Способ генерации непрерывного когерентного излучения с частотой 2,52 тгц

Изобретение относится к квантовой электронике. Способ генерации непрерывного когерентного излучения терагерцового диапазона заключается в том, что осуществляют взаимодействие направленного возбуждающего излучения с активной средой образца; при этом в качестве упомянутой активной среды используют низкотемпературную плазму в газовой смеси ксенона с гелием, в которой нарабатываются метастабильные атомы ксенона в состоянии Xe(ls5); помещают упомянутую активную среду в терагерцовый резонатор; в качестве упомянутого направленного возбуждающего излучения используют излучение с длиной волны 980 нм или 904,5 нм, благодаря чему осуществляют оптическую накачку перехода в атомах ксенона, соответственно ls5 → 2р10 либо ls5 → 2р9 с последующей столкновительной релаксацией в состояние 2р10; получают упомянутое непрерывное когерентное излучение с частотой 2,52 ТГц, генерируемое на переходе 2р10 → ls2, вследствие инверсной заселенности состояний Хе(2р10) и Xe(ls2), возникающей в результате упомянутой оптической накачки. Технический результат – расширение арсенала технических средств. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

 

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано для генерации когерентного терагерцового электромагнитного излучения.

Уровень техники

Известно большое количество способов генерации терагерцового излучения на основе преобразования излучения импульсных лазеров с помощью нелинейных оптических сред, являющихся аналогами данного изобретения (патент РФ №2539678, опубл. 20.01.2015; патент США №9568804, опубл. 14.02.2017; патент на полезную модель РФ №187069, опубл. 18.02.2019). Общим недостатком этих аналогов является импульсный характер получаемого терагерцового излучения, обусловленный использованием нелинейно-оптических преобразований, требующих значительной интенсивности возбуждающего излучения.

Наиболее близким к предлагаемому является способ генерации терагерцового излучения, описанный в статье (Chevalier, P., et al. «Widely tunable compact terahertz gas lasers», Science 366.6467 (2019): 856-860. DOI: 10.1126/science.aay8683), где экспериментально показана возможность генерации терагерцового излучения при накачке вращательных переходов различных молекул излучением квантово-каскадных лазеров. При этом используется то обстоятельство, что при комнатной температуре колебательные состояния многоатомных молекул различных газов практически не заселены. Поэтому при облучении лазером с длиной волны, попадающей в резонанс с каким-либо колебательно-вращательным переходом, легко получить инверсию между вращательными переходами верхнего по энергии колебательного состояния. Разность энергий вращательных состояний (порядка 10-100 см-1), участвующих в генерации, соответствует единицам терагерц, поэтому, помещая такую среду в резонатор, можно получить вынужденное излучение терагерцового диапазона.

Недостатком этого способа является применение для накачки излучения среднего и дальнего инфракрасного диапазона, требующие использования специальных оптических материалов и приемников излучения. Кроме того, эти лазеры работают при низких давлениях активной среды, когда ширина линии поглощения определяется только эффектом Доплера и составляет не более сотен мегагерц. Это требует применения лазера накачки с очень узкой спектральной линией, что усложняет его конструкцию и ограничивает доступную мощность излучения.

Раскрытие изобретения

Настоящее изобретение решает задачу расширения арсенала технических средств за счет генерации непрерывного когерентного излучения терагерцового диапазона с использованием накачки излучением ближнего инфракрасного диапазона.

Для решения этой задачи в настоящем изобретении предложен способ генерации непрерывного когерентного излучения терагерцового диапазона, в котором: осуществляют взаимодействие направленного возбуждающего излучения с активной средой образца; при этом в качестве активной среды используют низкотемпературную плазму в газовой смеси ксенона с гелием, в которой нарабатываются метастабильные атомы ксенона в состоянии Xe(ls5); помещают активную среду в терагерцовый резонатор; в качестве направленного возбуждающего излучения используют излучение с длиной волны 980 нм или 904,5 нм, благодаря чему осуществляют оптическую накачку перехода в атомах ксенона, соответственно, ls5 → 2р10 либо ls5 → 2р9 с последующей столкновительной релаксацией в состояние 2р10; получают непрерывное когерентное излучение с частотой 2,52 ТГц, генерируемое на переходе 2р10 → ls2, вследствие образования инверсной заселенности состояния Хе(2р10) относительно состояния Xe(ls2) в результате оптической накачки.

