Полупроводниковый переключающий прибор

 

:гГ,| 1" II в 6- т1Г С - ="

ОПЙСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

286083

Со|со Советски||

Социалистичесийа

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹вЂ”

Заявлено 17.VI1.1968 (¹ 1255839/26-25) Кл. 21g, 11/02 с присоединением заявки №вЂ”

Комитет ов лелем изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Приоритет—

Опубликовано 10.Х1.1970. Бюллетень ¹ 34

Дата опубликования описания 12.1V.1971

ЧПК Н О1/

УДК 621.382.2 (088.8) Авторы изобретения

Г. Б. Абдуллаев, Ф, М. Ахундов, 3. A. Алиярова, А. Л. Шабалов и Г. А. Асадов

Институт физики АН Азербайджанской ССР

Заявитель

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ПРИБОР

Изобретен:|е относится к области полупроводниковы«переключающих и запоминающих устройств.

В настоящее время известен ряд нолупроводнпковы«приборов с релейным эффектом. Эти приборы. подразделяются на управляемые и неуправляемые. К управляемым приборам относятся многослойные переключающие устройства типа тиристоров, а также двуэлектродный полупроводниковый прибор с односторонним |о управляемым релейным эффектом на основе материала Cu — Se, к неуправляемым — приборы на основе полупроводниковых стекол. Диоды на основе полупроводниковы«стекол (см.

«Электроника», 1968 г., ¹ 19, стр. 29 — 30) 15 имеют вольт-ам пер ные «а|ра|ктеристи ки Ic релейным эффектом в обоих направлениях. При изменении подводимого напряжения диод переключается из,непроводящего состояния в состояние высокой проводимости. Такое .пере- 20 кл|очение является обратимым и происходит за время менее 1 мксек. Диод может «помнить» состояние при нулевом смещении.

Недостатками приборов типа тиристоров являются сложная многослойная структура с 25

p — n-пере«одамп, наличие дополнительных управляющих электродов, невозможность длительного запоминания состояний без приложс||ного смещения, а также небольтпой интервал рабочих температур, Недостатки переклю- 30 чающи«диодов Hil основе полупроводпиковы« стекол следующие: отсутствие возможности управления релейным эффектом, небольшое количество запоминаемой информации и малая стабильность электрических параметров.

Предлагаемый |прибор не имеет вышеперечислепны«недостатков. Он изготовлен на основс полупроводникового материала системы

Сц-Тс, обладающего дефектной структурой, которая приводит к сильному легированию.

Конструктивно он выполнен из пластины полупроводникового материала системы Сц-Те с вы|трямляющим |и омичеоким элекпродами.

Такое сочетание полупроводникового материала и электродов позволило получить двуэлектродный прибор с управляемой релейно|с

«арактеристикой в прямом и обратном направлении тока, работающий в широком диапазопс" температур.

Вольт-а иперная «арактерисиика,прибора приведена на чертеже.

При низкоомном состоянии прибора в обратном направЛении с увеличением напряжения ток растет и при достижении значения I,ð(òît срыва) происходит переключение прибора из нпзкоомного состояния в высокоомное. При высокоомном состоянии прибора в прямом направлении, когда напряжение достигает значепия U",ð. (напряжение срыва), прибор пере286083

Предмет изобретения

Составитель А. Кот

Тскрсд Л. Я. Левина

Редактор Л. А. Ильина

Корректор Т. A. Абрамова

Заказ 8113

Тирании 480

Подпис".о;

Ц11ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий ори Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская,наб., д, 4/5

Областная типография Костромского управлевия по печати ключается из высокоомного состояния в низкоомяое.

О писываемый прибор является управляемым. Управление напряжением U" р ароизво. дится изменением остаточного напряжения

U 0„ÿóòåì кратковременного приложения к электродам прибора требуемого ооратного напряжения, а управление током Г,„— изменением остаточного тока путем кратковременного,пропускания через прибор соответствующей величины тока прямого направления.

Данный прибор способен сохранять (запохьннать) состояния, в которых он был оставлен неограниченно долгое время.

Полупроводниковый переключающий прибс1р с омичеок1и м и 1вы1п рямляюи им пажта(к1та5 um, отличаюшийся тем, что, с целью получения управляемого релейного вффекта в обоих на пра1влениях в широком интервале температур изменением напряжения на приборе, а также получения запоминающего устройства с долго1О временной памятью своих состояний и наПряжения (тока) переключения, при|бор выполнеч пз полупроводникового матер1иала системы

Си-Те.