Резистор с обмоткой из литого микропровода в стеклянной изоляции
287I61
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Соеетскик
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 24.Х1.1969 (№ 1378782/24-7) с присоединением заявки ¹
Кл, 21с, 54/01
МПК Н Оlс 17 00
Приоритет
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Ъ г К 621 3 028 621 315 .3-181.4:621.315.61.6 (088.8) Опубликогано 19.Х1.1970. Бюллетень ¹ 35
Дата опубликования опнсання 1.II.1971
Е. Я. Бадинтер, 3. И. Зеликовский, Н. Я. Карасик, Г. А. ЪонятЬв,Г
А. Н. Савенков, Б. В. Фармаковский, В. П. Цетенс и К. А. Широкшин
Кишиневский научно-исследователький институт электроприборостроения
Авторы изобретения
Заявитель
РЕЗИСТОР С ОБМОТКОЙ ИЗ ЛИТОГО МИКРОПРОВОДА
В СТЕКЛЯННОЙ ИЗОЛЯЦИИ
/Di
) — 11 „2 + Е мп ((— ) — 1JB., - Е .
Известны резисторы с обмоткой из литого микропровода в стеклянной изоляции, жила и каркас которых выполнены из материалов с согласованными температурными коэффициентами расширения. Однако такое выполнение элементов резистора не обеспечивает необходимых упругих деформаций во всем диапозоне технологических и .рабочих температур, следствием чего является низкая стабильность эксплуатационных характеристик резистора, особенно в области отрицательных температур.
Вместе с тем при рассмотрении микропровода как бинарной системы эффективный температурный коэффициент расширения бинарной .системы жила — стекло отличается от температурного коэффициента расширения жилы.
Эффективный температурный коэффициент расширения бинарной системы
)„„— эффективный температурный коэффициент расширения микропровода ,в стеклянной изоляции; х„— температурный коэффициент расширения стеклянной изоляции;
") — темпера гурный коэффициент расширения материала жилы;
ń— модуль упругости стеклянной изоляции;
Š— модуль упругости жилы;
D — — отношение диаметра мпкропровода (т в изоляции к диаметру жилы, зависит от отD
10 ношения и от материала жилы и стекла.
Выполнение микропровода в изоляции с разD личными отношенпями — не позволяет варьd
15 ировать эффектнвный температурный коэффициент расширения в широких пределах.
В предлагаемом резисторе жила н изоляция мнкропровода выполнены нз материалов, эффективный температурный коэффициент
20 расширения которых близок температурному коэффициенту расшнрсння материала карк l са.
В качестве материала изоляции использовано боросилнкатное электровакуумное стекло, а
25 в качестве материала жилы — сплавы тройной или более сложной композиции, компоненты которых взяты в следующих сотношениях /о. Сг 8 — 12, Мп 8 — 1б, Si б — 12, Мо 0,1 — 5, Re до 2,2, Се до 1,2, Рг до 1,2, Ni — Со осталь30 ное.
287161
Предмет изобретения
Составитель Л. Карцева
Редактор A. Ю. Пейсоченко Текред A. А. Камышникова Корректор T. А. Уманец
Заказ 3931/8 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, К-35, Раушская наб.. д. 4 5
Типография, пр. Сапунова, 2
Эффективный температурный коэффициент расширения микропровода, выполненного из указанных материалов, согласован с температурным коэффициентом расширения каркаса, выполненного из стекла.
Такое выполнение резистора исключает появление остаточных изменений электросопротивления обмотки и обеспечивает в многокомпонентной механической системе резистора возникновение только упругих деформаций во всем диапозоне технологических .и рабочих тем пер атур.
1. Резистор с обмоткой из литого микропро.вода в стеклянной изоляции, каркас которого
Bûï0ë íåH из электропзоляционного материала, например стыла, отли ающийся тем, что, с целью повышения стабильности эксплуатационных характеристик в области отрицатель5 ных температур, жила и изоляция микропровода выполнены из материалов, эффективный температурный коэффициент расширения которых близок температурному коэффициенту расширения материала каркаса.
10 2. Резистор по п. 1, отличающийся тем, что в качестве материала изоляции использовано боросиликатное электровакуумное;стекло, а в качестве материала жилы — сплавы тройной или более сложной композиции, компоненl5 ты которых:взяты в следующих соотношениях, о/о. Сг 8 — 12, Мп 8 — 16; Si 6 — 12, Мо О 1 — 5, Ке до 2,2, Се до 1,2, Pr до 1,2, Ni — Со остальное.