Особенность способа по настоящему изобретению состоит в том, что содержание ксенона в смеси ксенона с гелием может составлять 1-3 молярных %.

Краткое описание чертежей

На Фиг. 1 показаны низшие энергетические уровни электронов в атоме ксенона.

На Фиг. 2 приведена схема установки для реализации способа по настоящему изобретению.

Подробное описание

Терагерцовым (ТГц) излучением называется электромагнитное излучение в интервале частот от 0,3 до 10 ТГц, т.е. 0,3×1012 - 10×1012 Гц (длина волны 1 мм - 30 мкм). Этот частотный интервал занимает часть электромагнитного спектра между инфракрасным (ИК) и микроволновым диапазонами, поэтому его часто также называют дальним ИК или субмиллиметровым диапазоном. В терагерцовом диапазоне лежат спектры излучения астрономических объектов, а также спектры сложных органических молекул (таких как молекулы белков и ДНК, некоторых взрывчатых веществ, вредных веществ - загрязнителей атмосферы). Современные технологии позволяют создавать квантово-размерные объекты, такие как квантовые точки. Энергии возбуждения квантовых точек соответствуют энергии фотонов терагерцового излучения, поэтому с его помощью можно когерентно управлять такими объектами. Терагерцовое излучение безвредно для человека, что позволяет применять его для медицинской диагностики, в современных системах безопасности, экологического мониторинга, для контроля качества медикаментов и продуктов питания, высокоскоростной связи.

Известные способы получения когерентного излучения основаны на использовании явления индуцированного излучения. Индуцированные переходы происходят при воздействии на квантовую систему внешнего электромагнитного поля на частоте переходов между квантовыми уровнями системы. Принципиальной особенностью известных способов является необходимость создания и поддержания инверсной населенности квантовых уровней системы путем энергетической накачки за счет внешнего воздействия. Известны разные способы накачки: вспомогательным излучением, разрядом электрического тока, химическим либо другим воздействием. Среда с инверсной населенностью находится в неравновесном состоянии, и при условии, что населенность вышележащих уровней превышает населенность нижележащих уровней, внешнее резонансное излучение вызывает генерацию когерентного излучения.

На Фиг. 1 приведена условная схема, иллюстрирующая энергетические уровни электронов в атоме ксенона (Хе) и переходы между этими уровнями. Стрелки вверх - оптическая накачка, стрелки вниз: сплошная - излучение, пунктирные - столкновительные переходы 2р9 → 2р10 и ls2 → ls3.

Состояние ls2 заселено слабо по сравнению с метастабильным состоянием ls5, поэтому при оптической накачке в состояния 2р10 или 2р9 заведомо образуется инверсная населенность состояния 2р10 относительно состояния ls2, и среда становится усиливающей в терагерцовом диапазоне. Состояние ls2 радиационно связано с основным состоянием атома Хе, имеет время жизни ~40 нc, и поэтому расселение этого состояния осуществляется за счет радиационного перехода в основное состояние на длине волны 129,6 нм и за счет столкновений с другими частицами, а также за счет столкновительной релаксации в нижележащее состояние ls3. В результате инверсная населенность состояния 2р10 поддерживается при накачке непрерывным излучением.

Благодаря указанному явлению в настоящем изобретении предложен способ генерации когерентного терагерцового электромагнитного излучения, заключающийся в оптической накачке переходов ls5 → 2р10 или ls5 → 2р9 (в обозначениях Пашена) метастабильного атома Хе полупроводниковым лазером на длине волны 980 нм или 904,5 нм и генерации излучения с частотой 2,52 ТГц на переходе 2р10 → ls2. Разность энергий уровней 2р10 и ls2 составляет 84 см-1.

Метастабильные атомы Хе в состоянии ls5 нарабатываются в низкотемпературной плазме электрического разряда в смеси ксенона с гелием, где содержание ксенона предпочтительно составляет 1-3 молярных % (Mikheyev Р.А., et al. «Production of Ar and Xe metastables in rare gas mixtures in a dielectric barrier discharge)). Journal of Physics D: Applied Physics 50.48 (2017): 485203. DOI: 10.1088/1361-6463/aa91bf). Известно, что при оптической накачке состояния 2р9 излучением с длиной волны 904,5 нм и последующим столкновительным заселением состояния 2р10 возможна лазерная генерация на переходе 2р10 → ls5 на длине волны 980 нм при давлении порядка атмосферного (Han, J., et al. «Optically pumped rare gas lasers.» XXII International Symposium on High Power Laser Systems and Applications. Vol.11042. International Society for Optics and Photonics, 2019. DOI: 10.1117/12.2522346). Ширина линии поглощения накачки при этом определяется столкновительным уширением и составляет около 20 ГГц. Это позволяет применять для накачки полупроводниковые лазеры и их сборки, аналогичные тем, что используются для накачки лазеров на парах щелочных металлов.

