Полупроводниковый детектор ядерных излучений

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено ОЗ.VI.1967 (№ 1165271/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 31.Х.1972. Бюллетень № 33

Дата опубликования описания 18.XII.1972

М. Кл. G Olt 1/24

Комитет по делает изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 539.1.074.55(088.8) Авторы изобретения

В. М. Долгов, В. И. Попов, М. И. Портман и М. А. Сычков

Заявитель

4 В Ф"Ю

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ЯДЕРНЫХ

ИЗЛУЧ ЕН И Й

Настоящее изобретение относится к области регистрации ядерных излучений.

Известные полупроводниковые детекторы представляют собой плоскопараллельную пластину., состоящую из двух слоев раздельной проводимости. Одна из сторон пластины с прилежащим к ней p — и-переходом является рабочей стороной детектора, другая сторона— базой кристалла полупроводника.

Процессы детектирования или спектрометрирования ионизирующих частиц сводятся к регистрации импульсов напряжения, возникающих в результате возрастания проводимости кристалла полупроводника под действием поступающих в него ионизирующих частиц.

Существенным недостатком полупроводниковых детекторов, имеющих форму плоскопараллельной пластины, является их анизотропность, т. е. зависимость величины импульса напряжения от угла входа частицы в детектор. Поэтому такие детекторы не могут быть использованы в качестве датчика спектрометра для исследования спектрального состава излучения в полях с произвольным угловым распределением.

В случае регистрации низкоэнергетических частиц те частицы, которые падают на торцы и базовую поверхность детектора, могут быть не зарегистрированы вследствие поглощения энергии частиц массой полупроводникового кристалла и элементами его конструкции.

С целью обеспечения изотропной и однородной чувствительности предлагаемый полупроводниковый детектор выполнен в виде шара, ось которого является базой детектора, а чув1р ствительной поверхностью — сферическая поверхность шара.

На чертеже изображена конструкция предлагаемого поверхностно-барьерного детектора.

Устройство представляет собой шар, вырезанный из полупроводникового кристалла 1, содержащий металлический нижний токосборник 2, нижний токоотвод 8, металлический верхний токосъемник 4, р — и- или и — р-переход б, токоотводящее кольцо верхнего токосъемника б, эпоксидную изоляцию 7, верхний проволочный токоотвод 8, Спектрометр с полупроводниковым датчи2S ком сферической формы дает возможность измерить спектральный состав космического излучения в кабине космического корабля и внутри фантома-манекена, что необходимо для определения биологической дозы, полуЗО ченной космонавтом.

261664

Предмет изобретения

Составитель Т. Горчакова

Редактор В. 1.1овсселова Техред 3. Тараненко Корректоры: Е. Талалаева и В. Жолудева

Заказ 3972/8 Изд. Мз 1701 Тираж 406 Подписное

ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, K-35, Раушская паб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Полупроводниковый детектор ядерных излучений, отличающийся тем, что, с целью обеспечения изотропной и однородной чувствительности, он выполнен в виде шара, ось которого является базой детектора, а чувствительной поверхностью — сферическая поверхность шара.

Полупроводниковый детектор ядерных излучений Полупроводниковый детектор ядерных излучений 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к детекторам частиц и излучений, и может быть использовано при решении ряда фундаментальных физических задач, в том числе при исследовании и регистрации редких событий, а также в физике высоких энергий для координатных измерений

Изобретение относится к электронике

Изобретение относится к регистрации ионизирующих излучений алмазными детекторами

Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ионизирующего излучения и может найти применение для регистрации излучений в ядерной физике, а также при создании цифровых аппаратов, регистрирующих заряженные частицы и гамма кванты

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, предназначенным для измерения электромагнитных излучений, работающих в диапазоне длин волн от ультрафиолетового до гамма-излучений

Изобретение относится к области атомного приборостроения и микроэлектроники и может быть использовано, в частности, при создании координатных чувствительных детекторов релятивистских частиц, рентгеновского и нейтронного излучения
Наверх