Способ получения монокристаллических пленок олова

 

282298

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства ¹

Заявлено 02.IV,1969 (№ 1320759/22-1) Кл, 12@, 17/28

48Ь, 13 с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 28.llX.1970. Бюллетень № 30

Дата опубликования описания 15.IV.1971

MIlK В 01j 17/28

С 23с

УДК 669.68-172.002.2 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

3, Ф. Чайковский и Н. М. Лобода

Заявитель с» а

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ

ПЛЕНОК ОЛОВА

Описываемый способ может быть применен для получения пленок, используемых для исследований в области физики твердого тела.

Известные способы получения монокристаллических пленок олова осаждением в вакууме на монокристаллическую подложку позволяют получать пленки олова ориентации (200) в условиях остаточного давления газа 10 з— — 10 9 лл рт. ст.

Отличием описываемого способа является то, что осаждение осуществляют со скоростью

450-110А/сек на подложку из. хлористого калия, нагретую до температуры 320 — 350 К, при остаточном давлении газа 5 10 — — 10 лл рт. ст.

Осуществление осаждения в таких условиях дает возможность получать пленки олова ориентации (020) в вакууме 5 10 — 10 лл рт. ст., в связи с чем упрощается аппаратурное оформление процесса.

Получение пленок производится следующим образом. В качестве исходного материала используют олово чистотой 99,9998%, дополнительно очищенное зонной плавкой. Подложку размером 20Х20 ллем устанавливают в полости вакуумной камеры на расстоянии 50 — 55 лл от испарителя исходного материала. Во время разогрева исходного олова подложку экра5 нируют, защищая ее от попадания легколетучих примесей олова, Испарение олова производят в вольфрамовой лодочке, нагреваемой периодическим пропусканием тока так, чтобы скорость осаждения олова на подложке была в пределах 450+10 Л/сек. В камере поддерживают остаточное давление 5. 10 — 10 лл рт. ст.

Предмет изобретения

Способ получения монокрисгаллических пленок олова осаждением на монокристаллическую подложку в условиях вакуума, отлича ощийся тем, что, с целью получения пленок ориентации (020) и упрощения аппаратурного оформления процесса, осаждение осущесто вляют со скоростью 450 -10 А/сек на подложку нз хлористого калия, нагретую до температуры 320 †3 К, при остаточном давлении

25 газа 5 10 — 10 лл рт. ст.

Способ получения монокристаллических пленок олова 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов

Изобретение относится к затравочному кристаллу для изготовления монокристаллов и к способу для изготовления монокристаллов карбида кремния или монокристаллических слоев карбида кремния

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых материалов и приборов, а более конкретно к устройствам для нанесения тонких пленок полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе

Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов

Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике

Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) 1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC)

Изобретение относится к способу получения биоактивных кальций-фосфатных покрытий и может быть использовано при изготовлении ортопедических и зубных протезов

Изобретение относится к устройствам для получения твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия, используемых в производстве силовых, СВЧ- и оптоэлектронных приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах

Изобретение относится к полупроводниковой и сверхпроводниковой электронике, преимущественно к способам изготовления функциональных устройств на основе фуллеренов

Изобретение относится к области получения поликристаллических тел из газовой фазы и может быть использовано для получения изделий из металлов, в частности из кальция или магния, имеющих высокое давление паров

Изобретение относится к способу очистки галлия методом направленной кристаллизации

Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности для получения наночастиц Ga

Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании трубчатых кристаллов вольфрама электронно-лучевой вертикальной зонной плавкой с использованием кольцевого затравочного кристалла

Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании бикристаллов переходных металлов и их сплавов

Изобретение относится к области получения монокристаллических слоистых пленок графита на полупроводниковых подложках, представляющих интерес для использования в производстве приборов оптоэлектроники

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов из парогазовой фазы
Наверх