Для лазеров на парах щелочных металлов технология производства полупроводниковых лазеров накачки с узким спектром хорошо отработана и ее перенос на нужную длину волны принципиальных трудностей не представляет. Так, в статье (Sanderson, Carl R., et al. "Demonstration of a quasi-CW diode-pumped metastable xenon laser." Optics Express 27.24 (2019): 36011-36021.) для экспериментов с генерацией на длине волны 980 нм в ксеноне использовалась лазерная накачка с длиной волны 904,5 нм мощностью 90 Вт и спектральной шириной 17,8 ГГц.

Схема установки изображена на Фиг. 2. Излучение 2 с длиной волны 980 нм или 904,5 нм полупроводникового лазера 1 направляется в плазму электрического разряда 3, где в смеси Хе:Не нарабатываются метастабильные атомы Xe(ls5). Оптическая накачка переводит часть этих атомов в состояние Хе(2р10) или в состояние Хе(2р9) с последующей столкновительной релаксацией в состояние Хе(2р10). Возникающая инверсная заселенность состояний Хе(2р10) и Xe(ls2) позволяет получать когерентное тера-герцовое излучение, помещая такую среду в терагерцовый резонатор 4.

Таким образом, в настоящем изобретении решена задача расширения арсенала технических средств за счет генерации непрерывного когерентного излучения терагерцового диапазона с использованием накачки излучением ближнего инфракрасного диапазона.

1. Способ генерации непрерывного когерентного излучения терагерцового диапазона, заключающийся в том, что:

- осуществляют взаимодействие направленного возбуждающего излучения с активной средой образца;

- при этом в качестве упомянутой активной среды используют низкотемпературную плазму в газовой смеси ксенона с гелием, в которой нарабатываются метастабильные атомы ксенона в состоянии Xe(ls5);

- помещают упомянутую активную среду в терагерцовый резонатор;

- в качестве упомянутого направленного возбуждающего излучения используют излучение с длиной волны 980 нм или 904,5 нм, благодаря чему осуществляют оптическую накачку перехода в атомах ксенона, соответственно ls5 → 2р10 либо ls5 → 2р9 с последующей столкновительной релаксацией в состояние 2р10;

- получают упомянутое непрерывное когерентное излучение с частотой 2,52 ТГц, генерируемое на переходе 2р10 → ls2, вследствие инверсной заселенности состояний Хе(2р10) и Xe(ls2), возникающей в результате упомянутой оптической накачки.

2. Способ по п. 1, в котором содержание ксенона в упомянутой смеси ксенона с гелием составляет 1-3 молярных %.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде моноселенида хрома CrSe, а выращивание кристалла осуществляют вертикальной зонной плавкой.

Изобретение относится к области лазерной техники. Генератор импульсов ионизации содержит генератор частоты ионизации, источник ионизации лазера, приемник излучения, шесть резисторов, ограничитель мощности излучения, ограничитель сигнала управления, пороговую схему, генератор низкой частоты, четыре повторителя, усилитель, тумблер, измеритель мощности излучения, два формирователя, компаратор, ключ и преобразователь напряжение-частота.

Изобретение относится к области квантовой электроники и лазерной техники, в частности к твердотельным ВКР-лазерам, и может быть применено в нелинейной оптике, аналитической спектроскопии, оптическом приборостроении, медицине, экологии, фотодинамической терапии. Лазер с источником накачки, устройствами юстировки, резонатором с активным элементом, обладающим ВКР эффектом и установленным посредством узла крепления с возможностью обеспечения его вращения относительно оптической оси лазерного источника, между оптически сопряженными первым и вторым резонаторными зеркалами, размещенными посредством соответствующих держателей с юстировочными устройствами первого и второго резонаторных зеркал на торцевых фланцах резонатора, платформой с третьим юстировочным устройством для перемещения резонатора по высоте и нормально к оптической оси лазерного источника и устройством сведения и преобразования излучения лазерного источника, размещенным между лазерным источником и резонатором с возможностью перемещения устройства сведения и преобразования вдоль оптической оси лазера посредством четвертого юстировочного устройства и оптически сопряженным с активным элементом.

