковых диодах, содержащие несколько цепочек, каждая пз которых состоит из последовательно соединенного диода и резистора. В этих схемах диоды устанавливаются непосредственно в высокочастотной линни передач и оказывают на нее шуптирующее действие. Каждый диод питается током, определяемым только входным напряжением и постоянным сопротивлением, включенным последовательно с диодом.

Недостаток такой схемы управления заключается в том, что в динам режиме происходит значительное увеличение КСВН.

С целью получения определенной взаимной зависимости проводимости диодов QT величины входного напряжения предлагаемая схема выполнена в виде ступенчатого делителя напряжения, содержащего несколько ступеней цепочек, состоящих из полупроводниковых диодов и постоянных сопротивлений, при этом каждая цепочка, состоящая из одного диода, последовательно соединенного с постоянным сопротивлением, подключена к соседней цепочке непосредственно к диоду, Подбором постоянных сопротивлений достигается желательная взаимозависимость проводимостей диодов. Предлагаемая схема управления дподамп создает в СВЧ-устройствах определенную характеристику КСВН путем образования взаимозависимости проводимости диодов

5 от входного напряжения (общего тока).

На фиг. 1 представлена предлагаемая схема с независимым управлением диодов; на фпг. 2 — предлагаемая принципиальная схема; па фпг. 3 — схема, использующая аттенюа10 тор, в котором могут быть применены диоды.

Как показано па фиг. 1, диоды управляются независимо друг от друга, ток ii — i, через диоды определяется входным напряжением U и величинами постоянных сопротивлений

15 Ri — R<. Пунктиром условно показана высокочастотная линия передачи, в которой располагаются полупроводниковые диоды.

Как показано на фпг. 3, прп одинаковых диодах Д1 — Д и расстояниях между пимп /4

20 длины волны 3. значения постоянных сопротивлений следующие:

Яд —— Я|2 = 200 Ол1;

R1=11=51 о,п.

25 Сравнивая работу известной и предлагаемой схем и реальной конструкции электрически управляемого аттенюатора, можно отметить: группа пз четырех диодов, управляемых по известной схеме, прп изменении общего то30 ка до величины, соответствующей затуханию

3 аттенюатора в 40 дб, приводит к рассогласованию линии до КСВН=4 - 5.

Те жс диоды, управляемые по предложенной схеме, показанной на фиг. 3, при тех же затуханиях до 40 дб обеспечивают в линии

1(СВН (1,6.

Таким образом, предлагаемая схема управления создаст положительный эффект, заключающийся в улучшении качества конструкции, В которой испол ьзу!Отся полупроводниковые диоды, нли при равных качсствах в упрощении конструкции за счет сокрашения количества диодов в приборе.

Предмет изобретения

Схема управления аттешоатора CB I на полупроводниковых диодах, содержащая несколько цепочек, каждая нз которых состоит нз последовательно соединенного диода и резистора, отличаюсцаяся тем, что, с целью получения определенной взаимной зависимости проводимости диодов от величины входного

N напряжения, каждая предыдущая цепочка включена между общей шиной источника питания и точкой соединения диода и резистора следующей цепочки.

Фиг.3

Составитель Курныков

Редактор T. И. Морозова Тскред JI. Я. Левина Коррскгор О. С. Зайцева

Заказ 3252/4 Тира>к 480 Подписное

ЦИИИПИ Комитета по делам изобретении н открытий прн Совете Мш нстров СССР

Москва, К-35, Раушскаи. наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Схема управления аттенюатора свч на полупроводниковых диодах Схема управления аттенюатора свч на полупроводниковых диодах Схема управления аттенюатора свч на полупроводниковых диодах 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области техники СВЧ и предназначено для нагрева (пастеризации, стерилизации) жидкостей (воды, молока, соков, пива, вина, паст и т.д.), а так же может быть использованы как оконечная нагрузка или постоянный аттенюатор в системах с генераторами СВЧ непрерывной мощностью до 75 кВт

Изобретение относится к области охранной сигнализации и волноводной техники СВЧ, в частности, к устройствам и способам для формирования радиолучевой зоны между разнесенными в пространстве передатчиком и приемником СВЧ поля обнаружения человека, вторгающегося в эту зону

Изобретение относится к технике СВЧ и предназначено для настройки ферритовых волноводных циркуляторов при их серийном изготовлении

Свч-фильтр // 2111583
Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано при создании частотно-селективных приборов (фильтров) и корректоров амплитудо-частотных характеристик

Изобретение относится к области радиотехники, в частности, к вспомогательным устройствам для объединения или разделения двух различных частот и может использоваться, например, в телевидении или для радиослужб

Изобретение относится к пищевой промышленности, медицине, а также к радиотехнике и предназначено для пастеризации (стерилизации) различных жидких водосодержащих субстанций и препаратов, не допускающих длительного высокотемпературного нагрева, а также для использования в качестве резонансных СВЧ-нагрузок и эквивалентов антенн

Изобретение относится к обработке СВЧ-сигналов и может быть использовано в адаптивных антеннах

Изобретение относится к СВЧ-технике и может быть использовано в передаче и приеме электромагнитной энергии от подвижной части антенн к неподвижной части СВЧ-трактов
Наверх