Способ изготовления омических контактов на полупроводниковых терморезисторах
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
28I650
Сввз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 06.Х11.1965 (№ 1042359/26-25) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет
Опубликовано ЗО.Х1.1971, Бюллетень № 36
Дата опубликования описания II.II,1972
МПК Н Oll 7/02
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.362.1(088.8) Авторы изобретения
Г. Н. Текстер-Проскурякова и И. Т, Шефтель
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕРМОРЕЗИСТОРАХ
Способ относится к области производства термочувствительных приборов.
Известны способы нанесения омических контактов к терморезисторам на основе амальгамы индия и эвтектики индий-галлий.
Однако такие, контакты обладают низкой механической прочностью.
Известен также способ изготовления омических контактов путем химического никелирования. Такие контакты наряду со сло>кным технологическим процессом их изготовления являются нестабильными, особенно под нагрузкой и в результате пребывания их в условиях тропической влажности.
Во>к>кенные серебряные электроды, применяющиеся для обычных терморезисторов с отрицательным ТКС, непригодны в связи с образованием приконтактных слоев повышенного сопротивления.
Целью предлагаемого изобретения является разработка способа нанесения конгактов на терморезисторы, в частности, на терморезисторы с положительным ТКС, лишенные указанных недостатков.
Для уменьшения сопротивления и повышения стабильности контактов в полупроводник вжигают слой серебра, обслуживают серебряный слой припоем из сплава индийсвинец, производят термообработку.
Кроме того, припой содержит от 20 — 60%
In и 80 — 40% Pb; термообработку проводят при 250+ 50 С.
Суть способа заключаегся в следующем:
5 механическая обработка поверхности íà liënфовальных станках; промывка в проточной воде; нанесение пасты из окиси серебра на торцо вые поверхности терморезистора; вжнгание электродов при 700 — 800 С на воздухе
10 в течение 10 — 15 иин; обслуживание всей поверхности контакта и припаивание красномедных выводов методом окунания (плн с помощью паяльника). Принципиально важных является состав припоя. Используется сплав
15 индия и свинца в соотношении от 77 вес. с/с
Pb — 23 вес. % 1п до 40 вес. % Pb — 60 вес. %
In. Состав применяемого припоя определяется требующейся максимальной рабочей температурой терморезистора, которая уве20 личивается с ростом содер>кания Ph. В качестве флюса может быть использован спиртовой раствор канифоли. Терморазработку образцов с припаянными выводами осуществляют при 200 — 300 С в течение 2 — 4 час
25 для облегчения диффузии индия и свинца сквозь серебряный электрод. Диффузия Jn u
Pb была подтверждена спектральным исследованием.
Электроды, нанесенные таким способом, 30 являются омическими, так как непосредсгвен28I650
Составитель Л. Кот
Техред Е. Борисова
Корректор Л. Орлова
Рсдактор Калашникова
Заказ 158/5 Изд. № 1789 Тираж 473 Подписное
И1-!ИИПИ Ком пота lIo делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб„ д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 ный контакт с образцом осущеспвляется не серебром, а продиффундировавшими сквозь него индием и свинцом, которые имеют высокий потенциал окисления.
Предмет изобретения
1. Спосоо изготовления омпческих контактов на полупроводниковых терморезисторах, отличаюи1ийся тем, что, с целью уменьшения сопротивления и повышения стабильности контактов, в полупроводник вжигают слой серебра, облуживают серебряный слой припоем из сплава индий-овинец, производят термоо бра5 ботку.
2. Способ по п, 1, отличается тем, что припой содержит от 20 — 60% In и 80 — 40% РЪ.
3. Способ по п. 1, отличается тем, что термообработку про водят при 250+ 50 С.
