Управляемая схема задержки

 

28О674

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

Кл. 21g, 4 05

Заявлено 05.11.1968 (№ 1215921/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 03.1Х.1970. Бюллетень № 28

Дата опубликования описания 7.ХП.1970

МПК Н 03k 17/52

УДК 621.374.3 (088.8) Комитет оо делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Автор изобретения

А. И. Певнев

Заявитель

УПРАВЛЯЕМАЯ СХЕМА ЗАДЕРЖКИ

Предлагаемое изобретение относится к элементам вычислительных устройств, точнее к заторможенным мультивибраторам.

Известны мультивибраторы в заторможенном режиме, Эти схемы обеспечивают стабильность генерируемых импульсов по длительности в пределах 2 — 5%, при этом наблюдается довольно значительная длительность фронтов импульсов. Известны также мостовые схемы задержки, содержащие времязадающие цепочки RC и инвертор, которые обеспечивают хорошую стабильность длительности импульсов, но крутизна фронтов выходного импульса остается значительной длительности, а для управления необходим импульс по длительности, больший времени восстановления схемы в исходное,положение.

Цель изобретения — расширить диапазон электрического регулирования длительности импульса на выходе, улучшить его стабильность и,крутизну фронтов, а также обеспечить возможность запуска схемы короткими импульсами.

Это достигается тем, что в состам мультивибратора на двух транзисторах (в ждущем рехкиме) входит интегрирующая емкость и последовательно включенный резистор; потенциал с этого резистора ооеспечивает управление,0 базе, первым транзистором мультивибратора сразу же после прихода запускающего импульса и до окончания заряда интегрирующей емкости; заряд же интегрпру|ощей емкости осуществляется коллекторным током третьего транзистора (поставленного в режим генератора тока по входу) до момента сравнения с коллекгорным потенциалом второго транзистора мультивибратора; момент срав нения потенцпаloB на интегрирующей емкости то и на коллекторе второго транзистора фиксируется диодом сравнения, который также после момента сравнения обеспечивает разряд интегриру|о|пей емкости через себя и второй транзистор.

15 На фиг. 1 нзобран енз схема управлен |я схемы задержки; на фпг. 2 — эпюры напряжений.

В исходном полохкенни транзистор 1 закрыт полохкительным смещением +Е3, а тран20 знстор 2 открыт. При эгом интегрирующая емкость 8 разряжева через диод 4 и открытый трапзпсто,; 2. В момент прихода короткого запускаюшего отрицательного импульса на базу транзистора 1 либо положIïåëüíо|о на ба25 зу транзисто;а 2 последний запирается, а транзистор 1 отпирается оч рп|атсльным lIOт.,:циалом, сш|маем:|м с;;сз:.,тора 5, так как в мо:,|ент заппрання транзистора 2 диод 4 закрывается, и происходит заря емкости 3 не30 изменным коллекторным током транзистора б.

280674

Предмет изобретения

Ь "1! г1

Фцз !

1

Составитель В. Гордонова

Техред 3. Н. Тараненко Корректор Г. С. Мухина

Редактор И, Тимофеева

Заказ 3442/3 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 1(-35, 1 аушская паб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Скорость заряда будет неизменной, а это обеспечивает прямоугольный отрицательный импульс на базе транзистора 1 до момента сравнения (см. эпюру b на фиг. 2). В момент же сравнения этот отрицательный прямоугольный импульс скачком изменяет полярность, так как прекращается заряд емкости 8, и;происходит лавинообразный процесс возвращения схемы в исходное положение (положительный скачок на базе транзистора 1 вызывает его запирание, а следовательно, и отпирание транзистора 2, и разряд емкости осуществляется по цепи: резистор 5, интегрирующая емкость 8, диод сравнения 4 и коллекторэмиттер транзистора 2). Скорость заряда емкости 8 устанавливается потенциалом в базе транзистора б и величиной резистора 7.

Управляемая схема задержки, содержащая интегрирующий конденсатор в составе мультивибратора, выполненного на двух транзисторах, токостабилизирующий транзистор и схему сравнения на диоде, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения включения коротким

10 импульсом и повышения стабильности, одна пластина конденсатора подключена через резистор к базе первого транзистора мультивибратора, а другая подключена к коллектору токостабилизирующего транзистора и через диод сравнения — к коллектору второго транзистора мультивибратора.