Изобретение относится к области лазерной техники и предназначено для обеспечения устойчивой генерации ультракоротких лазерных импульсов фемто-пикосекундного диапазона. Способ и устройство реализуются в однонаправленном поляризующем резонаторе, при заданном уровне оптического усиления на участке активного волокна усилителя с оптической диодной накачкой порядка 2 Вт.

Изобретение относится к способу получения прозрачной керамики иттрий-алюминиевого граната (ИАГ), в том числе легированного ионами неодима, для использования в качестве активной среды в области фотоники и лазерной техники. Способ получения прозрачной ИАГ-керамики, включающий совместный высокоэнергетический помол в этаноле исходных порошков оксидов Y2O3, Nd2O3 и Al2O3 для формирования слабоагрегированной порошковой системы стехиометрии ИАГ с размером частиц в диапазоне 50-500 нм, сушку при температуре 70°С в течение 24 ч с последующей грануляцией порошка через сито с эффективным размером ячеек 200 меш и отжигом в атмосфере воздуха при температуре 600°С в течение 4 ч, искровое плазменное спекание полученного материала на первом этапе путем нагрева со скоростью 100°С/мин до 1000°С, выдержку, отжиг полученного образца в воздушной атмосфере, отличается тем, что высокоэнергетический помол в этаноле порошков исходных оксидов Y2O3, Nd2O3 и Al2O3 осуществляют с использованием LiF в качестве спекающей добавки в количестве 0,2 вес.% при 300 об/мин в течение 12 ч, искровое плазменное спекание проводят при внешнем давлении 50-70 МПа, причем на втором этапе со скоростью 25°С/мин до 1475°С с выдержкой материала при этих давлении и температуре в течение 45-60 мин, а отжиг полученного образца ведут в течение 10 ч при температуре 900-1000°С с последующим естественным охлаждением.

Изобретение относится к гироскопам и измерительной технике и может быть использовано для регулировки периметра зеемановского четырехчастотного лазерного гироскопа. Технический результат заключается в повышении точности настройки периметра четырехчастотного зеемановского лазерного гироскопа.

Изобретение относится к лазерной волоконной технике. Оптоволоконное лазерное устройство содержит первое волокно, содержащее первую волоконную брэгговскую решетку, второе волокно, содержащее вторую волоконную брэгговскую решетку, отражательная способность которой ниже, чем у первой волоконной брэгговской решетки, и третье волокно, легированное редкоземельным элементом, первый конец которого соединен с первым волокном, а второй конец соединен со вторым волокном.

Изобретение относится к квантовым стандартам времени и частоты. Технический результат заключается в обеспечении стабильных параметров среды квантового дискриминатора и упрощении его изготовления.

Изобретение относится к лазерной технике. Компактный твердотельный лазер красного диапазона спектра включает фокусирующую линзу, резонатор с активной средой и источник оптической накачки, в качестве которой используют полупроводниковый GaN лазерный диод, а резонатор сформирован из двух зеркал.

Изобретение относится к лазерной технике. Усилитель лазерного излучения на основе твердотельного активного элемента включает основанный на лазерных диодах источник излучения накачки и твердотельный активный элемент, выступающий в роли волновода для излучения накачки.

Способ может быть использован при дистанционной поверке ориентации оптической оси инфракрасного болометра и амплитудно-импульсных характеристик его электронного тракта в инфракрасной оптоэлектронике, системах поверки и настройки устройств быстродействующего теплового контроля скоростных объектов и визуального целиуказания инфракрасного луча. Способ включает облучение тестируемой болометрической системы инфракрасным и видимым излучением и анализ инфракрасного луча информационной системой. Для облучения тестируемой болометрической системы используется импульсное инфракрасное излучение кристаллического лазера с продольной накачкой полупроводниковым лазером, видимое излучение которого частично используется для визуализации инфракрасного луча. Технический результат - увеличение точности тестирования и временного разрешение инфракрасных болометрических систем. 1 ил.
Наверх